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非晶硅薄膜的快速热退火机理研究 被引量:9
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作者 陈永生 卢景霄 +4 位作者 张宇翔 王生钊 杨仕娥 郜小勇 李秀瑞 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期1137-1140,1074,共5页
采用RTA方法对PECVD沉积的a-S i:H薄膜进行固相晶化是近年来发展起来的一种制备多晶硅薄膜的新方法。通过研究不同退火工艺条件对薄膜结构的影响,来揭示快速热退火机理。研究表明短波长光(≤730nm)的量子效应在晶化过程中可能起着至关... 采用RTA方法对PECVD沉积的a-S i:H薄膜进行固相晶化是近年来发展起来的一种制备多晶硅薄膜的新方法。通过研究不同退火工艺条件对薄膜结构的影响,来揭示快速热退火机理。研究表明短波长光(≤730nm)的量子效应在晶化过程中可能起着至关重要的作用。 展开更多
关键词 多晶硅薄膜 快速热退火 固相晶化
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用快速光热退火制备多晶硅薄膜的研究 被引量:10
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作者 张宇翔 王海燕 +6 位作者 陈永生 杨仕娥 郜小勇 卢景霄 冯团辉 李瑞 郭敏 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期340-343,共4页
用等离子体增强型化学气相沉积先得到非晶硅(a Si:H)薄膜,再用卤钨灯照射的方法对其进行快速光热退火(RPTA),得到了多晶硅薄膜。然后,进行XRD衍射谱、暗电导率和拉曼光谱等的测量。结果发现,a Si:H薄膜在RPTA退火中,退火温度在750℃以上... 用等离子体增强型化学气相沉积先得到非晶硅(a Si:H)薄膜,再用卤钨灯照射的方法对其进行快速光热退火(RPTA),得到了多晶硅薄膜。然后,进行XRD衍射谱、暗电导率和拉曼光谱等的测量。结果发现,a Si:H薄膜在RPTA退火中,退火温度在750℃以上,晶化时间需要2min,退火温度在650℃以下,晶化时间则需要2. 5h;晶化后,晶粒的优先取向是(111)晶向;退火温度850℃时,得到的晶粒最大,暗电导率也最大;退火温度越高,晶化程度越好;退火时间越长,晶粒尺寸越大;光子激励在RPTA退火中起着重要作用。 展开更多
关键词 快速光热退火法 制备方法 多晶硅薄膜 晶粒 拉曼光谱
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快速光热退火制备多晶硅薄膜 被引量:5
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作者 张宇翔 卢景霄 +5 位作者 杨仕娥 王海燕 陈永生 冯团辉 李瑞 郭敏 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期128-130,154,共4页
用等离子体增强型化学气相沉积先得到非晶硅薄膜,再用卤钨灯照射的方法对其进行快速光热退火,得到了多晶硅薄膜,它与传统退火相比,退火时间大大缩短。用XRD衍射谱、暗电导率和拉曼光谱等手段对其进行了测量。对部分样品的照射光做了滤波... 用等离子体增强型化学气相沉积先得到非晶硅薄膜,再用卤钨灯照射的方法对其进行快速光热退火,得到了多晶硅薄膜,它与传统退火相比,退火时间大大缩短。用XRD衍射谱、暗电导率和拉曼光谱等手段对其进行了测量。对部分样品的照射光做了滤波,滤掉了波长600 nm以下的光,发现这对晶化及晶粒尺寸都有一定的影响。 展开更多
关键词 多晶硅薄膜 快速光热退火 固相晶化
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Solid-phase Crystallization of Amorphous Silicon Films by Rapid Thermal Annealing 被引量:5
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作者 JINRui-min LUJing-xiao LIRui WANGHai-yan FENGTuan-hui 《Semiconductor Photonics and Technology》 CAS 2005年第1期37-39,共3页
The morphous silicon films prepared by PECVD at substrate temperatures of 30℃ have been crystallized by rapid thermal annealing method, the budget of time-temperature in the annealing process is 600℃ for 120s, 850℃... The morphous silicon films prepared by PECVD at substrate temperatures of 30℃ have been crystallized by rapid thermal annealing method, the budget of time-temperature in the annealing process is 600℃ for 120s, 850℃ for 120s, and 950℃ for 120s. The results indicate the crystallization at 850℃ and 950℃ are better as shown in micro-Raman scattering and scanning electronic microscope. 展开更多
关键词 amorphous silicon solid-phase crystallization rapid thermal annealing
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固相拉伸对CNTs/PP复合材料力学及电磁屏蔽性能的影响
5
作者 闫宗莹 贾仕奎 +4 位作者 朱艳 赵武学 张军 梁文俊 赵中国 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第12期93-102,共10页
以聚丙烯(PP)为基体,以碳纳米管(CNTs)为改性材料,利用熔融共混法制备CNTs/PP复合材料,并进行固相拉伸处理,分析固相拉伸和加入CNTs对PP性能的影响。通过广角X射线衍射仪、2D-广角X射线衍射仪、小角X射线散射仪、差示扫描量热仪、偏光... 以聚丙烯(PP)为基体,以碳纳米管(CNTs)为改性材料,利用熔融共混法制备CNTs/PP复合材料,并进行固相拉伸处理,分析固相拉伸和加入CNTs对PP性能的影响。通过广角X射线衍射仪、2D-广角X射线衍射仪、小角X射线散射仪、差示扫描量热仪、偏光显微镜、扫描电子显微镜、万能试验机和矢量网络分析仪对复合材料的结晶、力学与电磁屏蔽性能进行了研究并给出了相应的电磁屏蔽增强机理。结果表明:经固相拉伸处理和加入CNTs均会提高复合材料的拉伸强度,降低断裂伸长率;CNTs的加入起到了明显的异相成核作用,细化晶粒并提高了结晶度;同时,固相拉伸前后的CNTs/PP复合材料的晶型未发生改变,但固相拉伸显著促使了α晶的生长。随着固相拉伸速率的增加,复合材料的结晶度出现轻微降低;固相拉伸处理和CNTs加入均会提升电磁屏蔽性能,且拉伸速率过高反而使电磁屏蔽性能降低。 展开更多
关键词 碳纳米管 聚丙烯 固相拉伸 力学性能 结晶性能 电磁屏蔽
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LPCVD-SiGe薄膜的物理及电学特性 被引量:3
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作者 王光伟 屈新萍 +2 位作者 茹国平 郑宏兴 李炳宗 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期168-172,共5页
采用低压化学气相沉积法(LPCVD),分别在n-Si和SiO2衬底上制备Si1-xGex薄膜。Ge的组分比由俄歇电子谱(AES)测定。对n-Si和SiO2衬底上的Si1-xGex分别进行热扩散和热退火处理,以考察热扩散和退火条件对薄膜物理及电学特性的影响。薄膜的物... 采用低压化学气相沉积法(LPCVD),分别在n-Si和SiO2衬底上制备Si1-xGex薄膜。Ge的组分比由俄歇电子谱(AES)测定。对n-Si和SiO2衬底上的Si1-xGex分别进行热扩散和热退火处理,以考察热扩散和退火条件对薄膜物理及电学特性的影响。薄膜的物相由X射线衍射(XRD)确定。其薄层电阻、载流子迁移率及浓度分别由四探针法和霍尔效应法测定。基于XRD图谱,根据Scherer公式,估算出平均晶粒大小。数值拟合得到霍尔迁移率与平均晶粒尺寸为近似的线性关系,从而得出LPCVD-Si1-xGex薄膜的电输运特性基本符合Seto模型的结论。 展开更多
关键词 锗硅薄膜 LPCVD 热扩散 热退火 固相结晶
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半导体锗硅薄膜材料及相关工艺技术 被引量:3
7
作者 王光伟 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第12期881-886,891,共7页
综述了锗硅薄膜材料的特性与应用、制备技术、固相结晶、与过渡金属的固相反应等一系列内容,探讨了提高锗硅薄膜结晶度的工艺手段和各自的优缺点,分析了锗硅薄膜与钴等过渡金属固相反应的特点及在集成电路上的应用。
关键词 锗硅 薄膜材料 固相结晶 固相反应 集成电路
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锆基非晶合金焊接与晶化控制研究现状
8
作者 陈国庆 邢紫麒 +2 位作者 张戈 张秉刚 吕世雄 《航空制造技术》 CSCD 北大核心 2022年第12期92-98,共7页
锆基非晶合金凭借着高强度和耐腐蚀等优异性能成为材料科学与工程领域的研究热点,并在航空航天、电力电气等领域实现应用。然而,块体锆基非晶合金制备尺寸有限且焊接过程中易发生晶化,难以实现大尺寸非晶材料的生产应用。因此,在分析锆... 锆基非晶合金凭借着高强度和耐腐蚀等优异性能成为材料科学与工程领域的研究热点,并在航空航天、电力电气等领域实现应用。然而,块体锆基非晶合金制备尺寸有限且焊接过程中易发生晶化,难以实现大尺寸非晶材料的生产应用。因此,在分析锆基非晶合金焊接性的基础上,综述了锆基非晶合金焊接的研究现状以及晶化控制研究进展,最后针对锆基非晶合金焊接存在的问题对未来的研究方向进行了展望。 展开更多
关键词 锆基非晶合金 熔化焊 固相焊 显微组织 晶化控制
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Er^+注入单晶硅中非晶层晶化过程的TEM研究
9
作者 严勇 王培大 +3 位作者 胡梅生 孙慧龄 李齐 冯端 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第7期561-564,共4页
剖面透射电镜的变温观察及高分辨电子显微镜(HREM)象表明,Er^+注入(注入能量350kev,注入剂量1×10^(15)cm^(-2))硅单晶后,在表面可形成一连续非晶层。热退火过程中,非晶层可以从非晶/单晶界面处进行固相外延和在内部成核两种方式进... 剖面透射电镜的变温观察及高分辨电子显微镜(HREM)象表明,Er^+注入(注入能量350kev,注入剂量1×10^(15)cm^(-2))硅单晶后,在表面可形成一连续非晶层。热退火过程中,非晶层可以从非晶/单晶界面处进行固相外延和在内部成核两种方式进行再结晶以至形成多晶层。再结晶的晶粒中存在大量微孪晶和堆垛层错。 展开更多
关键词 离子注入 单晶硅 非晶层 晶化 TEM
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掺硼a-Si:H薄膜脉冲快速光热退火(PRPTA)的研究
10
作者 汪昌州 杨仕娥 +2 位作者 赵尚丽 文书堂 卢景霄 《真空》 CAS 北大核心 2007年第3期28-31,共4页
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法制备掺硼非晶硅(a-Si:H)薄膜,然后用脉冲快速光热退火(PRPTA)法对其进行固相晶化。研究结果表明:掺硼a-Si:H薄膜在550℃恒温条件下退火3h后,其结晶状况无明显变化;而通过加高温热脉冲可以... 采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法制备掺硼非晶硅(a-Si:H)薄膜,然后用脉冲快速光热退火(PRPTA)法对其进行固相晶化。研究结果表明:掺硼a-Si:H薄膜在550℃恒温条件下退火3h后,其结晶状况无明显变化;而通过加高温热脉冲可以在玻璃衬底上获得晶化较好的P型多晶硅薄膜。另外,非晶硅薄膜的掺硼浓度及脉冲条件对脉冲快速光热退火的效果有一定影响。 展开更多
关键词 掺硼非晶硅薄膜 脉冲快速光热退火 固相晶化
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a-Si∶H薄膜固相晶化法制备多晶硅薄膜 被引量:17
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作者 陈城钊 方健文 林璇英 《浙江师范大学学报(自然科学版)》 CAS 2002年第3期246-249,共4页
利用固相晶化法获得多晶硅薄膜 (退火温度 70 0~ 80 0℃ ) ,采用XRD、Raman等分析手段进行了表征与分析 .研究结果表明 :晶粒平均尺寸随着退火温度的降低、掺杂浓度的减少、薄膜厚度的增加而增加 ;并且退火后薄膜暗电导率提高了 2~
关键词 多晶硅薄膜 固相晶化法 α—Si:H薄膜 平均晶粒尺寸 退火温度 掺杂浓度 薄膜厚度
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a-Si:H薄膜固相晶化法制备大晶粒多晶硅薄膜 被引量:7
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作者 吴萍 姚若河 +1 位作者 林璇英 余楚迎 《汕头大学学报(自然科学版)》 1999年第1期19-23,共5页
用等离子体化学气相沉积(PCVD)法制备:a-Si:N薄膜材料(衬底温度20O℃~350℃),用固相晶化法(SPC)获得多晶硅薄膜(退火温度500℃~650℃),用X射线衍射法测得平均晶粒尺寸依赖于退火温度和沉积条件,随着沉积温度的降低需要... 用等离子体化学气相沉积(PCVD)法制备:a-Si:N薄膜材料(衬底温度20O℃~350℃),用固相晶化法(SPC)获得多晶硅薄膜(退火温度500℃~650℃),用X射线衍射法测得平均晶粒尺寸依赖于退火温度和沉积条件,随着沉积温度的降低需要较高的退火温度,用SEM观测形貌测得平均晶粒大小为1,0~1。 展开更多
关键词 固相晶化法 平均晶粒尺寸 多晶硅 薄膜 PVCD
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聚丙烯与三单体固相接枝物的等温结晶行为 被引量:4
13
作者 洪浩群 何慧 贾德民 《华南理工大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期79-84,共6页
采用固相接枝法合成聚丙烯(PP)与3种单体(马来酸酐、甲基丙烯酸甲酯和丙烯酸丁酯)的固相接枝物,利用傅立叶变换红外光谱研究接枝物的结构,通过差示扫描量热法和偏光显微镜研究固相接枝物的等温结晶行为,采用Avrami方程研究固相... 采用固相接枝法合成聚丙烯(PP)与3种单体(马来酸酐、甲基丙烯酸甲酯和丙烯酸丁酯)的固相接枝物,利用傅立叶变换红外光谱研究接枝物的结构,通过差示扫描量热法和偏光显微镜研究固相接枝物的等温结晶行为,采用Avrami方程研究固相接枝物的等温结晶动力学.研究结果表明,接枝物的Avrami指数n和PP的相近,在0~3之间,说明接枝物存在混合式的成核生长方式.接枝支链充当异相成核剂,提高了成核速率,降低了结晶活化能;同时,接枝支链阻碍了PP基体的结晶进程,延长了接枝物完成结晶的时间.PP和PP接枝物结晶参数的拟合值与实验值基本一致,说明Avrami方程能有效地描述三单体固相接枝物的等温结晶行为. 展开更多
关键词 聚丙烯 三单体固相接枝物 等温结晶 Avrami方程
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固态相变法制备纳米复合氧化物陶瓷的研究进展
14
作者 杨倩 郑永挺 +4 位作者 吴事江 郁万军 汪洋 于永东 刘福田 《现代技术陶瓷》 CAS 2023年第5期385-396,共12页
氧化物陶瓷具有较高的机械强度、电绝缘性能、化学稳定性等,是用途最宽、应用最广、产量最大的陶瓷材料,已经应用于航空航天、军事国防、工业生产等领域。然而,氧化物陶瓷的脆性,严重制约了其在尖端领域的更广泛应用。针对这一难题,近... 氧化物陶瓷具有较高的机械强度、电绝缘性能、化学稳定性等,是用途最宽、应用最广、产量最大的陶瓷材料,已经应用于航空航天、军事国防、工业生产等领域。然而,氧化物陶瓷的脆性,严重制约了其在尖端领域的更广泛应用。针对这一难题,近几十年来,国内外学者开始探索固态相变法制备精细纳米结构的氧化物复合陶瓷。通过固态相变法构筑纳米复合氧化物陶瓷的纳米/亚微米/微米尺度的结构,以提高纳米复合氧化物陶瓷的力学性能。本文系统综述了固态相变法对纳米复合氧化物陶瓷结构和性能的影响,旨在阐明相关的原理及工艺,为高性能纳米复合氧化物陶瓷的制备提供参考与借鉴。 展开更多
关键词 氧化物陶瓷 纳米复合 固态相变 非晶晶化 固溶体分解
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MVR硫酸钠结晶系统中宽通道板式换热器的堵塞特性与传热流动特性耦合分析 被引量:3
15
作者 姚君磊 韩东 +1 位作者 叶莉 顾昂 《节能技术》 CAS 2011年第6期510-514,共5页
MVR系统中WPHE蒸发结晶过程中液固两相流常涉及堵塞影响流动传热的现象。本文以MVR硫酸钠结晶系统中WPHE为研究对象,在对不同流速且未堵塞条件下的传热流动特性进行实验分析并验证。然后对影响堵塞与传热流动特性的关键参数:如硫酸钠溶... MVR系统中WPHE蒸发结晶过程中液固两相流常涉及堵塞影响流动传热的现象。本文以MVR硫酸钠结晶系统中WPHE为研究对象,在对不同流速且未堵塞条件下的传热流动特性进行实验分析并验证。然后对影响堵塞与传热流动特性的关键参数:如硫酸钠溶液浓度、晶浆液固比、板间距和流速等影响进行分析。研究结果表明:随着液固两相流中固相体积分数的增加,总传热系数呈现下降趋势,下降幅度较小,在硫酸钠晶浆板间流速7 m3/h,固相体积分数比10%的工况下,板片角孔处出现了颗粒黏结导致的堵塞问题。随着硫酸钠溶液浓度的升高,总传热系数呈现上升趋势,上升幅度较小。在相同雷诺数下,当板间距增加2 mm时,WPHE的换热率降低9%左右。 展开更多
关键词 宽通道板式换热器 液固两相流 蒸发结晶 晶浆液固比
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固相缩聚对聚酯切片热性能和结晶行为的影响
16
作者 陈允 金剑 尹翠玉 《中国塑料》 CAS CSCD 北大核心 2010年第5期20-22,共3页
用差示扫描量热仪(DSC)和热重分析仪分别对普通聚酯切片和通过固相缩聚增黏的聚酯切片进行了热性能和结晶行为的研究。结果表明,固相缩聚增黏的聚酯切片的DSC第一次升温曲线上观察不到结晶放热峰,说明固相缩聚使聚酯相对分子质量增大的... 用差示扫描量热仪(DSC)和热重分析仪分别对普通聚酯切片和通过固相缩聚增黏的聚酯切片进行了热性能和结晶行为的研究。结果表明,固相缩聚增黏的聚酯切片的DSC第一次升温曲线上观察不到结晶放热峰,说明固相缩聚使聚酯相对分子质量增大的同时,也使其得到充分结晶;固相缩聚增黏聚酯切片的熔点升高;此外,固相缩聚增黏聚酯切片的结晶度较低、结晶尺寸较小、结晶速率较小,而热稳定性优于普通聚酯切片。 展开更多
关键词 聚对苯二甲酸乙二醇酯 固相缩聚 热性能 结晶
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接枝共聚法制备聚乙二醇(PEG)/聚乙烯醇(PVA)高分子固-固相变材料性能研究 被引量:46
17
作者 张梅 那莹 姜振华 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期170-174,共5页
用接枝共聚法将具有相变特征的聚乙二醇 (PEG)接枝到具有较高熔点的聚乙烯醇 (PVA)主链上 ,得到了系列性能稳定的 PEG/PVA高分子固 -固相转变材料 ,用 DSC,WAXD和 POM对其相变行为及形态结构进行了研究 .结果表明 ,该材料呈现出可逆的... 用接枝共聚法将具有相变特征的聚乙二醇 (PEG)接枝到具有较高熔点的聚乙烯醇 (PVA)主链上 ,得到了系列性能稳定的 PEG/PVA高分子固 -固相转变材料 ,用 DSC,WAXD和 POM对其相变行为及形态结构进行了研究 .结果表明 ,该材料呈现出可逆的固 -固相转变特性 ;其结晶峰值温度和相变焓比纯 PEG低 ,接枝率对相变温度和归一化相变焓影响不大 ;接枝率只影响结晶与熔融行为 ,不影响结晶结构 . 展开更多
关键词 聚乙二醇 聚乙烯醇 固-固相变 接枝共聚 结晶
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非晶硅薄膜的低温快速晶化及其结构分析 被引量:21
18
作者 林揆训 林璇英 +3 位作者 梁厚蕴 池凌飞 余楚迎 黄创君 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期863-866,共4页
在镀铝的廉价玻璃衬底上高速沉积的非晶硅薄膜在不同的温度下退火 10min .退火温度为 5 0 0℃时 ,薄膜表面形成了硅铝的混合相 ,非晶硅薄膜开始呈现了晶化现象 ;退火温度为 5 5 0℃时 ,大部分 (约 80 % )的非晶硅晶化为多晶硅 ,平均晶... 在镀铝的廉价玻璃衬底上高速沉积的非晶硅薄膜在不同的温度下退火 10min .退火温度为 5 0 0℃时 ,薄膜表面形成了硅铝的混合相 ,非晶硅薄膜开始呈现了晶化现象 ;退火温度为 5 5 0℃时 ,大部分 (约 80 % )的非晶硅晶化为多晶硅 ,平均晶粒尺寸为 5 0 0nm ;退火温度为 6 0 0℃时 ,几乎所有的非晶硅都转化为多晶硅 ,其平均晶粒尺寸约为1 5 μm . 展开更多
关键词 固相晶化 多晶硅薄膜 非晶硅薄膜 低温快速晶化 结构分析
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聚乙烯和顺丁烯二酸酐的固相接枝共聚 被引量:3
19
作者 周立庆 沈宁祥 +1 位作者 刘国友 刘超 《石油化工》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第1期15-19,共5页
采用固相接枝共聚法在聚乙烯大分子链上接枝顺丁烯二酸酐,研究了其表面的极性和结晶行为参数。固相接枝反应的接枝率与单体浓度和引发剂浓度有关,当反应温度为105 ℃,反应时间为2 h ,单体和引发剂的质量分数均为8 % 左右时... 采用固相接枝共聚法在聚乙烯大分子链上接枝顺丁烯二酸酐,研究了其表面的极性和结晶行为参数。固相接枝反应的接枝率与单体浓度和引发剂浓度有关,当反应温度为105 ℃,反应时间为2 h ,单体和引发剂的质量分数均为8 % 左右时,接枝率最大。接枝物的Tm 、Tc 、△Hm 和△Hc 值均比聚乙烯低。 展开更多
关键词 聚乙烯 顺丁烯二酸酐 接枝共聚 结晶
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聚乙二醇(PEG)/聚乙烯醇(PVA)固-固相变材料受限非等温结晶动力学研究 被引量:7
20
作者 张梅 李全明 +3 位作者 邱发贵 靳玉伟 马荣堂 姜振华 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第10期1709-1712,共4页
采用接枝共聚法将具有相变特征的聚乙二醇(PEG)接枝到具有较高熔点的聚乙烯醇(PVA)主链上,得到系列性能稳定的PEG/PVA高分子固固相转变材料,利用DSC法对PEG受限状态下非等温结晶行为进行研究。结果表明,随着降温速率增大,峰值温度T... 采用接枝共聚法将具有相变特征的聚乙二醇(PEG)接枝到具有较高熔点的聚乙烯醇(PVA)主链上,得到系列性能稳定的PEG/PVA高分子固固相转变材料,利用DSC法对PEG受限状态下非等温结晶行为进行研究。结果表明,随着降温速率增大,峰值温度Tp向低温移动,半结晶时间t1/2逐渐减小,结晶速度G逐渐增大。接枝共聚体系Tp低于纯PEG4000,半结晶时间t1/2大于纯PEG4000。对于接枝共聚体系而言,接枝率对半结晶时间t1/2影响不大,共聚体系中的Avrami指数大多数在2-3之间,比等温结晶更加复杂。运用Jeziorny方法和莫志深方法比较适用于本体系非等温结晶动力学的研究。 展开更多
关键词 聚乙二醇 聚乙烯醇 固-固相变 接枝共聚 受限非等温结晶
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