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宽禁带碳化硅功率器件在电动汽车中的研究与应用 被引量:113
1
作者 王学梅 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2014年第3期371-379,共9页
以碳化硅(silicon carbide,SiC)为主的第3代半导体技术突破了硅材料半导体器件在耐压等级、工作温度、开关损耗和开关速度上的极限,能够显著减少电力电子变换器的重量、体积、成本,提高电力电子系统的性能。一直以来,高功率密度电动汽... 以碳化硅(silicon carbide,SiC)为主的第3代半导体技术突破了硅材料半导体器件在耐压等级、工作温度、开关损耗和开关速度上的极限,能够显著减少电力电子变换器的重量、体积、成本,提高电力电子系统的性能。一直以来,高功率密度电动汽车电力驱动系统一直是新一代大功率电动汽车发展的主要挑战,而宽禁带功率器件的应用,将对新一代电动汽车特别是混合电动汽车的发展产生重要影响。论文主要介绍SiC功率半导体器件的发展,对SiC器件在电动汽车中的研究现状与应用前景进行分析和展望,最后探讨SiC器件在电动汽车电力驱动系统应用中面临的主要问题。 展开更多
关键词 碳化硅 宽禁带 功率器件 电动汽车驱动系统
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碳化硅功率器件技术综述与展望 被引量:89
2
作者 盛况 任娜 徐弘毅 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2020年第6期1741-1752,共12页
碳化硅(silicon carbide,Si C)器件作为一种宽禁带半导体器件,具有耐高压、高温,导通电阻低等优点。近20年来,Si C器件是国内外学术界和企业界的一大研究热点,该文对近些年来不同Si C器件的发展进行分类梳理,介绍二极管、结型场效应晶... 碳化硅(silicon carbide,Si C)器件作为一种宽禁带半导体器件,具有耐高压、高温,导通电阻低等优点。近20年来,Si C器件是国内外学术界和企业界的一大研究热点,该文对近些年来不同Si C器件的发展进行分类梳理,介绍二极管、结型场效应晶体管、金氧半场效晶体管、绝缘栅双极型晶体管及门极可断晶闸管器件,并对比分析器件结构及参数性能,针对关键问题展开论述。最后,对SiC器件近年的发展进行总结和展望。 展开更多
关键词 碳化硅 功率器件 二极管 结型场效应晶体管 金氧半场效晶体管 绝缘栅双极型晶体管 门极可断晶闸管
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碳化硅功率器件封装关键技术综述及展望 被引量:35
3
作者 盛况 董泽政 吴新科 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2019年第19期5576-5584,共9页
碳化硅(silicon carbide,SiC)功率器件作为一种宽禁带器件,具有耐高压、高温,导通电阻低,开关速度快等优点。如何充分发挥碳化硅器件的这些优势性能则给封装技术带来了新的挑战:传统封装杂散电感参数较大,难以匹配器件的快速开关特性;... 碳化硅(silicon carbide,SiC)功率器件作为一种宽禁带器件,具有耐高压、高温,导通电阻低,开关速度快等优点。如何充分发挥碳化硅器件的这些优势性能则给封装技术带来了新的挑战:传统封装杂散电感参数较大,难以匹配器件的快速开关特性;器件高温工作时,封装可靠性降低;以及模块的多功能集成封装与高功率密度需求等。针对上述挑战,论文分析传统封装结构中杂散电感参数大的根本原因,并对国内外的现有低寄生电感封装方式进行分类对比;罗列比较现有提高封装高温可靠性的材料和制作工艺,如芯片连接材料与技术;最后,讨论现有多功能集成封装方法,介绍多种先进散热方法。在前面综述的基础上,结合电力电子的发展趋势,对SiC器件封装技术进行归纳和展望。 展开更多
关键词 碳化硅 功率器件 封装技术
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空间相机反射镜碳化硅材料性能测试 被引量:25
4
作者 高明辉 刘磊 任建岳 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第8期1170-1174,共5页
通过对SiC样件加工研磨及反射率等性质的测试,得到了材料的性能数据,分析了用SiC材料制备反射镜毛坯的几种方法的优缺点。采用Lanmda-9分光光度计,对SiC在不同表面镀硅、镀银、以及镀硅后再镀银的条件下进行了反射率测试,得出在镀硅再... 通过对SiC样件加工研磨及反射率等性质的测试,得到了材料的性能数据,分析了用SiC材料制备反射镜毛坯的几种方法的优缺点。采用Lanmda-9分光光度计,对SiC在不同表面镀硅、镀银、以及镀硅后再镀银的条件下进行了反射率测试,得出在镀硅再镀银条件下,反射率最高,达到98%的结果。利用Wyko干涉仪对国产SiC长条形样镜进行研磨分析测试,测得表面粗糙度值为6.27 nm。该材料在某型号离轴三反光学系统中作为反射镜得以应用和验证,测得被加工后,镜面面形PV值达到0.068λ,RMS值为0.01λ(λ=632.8 nm)。此结果表明,材料的性能达到了可加工可应用的要求。 展开更多
关键词 空间相机 反射镜 反射率 碳化硅 表面粗糙度
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碳化硅电力电子器件在电网中的应用展望 被引量:24
5
作者 盛况 郭清 《南方电网技术》 北大核心 2016年第3期87-90,9,共4页
碳化硅电力电子器件具有高压、高温和高效率等优势,是智能电网中理想的电力电子器件。介绍了近年来碳化硅材料及器件在研发和产业化方面的最新发展。随着6英寸碳化硅单晶和外延产品的问世并日趋成熟,更高电压等级、更大导通电流、更高... 碳化硅电力电子器件具有高压、高温和高效率等优势,是智能电网中理想的电力电子器件。介绍了近年来碳化硅材料及器件在研发和产业化方面的最新发展。随着6英寸碳化硅单晶和外延产品的问世并日趋成熟,更高电压等级、更大导通电流、更高效的碳化硅电力电子器件将被研发出来。并对其在电网中的应用现状与前景进行了展望:碳化硅器件在诸如分布式发电并网装置、电力电子变压器和电力电子断路器等方面显示了巨大的性能优势和市场前景。 展开更多
关键词 碳化硅 电力电子器件 电网
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1.5 m量级SiC陶瓷素坯凝胶注模成型工艺 被引量:16
6
作者 张舸 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第12期2989-2993,共5页
利用凝胶注模成型工艺制备了1.5m量级轻型碳化硅(SiC)陶瓷素坯。研究了颗粒级配、固相含量、混料时间对碳化硅浆料性能的影响。测试了SiC脱脂素坯的显微结构、力学性能和最终烧结体的机械性能和热学性能。结果表明:在最佳分散条件下,通... 利用凝胶注模成型工艺制备了1.5m量级轻型碳化硅(SiC)陶瓷素坯。研究了颗粒级配、固相含量、混料时间对碳化硅浆料性能的影响。测试了SiC脱脂素坯的显微结构、力学性能和最终烧结体的机械性能和热学性能。结果表明:在最佳分散条件下,通过合理的颗粒级配,成功制备得到了固相含量高达65%,流动性良好的SiC陶瓷浆料。另外,随着固相含量的增加,SiC陶瓷浆料黏度急剧增大;随着混料时间的延长,浆料黏度出现先降低后升高的现象。将制备得到的浆料注入模具后,得到了1.5m量级的SiC陶瓷素坯,脱脂后的素坯内部结构均匀抗弯强度为24.6MPa。 展开更多
关键词 凝胶注模 碳化硅(sic) 陶瓷素坯
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KD-S SiC_f/SiC composites with BN interface fabricated by polymer infiltration and pyrolysis process 被引量:14
7
作者 Honglei WANG Shitao GAO +4 位作者 Shuming PENG Xingui ZHOU Haibin ZHANG Xiaosong ZHOU Bin Li 《Journal of Advanced Ceramics》 SCIE CSCD 2018年第2期169-177,共9页
Continuous silicon carbide fiber reinforced silicon carbide matrix(SiC_f/SiC) composites are attractive candidate materials for aerospace engine system and nuclear reactor system. In this paper, SiC_f/SiC composites w... Continuous silicon carbide fiber reinforced silicon carbide matrix(SiC_f/SiC) composites are attractive candidate materials for aerospace engine system and nuclear reactor system. In this paper, SiC_f/SiC composites were fabricated by polymer infiltration and pyrolysis(PIP) process using KD-S fiber as the reinforcement and the LPVCS as the precursor, while the BN interface layer was introduced by chemical vapor deposition(CVD) process using borazine as the single precursor. The effect of the BN interface layer on the structure and properties of the SiC_f/SiC composites was comprehensively investigated. The results showed that the BN interface layer significantly improved the mechanical properties of the KD-S SiC_f/SiC composites. The flexure strength and fracture toughness of the KD-S SiC_f/SiC composites were evidently improved from 314±44.8 to 818±39.6 MPa and 8.6± 0.5 to 23.0±2.2 MPa·m^(1/2), respectively. The observation of TEM analysis displayed a turbostratic structure of the CVD-BN interface layer that facilitated the improvement of the fracture toughness of the SiC_f/SiC composites. The thermal conductivity of KD-S SiC_f/SiC composites with BN interface layer was lower than that of KD-S SiC_f/SiC composites without BN interface layer, which could be attributed to the relative low thermal conductivity of BN interface layer with low crystallinity. 展开更多
关键词 silicon carbide(sic) composites interface layer polymer infiltration and pyrolysis(PIP) boron nitride(BN)
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不同氧化剂对6H-SiC化学机械抛光的影响 被引量:12
8
作者 倪自丰 陈国美 +3 位作者 徐来军 白亚雯 李庆忠 赵永武 《机械工程学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第19期224-231,共8页
选用胶体SiO2纳米颗粒为磨粒,研究不同pH值条件下高锰酸钾和双氧水两种氧化剂对6H-SiC晶片化学机械抛光的影响,并使用原子力显微镜观察抛光后表面质量。采用Zeta电位分析仪分析溶液中胶体SiO2颗粒的Zeta电位,采用X射线光电子能谱分析Si... 选用胶体SiO2纳米颗粒为磨粒,研究不同pH值条件下高锰酸钾和双氧水两种氧化剂对6H-SiC晶片化学机械抛光的影响,并使用原子力显微镜观察抛光后表面质量。采用Zeta电位分析仪分析溶液中胶体SiO2颗粒的Zeta电位,采用X射线光电子能谱分析SiC抛光表面元素及其化学状态。结果表明:SiC晶片的材料去除率随pH值变化而变化,采用高猛酸钾抛光液抛光时,材料去除率在pH 6时达到峰值185 nm/h,Ra为0.25 nm;采用双氧水抛光液抛光时,材料去除率在pH 8时达到峰值110 nm/h,Ra为0.32 nm。pH值低于5时,电负性的SiO2颗粒会通过静电作用吸附在带正电的Si C表面,抑制Si C晶片表面原子的氧化及去除,降低材料去除率;pH值高于5时,SiO2颗粒在双氧水抛光液中的静电排斥力弱于高锰酸钾抛光液中静电排斥力,从而影响了SiO2颗粒的分散性能,降低了抛光效果。采用高锰酸钾抛光液抛光后,SiC晶片表面的Si-C氧化产物含量(Si-C-O、Si4C4-xO2和Si4C4O4)较高,高锰酸钾抛光液的氧化能力较强。 展开更多
关键词 碳化硅 化学机械抛光 二氧化硅颗粒 高锰酸钾 双氧水
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碳化硅半导体技术和市场应用综述 被引量:11
9
作者 曹峻 《集成电路应用》 2018年第8期5-9,共5页
随着新能源产业的快速发展,宽禁带半导体越来越受到人们的关注。其中,碳化硅半导体已经开始在多个工业领域得到了广泛应用。在此,针对宽禁带半导体的材料性能、碳化硅半导体的功率器件进行了介绍。此外,也对碳化硅功率器件的封装技术进... 随着新能源产业的快速发展,宽禁带半导体越来越受到人们的关注。其中,碳化硅半导体已经开始在多个工业领域得到了广泛应用。在此,针对宽禁带半导体的材料性能、碳化硅半导体的功率器件进行了介绍。此外,也对碳化硅功率器件的封装技术进行了介绍。然后,对于使用碳化硅功率器件较多的应用领域进行了分析。最后,对于未来碳化硅半导体行业的技术发展趋势提出了展望。 展开更多
关键词 宽禁带半导体 碳化硅 功率器件
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Si(111)衬底上3C-SiC的固源MBE异质外延生长 被引量:9
10
作者 刘金锋 刘忠良 +2 位作者 王科范 徐彭寿 汤洪高 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期5-9,共5页
国内首次利用固源分子束外延(MBE)技术,在衬底温度为1100℃时,以Si(111)为衬底成功地外延生长出了3C-SiC单晶薄膜。通过X射线衍射(XRD)、拉曼光谱(Raman)以及原位反射高能电子衍射(RHEED)等手段研究了外延薄膜的晶型、结晶质量、外延膜... 国内首次利用固源分子束外延(MBE)技术,在衬底温度为1100℃时,以Si(111)为衬底成功地外延生长出了3C-SiC单晶薄膜。通过X射线衍射(XRD)、拉曼光谱(Raman)以及原位反射高能电子衍射(RHEED)等手段研究了外延薄膜的晶型、结晶质量、外延膜与衬底的外延取向关系,并考察了薄膜制备过程中衬底的碳化对薄膜质量的影响。结果表明,外延膜与衬底晶格取向完全一致;碳化可以减小SiC和衬底Si之间的晶格失配、释放应力、引入成核中心,有利于薄膜单晶质量的提高;碳化温度存在最佳值,这一现象与成核过程有关。 展开更多
关键词 碳化硅 碳化 固源分子束外延 反射高能电子衍射
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4H-SiC和6H-SiC功率VDMOSFET的单粒子烧毁效应 被引量:10
11
作者 刘忠永 蔡理 +3 位作者 刘小强 刘保军 崔焕卿 杨晓阔 《微纳电子技术》 北大核心 2017年第2期80-85,共6页
对基于4H-SiC和6H-SiC的垂直双扩散MOSFET(VDMOSFET)的单粒子烧毁(SEB)效应进行了对比研究。建立了器件的二维仿真结构,对不同SiC材料构成的器件物理模型及其材料参数进行了修正。利用Silvaco TCAD软件进行了二维器件的特性仿真,得到了... 对基于4H-SiC和6H-SiC的垂直双扩散MOSFET(VDMOSFET)的单粒子烧毁(SEB)效应进行了对比研究。建立了器件的二维仿真结构,对不同SiC材料构成的器件物理模型及其材料参数进行了修正。利用Silvaco TCAD软件进行了二维器件的特性仿真,得到了两器件SEB效应发生前后的漏极电流曲线和电场分布图。研究结果表明,4H-SiC和6H-SiC VDMOSFET的SEB阈值电压分别为335 V和270 V,发生SEB效应时的最大电场强度分别为2.5 MV/cm和2.2 MV/cm,4H-SiC材料在抗SEB效应方面比6H-SiC材料更有优势。所得结果可为抗辐射功率器件的设计及应用提供参考。 展开更多
关键词 碳化硅(sic) 单粒子烧毁(SEB) 垂直双扩散MOSFET((VDMOSFET)) SEB阈 值电压 二维器件仿真
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200 V全碳化硅集成技术
12
作者 顾勇 马杰 +5 位作者 刘奥 黄润华 刘斯扬 柏松 张龙 孙伟锋 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第7期2183-2189,共7页
本文提出了一种基于N衬底P外延晶圆的全碳化硅(Silicon Carbide,SiC)集成工艺平台,该工艺平台兼容低压互补金属氧化物半导体场效应晶体管(Complementary Metal Oxide Semiconductor field-effect transistor,CMOS)、横向扩散金属氧化物... 本文提出了一种基于N衬底P外延晶圆的全碳化硅(Silicon Carbide,SiC)集成工艺平台,该工艺平台兼容低压互补金属氧化物半导体场效应晶体管(Complementary Metal Oxide Semiconductor field-effect transistor,CMOS)、横向扩散金属氧化物半导体(Laterally-Diffused MOS,LDMOS)以及高压二极管等器件.采用P型缓冲层技术调节器件垂直方向电场分布,使高压器件垂直方向耐受电压提高212.4%;在1μm厚度的P型缓冲层和1μm厚度的P型外延层上,实现LDMOS、高压二级管和高侧区域耐受电压大于300 V.基于该工艺平台,搭建了SiC CMOS反相器和反相器链电路,均实现了0~20 V轨至轨的电压输出;设计了半桥驱动电路,低压侧驱动电路由四阶反相器构成;高压侧驱动电路由电平移位电路和高侧区域反相器链电路组成,实现了180~200 V浮空栅极驱动信号输出. 展开更多
关键词 碳化硅(sic) 集成 碳化硅集成电路 碳化硅反相器 碳化硅横向扩散金属氧化物半导体
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CuO/zeolite catalyzed oxidation of gaseous toluene under microwave heating 被引量:7
13
作者 Longli BO Jianbo LIAO Yucai ZHANG Xiaohui WAN Quan YANG 《Frontiers of Environmental Science & Engineering》 SCIE EI CAS CSCD 2013年第3期395-402,共8页
The development of a combined process of catalytic oxidation and microwave heating for treatment of toluene waste gas was described in this work. Toluene, a typical toxic volatile organic compound, was oxidized throug... The development of a combined process of catalytic oxidation and microwave heating for treatment of toluene waste gas was described in this work. Toluene, a typical toxic volatile organic compound, was oxidized through a fixed bed reaction chamber containing zeolite- supported copper oxide (CuO/zeolite) catalyst mixed with silicon carbide (SIC), an excellent microwave-absorbing material. The target compound was efficiently degraded on the surface of the catalyst at high reaction temperature achieved by microwave-heated SiC. A set of experimental parameters, such as microwave power, air flow and the loading size of CuO etc., were investigated, respectively. The study demonstrated these parameters had critical impact on toluene degradation. Under optimal condition, 92% toluene was removed by this combined process, corresponding to an 80%-90% TOC removal rate. Furthermore, the catalyst was highly stable even after eight consecutive 6-h runs. At last, a hypothetical degradation pathway of toluene was proposed based on the experimental data obtained from gas chromatography- mass spectrum and Fourier transform infrared spectro- scopy analyses. 展开更多
关键词 MICROWAVE catalytic oxidation CuO/zeolitecatalyst silicon carbide sic TOLUENE
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高强度碳化硅泡沫陶瓷的制备及其抗压强度研究 被引量:8
14
作者 杨莹 陈斐 +1 位作者 沈强 张联盟 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第S1期7-10,共4页
选用Al2O3、Y2O3作为烧结助剂,通过有机模板复制法及多次浸渍涂覆工艺制备出高强度碳化硅泡沫陶瓷材料。系统地研究了原料组成、烧结温度等工艺参数对制得的碳化硅泡沫陶瓷物相组成、宏观结构、微观结构的影响,同时对陶瓷的气孔率、力... 选用Al2O3、Y2O3作为烧结助剂,通过有机模板复制法及多次浸渍涂覆工艺制备出高强度碳化硅泡沫陶瓷材料。系统地研究了原料组成、烧结温度等工艺参数对制得的碳化硅泡沫陶瓷物相组成、宏观结构、微观结构的影响,同时对陶瓷的气孔率、力学性能等进行了测试。结果表明:通过选取不同PPI值的有机泡沫模板,泡沫陶瓷宏观孔径可控;随着涂覆次数的增加,陶瓷体孔径减小、孔棱直径增加;随着烧结温度的提高,孔棱致密度增加,抗压强度显著提高;在1700℃下获得了20PPI值,气孔率为77%,抗压强度达2.48MPa的碳化硅泡沫陶瓷。 展开更多
关键词 开孔泡沫陶瓷 碳化硅(sic) 烧结助剂 有机模板复制法 抗压强度
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碳化硅功率器件在宇航电源中的研究与应用 被引量:4
15
作者 曹宇翔 张潇 +1 位作者 王少宁 李进利 《电子设计工程》 2023年第9期7-12,共6页
功率器件是宇航电源的重要组成部分,在航天技术快速发展的背景下,现有的宇航电源已无法满足小型化、轻量化、高效率和超大功率化的任务要求。以碳化硅(Silicon Carbide,SiC)为代表的宽禁带功率器件可以将宇航电源的工作频率推向至兆赫... 功率器件是宇航电源的重要组成部分,在航天技术快速发展的背景下,现有的宇航电源已无法满足小型化、轻量化、高效率和超大功率化的任务要求。以碳化硅(Silicon Carbide,SiC)为代表的宽禁带功率器件可以将宇航电源的工作频率推向至兆赫兹以上,由此将带来宇航电源技术的突破。该文回顾了SiC功率器件的发展,介绍了SiC材料的物理特性,分析了SiC功率器件的优势和研究现状。提出SiC功率器件能够成熟应用于宇航电源中需要解决的关键问题,指出SiC功率器件的高开关频率、低导通电阻等优势能够实现高性能、微型化的宇航电源,并对SiC器件在新一代宇航电源应用中的发展方向做出展望。 展开更多
关键词 宇航电源 碳化硅 宽禁带 功率器件
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单晶SiC的化学机械抛光及其增效技术研究进展 被引量:7
16
作者 翟文杰 高博 《哈尔滨工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第7期1-10,共10页
为了解决传统SiC化学机械抛光(CMP)加工效率低的问题,针对单晶SiC表面抛光质量和材料去除率指标,综述了应用传统碱性抛光液、混合磨粒抛光液及含强氧化剂抛光液对单晶SiC进行化学机械抛光的研究现状;为了提高SiC-CMP的化学和机械两方面... 为了解决传统SiC化学机械抛光(CMP)加工效率低的问题,针对单晶SiC表面抛光质量和材料去除率指标,综述了应用传统碱性抛光液、混合磨粒抛光液及含强氧化剂抛光液对单晶SiC进行化学机械抛光的研究现状;为了提高SiC-CMP的化学和机械两方面作用,对SiC-CMP催化辅助增效技术、SiC电化学机械抛光(ECMP)技术、固结磨料抛光、光催化辅助抛光等增效新技术进行了系统综述;对SiC-CMP及其增效技术进行了分析、讨论,指出了当前的研究难点,展望了进一步提高单晶SiC抛光效率的研究方向. 展开更多
关键词 碳化硅(sic) 化学机械抛光(CMP) 电化学机械抛光(ECMP) 催化辅助 固结磨粒抛光
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SiC器件在卫星电源系统中的应用与分析 被引量:6
17
作者 康庆 李峰 +1 位作者 邢杰 章玄 《电源学报》 CSCD 北大核心 2022年第2期154-160,共7页
SiC器件作为宽禁带半导体器件代表,具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高热导率、高电压、高频率和高抗辐照等优越的物理和电气特性,在卫星电源系统中具有巨大的应用潜力。介绍了卫星电源系统发展的现状与趋势,论述了当前国际宇航研... SiC器件作为宽禁带半导体器件代表,具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高热导率、高电压、高频率和高抗辐照等优越的物理和电气特性,在卫星电源系统中具有巨大的应用潜力。介绍了卫星电源系统发展的现状与趋势,论述了当前国际宇航研究机构对SiC功率器件在卫星电推进系统中应用的研究,并提出SiC器件在卫星中应用的单粒子需求趋势。分析认为SiC功率器件今后的研究重点在于单粒子失效机理的研究、辐照加固工艺完善以及器件改进。 展开更多
关键词 sic 卫星 高电压 电推进 单粒子效应
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碳化硅零件的激光选区烧结及反应烧结工艺 被引量:7
18
作者 付旻慧 刘凯 +1 位作者 刘洁 谭沅良 《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第17期2111-2118,共8页
为了获得高密度、高性能、复杂结构的碳化硅陶瓷件,提出采用机械混合法制备含有黏结剂和乌洛托品固化剂的碳化硅复合粉体,对复合粉体进行激光选区烧结(SLS)形成陶瓷素坯,并对素坯进行气氛烧结和渗硅处理,使其与基体发生反应烧结,最终形... 为了获得高密度、高性能、复杂结构的碳化硅陶瓷件,提出采用机械混合法制备含有黏结剂和乌洛托品固化剂的碳化硅复合粉体,对复合粉体进行激光选区烧结(SLS)形成陶瓷素坯,并对素坯进行气氛烧结和渗硅处理,使其与基体发生反应烧结,最终形成复杂陶瓷异形件。实验证明:若激光功率为8.0 W、扫描速率为2 000 mm/s、扫描间距为0.1 mm、单层厚度为0.15 mm,获得的SLS陶瓷样品密度和强度最好。对SLS试样进行合理的中温碳化和高温渗硅,所得碳化硅陶瓷烧结体的抗弯强度最高可达81 MPa,相对密度大于86%。 展开更多
关键词 激光选区烧结 碳化硅 酚醛树脂 反应烧结
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SiC MOSFET的质子单粒子效应
19
作者 史慧琳 郭刚 +4 位作者 张峥 李府唐 刘翠翠 张艳文 殷倩 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第7期654-659,共6页
SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在深空探测领域具有广阔的应用前景,但空间质子引发的单粒子效应(SEE)对航天器稳定运行造成了严重威胁。对平面栅结构与非对称沟槽栅结构的SiC MOSFET进行了能量为70、100与200 MeV的质子辐照... SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在深空探测领域具有广阔的应用前景,但空间质子引发的单粒子效应(SEE)对航天器稳定运行造成了严重威胁。对平面栅结构与非对称沟槽栅结构的SiC MOSFET进行了能量为70、100与200 MeV的质子辐照实验。实验结果表明,两种SiC MOSFET的单粒子烧毁(SEB)阈值电压均大于额定漏源电压的75%;SEB阈值电压随质子能量升高而降低。对两种器件进行辐照后栅应力测试发现,两种结构的器件由于沟道不同而对栅应力的响应存在差异;不同的质子能量会在栅极引入不同程度的辐射损伤,低能质子更容易在栅氧化层发生碰撞而引入氧化物潜在损伤。该研究可为揭示SiC MOSFET质子SEE机理和评估抗辐射能力提供参考。 展开更多
关键词 碳化硅(sic) 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 单粒子效应(SEE) 单粒子烧毁(SEB) 电离效应 辐射损伤
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第三代半导体及氮化镓(GaN)材料分析 被引量:2
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作者 李杰 王友旺 《集成电路应用》 2023年第10期326-328,共3页
阐述第三代半导体及氮化镓(GaN)材料制备工艺,以及第三代半导体在全球和国内的发展情况,分析氮化镓(GaN)材料的特征和氮化镓半导体材料的应用,包括在通信系统、功率半导体、军事用途、电子学中的应用。
关键词 第三代半导体 碳化硅(sic) 氮化镓(GaN)
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