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题名碳化硅半导体技术和市场应用综述
被引量：11
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作者
曹峻
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机构
上海瞻芯电子科技有限公司
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出处
《集成电路应用》
2018年第8期5-9,共5页
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基金
上海科技创新项目临港智能制造产业专项基金(2017.ZN2017020315)
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文摘
随着新能源产业的快速发展,宽禁带半导体越来越受到人们的关注。其中,碳化硅半导体已经开始在多个工业领域得到了广泛应用。在此,针对宽禁带半导体的材料性能、碳化硅半导体的功率器件进行了介绍。此外,也对碳化硅功率器件的封装技术进行了介绍。然后,对于使用碳化硅功率器件较多的应用领域进行了分析。最后,对于未来碳化硅半导体行业的技术发展趋势提出了展望。
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关键词
宽禁带半导体
碳化硅
功率器件
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Keywords
wide band gap （wbg） semiconductors
silicon carbide （SiC）
power device
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分类号
TN304
[电子电信—物理电子学]
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题名碳化硅功率模块封装技术进展
被引量：1
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作者
曹峻
张兆强
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机构
上海瞻芯电子科技有限公司
复旦大学材料科学系
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出处
《集成电路应用》
2018年第8期20-24,共5页
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基金
上海科技创新项目临港智能制造产业专项基金(2017.ZN2017020315)
国家科技重大专项课题(2017ZX02315005-002)极大规模集成电路制造装备及成套工艺-三维集成封装CPI研究
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文摘
近年来,随着新能源产业的快速发展,电力电子系统对功率半导体器件性能提出了更高的要求,作为宽禁带半导体材料的碳化硅功率器件以其相对于传统硅基器件的优异性能,正引起大家的广泛关注。与此同时,碳化硅器件的封装技术正成为限制器件性能发挥的瓶颈。从封装结构和材料角度,探讨了碳化硅功率模块封装技术的最新进展。
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关键词
宽禁带半导体
碳化硅
模块
封装技术
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Keywords
wide band gap （wbg） semiconductors
Silicon Carbide （SiC）
module
packaging
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分类号
TN303
[电子电信—物理电子学]
TN405
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