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薄膜的力学测试技术 被引量:41
1
作者 陈隆庆 赵明暤 张统一 《机械强度》 CAS CSCD 北大核心 2001年第4期413-429,共17页
对薄膜力学性能的测试方法。
关键词 薄膜 力学性能 残余应力 弹性模量 强度 硬度 纳米压痕 压痕断裂法 微悬臂梁 鼓膜试验 MEMS
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FeS_2薄膜光电性能研究进展 被引量:11
2
作者 黄伟 孟亮 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期494-499,共6页
对FeS2 薄膜光电性能的研究现状进行了分析 ,综述了制备方法、硫化工艺及掺杂元素对FeS2 薄膜光电性能的影响以及光电转换效率的研究进展 ,讨论了FeS2 薄膜这种先进太阳能电池材料研究中现存的问题和发展方向。
关键词 FES2薄膜 光电性能 制备工艺 二硫化铁 太阳能电池
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非理想参数下193nm光学薄膜的设计 被引量:12
3
作者 袁景梅 易葵 +2 位作者 齐红基 范正修 邵建达 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期477-481,共5页
193nm光学薄膜是 10 0nm步进扫描光刻机系统中主要用到的光学薄膜。分析了膜料光学常数的不确定性、高折射率膜材料消光系数、水吸收以及膜层表面粗糙度对薄膜光学性能的影响。结果表明 ,要镀制出反射率大于98 5 %的高反膜 ,必须将高折... 193nm光学薄膜是 10 0nm步进扫描光刻机系统中主要用到的光学薄膜。分析了膜料光学常数的不确定性、高折射率膜材料消光系数、水吸收以及膜层表面粗糙度对薄膜光学性能的影响。结果表明 ,要镀制出反射率大于98 5 %的高反膜 ,必须将高折射率材料的消光系数k控制在 0 0 0 34以内 ,同时膜层表面的粗糙度σ控制在 1nm以内。膜层性能同时还受其使用环境中水气含量及其水气中杂质含量的影响 ,要减少膜层水吸收的影响 ,就必须提高薄膜的致密度 ,采用离子成膜技术 ,或者改变膜层的使用环境。在考虑相关因素的前提下 ,设计了在光刻机曝光系统中主要用到的增透膜、高反膜 。 展开更多
关键词 薄膜技术 193nm光学薄膜 光刻机 消光系数 水吸收 表面粗糙度
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薄膜材料导热行为及其测试和预测 被引量:4
4
作者 谢华清 王锦昌 +1 位作者 奚同庚 刘岩 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 2001年第1期104-112,共9页
薄膜材料在集成电路、光电子技术、微结构传感器等微电子元件的应用日益广泛 ,其导热性能直接影响元器件的热噪声 ,进而对其可靠性和使用性能产生明显影响 .薄膜材料导热性能及其测试研究愈益受人瞩目 .为此 ,本文对薄膜材料导热性能及... 薄膜材料在集成电路、光电子技术、微结构传感器等微电子元件的应用日益广泛 ,其导热性能直接影响元器件的热噪声 ,进而对其可靠性和使用性能产生明显影响 .薄膜材料导热性能及其测试研究愈益受人瞩目 .为此 ,本文对薄膜材料导热性能及各种测试方法进行了综述 ,并在分析薄膜微结构模型的基础上 ,对计算薄膜有效热导率的不同预测方程进行了评述 。 展开更多
关键词 薄膜 热导率 测试 预测 导热性能
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中低温固体氧化物燃料电池的研究 被引量:6
5
作者 阎加强 张培新 +2 位作者 单松高 伍卫琼 隋智通 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第4期44-47,共4页
中低温固体氧化物燃料电池(SOFC)是燃料电池研究的一个重要方向,综述了研究开发中低温SOFC的途径及现状,并指出了应解决的几个问题。
关键词 固体氧化物 燃料电池 薄膜技术 SOFC 中低温
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从欧洲真空镀膜会议分析光学薄膜及其技术的研究和发展 被引量:2
6
作者 黄心耕 刘江 王素英 《光学仪器》 1999年第4期238-242,共5页
简要介绍了96 年欧洲真空镀膜会议概况,结合94 年第一届欧洲真空镀膜专题讨论会的内容,对欧洲各国在光学薄膜和薄膜技术的研究动向作了介绍;并介绍了广泛应用于激光、红外及航天等高技术中的类金刚石和金刚石薄膜、软X射线多层... 简要介绍了96 年欧洲真空镀膜会议概况,结合94 年第一届欧洲真空镀膜专题讨论会的内容,对欧洲各国在光学薄膜和薄膜技术的研究动向作了介绍;并介绍了广泛应用于激光、红外及航天等高技术中的类金刚石和金刚石薄膜、软X射线多层膜的研究成果。 展开更多
关键词 光学薄膜 薄膜技术 类金刚石 软X射线 真空镀膜
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纳米复合薄膜自组装技术 被引量:2
7
作者 余海湖 赵愚 +1 位作者 许丕池 姜德生 《武汉理工大学学报(信息与管理工程版)》 CAS 2002年第4期137-141,共5页
L -B膜技术、化学吸附自组装薄膜技术和静电吸附自组装薄膜技术是制备纳米复合薄膜的重要手段 ,对三种技术的基本原理作了介绍 ,对其发展概况作了综述 。
关键词 纳米复合薄膜 L-B膜技术 化学吸附自组装薄膜技术 静电吸附自组装薄膜技术 纳米材料 物理吸附自组装
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Influence of growth time on crystalline structure,conductivity and optical properties of ZnO thin films 被引量:9
8
作者 Said Benramache Foued Chabane +1 位作者 Boubaker Benhaoua Fatima Z.Lemmadi 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2013年第2期11-14,共4页
This paper examines the growth of ZnO thin films on glass substrate at 350 ℃ using an ultrasonic spray technique. We have investigated the influence of growth time ranging from 1 to 4 min on structural, optical and e... This paper examines the growth of ZnO thin films on glass substrate at 350 ℃ using an ultrasonic spray technique. We have investigated the influence of growth time ranging from 1 to 4 min on structural, optical and electrical properties of ZnO thin films. The as-grown films exhibit a hexagonal structure wurtzite and are (002) oriented. The maximum value of grain size G = 63.99 nm is attained for ZnO films grown at 2 min. The average transmittance is about 80%, thus the films are transparent in the visible region. The optical gap energy is found to increase from 3.26 to 3.37 eV with growth time increased from 1 to 2 min. The minimum value of electrical resistivity of the films is 0.13 Ω.cm obtained at 2 min. A systematic study on the influence of growth time on the properties of ZnO thin films deposited by ultrasonic spray at 350 ℃ has been reported. 展开更多
关键词 ZnO thin film growth time ultrasonic spray technique
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CIGS薄膜材料研究进展 被引量:10
9
作者 肖健平 何青 +1 位作者 陈亦鲜 夏明 《西南民族大学学报(自然科学版)》 CAS 2008年第1期189-193,共5页
CIGS薄膜太阳电池具有低成本、高效率、性能稳定等优点,是最有发展前途的太阳能电池之一,受到了广泛关注.阐述了CI(G)S材料特性,分别介绍了多种制备方法,其中着重介绍共蒸发三步法这一制备小面积高效率电池的通用方法和在产业化生产中... CIGS薄膜太阳电池具有低成本、高效率、性能稳定等优点,是最有发展前途的太阳能电池之一,受到了广泛关注.阐述了CI(G)S材料特性,分别介绍了多种制备方法,其中着重介绍共蒸发三步法这一制备小面积高效率电池的通用方法和在产业化生产中更理想的溅射后硒化法. 展开更多
关键词 CIGS薄膜 共蒸发三步法 溅射后硒化
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聚合物复合薄膜DR13/PMMA的制备及其光学特性 被引量:8
10
作者 高怡 杨洪亮 +4 位作者 张福军 任诠 孙晶 孙香冰 张熹 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第7期983-987,共5页
薄膜的厚度、折射率和传输损耗等参数在电光系数的确定和光波导器件的设计和制作过程中都是重要的参考数据。采用旋涂法制备了三种不同质量比的偶氮化合物染料分散红13(DR13)与聚合物聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)复合薄膜;利用分光光度... 薄膜的厚度、折射率和传输损耗等参数在电光系数的确定和光波导器件的设计和制作过程中都是重要的参考数据。采用旋涂法制备了三种不同质量比的偶氮化合物染料分散红13(DR13)与聚合物聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)复合薄膜;利用分光光度计测量样品的吸收光谱;利用棱镜耦合仪测量了薄膜的厚度和折射率,并对不同波长下的折射率进行拟合得到折射率色散曲线;采用视频摄像技术研究样品的光传输特性,利用自己编写的计算机程序来处理其实验结果。DR13/PMMA复合薄膜在300nm和500nm处有两个大的吸收峰,而在其他波段,尤其是在通信波段没有明显吸收。薄膜的膜厚大约为1~2μm,其折射率随着质量比的增加而增大,随着激光波长的增大而降低,膜厚和折射率的误差分别为3.2×10^-1μm和1.5×10^-3。三种质量比(10%,15%和20%)的薄膜传输损耗分别为1.5269dB/cm,2.7601 dB/cm和3.6291 dB/cm,可以看出随着DR13质量比的增大,光传输损耗也逐渐增大,即DR13的含量对于传输损耗的影响较大。 展开更多
关键词 薄膜 聚合物薄膜 光学常数 准波导法 视频摄像技术
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三氧化钨薄膜材料制备的现状及研究趋势 被引量:4
11
作者 唐一科 徐艳 +1 位作者 许静 韦立凡 《重庆科技学院学报(自然科学版)》 CAS 2005年第1期1-4,共4页
概述了三氧化钨薄膜材料的研究意义,并结合国内外文献综述了三氧化钨薄膜材料的各种制备方法及其性能的研究现状与进展,其中详细介绍了蒸发法、溅射法、溶胶凝胶法及其掺杂稀有金属研究等。目前大多数方法都能制备出均匀致密的三氧化钨... 概述了三氧化钨薄膜材料的研究意义,并结合国内外文献综述了三氧化钨薄膜材料的各种制备方法及其性能的研究现状与进展,其中详细介绍了蒸发法、溅射法、溶胶凝胶法及其掺杂稀有金属研究等。目前大多数方法都能制备出均匀致密的三氧化钨薄膜,而且都具有良好的电致变色、光致变色、气致变色特性,同时在掺杂不同的稀有金属后可以用作不同气体的敏感材料。最后分析了三氧化钨薄膜材料制备和应用的发展趋势。 展开更多
关键词 三氧化钨薄膜 材料制备 研究趋势 薄膜材料 稀有金属 现状与进展 溶胶凝胶法 研究意义 制备方法 文献综述 详细介绍 电致变色 光致变色 变色特性 敏感材料 发展趋势 国内外 蒸发法 溅射法 掺杂
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二硫化铁(Pyrite)薄膜太阳能电池材料的制备及展望 被引量:4
12
作者 徐文雷 楼卫珍 +1 位作者 孟亮 刘茂森 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第3期31-33,共3页
FeS_2作为一种新型的太阳能电池材料受到了广泛的重视。综述了FeS_2的半导体机理、薄膜的制备及研究和展望。
关键词 太阳能电池材料 制备工艺 二硫化铁 薄膜
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电子束自动扫描SiO_2材料沉积速率控制实验研究 被引量:7
13
作者 王宁 魏朝阳 +2 位作者 邵建达 范正修 易葵 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第10期2615-2619,共5页
沉积速率是电子束蒸发制备光学薄膜的重要工艺参数之一,影响着成膜的微观结构和化学成分,从而对薄膜的光学性质和机械性质都产生很大的影响。SiO2材料是制备光学薄膜的主要低折射率材料之一,由于其导热性很弱,并且以升华的方式进行蒸发... 沉积速率是电子束蒸发制备光学薄膜的重要工艺参数之一,影响着成膜的微观结构和化学成分,从而对薄膜的光学性质和机械性质都产生很大的影响。SiO2材料是制备光学薄膜的主要低折射率材料之一,由于其导热性很弱,并且以升华的方式进行蒸发,因此在蒸发过程中表面会出现凹坑,影响其蒸发特性,不利于沉积速率的稳定。考虑到SiO2材料的蒸发特性,进行了电子束自动蒸发SiO2材料沉积速率控制实验,利用设计的扫描控制仪,采用设计的路径进行焦斑自动扫描,在扫描过程中采用比例-积分-微分(PID)闭环反馈法对沉积速率进行控制,实验结果表明,通过控制可以得到良好的材料表面特性和较稳定的沉积速率。 展开更多
关键词 薄膜 薄膜工艺 自动扫描 沉积速率控制
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S波段小型Lange耦合器的应用设计 被引量:6
14
作者 李勇 王江涛 《微波学报》 CSCD 北大核心 2011年第5期60-63,共4页
Lange耦合器在雷达设备中应用广泛,雷达技术的飞速发展对Lange耦合器的体积质量提出了非常苛刻的要求。通过Ansoft Designer仿真发现在设计中使用高介电常数的介质,使耦合器的中心频率适当偏离实际工作频率,改变耦合段结构,都可以既不... Lange耦合器在雷达设备中应用广泛,雷达技术的飞速发展对Lange耦合器的体积质量提出了非常苛刻的要求。通过Ansoft Designer仿真发现在设计中使用高介电常数的介质,使耦合器的中心频率适当偏离实际工作频率,改变耦合段结构,都可以既不影响耦合器性能又明显地减小Lange耦合器的尺寸。实际制作了两种S波段的薄膜工艺小型Lange耦合器,尺寸分别为2.25mm×11.9mm2、.25mm×8.9mm,其中尺寸较小的耦合器中心频率与实际工作频率相比较高。两种耦合器的实测结果表明,所设计的耦合器一方面在尺寸上达到了小型化的目的,另一方面性能完全满足实际工程应用的需要。 展开更多
关键词 雷达技术 LANGE耦合器 S波段 薄膜工艺 小型化
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Photoelectrocatalytic activity of immobilized Yb doped WO3 photocatalyst for degradation of methyl orange dye 被引量:4
15
作者 S.V.Mohite V.V.Ganbavle K.Y.Rajpure 《Journal of Energy Chemistry》 SCIE EI CAS CSCD 2017年第3期440-447,共8页
Pure WOand Yb:WOthin films have been synthesized by spray pyrolysis technique. Effect of Yb doping concentration on photoelectrochemical, structural, morphological and optical properties of thin films are studied. X-r... Pure WOand Yb:WOthin films have been synthesized by spray pyrolysis technique. Effect of Yb doping concentration on photoelectrochemical, structural, morphological and optical properties of thin films are studied. X-ray diffraction analysis shows that all thin films are polycrystalline nature and exhibit monoclinic crystal structure. The 3 at% Yb:WOfilm shows superior photoelectrochemical(PEC) performance than that of pure WOfilm and it shows maximum photocurrent density(Iph= 1090 μA/cm) having onset potentials around +0.3 V/SCE in 0.01 M HClO. The photoelectrocatalytic process is more effective than that of the photocatalytic process for degradation of methyl orange(MO) dye. Yb doping in WOphotocatalyst is greatly effective to degrade MO dye. The enhancement in photoelectrocatalytic activity is mainly due to the suppressing the recombination rate of photogenerated electron-hole pairs. The mineralization of MO dye in aqueous solution is studied by measuring chemical oxygen demand(COD) values. 展开更多
关键词 DEGRADATION Photocatalytic activity Methyl orange dye thin film Yb doped WO3 Spray pyrolysis technique
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MgB_2超导薄膜制备方法对比研究 被引量:5
16
作者 高建龙 周建中 张莉 《物理》 CAS 北大核心 2008年第7期493-499,共7页
文章结合MgB2超导薄膜在电子器件中的应用,简介了混合物理化学气相沉积法、脉冲激光沉积法、磁控溅射法、分子束外延法和电子束蒸发法等MgB2超导薄膜制备方法和研究进展,并对主要的MgB2超导薄膜制备方法进行了比较,提出了改进意见.对MgB... 文章结合MgB2超导薄膜在电子器件中的应用,简介了混合物理化学气相沉积法、脉冲激光沉积法、磁控溅射法、分子束外延法和电子束蒸发法等MgB2超导薄膜制备方法和研究进展,并对主要的MgB2超导薄膜制备方法进行了比较,提出了改进意见.对MgB2超导薄膜的应用前景作了展望. 展开更多
关键词 二硼化镁 超导 薄膜 制备技术
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基于甲烷气体红外吸收特性窄带滤波器的研究 被引量:5
17
作者 熊仕富 付秀华 +1 位作者 刘冬梅 张静 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第10期74-80,共7页
根据气体探测系统灵敏度的要求,基于甲烷气体红外吸收光谱特性,结合工艺经验确定了滤波器的技术指标.采用"拆分技术"对气体滤波器进行膜系结构设计,降低了膜层产生的应力.通过电子束加热蒸发沉积薄膜,根据测试结果逆向分析,... 根据气体探测系统灵敏度的要求,基于甲烷气体红外吸收光谱特性,结合工艺经验确定了滤波器的技术指标.采用"拆分技术"对气体滤波器进行膜系结构设计,降低了膜层产生的应力.通过电子束加热蒸发沉积薄膜,根据测试结果逆向分析,优化工艺参数.所研制的滤波器在7.669μm波长处峰值透过率达到85.14%,通带半宽度为59nm,覆盖了甲烷气体吸收区域,截止区达到了OD3,很好地抑制了背景噪声. 展开更多
关键词 光学薄膜 窄带滤波器 拆分技术 气体泄漏 探测与识别 灵敏度
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氧化钒薄膜脉冲激光损伤研究 被引量:4
18
作者 陈学荣 胡军志 韩文政 《材料热处理学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期122-124,共3页
采用离子束溅射和退火工艺,在K9玻璃基体上制备了氧化钒薄膜,并对其微观形貌及组成进行了研究,还应用脉宽10ns、532nm波长的Nd:YAG激光器对薄膜样品进行了激光损伤阈值的测试。扫描电镜(SEM)分析结果表明,所制备的氧化钒薄膜均匀致密,... 采用离子束溅射和退火工艺,在K9玻璃基体上制备了氧化钒薄膜,并对其微观形貌及组成进行了研究,还应用脉宽10ns、532nm波长的Nd:YAG激光器对薄膜样品进行了激光损伤阈值的测试。扫描电镜(SEM)分析结果表明,所制备的氧化钒薄膜均匀致密,晶粒平均尺寸约50nm。X射线光电子谱(XPS)分析可知,薄膜中钒的价态为+4价和+5价,薄膜由VO2和V2O5组成。在1Hz多次单点照射的条件下,以刚可见损伤作为判断激光损伤阈值的条件,得到此氧化钒薄膜的激光损伤阈值为21.9mJ/cm2。对刚可见损伤光斑和明显损伤光斑进行了微观分析,探讨了激光损伤原因。 展开更多
关键词 薄膜技术 激光损伤阈值 激光损伤光斑 氧化钒薄膜
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Cu-Promoted Cobalt Oxide Film Catalyst for Efficient Gas Emissions Abatement 被引量:3
19
作者 EL KASMI Achraf WAQAS Muhammad +1 位作者 MOUNTAPMBEME KOUTOU Patrick TIAN Zhenyu 《Journal of Thermal Science》 SCIE EI CAS CSCD 2019年第2期225-231,共7页
Thin film catalysts have been recently reported as promising catalysts owing to their good catalytic activity and reduced material amount, leading to low-cost efficient catalysts for gaseous emissions control. Here, w... Thin film catalysts have been recently reported as promising catalysts owing to their good catalytic activity and reduced material amount, leading to low-cost efficient catalysts for gaseous emissions control. Here, we report the slight loading of Cu in cobalt spinel using a one-step pulsed-spray evaporation chemical vapor deposition(PSE-CVD) synthesis technique for efficient short-chain volatile organic compounds(VOCs) emissions treatment. Crystalline structure and morphology analyses revealed nano-crystallite sizes and open-like morphology. The catalytic performance was evaluated through the complete oxidation of C_3H_6, as a short-chain representative model of VOCs, at a high gas hourly space velocity(GHSV). Very good activity was obtained towards the complete abatement of C_3H_6 at low temperature and no carbon monoxide(CO) was formed during the oxidation process. Slightly-promoted Co_3O_4 catalyst with Cu introduction resulted in high catalytic activity comparing to the performance of the catalysts in the literature, due to the high dispersion of Cu and high active surface oxygen amount. Moreover, to evaluate the capability of the used catalysts under near realistic reaction conditions, CO_2 effect on the catalytic activity was performed and the catalyst exhibited very good results. Thus, the adopted slightly-doping strategy to tailor a high active catalyst at low temperature could establish a very promising route to strongly enhance the activity of such other catalysts towards gas emissions abatement at low temperature. 展开更多
关键词 low Cu-doping PSE-CVD technique thin film catalysts complete CATALYTIC oxidation VOCs
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Synthesis and Electrical Characterization of BaTiO3 Thin Films on Si(100) 被引量:3
20
作者 V. R. Chinchamalatpure S. A. Ghosh G. N. Chaudhari 《Materials Sciences and Applications》 2010年第4期187-190,共4页
BaTiO3 thin film has been deposited on Si(100) substrate using sol-gel process and deposited by using spin – coating technique. The BaTiO3/Si(100) structures were studied by structural and electrical characteristics.... BaTiO3 thin film has been deposited on Si(100) substrate using sol-gel process and deposited by using spin – coating technique. The BaTiO3/Si(100) structures were studied by structural and electrical characteristics. The X-ray diffrac-tion of BaTiO3/Si(100) shows that the diffraction peaks become increasing sharp with increasing calcination tempera-tures indicating the enhance crystallinity of the films. Scanning electron microscopy of BaTiO3 thin films shows the crack free and uniform nature. The capacitance-voltage measurement of BaTiO3 thin film deposited on Si(100) an-nealed at 600℃ shows large frequency dispersion in the accumulation region. The current-voltage measurement of BaTiO3/Si shows the ideality factor was approaches to unity at 600℃. 展开更多
关键词 SOL-GEL technique BATIO3 thin film C-V I-V
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