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4H-SiC光导开关性能的仿真研究
1
作者 蓝华英 罗尧天 +2 位作者 崔海娟 肖建平 孙久勋 《半导体光电》 CAS 北大核心 2024年第2期195-199,共5页
碳化硅光导开关是相关领域的研究热点,但是文献中对4H-SiC光导开关的理论研究仍然以集总元件模型为主,仅能给出定性结果,典型文献中瞬态条件下的实验数据还没有定量的理论解释。文章使用SilvacoTCAD软件中的器件-电路混合模式,结合自编... 碳化硅光导开关是相关领域的研究热点,但是文献中对4H-SiC光导开关的理论研究仍然以集总元件模型为主,仅能给出定性结果,典型文献中瞬态条件下的实验数据还没有定量的理论解释。文章使用SilvacoTCAD软件中的器件-电路混合模式,结合自编的载流子迁移率接口程序,对4H-SiC光导开关的光学电学特性进行模拟仿真。单脉冲响应的仿真结果表明,器件在瞬态条件下的峰值光电流随光能的变化与文献中的实验数据相符合,表明所用模型和参数具有合理性。对影响单脉冲响应的主要因素,包括脉冲能量、脉冲宽度、碳化硅厚度,进行了计算和分析。同时,针对两种碳化硅厚度的器件,进行了多脉冲串响应的计算和分析。文章得到的结果和结论对碳化硅光导开关的进一步研究具有较好的参考价值。 展开更多
关键词 4H-SIC 光导开关 silvacotcad 仿真模型
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N型IBC太阳能电池的工艺研究 被引量：2
2
作者 何志伟 刘丽 《电子设计工程》 2017年第15期14-18,共5页
文中主要研究的是N型IBC太阳能电池,即N型背结背接触式电池。使用silvaco TCAD软件对N型IBC太阳电池进行工艺仿真,然后对已完成的N型IBC太阳能电池结构使用silvaco TCAD软件进行器件仿真,并对相关参数进行优化,探究该种太阳能电池各方... 文中主要研究的是N型IBC太阳能电池,即N型背结背接触式电池。使用silvaco TCAD软件对N型IBC太阳电池进行工艺仿真,然后对已完成的N型IBC太阳能电池结构使用silvaco TCAD软件进行器件仿真,并对相关参数进行优化,探究该种太阳能电池各方面的特性,最后与工艺仿真进行结合分析,对N型IBC太阳能电池的工艺研究进行总结整理,得出该太阳能电池的最佳工艺参数组合。 展开更多
关键词 太阳能电池 N型晶体硅 背结背接触 工艺 silvacotcad
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双结GaSb/Ga_(0.84)In_(0.16)As_(0.14)Sb_(0.86)热光伏电池计算机模拟 被引量：2
3
作者 胡群 彭新村 +1 位作者 李宝 虞亚军 《电子质量》 2014年第10期41-45,共5页
该文采用SilvacoTCAD软件模拟了双结GaSb/Ga0.84In0.16As0.14Sb0.86热光伏电池的特性,通过改变顶层电池和底层电池的厚度和浓度来调节电池的电流,当顶层P层的厚度为1μm,N层的厚度为3μm,底层P层的厚度为3.6μm,N层的厚度为3.9μm时,电... 该文采用SilvacoTCAD软件模拟了双结GaSb/Ga0.84In0.16As0.14Sb0.86热光伏电池的特性,通过改变顶层电池和底层电池的厚度和浓度来调节电池的电流,当顶层P层的厚度为1μm,N层的厚度为3μm,底层P层的厚度为3.6μm,N层的厚度为3.9μm时,电流得到了匹配。 展开更多
关键词 silvacotcad GaSb/Ga0.84In0.16As0.14Sb0.86 热光伏电池 电流匹配
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CMOS工艺APS阵列的近红外响应及参数分析
4
作者 王庆祥 孟丽娅 +1 位作者 刘泽东 王成 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期172-174,共3页
采用DevEdit3D构建了5×5的像元结构模型,在基于Lnuminous 1μm的近红外的照射下,利用Silvaco TCAD仿真了像元中心距、阱深、衬底掺杂浓度等工艺参数对其电荷收集量和像元串扰程度的影响。仿真测得电荷收集量随像元中心距和阱深的... 采用DevEdit3D构建了5×5的像元结构模型,在基于Lnuminous 1μm的近红外的照射下,利用Silvaco TCAD仿真了像元中心距、阱深、衬底掺杂浓度等工艺参数对其电荷收集量和像元串扰程度的影响。仿真测得电荷收集量随像元中心距和阱深的增大而增大,随衬底掺杂浓度的增大而减小;像元间串扰程度与像元中心距的大小以及阱深的深度成反比,与衬底掺杂浓度的大小成正比。最后对以上影响的成因进行了理论分析。 展开更多
关键词 像元中心距 阱深 衬底掺杂浓度
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围栅硅纳米线MOSFET器件的仿真研究 被引量：2
5
作者 刘一婷 宫兴 闫娜 《微处理机》 2018年第2期1-4,共4页
随着大规模集成电路的发展,IC工艺特征尺寸逐渐进入了纳米量级,与此伴随而生了不可避免的短沟道效应(SCE)如:漏至势垒降低效应、阈值电压滚降效应、亚阈斜率退化等。围栅硅纳米线MOSFET(GAA-MOSFETS)器件具有优良的栅控能力和载流子输... 随着大规模集成电路的发展,IC工艺特征尺寸逐渐进入了纳米量级,与此伴随而生了不可避免的短沟道效应(SCE)如:漏至势垒降低效应、阈值电压滚降效应、亚阈斜率退化等。围栅硅纳米线MOSFET(GAA-MOSFETS)器件具有优良的栅控能力和载流子输运特性,被视为可以将器件尺寸缩小到极限尺寸的理想器件结构。通过将量子运输效应应用到器件建模中,针对P型GAAMOSFET器件展开研究,探讨了GAA-MOSFET器件的能带结构、沟道直径等参数对阈值电压、亚阈值摆幅等参数的影响,并利用Silvaco TCAD软件的数值计算来对GAA-MOSFET器件结构与性能进行仿真验证。 展开更多
关键词 量子效应 短沟道效应 围栅硅纳米线MOSFET silvacotcad仿真
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