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薄膜硅光伏组件的漏电通道模型及绝缘电阻的定量测试 被引量：5
1
作者 张英 麦耀华 +4 位作者 李国斌 顿涛涛 董倩 刘涛 贾海军 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第11期2454-2459,共6页
为了研究薄膜硅光伏组件在高电压下的绝缘失效机制,建立了一个薄膜硅组件的漏电通道模型,并定量测试组件在湿热(damp heat,DH)实验前后各漏电通道的绝缘电阻,采用了独特的措施来避免各漏电通道之间的相互干扰,获得了较准确的结果。在DH... 为了研究薄膜硅光伏组件在高电压下的绝缘失效机制,建立了一个薄膜硅组件的漏电通道模型,并定量测试组件在湿热(damp heat,DH)实验前后各漏电通道的绝缘电阻,采用了独特的措施来避免各漏电通道之间的相互干扰,获得了较准确的结果。在DH实验之前,组件边缘的绝缘电阻比前后玻璃高20倍至2个数量级,前后玻璃处的漏电决定了组件绝缘性能。经过1 000 h的DH实验之后,边缘绝缘电阻大幅下降约2个数量级,成为小面积(300 mm×300 mm)组件绝缘性能的决定性因素,但是在大面积(1 300 mm×1 100 mm)组件中,前后玻璃在很多情况下仍是组件漏电流的主要通道。 展开更多
关键词 薄膜光伏组件 漏电通道 绝缘电阻 定量测量
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大面积薄膜硅太阳电池组件效率优化的研究
2
作者 李宏 贾海军 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第12期1865-1868,共4页
产业化的薄膜硅太阳电池组件采用激光划刻技术实现子电池的串联集成。基于单个PN结的二级管模型,建立薄膜硅太阳能组件的等效电路模型。薄膜硅太阳能组件的前后电极电阻、激光划刻子电池有效发电宽度、激光划刻死区宽度、激光划刻后Shun... 产业化的薄膜硅太阳电池组件采用激光划刻技术实现子电池的串联集成。基于单个PN结的二级管模型,建立薄膜硅太阳能组件的等效电路模型。薄膜硅太阳能组件的前后电极电阻、激光划刻子电池有效发电宽度、激光划刻死区宽度、激光划刻后Shunt效应等因素会对电池性能产生影响。在实验室小面积薄膜硅太阳能电学参数基础上,对薄膜硅太阳能组件效率进行优化,通过薄膜硅太阳能组件转换效率和子电池激光划刻宽度的关联性量化,确定适宜的激光划刻子电池宽度。 展开更多
关键词 薄膜硅太阳能组件 激光划刻 子电池宽度 转换效率
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