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垂直腔面发射半导体激光器的特性及其研究现状 被引量:13
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作者 李玉娇 宗楠 彭钦军 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2018年第5期49-61,共13页
与传统的边发射半导体激光器相比,垂直腔面发射激光器(VCSEL)具有光束质量好、阈值电流低、易于二维列阵集成和制造成本低廉等优点。近年来,以VCSEL为基础发展起来的电抽运和光抽运垂直外腔面发射激光器(VECSEL),在获得高的输出功率和... 与传统的边发射半导体激光器相比,垂直腔面发射激光器(VCSEL)具有光束质量好、阈值电流低、易于二维列阵集成和制造成本低廉等优点。近年来,以VCSEL为基础发展起来的电抽运和光抽运垂直外腔面发射激光器(VECSEL),在获得高的输出功率和光束质量的同时,可以通过在腔内插入光学元件,实现腔内倍频、波长可调谐和锁模等激光技术,在激光领域很有竞争力。本文介绍了面发射半导体激光器的结构、工作原理及性能优势,综述了其在高功率输出、可调谐技术、锁模技术等方面的研究现状与进展,探讨了该类型激光器的发展前景。 展开更多
关键词 激光器 垂直腔面发射半导体激光器 电抽运 光抽运 高功率 可调谐技术 锁模技术
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Polarization switching and synchronization of mutually coupled vertical-cavity surface-emitting semiconductor lasers 被引量:1
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作者 张伟利 潘炜 +3 位作者 罗斌 李孝峰 邹喜华 王梦遥 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2007年第7期1996-2002,共7页
Polarization switching (PS) dynamics and synchronization performances of two mutually coupled vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs) are studied theoretically in this paper. A group of dimensionless rate... Polarization switching (PS) dynamics and synchronization performances of two mutually coupled vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs) are studied theoretically in this paper. A group of dimensionless rate equations is derived to describe our model. While analysing the PS characteristics, we focus on the effects of coupling rate and frequency detuning regarding different mutual injection types. The results indicate that the x-mode injection defers the occurrence of PS, while the y-mode injection leads the PS to occur at a lower current. Strong enough polarization-selective injection can suppress the PS. Moreover, if frequency detuning is considered, the effects of polarization-selective mutual injection will be weakened. To evaluate the synchronization performance, the correlation coefficients and output dynamics of VCSELs with both pure mode and mixed mode polarizations are given. It is found that performance of complete synchronization is sensitive to the frequency mismatch but it is little affected by mixed mode polarizations, which is opposite to the case of injection-locking synchronization. 展开更多
关键词 vertical-cavity surface-emitting semiconductor laser polarization mutual injection SYNCHRONIZATION
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Characteristics of selective oxidation during the fabrication of vertical cavity surface emitting laser
3
作者 郝永芹 钟景昌 +2 位作者 马建立 张永明 王立军 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2006年第8期1806-1809,共4页
Taking into account oxidation temperature, N2 carrier gas flow, and the geometry of the mesa structures this paper investigates the characteristics of selective oxidation during the fabrication of the vertical cavity ... Taking into account oxidation temperature, N2 carrier gas flow, and the geometry of the mesa structures this paper investigates the characteristics of selective oxidation during the fabrication of the vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) in detail. Results show that the selective oxidation follows a law which differs from any reported in the literature. Below 435℃ selective oxidation of Al0.98Ga0.02As follows a linear growth law for the two mesa structures employed in VCSEL. Above 435℃ approximately increasing parabolic growth is found, which is influenced by the geometry of the mesa structures. Theoretical analysis on the difference between the two structures for the initial oxidation has been performed, which demonstrates that the geometry of the mesa structures does influence on the growth rate of oxide at higher temperatures. 展开更多
关键词 laser technique selective oxidation vertical-cavity surface-emitting laser QUANTUM-WELL semiconductor laser
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Mode hopping and polarization switching of mutually coupled vertical-cavity surface-emitting lasers
4
作者 ZHANG WeiLi PAN Wei LUO Bin WANG MengYao ZOU XiHua 《Science in China(Series F)》 2008年第5期592-598,共7页
We perform a theoretical study on the polarization-resolved compound lasing mode (CLM) of two mutually coupled vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs). Different solutions of CLMs are derived though stabi... We perform a theoretical study on the polarization-resolved compound lasing mode (CLM) of two mutually coupled vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs). Different solutions of CLMs are derived though stability analysis of the spin-flip model. The dynamical evolvements of CLMs with the existence of polarization degrees of freedom are also charactered. The most stable CLM with the smallest carrier density tend to be excited, since the gain needed for this mode to emit is the lowest. In the given system, varying values of injection rate or birefringence, etc., will change the generation of the preferred CLMs in the two polarization directions, and thus influence the polarization switching (PS) characteristics. Thus, hoppings between CLMs are also companied by PSs. Through mapping of average power in the parameter space, the influences of coupling rate and anisotropy parameters (linear dichroism and linear birefringence) on PS and hopping between CLMs are discussed. 展开更多
关键词 vertical-cavity surface-emitting semiconductor laser polarization switching mutual injection mode hopping
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垂直腔面发射激光器菲涅耳系数矩阵法设计 被引量:1
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作者 盖红星 陈建新 +5 位作者 俞波 廉鹏 邓军 李建军 韩军 沈光地 《光电工程》 CAS CSCD 北大核心 2006年第7期44-47,77,共5页
应用薄膜光学的菲涅耳系数矩阵方法,对垂直腔面发射激光器的驻波场分布设计做了深入的研究。计算结果表明,分布布拉格反射镜生长顺序对器件内部驻波分布有重要的影响。同时也说明菲涅耳系数矩阵法设计垂直腔面发射激光器是一种快速准确... 应用薄膜光学的菲涅耳系数矩阵方法,对垂直腔面发射激光器的驻波场分布设计做了深入的研究。计算结果表明,分布布拉格反射镜生长顺序对器件内部驻波分布有重要的影响。同时也说明菲涅耳系数矩阵法设计垂直腔面发射激光器是一种快速准确的方法。 展开更多
关键词 垂直腔面发射激光器 光学薄膜 驻波场 半导体激光器
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分布布拉格反射镜中具有渐变层的垂直腔面发射半导体激光器 被引量:1
6
作者 刘颖 姜秀英 +2 位作者 刘素平 张晓波 杜国同 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第1期40-42,共3页
报道了分布布拉格反射镜(DBR)中具有渐变层的垂直腔面发射激光器的研究结果。器件是采用钨丝掩膜两次质子轰击方法制备的。该方法是目前报道的垂直腔面发射激光器制作方法中最简单的。初步的实验已实现室温宽脉冲高占空比激射,最... 报道了分布布拉格反射镜(DBR)中具有渐变层的垂直腔面发射激光器的研究结果。器件是采用钨丝掩膜两次质子轰击方法制备的。该方法是目前报道的垂直腔面发射激光器制作方法中最简单的。初步的实验已实现室温宽脉冲高占空比激射,最低阈值为18mA,最大峰值功率大于2mW,激射波长为871nm,串联电阻一般为100~200Ω。 展开更多
关键词 垂直腔 半导体激光器 DBR 激光器
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垂直腔面发射激光器制作新工艺 被引量:10
7
作者 郝永芹 刘文莉 +3 位作者 钟景昌 张永明 冯源 赵英杰 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期443-446,共4页
采用一种新工艺制作了垂直腔面发射激光器(VCSEL),即用开环分布孔取代以往的环形沟道作为氧化物限制技术的注入窗口。因开环分布孔间形成多个桥,为电注入提供了天然的桥状通道,解决了电极过沟断线问题。这种新结构器件的输出功率... 采用一种新工艺制作了垂直腔面发射激光器(VCSEL),即用开环分布孔取代以往的环形沟道作为氧化物限制技术的注入窗口。因开环分布孔间形成多个桥,为电注入提供了天然的桥状通道,解决了电极过沟断线问题。这种新结构器件的输出功率约为以往结构器件的1.34倍。在20℃~80℃范围内,对器件的输出功率、阈值电流及波长漂移性进行了研究。60℃时最大输出光功率可达到6mW。激射波长随温度升高呈线性变化,且向长波方向移动,速率为0.06nm/℃。由实验结果计算出器件的热阻为1.96℃/mw。 展开更多
关键词 激光技术 垂直腔面发射激光器 开环分布孔 氧化物限制技术 量子阱 半导体激光器
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光泵垂直扩展腔面发射半导体激光器的研究进展 被引量:6
8
作者 宗楠 李成明 +2 位作者 陈亚辉 崔大复 许祖彦 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2007年第6期785-789,共5页
近年来,光泵垂直扩展腔面发射半导体激光器由于其光束质量好、可实现大功率输出,受到了广泛的关注。在介绍其基本工作原理的基础上,综述了不同波段光泵垂直扩展腔面发射半导体激光器的研究现状与进展,并分析、讨论了实现高功率光泵垂直... 近年来,光泵垂直扩展腔面发射半导体激光器由于其光束质量好、可实现大功率输出,受到了广泛的关注。在介绍其基本工作原理的基础上,综述了不同波段光泵垂直扩展腔面发射半导体激光器的研究现状与进展,并分析、讨论了实现高功率光泵垂直扩展腔面发射半导体激光器面临的主要问题及解决方案。 展开更多
关键词 光泵浦 垂直扩展腔面发射半导体激光器 高功率 激光显示
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表面涂覆胆固醇液晶-垂直腔面发射激光器的偏振特性 被引量:6
9
作者 王红英 成桢 +1 位作者 赵小侠 李院院 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2014年第11期156-160,共5页
利用胆固醇液晶(CLC)涂覆于垂直腔面发射激光器(VCSEL)表面,将其作为VCSEL输出偏振调控单元,测量并分析了CLC-VCSEL的I-P特性、不同抽运电流下的偏振输出特性以及功率输出稳定性。实验结果表明,同一工作温度下,CLC-VCSEL的阈值电流... 利用胆固醇液晶(CLC)涂覆于垂直腔面发射激光器(VCSEL)表面,将其作为VCSEL输出偏振调控单元,测量并分析了CLC-VCSEL的I-P特性、不同抽运电流下的偏振输出特性以及功率输出稳定性。实验结果表明,同一工作温度下,CLC-VCSEL的阈值电流比单独VCSEL的阈值电流增加了0.35 m A。CLC-VCSEL的偏振态对注入电流非常敏感。当注入电流为1.4 m A时,CLC-VCSEL表现出优良的功率稳定性能,在LCLC=4.62-5.95 mm范围内,获得了有效的圆偏振光输出。 展开更多
关键词 垂直腔面发射激光器 偏振特性 胆固醇液晶 半导体激光 功率稳定
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795 nm高温高功率垂直腔面发射激光器及原子陀螺仪应用 被引量:1
10
作者 周寅利 贾雨棽 +4 位作者 张星 张建伟 刘占超 宁永强 王立军 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第13期183-190,共8页
在传统的氧化物约束型的垂直腔面发射半导体激光器中,横向光限制主要取决于氧化层的厚度及其相对于腔内光驻波分布的位置.通过减少外延结构中氧化层与光场驻波分布之间的重叠,可以降低芯层与包层之间的有效折射率差,从而减少腔内可存在... 在传统的氧化物约束型的垂直腔面发射半导体激光器中,横向光限制主要取决于氧化层的厚度及其相对于腔内光驻波分布的位置.通过减少外延结构中氧化层与光场驻波分布之间的重叠,可以降低芯层与包层之间的有效折射率差,从而减少腔内可存在的横向模的数量,并增加横模向氧化物孔径之外的扩展.本文利用这一原理设计并制作了一个795 nm的大氧化孔径的垂直腔面发射激光器.器件在80℃下可实现4.1 mW的高功率单基模工作,最高边模抑制比为41.68 dB,最高正交偏振抑制比为27.46 dB.将VCSEL作为抽运源应用于核磁共振陀螺仪系统样机中,实验结果表面新设计的VCSEL可以满足陀螺系统的初步应用需求. 展开更多
关键词 垂直腔面发射半导体激光器 大氧化孔径 单基模 核磁共振陀螺仪
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光抽运垂直扩展腔面发射激光器腔内倍频理论研究 被引量:2
11
作者 宗楠 崔大复 +7 位作者 李成明 彭钦军 许祖彦 秦莉 李特 宁永强 晏长岭 王立军 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期3903-3908,共6页
建立了计入光波在非线性晶体中走离和相位失配情况下的光泵面发射激光器腔内倍频的速率方程理论模型,采用循环数值逼近的方法对该速率方程进行求解.以BBO,LBO,PPLN等非线性晶体为例,研究了晶体长度以及抽运功率等因素对倍频输出功率的影... 建立了计入光波在非线性晶体中走离和相位失配情况下的光泵面发射激光器腔内倍频的速率方程理论模型,采用循环数值逼近的方法对该速率方程进行求解.以BBO,LBO,PPLN等非线性晶体为例,研究了晶体长度以及抽运功率等因素对倍频输出功率的影响,模拟结果与实验结果符合得较好. 展开更多
关键词 光抽运 垂直扩展腔面发射激光器 腔内倍频 数值模拟
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高功率垂直外腔面发射半导体激光器增益设计及制备 被引量:18
12
作者 张继业 张建伟 +6 位作者 曾玉刚 张俊 宁永强 张星 秦莉 刘云 王立军 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第5期85-93,共9页
垂直外腔面发射半导体激光器(vertical external cavity surface emitting laser, VECSEL)兼具高功率与良好的光束质量,是半导体激光器领域的持续研究热点之一.本文开展了光抽运VECSEL最核心的多量子阱增益区设计,对量子阱增益光谱及其... 垂直外腔面发射半导体激光器(vertical external cavity surface emitting laser, VECSEL)兼具高功率与良好的光束质量,是半导体激光器领域的持续研究热点之一.本文开展了光抽运VECSEL最核心的多量子阱增益区设计,对量子阱增益光谱及其峰值增益与载流子浓度及温度等关系进行系统的理论优化,并对5种不同势垒构型的量子阱增益特性进行对比,证实采用双侧GaAsP应变补偿的发光区具有更理想的增益特性.对MOCVD生长的VECSEL进行器件制备,实现了VECSEL在抽运功率为35 W时输出功率达到9.82 W,并且功率曲线仍然没有饱和;通过变化外腔镜的反射率, VECSEL的激光波长随抽运功率的漂移系数由0.216 nm/W降低至0.16 nm/W,证实外腔镜反射率会影响VECSEL增益芯片内部热效应,从而影响VECSEL激光输出功率.所制备VECSEL在两正交方向上的发散角分别为9.2°和9.0°,激光光斑呈现良好的圆形对称性. 展开更多
关键词 光抽运垂直外腔面发射半导体激光器 量子阱 增益芯片 高功率
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1160 nm光泵垂直外腔面发射激光器设计及制备 被引量:5
13
作者 张卓 宁永强 +9 位作者 张建伟 张继业 曾玉刚 张俊 张星 周寅利 黄佑文 秦莉 刘云 王立军 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第7期253-260,共8页
1160 nm波段垂直外腔面发射半导体激光器(VECSEL)是医用橙黄激光的基频光源,但是其发光区的高应变InGaAs量子阱会引起严重的应变积累效应,限制高功率输出。提出一种在单个发光区内采用GaAsP材料对高应变InGaAs量子阱进行二次补偿的方法... 1160 nm波段垂直外腔面发射半导体激光器(VECSEL)是医用橙黄激光的基频光源,但是其发光区的高应变InGaAs量子阱会引起严重的应变积累效应,限制高功率输出。提出一种在单个发光区内采用GaAsP材料对高应变InGaAs量子阱进行二次补偿的方法,保证发光区内的光学吸收层具有高的材料生长质量。提出含Al吸收层的结构,以降低GaAsP势垒引起的能带阻挡效应,提高了发光区光生载流子的注入效率。所制备的VECSEL器件激光波长为1160 nm,输出功率达1.02 W,并获得圆形对称的输出光斑形貌,光斑在正交方向上的发散角分别为10.5°和11.9°。 展开更多
关键词 激光物理 半导体激光器 光泵浦垂直外腔面发射半导体激光器 增益芯片 应变量子阱
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