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Micro-LED的侧壁损伤以及光学特性
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作者 蔡鑫 徐俞 +1 位作者 曹冰 徐科 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第5期812-817,共6页
GaN基微型发光二极管(Micro-LED)作为新型显示技术有着广泛的应用前景,在近些年得到了快速的发展。但随着尺寸的降低,Micro-LED的发光效率急剧降低,主要是由于侧壁损伤的影响。本文通过光刻工艺和电感耦合等离子体(ICP)刻蚀制作了5、10... GaN基微型发光二极管(Micro-LED)作为新型显示技术有着广泛的应用前景,在近些年得到了快速的发展。但随着尺寸的降低,Micro-LED的发光效率急剧降低,主要是由于侧壁损伤的影响。本文通过光刻工艺和电感耦合等离子体(ICP)刻蚀制作了5、10、20μm等不同尺寸的Micro-LED结构,分析了刻蚀对Micro-LED带来的台面物理损伤及杂质元素富集的影响,并采用20%浓度四甲基氢氧化铵(TMAH)修复侧壁损伤,采用阴极荧光(CL)分析钝化处理前后Micro-LED的光学特性。结果表明,随着尺寸的降低,侧壁损伤的影响越加严重,采取TMAH钝化工艺能够对侧壁进行有效的修复,提升Micro-LED的发光强度与发光均匀性。 展开更多
关键词 Micro-LED 侧壁损伤 侧壁钝化 尺寸 光学特性
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Parylene film for sidewall passivation in SCREAM process
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作者 JI Xu YU HuaiQiang +2 位作者 HUANG XianJu LEI YingHua LI ZhiHong 《Science China(Technological Sciences)》 SCIE EI CAS 2009年第2期357-362,共6页
Trench sidewall passivation is a key step in the SCREAM (single crystal reactive etching and metallization) process for releasing suspended MEMS structures. In this paper, the parylene thin film is reported to serve a... Trench sidewall passivation is a key step in the SCREAM (single crystal reactive etching and metallization) process for releasing suspended MEMS structures. In this paper, the parylene thin film is reported to serve as the passivation layer owing to its excellent conformality, chemical inertness, mechanical performance, and especially, low growth temperature. The deposited parylene films are characterized and the test structures are released through SCREAM process utilizing the parylene films as a passivation layer. The results show that as a passivation layer the parylene has more merits than the PECVD SiO2 film. 展开更多
关键词 PARYLENE sidewall passivation stress conformality SCREAM (single crystal reactive etching and metallization) PROCESS
原文传递
等平面化SiC MESFET的研制 被引量:2
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作者 杨霏 陈昊 +8 位作者 潘宏菽 默江辉 商庆杰 李亮 闫锐 冯震 杨克武 蔡树军 姚素英 《微纳电子技术》 CAS 2008年第8期440-443,483,共5页
在原有设计以及工艺的基础上,采用了器件表面等平面化处理及侧壁钝化工艺,器件工作电压大幅度提高,截止漏电流降低约两个数量级,跨导提高1.5mS/mm。2GHz下测试,微波功率附加效率提高10%左右,增益平均提高了2dB,在VDS=60V的条件下单管功... 在原有设计以及工艺的基础上,采用了器件表面等平面化处理及侧壁钝化工艺,器件工作电压大幅度提高,截止漏电流降低约两个数量级,跨导提高1.5mS/mm。2GHz下测试,微波功率附加效率提高10%左右,增益平均提高了2dB,在VDS=60V的条件下单管功率输出达到了86.5W。经过内匹配和功率合成研制成大功率的SiC脉冲功率管的综合性能较好,在250W的输出功率下,器件仍然保持高达10.5dB的高增益,功率附加效率30%。台阶仪和扫描电镜观测表明,台阶高度已经大大降低,侧壁得到了钝化,尖锐突起和凹坑都已经变得平缓。 展开更多
关键词 碳化硅(SIC) 金属消特基势垒场效应晶体管 高增益 功率附加效率 大功率 等平面化 侧壁钝化
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PMMA的反应离子深刻蚀 被引量:2
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作者 张丛春 杨春生 +1 位作者 丁桂甫 黄龙旺 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期157-160,共4页
对PMMA进行反应离子深刻蚀以获得高深度比微结构。研究了纯氧刻蚀气体中加入CHF3 对刻蚀速率、图形形貌等的影响。纯氧刻蚀PMMA ,钻蚀现象严重。加入CHF3 后 ,刻蚀速率随CHF3 含量增加而下降。加入适量CHF3 ,可以在侧壁形成钝化层 ,保... 对PMMA进行反应离子深刻蚀以获得高深度比微结构。研究了纯氧刻蚀气体中加入CHF3 对刻蚀速率、图形形貌等的影响。纯氧刻蚀PMMA ,钻蚀现象严重。加入CHF3 后 ,刻蚀速率随CHF3 含量增加而下降。加入适量CHF3 ,可以在侧壁形成钝化层 ,保护侧壁不受钻蚀。当CHF3 含量为 4 0 % ,刻蚀功率 30W ,工作气压为 4Pa时 ,即使刻蚀深度达到 4 0 0 μm ,侧壁仍然陡直 ,刻蚀深宽比大于 10。 展开更多
关键词 PMMA 反应离子刻蚀 比微结构 刻蚀气体 钻蚀 HGA技术
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