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题名超薄圆片划片工艺探讨
被引量：6
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作者
姜健
张政林
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机构
无锡华润安盛科技有限公司
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出处
《中国集成电路》
2009年第8期66-69,共4页
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文摘
集成电路小型化正在推动圆片向更薄的方向发展,超薄圆片的划片技术作为集成电路封装小型化的关键基础工艺技术,显得越来越重要,它直接影响产品质量和寿命。本文从超薄片划片时常见的崩裂问题出发,分析了崩裂原因,简单介绍了目前超薄圆片切割普遍采用的STEP切割工艺。另外,针对崩裂原因,还从组成划片刀的3个要素入手分析了减少崩裂的选刀方法。
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关键词
超薄圆片
崩片
背崩
正面崩片
崩裂
划片刀过载
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Keywords
ultrathin wafer
die chip
backside chip
topside chip
die chip and crack
blade overloading
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分类号
TN405
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名薄片划片微损伤与芯片断裂强度探讨
被引量：2
- 2
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作者
姜健
张政林
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机构
无锡华润安盛科技有限公司
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出处
《中国集成电路》
2009年第9期63-65,38,共4页
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文摘
超薄圆片的减薄、划片技术是集成电路封装小型化的关键基础工艺技术,随着减薄后化学机械抛光(CMP)、旋转腐蚀、干法刻蚀或干法抛光等释放应力技术被广泛采用,减薄造成的圆片背面损伤几乎为零,所以划片造成的微损伤对芯片断裂强度的影响变得越来越突出。本文分析了影响芯片断裂强度的主要原因,对薄片划片微损伤的来源、危害及解决方法进行了探讨。同时,着重介绍了一种新的激光划片方式,即喷水波导激光(LMJ)划片法。
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关键词
超薄片
芯片断裂强度
功能失效
芯片边缘损伤
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Keywords
ultrathin wafer
die rupture strength
function failure
die edge damage
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分类号
TN405
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名超薄石英玻璃晶圆双面抛光过程中破裂的探究
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作者
李怀阳
花宁
隋镁深
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机构
中建材衢州金格兰石英有限公司
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出处
《中国建材科技》
2018年第6期57-59,共3页
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文摘
本文对超薄石英玻璃晶圆在双面抛光过程当中破裂的产生原因进行了研究,从受力分析及实验检测两方面分析了抛光机施压和转速对晶圆破裂的影响。研究表明:晶圆在双面抛光过程中破裂的主要原因是由于其边缘所承受的切应力和正应力超过晶圆机械强度极限。双面抛光机转速和施加压力的大小是导致晶圆破裂缺陷产生的主要影响因素。本文对4英寸0.3mm超薄石英玻璃晶圆的加工工艺参数进行了研究,当下盘转速高于22rpm或施加轻压小于0.2bar时,晶圆破裂比例大幅提高。当下盘转速为20rpm、施加轻压0.4bar时能够在避免破裂缺陷的同时实现最快加工速度。
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关键词
双面抛光
超薄石英玻璃晶圆
破裂
压力
转速
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Keywords
double-sided polishing
ultrathin fused quartz wafer
fracture
pressure
speed
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分类号
TQ171
[化学工程—玻璃工业]
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