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氧化亚铜光催化剂性能提升及增强机制的研究进展 被引量:8
1
作者 龙丹 周俊伶 +4 位作者 时洪民 王冠然 李红双 赵苾艺 李贞玉 《化工进展》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第6期2756-2767,共12页
Cu2O是目前最有潜力的可见光光催化剂之一,在太阳能电池、一氧化碳氧化、光催化剂、传感器、化学模板等方面有着广泛的应用。然而,Cu2O光生电子-空穴对具有容易复合、易发生光腐蚀、稳定性不好等特性,使其在实际应用上面临很大的挑战,... Cu2O是目前最有潜力的可见光光催化剂之一,在太阳能电池、一氧化碳氧化、光催化剂、传感器、化学模板等方面有着广泛的应用。然而,Cu2O光生电子-空穴对具有容易复合、易发生光腐蚀、稳定性不好等特性,使其在实际应用上面临很大的挑战,因此如何有效地提高Cu2O的光催化性能成为国内外研究者关注的焦点。首先,本文围绕Cu2O半导体的形貌控制、杂原子掺杂以及构建半导体异质结这三方面对Cu2O光催化性能的提升进行系统阐述,其中构建半导体异质结是提升Cu2O光催化性能最有效的方法,Cu2O与贵金属、金属氧化物以及碳材料构成的复合半导体异质结均有效地提高了Cu2O的光催化活性;其次,从复合半导体异质结、肖特基结以及Z-scheme机制三方面分析并讨论了Cu2O光催化增强机制;最后对Cu2O基纳米复合材料在电子结构、界面性质以及表面负载的成分和厚度等方面的研究进行了展望。 展开更多
关键词 氧化亚铜 光化学 催化 形貌控制 杂原子掺杂 半导体异质结 优化
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原位诱导CuCo_(2)S_(4)@CuCo_(2)O_(4)异质结催化剂的构筑及光催化性能研究
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作者 霍西学 于晓婷 +2 位作者 李慧 迟忠美 王琼 《现代化工》 CAS CSCD 北大核心 2024年第9期137-142,共6页
利用一步水热法结合原位硫化策略成功制备了具有丰富孔隙和紧密异质结界面的CuCo_(2)S_(4)@CuCo_(2)O_(4)半导体催化剂,层级多孔的形貌有效地提高了催化剂的光捕获能力,异质结内建电场和低能垒界面协同促进了光生载流子的定向转移与分离... 利用一步水热法结合原位硫化策略成功制备了具有丰富孔隙和紧密异质结界面的CuCo_(2)S_(4)@CuCo_(2)O_(4)半导体催化剂,层级多孔的形貌有效地提高了催化剂的光捕获能力,异质结内建电场和低能垒界面协同促进了光生载流子的定向转移与分离,进而提高催化剂的光催化能力。研究结果表明,通过调控硫源的加入量,CuCo_(2)S_(4)@CuCo_(2)O_(4)-3对双氯芬酸和罗丹明B的降解率分别为81.9%和90.3%,对Cr^(6+)的还原率可达73.9%。催化剂展现出良好的抗干扰能力和循环稳定性,CuCo_(2)S_(4)@CuCo_(2)O_(4)对水体中有机污染物和重金属离子均有较好的催化去除能力。 展开更多
关键词 半导体异质结 光催化 双氯芬酸 罗丹明B Cr^(6+)
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CuO/ZnO复合光催化材料研究进展 被引量:4
3
作者 唐茂 薛娅 +2 位作者 向丹丹 马洋 朱晓东 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2021年第5期51-55,共5页
ZnO具有光催化活性强、热稳定性高、无毒无污染等优点,是研究最广泛的光催化材料之一。ZnO禁带宽度大,只能吸收紫外光,太阳能利用率低;且其光生电子易与空穴复合,量子效率低。CuO作为一种窄带隙半导体,与ZnO复合形成半导体异质结,不仅... ZnO具有光催化活性强、热稳定性高、无毒无污染等优点,是研究最广泛的光催化材料之一。ZnO禁带宽度大,只能吸收紫外光,太阳能利用率低;且其光生电子易与空穴复合,量子效率低。CuO作为一种窄带隙半导体,与ZnO复合形成半导体异质结,不仅可以提高太阳光利用率,而且能加快载流子转移,提高光催化性能。介绍了CuO/ZnO复合光催化材料的制备方法,综述了国内外CuO/ZnO复合光催化材料的研究进展,并展望了其未来研究方向。 展开更多
关键词 氧化铜/氧化锌复合材料 光催化性能 半导体异质结
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二氧化锡/多孔硅/硅的吸附特性 被引量:1
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作者 沈 华 谢廷贵 +1 位作者 王余姜 蔡玉霜 《厦门大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 1995年第5期707-710,共4页
研究了二氧化锡/多孔硅/硅(SnO_2/PS/Si)的光伏谱和吸附性质,由分析光伏谱得出在SnO_2/PS/Si之间存在着二个异质结:一个是SnO_2/PS异质结;另一个是PS/Si异质结,当样品吸附CO气体后,光电... 研究了二氧化锡/多孔硅/硅(SnO_2/PS/Si)的光伏谱和吸附性质,由分析光伏谱得出在SnO_2/PS/Si之间存在着二个异质结:一个是SnO_2/PS异质结;另一个是PS/Si异质结,当样品吸附CO气体后,光电压明显减少,实验结果表明,利用光电压的变化可以检测CO等有害气体.本文对新气体敏感材料SnO_2/PS/Si的有关气体吸附机制进行了讨论. 展开更多
关键词 多孔硅 吸附 二氧化锡 光电压
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用XPS测量ZnS_(0.8)Te_(0.2)/G_aP半导体异质结的价带偏移
5
作者 孙汪典 《暨南大学学报(自然科学与医学版)》 CAS CSCD 1999年第3期28-32,共5页
应用X射线光电子能谱(XPS)对分子束外延生长的ZnS(0.8)Te(0.2)/GaP半导体异质结进行直接法测量,得其价带偏移值为1.5eV;采用芯态能级技术法测量,得其价带偏移值为1.45eV在测量误差范围内,两种方法... 应用X射线光电子能谱(XPS)对分子束外延生长的ZnS(0.8)Te(0.2)/GaP半导体异质结进行直接法测量,得其价带偏移值为1.5eV;采用芯态能级技术法测量,得其价带偏移值为1.45eV在测量误差范围内,两种方法测得的结果相一致. 展开更多
关键词 半导体 异质结 价带偏移 XPS 锌硫碲化合物
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二维光催化材料的电子结构调控与应用研究进展(特邀) 被引量:2
6
作者 张文林 许春花 +4 位作者 孙萌飞 王羽龙 李然 张玉琦 王记江 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第1期45-58,共14页
首先综述了基于二维光催化剂的电子结构调控方式,包括厚度调节、元素掺杂、缺陷工程和异质结的设计等。其次,由于半导体异质结在减少光生电子空穴复合速度方面具有独特的优势,着重介绍了由二维材料与其它不同维数的半导体界面组成的异... 首先综述了基于二维光催化剂的电子结构调控方式,包括厚度调节、元素掺杂、缺陷工程和异质结的设计等。其次,由于半导体异质结在减少光生电子空穴复合速度方面具有独特的优势,着重介绍了由二维材料与其它不同维数的半导体界面组成的异质结的研究进展。最后介绍了新型二维光催化材料在析氢、CO2还原、固氮和污染物降解等方面的应用。总结文献可知,二维材料与块体材料相比,具有较高的比表面积、表面存在大量的活性位点、能更有效地分离催化剂中的载流子、合适的能带结构、可调节的光吸收区等特点。文末总结了目前的研究现状和面临的挑战,并展望了二维材料在光催化中的应用前景。 展开更多
关键词 二维材料 光催化 电子结构调控 应用进展 半导体异质结
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化合物半导体异质结微波和高速器件的研究和发展 被引量:1
7
作者 曾庆明 《半导体情报》 1996年第4期1-5,共5页
介绍了微波和超高速异质结器件的研究和发展,着重叙述了各种异质结场效应管、异质结双极晶体管和双极场效应管的特点、发展水平和新型器件结构。
关键词 半导体异质结 微波器件 超高速器件
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碱金属夹层对半导体异质结能带偏移的影响
8
作者 徐彭寿 徐世红 +4 位作者 朱警生 刘先明 麻茂生 张裕恒 许振嘉 《中国科学技术大学学报》 CAS CSCD 北大核心 1995年第4期436-441,共6页
用光电发射的方法研究了碱金属夹层对Ge和Ⅲ-Ⅴ族半导体异质结形成和能带偏移的影响.实验表明,价带偏移(ΔEv)与夹层厚度有关.0.5MLCs和1MLNa可使Ge/InP(100)及Ge/GaAs(100)的ΔEv的值... 用光电发射的方法研究了碱金属夹层对Ge和Ⅲ-Ⅴ族半导体异质结形成和能带偏移的影响.实验表明,价带偏移(ΔEv)与夹层厚度有关.0.5MLCs和1MLNa可使Ge/InP(100)及Ge/GaAs(100)的ΔEv的值分别增加0.20eV和0.18eV.碱金属与衬底相互作用而引起的界面偶极矩的改变是导致ΔEv改变的主要原因. 展开更多
关键词 碱金属 半导体异质结 能带偏移
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Si/Si_(1-x)Ge_x HEMT异质结层的结构与二维电子气密度的关系
9
作者 胡英 周晓华 +1 位作者 徐毓龙 赵祖军 《半导体情报》 2001年第2期46-49,共4页
从晶格匹配及能带阶跃角度讨论了设计一个 n沟 Si/Si1-x Gex HEMT异质结层的原理及方法 ,对 K.Ismail器件进行了分析和计算 ,所得 2 DEG的 ns与实验结果基本相符 ,并利用该设计理论对 K. Ismail器件的异质结结构进行了优化改进 ,提高了... 从晶格匹配及能带阶跃角度讨论了设计一个 n沟 Si/Si1-x Gex HEMT异质结层的原理及方法 ,对 K.Ismail器件进行了分析和计算 ,所得 2 DEG的 ns与实验结果基本相符 ,并利用该设计理论对 K. Ismail器件的异质结结构进行了优化改进 ,提高了器件 2 DEG的 ns。 展开更多
关键词 半导体异质结 晶格匹配 能带阶跃 结构设计 二维电子气密度 晶体管 HEMT Zhe化硅
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三组三元合金异质结的价带带阶
10
作者 郑金成 王仁智 +1 位作者 郑永梅 蔡淑惠 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1998年第1期20-26,共7页
采用基于LMTO-ASA的平均键能计算方法和原子集团展开方法,研究了三组典型的晶格匹配三元合金异质结(GaAs)x(Ge2)1-x/GaAs,(AlAs)x(Ge2)1-x/GaAs和AlxGa1-xAs/GaAs的价带带阶△Ev(x)值。研究表明:AlxGa1-xAs/GaAs异质... 采用基于LMTO-ASA的平均键能计算方法和原子集团展开方法,研究了三组典型的晶格匹配三元合金异质结(GaAs)x(Ge2)1-x/GaAs,(AlAs)x(Ge2)1-x/GaAs和AlxGa1-xAs/GaAs的价带带阶△Ev(x)值。研究表明:AlxGa1-xAs/GaAs异质结的Mv(x)值随合金组分x的变化接近于线性;(GaAs)x(Ge2)1-x/GaAs和(AlAs)x(Ge2)1-x/GaAs的△Ev(x)值随合金组分x的变化是非线性的。△Ev(x)的理论计算值与实验结果相当符合。 展开更多
关键词 半导体 异质结 价带带阶 平均键能方法
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Si/Si_(1-x)Ge_x HEMT结构设计的研究
11
作者 胡英 周晓华 +1 位作者 徐毓龙 赵祖军 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2001年第2期162-166,共5页
从晶格匹配及能带阶跃角度讨论了 n沟 Si /Si1- xGex HEMT结构的设计原理及方法, 对Ismail器件进行了分析和计算,所得二维电子气 (2DEG)的 ns与实验结果基本相符,并利用该设计 理论对 Ismail器件的异质结结构进行了优化改进,提高... 从晶格匹配及能带阶跃角度讨论了 n沟 Si /Si1- xGex HEMT结构的设计原理及方法, 对Ismail器件进行了分析和计算,所得二维电子气 (2DEG)的 ns与实验结果基本相符,并利用该设计 理论对 Ismail器件的异质结结构进行了优化改进,提高了器件 2DEG的 ns。 展开更多
关键词 HEMT 半导体异质结 晶格匹配 能带阶跃 结构设计 二维电子气密度
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不同相NbS_(2)与GeS_(2)构成的二维金属-半导体异质结的电接触性质
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作者 李景辉 曹胜果 +2 位作者 韩佳凝 李占海 张振华 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第13期238-250,共13页
金属-半导体异质结(MSJ)是研发新型器件的基础.本文考虑利用不同相的金属H-和T-NbS_(2)与半导体GeS_(2)组成不同的二维范德瓦耳斯MSJ,并对它们的结构稳定性、电子特性以及电接触性质进行深入研究,重点在探索MSJ电接触性质对不同相金属... 金属-半导体异质结(MSJ)是研发新型器件的基础.本文考虑利用不同相的金属H-和T-NbS_(2)与半导体GeS_(2)组成不同的二维范德瓦耳斯MSJ,并对它们的结构稳定性、电子特性以及电接触性质进行深入研究,重点在探索MSJ电接触性质对不同相金属的依赖关系.计算的结合能、声子谱、AIMD模拟以及力学性质研究表明,两异质结高度稳定,可实验制备,且用于电子器件设计可行.本征态H-NbS_(2)/GeS_(2)和T-NbS_(2)/GeS_(2)异质结分别形成了p型肖特基接触和准n型欧姆接触.同时发现它们的肖特基势垒高度(SBH)和电接触类型可以通过外加电场和双轴应变来有效调控.例如,对于H-NbS_(2)/GeS_(2)异质结,无论施加正/负电场或平面双轴压缩,均能实现欧姆接触,而T-NbS_(2)/GeS_(2)异质结,仅在施加负电场时,才能实现欧姆接触,但需要的负电场很低,平面双轴拉伸能导致其实现准欧姆接触.也就是说,当以半导体GeS_(2)单层为场效应晶体管沟道材料,与不同相的金属NbS_(2)接触形成MSJ时,其界面肖特基势垒有明显区别,且在不同情形(本征或物理调控)中各有优势.所以,本研究对于理解H(T)-NbS_(2)/GeS_(2)异质结电接触的物理机制具有重要意义,特别是为如何选择合适金属电极以研发高性能电子器件提供了理论参考. 展开更多
关键词 金属-半导体异质结 肖特基势垒 肖特基接触 欧姆接触 物理场调控
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贵金属/半导体异质结中的光致自旋电流效应研究 被引量:1
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作者 卢纯江 刘汉保 +4 位作者 何薪鹏 叶书鸣 吴定璋 杨杰 王茺 《云南大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2023年第2期429-439,共11页
自旋电子材料因能同时对电子的自旋和电荷两个自由度实施操控,在构筑以低功耗、超高速、大容量和超宽带为特征的新一代信息处理技术中展现出巨大的应用潜力.然而,通过掺杂过渡金属元素和稀土离子而形成的传统稀磁半导体和钙钛矿锰氧化... 自旋电子材料因能同时对电子的自旋和电荷两个自由度实施操控,在构筑以低功耗、超高速、大容量和超宽带为特征的新一代信息处理技术中展现出巨大的应用潜力.然而,通过掺杂过渡金属元素和稀土离子而形成的传统稀磁半导体和钙钛矿锰氧化物往往因结构缺陷导致的居里温度不高、自旋磁矩和自旋极化率偏低等不足,阻碍了自旋电子材料的商业化应用.近年来,在高纯半导体上沉积贵金属薄膜所形成的贵金属/半导体异质结中,通过使用偏振光激发该类异质结可产生纯自旋电流.这种基于逆自旋霍尔效应(ISHE)、可在室温下运行的、非接触和非破坏型的自旋极化激励方法理论上可获得高于50%自旋极化率,引起了人们的广泛关注.文章主要介绍光致自旋电流形成机制和测试方法,以及入射光圆偏振度、光强、入射角度等参数对光致自旋注入效率的调控机理,介绍杂质介导和声子介导对光致自旋输运的贡献,最后提出增强光致自旋电子极化率的可行方案,可为揭示自旋载流子产生、注入和输运相关的自旋动力学核心科学问题以及研制高性能自旋电子器件提供有益的参考. 展开更多
关键词 贵金属/半导体异质结 逆自旋霍尔效应 偏振光 光致自旋极化
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Ferroelectric polarization reversal tuned by magnetic field in a ferroelectric BiFeO3/Nb-doped SrTiO3 heterojunction 被引量:2
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作者 Pei Li Zhao-Meng Gao +3 位作者 Xiu-Shi Huang Long-Fei Wang Wei-Feng Zhang Hai-Zhong Guo 《Frontiers of physics》 SCIE CSCD 2018年第5期127-132,共6页
Interracial resistive switching of a ferroelectric semiconductor heterojunction is highly advantageous for the newly developed ferroelectric memristors. Moreover, the interfacial state in the ferroelectric semiconduct... Interracial resistive switching of a ferroelectric semiconductor heterojunction is highly advantageous for the newly developed ferroelectric memristors. Moreover, the interfacial state in the ferroelectric semiconductor heterojunction can be gradually modified by polarization reversal, which may give rise to continuously tunable resistive switching behavior. In this work, the interfacial state of a ferroelectric BiFeO3/Nb-doped SrTiO3 junction was modulated by ferroelectric polarization reversal. The dynamics of surface screening charges on the BiFeO3 layer was also investigated by surface potential measure- ments, and the decay of the surface potential could be speeded up by the magnetic field. Moreover, ferroelectric polarization reversal of the BiFeO3 layer was tuned by the magnetic field. This finding could provide a method to enhance the ferroelectric and electrical properties of ferroelectric BiFeO3 films by tuning the magnetic field. 展开更多
关键词 ferroelectric semiconductor heterojunction ferroelectric polarization reversal pulsed laserdeposition Kelvin probe force microscopy
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有机半导体异质结电荷产生层及其在叠层有机发光二极管中的应用 被引量:2
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作者 陈永华 马东阁 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第24期1947-1955,共9页
叠层有机发光二极管因其具有更高的亮度、效率以及稳定性,其研究备受关注.本文综述了叠层有机发光二极管的最新进展;总结了作者研究小组基于有机半导体异质结的概念,设计了由一种p型有机半导体和一种n型有机半导体层层组成的双层有机半... 叠层有机发光二极管因其具有更高的亮度、效率以及稳定性,其研究备受关注.本文综述了叠层有机发光二极管的最新进展;总结了作者研究小组基于有机半导体异质结的概念,设计了由一种p型有机半导体和一种n型有机半导体层层组成的双层有机半导体异质结电荷产生层,并用它们作为连接单元制备了叠层有机发光二极管,器件的电压得到了降低,功率效率得到了提高.通过对电荷产生层的工作机制的深入剖析,揭示了降低电压、提高功率效率的内在物理原因,为进一步设计高性能有机电致发光器件提供了新的思路;最后对叠层有机发光二极管的未来发展方向进行了展望. 展开更多
关键词 有机半导体异质结 叠层有机发光二极管 电荷产生层 功率效率
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Ultrathin nanoporous metal-semiconductor heterojunction photoanodes for visible light hydrogen evolution
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作者 Weiqing Zhang Yunfeng Zhao +7 位作者 Kai He Jun Luo Guoliang Li Ruirui Liu Siyu Liu Zhen Cao Pengtao Jing Yi Ding 《Nano Research》 SCIE EI CAS CSCD 2018年第4期2046-2057,共12页
Plasmonic metal-semiconductor nano-heterojuncfions (NHJs), with their superior photocatalytic performance, provide opportunities for the efficient utilization of solar energy. However, scientific significance and te... Plasmonic metal-semiconductor nano-heterojuncfions (NHJs), with their superior photocatalytic performance, provide opportunities for the efficient utilization of solar energy. However, scientific significance and technical challenges remain in the development of suitable metal-semiconductor NHJ photoelectrodes for new generation flexible optoelectronic devices, which often require complex processing. Herein, we report integrated three-dimensional (3D) NHJ photoelectrodes by conformally coating cadmium sulfide (CdS) nanolayers onto ultrathin nano- porous gold (NPG) films via a facile electrodeposition method. Localized surface plasmon resonance (LSPR) of NPG enhances the electron-hole pair generation and separation. Moreover, the direct contact interface and high conductive framework structure of the NHJs boosts the photogenerated carrier separation and transport. Hence, the NHJs exhibit evidently enhanced photocurrent density and hydrogen evolution rate relative to CdS deposited on either gold (Au) foil or fluorine-doped tin oxide (FTO) at 0 V vs. SCE (saturated calomel electrode) under visible-light irradiation. Moreover, they demonstrate a surprisingly stable photoelectrochemical hydrogen evolution (PEC-HE) activity over 104 s of continuous irradiation. 展开更多
关键词 nanoporous gold cadmium sulfide metal-semiconductor heterojunction localized surface plasmon resonance visible light hydrogen evolution DEALLOYING
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Persistent spin current in a quantum wire with weak Dresselhaus spin-orbit coupling
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作者 盛威 王羿 周光辉 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2007年第2期533-536,共4页
The spin current in a parabolically confined semiconductor hcterojunction quantum wire with Drcsselhaus spinorbit coupling is theoretically studied by using the perturbation method. The formulae of the elements for li... The spin current in a parabolically confined semiconductor hcterojunction quantum wire with Drcsselhaus spinorbit coupling is theoretically studied by using the perturbation method. The formulae of the elements for linear and angular spin current densities are derived by using the recent definition for spin current based on spin continuity equation. It is found that the spin current in this Dresselhaus spin-orbit coupling quantum wire is antisymmetrical, which is different from that in Rashba model due to the difference in symmetry between these two models. Some numerical examples for the result are also demonstrated and discussed. 展开更多
关键词 semiconductor heterojunction quantum wire Dresslhuaus spin-orbit coupling spin current
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电泳法制备ZnO/YBCO异质结及电学性质研究 被引量:1
18
作者 赵宇琼 朱亚彬 +3 位作者 安垚 廉玉东 崔兆邦 王保军 《低温与超导》 CAS CSCD 北大核心 2009年第11期41-43,共3页
采用电泳方法及高温煅烧工艺制备ZnO/YBCO异质结,XRD图谱显示ZnO具有c轴方向的择优取向。在SEM的截面图中可观察到ZnO与YBCO结合致密,放大500倍的表面形貌图呈现织构(textured)的微结构特征,放大5000倍的表面形貌图中可观察微米量级的... 采用电泳方法及高温煅烧工艺制备ZnO/YBCO异质结,XRD图谱显示ZnO具有c轴方向的择优取向。在SEM的截面图中可观察到ZnO与YBCO结合致密,放大500倍的表面形貌图呈现织构(textured)的微结构特征,放大5000倍的表面形貌图中可观察微米量级的六方晶粒。通过对ZnO/YBCO异质结的电学性质进行测试,结果显示整流特性。 展开更多
关键词 电泳法 ZnO/YBCO/YSZ异质结 整流特性
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金属光电化学阴极保护材料及其防腐功能化实现研究进展 被引量:5
19
作者 张雪菲 李梦雅 +3 位作者 孔龙飞 王猛 闫璐 肖凤娟 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第3期128-140,共13页
与传统的腐蚀保护方法相比,光电化学阴极保护是一种节能、环保、经济的腐蚀防护技术。该技术的关键特征是,利用光电化学阴极保护材料在光照条件下产生光生电子,而光生电子以电势差作为驱动力转移到金属上,并富集在金属表面,导致金属的... 与传统的腐蚀保护方法相比,光电化学阴极保护是一种节能、环保、经济的腐蚀防护技术。该技术的关键特征是,利用光电化学阴极保护材料在光照条件下产生光生电子,而光生电子以电势差作为驱动力转移到金属上,并富集在金属表面,导致金属的电位负移,从而实现对金属的强制保护。总结了近年来国内外光电化学阴极保护材料的制备方法与性能特点,针对目前TiO_(2)薄膜材料存在的问题,阐述了通过形貌调控、元素掺杂、半导体复合、异质结构成、材料耦合等方式,提升光电化学阴极保护性能的策略和技术。概括了非TiO_(2)类光电化学阴极保护纳米材料的性能及应用,主要有ZnO、SrTiO_(3)、In_(2)O_(3)、g-C_(3)N_(4)、铋基金属氧化物等半导体材料。明确了近年来光电化学阴极保护材料防腐功能化实现的途径和方法,包括光阳极法和直接涂敷法,并比较了二者之间的优缺点。最后,提出了金属光电化学阴极保护材料及防腐功能化研究的发展趋势及存在的问题。 展开更多
关键词 光电化学阴极保护 纳米薄膜材料 半导体异质结 光生电子 光阳极电极 防腐涂层
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含δ势垒的铁磁/半导体/铁磁异质结中的自旋输运和渡越时间 被引量:8
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作者 杜坚 张鹏 +2 位作者 刘继红 李金亮 李玉现 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第11期7221-7227,共7页
研究了含δ势垒的铁磁/半导体/铁磁异质结中自旋相关的透射概率和渡越时间,讨论了量子尺寸效应和Rashba自旋轨道耦合效应对隧穿特性的影响.研究结果表明:δ势垒的存在降低了自旋电子的透射概率,改变了透射概率的位相.Rashba自旋轨道耦... 研究了含δ势垒的铁磁/半导体/铁磁异质结中自旋相关的透射概率和渡越时间,讨论了量子尺寸效应和Rashba自旋轨道耦合效应对隧穿特性的影响.研究结果表明:δ势垒的存在降低了自旋电子的透射概率,改变了透射概率的位相.Rashba自旋轨道耦合强度的增加加大了透射概率的振荡频率.不同自旋取向的电子隧穿异质结时,渡越时间随着半导体长度、Rashba自旋轨道耦合强度以及两铁磁电极中的磁化方向的夹角的变化而变化. 展开更多
关键词 δ势垒 铁磁/半导体/铁磁异质结 Rashba自旋轨道耦合效应 渡越时间
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