期刊文献+
共找到5篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
自旋转矩纳米振荡器的研究进展 被引量:3
1
作者 钟智勇 王棋 +3 位作者 金立川 唐晓莉 白飞明 张怀武 《真空电子技术》 2013年第2期19-24,共6页
自旋转矩纳米振荡器(STNO)是利用自旋极化电流引起多层磁性纳米结构中的自由磁性层的磁矩进动,并结合磁电阻效应而得到微波输出的一种新型微波振荡器,它具有体积小,振荡频率可电流调控,品质因素高和低功耗等优点。本文介绍了STNO的工作... 自旋转矩纳米振荡器(STNO)是利用自旋极化电流引起多层磁性纳米结构中的自由磁性层的磁矩进动,并结合磁电阻效应而得到微波输出的一种新型微波振荡器,它具有体积小,振荡频率可电流调控,品质因素高和低功耗等优点。本文介绍了STNO的工作原理,综述了STNO的国内外研究现状和发展趋势,并展望其应用前景。 展开更多
关键词 自旋转矩纳米振荡器 自旋电子学 磁电阻效应 自旋转矩效应
下载PDF
自旋转移矩纳米振荡器原理、结构与研究进展
2
作者 常鸿 史欣玉 +1 位作者 董健方 钟智勇 《磁性材料及器件》 CAS CSCD 2019年第5期59-64,共6页
自旋转移矩纳米振荡器(STNO)主要依据磁电阻效应(MR)和自旋转移矩效应(STT)两种效应来工作的。自旋转移矩效应中自旋电子能够有效地控制磁性薄膜磁化矢量变化,从而STNO可以被直流偏压电流和外加直流磁场调制。由于其高集成度、高可调谐... 自旋转移矩纳米振荡器(STNO)主要依据磁电阻效应(MR)和自旋转移矩效应(STT)两种效应来工作的。自旋转移矩效应中自旋电子能够有效地控制磁性薄膜磁化矢量变化,从而STNO可以被直流偏压电流和外加直流磁场调制。由于其高集成度、高可调谐性,而且可以和CMOS工艺完全兼容,使得STNO成为了未来射频收发器的理想器件。首先简单介绍STNO的基本结构和原理,然后重点阐述近年来针对输出功率和带宽等问题而提出的最新解决办法,最后对STNO的发展前景进行了展望。 展开更多
关键词 自旋转移矩效应 磁电阻效应 纳米振荡器 性能 应用
下载PDF
Spin torque nano-oscillators with a perpendicular spin polarizer
3
作者 Cuixiu Zheng Hao-Hsau Chen +2 位作者 Xiangli Zhang Zongzhi Zhang Yaowen Liu 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2019年第3期60-70,共11页
We present an overview in the understanding of spin-transfer torque(STT) induced magnetization dynamics in spintorque nano-oscillator(STNO) devices. The STNO contains an in-plane(IP) magnetized free layer and an out-o... We present an overview in the understanding of spin-transfer torque(STT) induced magnetization dynamics in spintorque nano-oscillator(STNO) devices. The STNO contains an in-plane(IP) magnetized free layer and an out-of-plane(OP) magnetized spin polarizing layer. After a brief introduction, we first use mesoscopic micromagnetic simulations,which are based on the Landau–Lifshitz–Gilbert equation including the STT effect, to specify how a spin-torque term may tune the magnetization precession orbits of the free layer, showing that the oscillator frequency is proportional to the current density and the z-component of the free layer magnetization. Next, we propose a pendulum-like model within the macrospin approximation to describe the dynamic properties in such type of STNOs. After that, we further show the procession dynamics of the STNOs excited by IP and OP dual spin-polarizers. Both the numerical simulations and analytical theory indicate that the precession frequency is linearly proportional to the spin-torque of the OP polarizer only and is irrelevant to the spin-torque of the IP polarizer. Finally, a promising approach of coordinate transformation from the laboratory frame to the rotation frame is introduced, by which the nonstationary OP magnetization precession process is therefore transformed into the stationary process in the rotation frame. Through this method, a promising digital frequency shift-key modulation technique is presented, in which the magnetization precession can be well controlled at a given orbit as well as its precession frequency can be tuned with the co-action of spin polarized current and magnetic field(or electric field) pulses. 展开更多
关键词 spin torque nano-oscillators(STNOs) spin-transfer torque effect magnetic simulation
下载PDF
Perpendicular magnetic tunnel junction and its application in magnetic random access memory 被引量:1
4
作者 刘厚方 Syed Shahbaz Ali 韩秀峰 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2014年第7期13-21,共9页
Recent progresses in magnetic tunnel junctions with perpendicular magnetic anisotropy (PMA) are reviewed and summarized. At first, the concept and source of perpendicular magnetic anisotropy (PMA) are introduced. ... Recent progresses in magnetic tunnel junctions with perpendicular magnetic anisotropy (PMA) are reviewed and summarized. At first, the concept and source of perpendicular magnetic anisotropy (PMA) are introduced. Next, a historical overview of PMA materials as magnetic electrodes, such as the RE-TM alloys TbFeCo and GdFeCo, novel tetragonal manganese alloys Mn-Ga, L10-ordered (Co, Fe)/Pt alloy, multilayer film [Co, Fe, CoFe/Pt, Pd, Ni, AU]N, and ultra-thin magnetic metal/oxidized barrier is offered. The other part of the article focuses on the optimization and fabrication of CoFeB/MgO/CoFeB p-MTJs, which is thought to have high potential to meet the main demands for non-volatile magnetic random access memory. 展开更多
关键词 magnetic random access memory perpendicular magnetic anisotropy spin transfer torque effect magnetic tunnel junction
下载PDF
自旋转移矩驱动的磁化翻转理论研究
5
作者 戚翔 张渐飞 +1 位作者 王永慧 周文平 《内蒙古大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2021年第3期278-284,共7页
采用宏自旋模型和Landau-Lifshitz-Gilbert-Slonczewski(LLGS)方程讨论了垂直磁化隧道结的磁化翻转,结果表明:(1)减小隧道结自由层的厚度可以加快磁化翻转;(2)通过增加外电场,可以降低自由层的磁各向异性,从而加快磁化翻转速度;(3)双界... 采用宏自旋模型和Landau-Lifshitz-Gilbert-Slonczewski(LLGS)方程讨论了垂直磁化隧道结的磁化翻转,结果表明:(1)减小隧道结自由层的厚度可以加快磁化翻转;(2)通过增加外电场,可以降低自由层的磁各向异性,从而加快磁化翻转速度;(3)双界面五层膜隧道结可以增加自旋极化电流,从而加快磁化翻转速度。上述理论分析对于提高自旋转移矩磁随机存储器的性能有重要意义。 展开更多
关键词 自旋转移矩效应 磁随机存储器 磁隧道结 磁各向异性
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部