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题名基础三维无源元件的单片高集成度自卷曲技术
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作者
黄文
桑磊
黄高山
顾昌展
张勇
沈瞿欢
毕秀文
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机构
合肥工业大学微电子学院
复旦大学材料科学系
上海交通大学电子工程系
电子科技大学电子科学与工程学院
天通瑞宏科技有限公司
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出处
《中国基础科学》
2024年第4期17-24,共8页
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基金
国家重点研发计划项目(2021YFA0715300)。
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文摘
在射频前端芯片中,无源元件占据大量面积,这成为芯片小型化的瓶颈。为了应对这一挑战,介绍一种基于传统平面半导体工艺的单片自卷曲技术。该技术利用薄膜应力实现了基础无源元件对三维空间的充分利用,从而显著减少了基础无源元件在芯片中所占的面积,相比传统的二维平面器件更具优势。通过全面介绍这一技术的原理、表征以及集成应用等,展示了其在推动射频前端芯片向高集成度和小型化方向发展的潜力。
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关键词
自卷曲技术
射频前端芯片
基础三维无源元件
高集成度和小型化
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Keywords
self-rolled up membrane nanotechnology
radio frequency front-end chips
basic passive components
high integration and miniaturization
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分类号
TM501
[电气工程—电器]
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题名片上自卷曲太赫兹三维螺旋阵列天线仿真设计
被引量：1
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作者
何晴
黄文
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机构
合肥工业大学微电子学院
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出处
《微波学报》
CSCD
北大核心
2020年第S01期302-305,共4页
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基金
安徽高校协同创新项目(GXXT-2019-030)
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文摘
当前片上天线的结构形式均局限在二维或二维半的空间内,衬底引入的寄生效应严重,天线的增益和效率相对较低。为了解决上述问题,本文提出一种基于氮化硅(SiNx)自卷曲薄膜(S-RuM)纳米技术的片上太赫兹螺旋阵列天线的加工和设计方法。通过对SiNx自卷曲薄膜结构的设计,实现了对三维螺旋结构的内直径、螺距和匝数等特征参数的精确控制,并且其制造工艺与常规半导体工艺完全兼容。HFSS有限元仿真结果表明具有反射环结构的5匝单螺旋天线的相对带宽为9%,增益可达到9.8dB@0.3THz,半功率波束宽度为45°;2×1阵列的增益可达到12.3dB。
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关键词
自卷曲薄膜技术
太赫兹天线
片上螺旋天线
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Keywords
self-rolled-up membrane nanotechnology
THz antenna
on-chip helical antenna
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分类号
TN823.31
[电子电信—信息与通信工程]
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