期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到6篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
SiO_2 膜的薄层化对自组织生长Si纳米量子点发光特性的影响 被引量：5
1
作者 彭英才 竹内耕平 +1 位作者 稻毛信弥 宫崎诚一 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期267-271,共5页
采用低压化学气相沉积方法 ,依靠纯 Si H4 气体的热分解反应 ,在 Si O2 表面上自组织生长了 Si纳米量子点 .实验研究了 Si O2 膜的薄层化对 Si纳米量子点光致发光特性的影响 .结果表明 ,当 Si O2 膜厚度减薄至 6 nm以下时 ,Si纳米量子... 采用低压化学气相沉积方法 ,依靠纯 Si H4 气体的热分解反应 ,在 Si O2 表面上自组织生长了 Si纳米量子点 .实验研究了 Si O2 膜的薄层化对 Si纳米量子点光致发光特性的影响 .结果表明 ,当 Si O2 膜厚度减薄至 6 nm以下时 ,Si纳米量子点中的光生载流子会量子隧穿超薄 Si O2 层 ,并逃逸到单晶 Si衬底中去 ,从而减少了光生载流子通过Si O2 / Si纳米量子点界面区域内发光中心的辐射复合效率 ,致使光致发光强度明显减弱 .测试温度的变化对 Si纳米量子点光致发光特性的影响 ,则源自于光生载流子通过 Si O2 / 展开更多
关键词 自组织生长 硅 纳米量子点 二氧化碳 薄膜 发光特性
下载PDF
LPCVD自组织生长Si纳米量子点的发光机制分析 被引量：2
2
作者 彭英才 稻毛信弥 +1 位作者 池田弥央 宫崎诚一 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期261-264,共4页
采用低压化学气相沉积 (LPCVD)方法 ,通过纯SiH4气体的表面热分解反应 ,在SiO2 表面上自组织生长了半球状Si纳米量子点 ,在室温条件下实验研究了其光致发光 (PL)特性 ,考察了PL效率与峰值能量随Si纳米量子点尺寸的变化关系。结果指出 ,... 采用低压化学气相沉积 (LPCVD)方法 ,通过纯SiH4气体的表面热分解反应 ,在SiO2 表面上自组织生长了半球状Si纳米量子点 ,在室温条件下实验研究了其光致发光 (PL)特性 ,考察了PL效率与峰值能量随Si纳米量子点尺寸的变化关系。结果指出 ,当Si纳米量子点高度hc<5nm时 ,其PL效率基本保持不变。而当hc>5nm时 ,PL效率则急剧下降。同时 ,PL峰值能量随hc 的减少而增大 ,并与 (l/hc) 2 成正比依赖关系。如当hc 从 5 5nm减小至 0 8nm时 ,其峰值能量从 1 2 8eV增加到 1 4 3eV ,出现了约 0 15eV的谱峰蓝移。我们用量子限制效应 展开更多
关键词 LPCVD 自组织生长 发光机制 Si纳米量子点 量子限制效应-界面中心复合发光 低压化学气相沉积
下载PDF
不同厚度CdSe阱层的表面上自组织CdSe量子点的发光性质 被引量：3
3
作者 胡学兵 郑著宏 +2 位作者 公维炜 郑金桔 高威 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期724-729,共6页
利用变温和变激发功率分别研究了不同厚度CdSe阱层的自组织CdSe量子点的发光。稳态变温光谱表明:低温下CdSe量子阱有很强的发光,高温猝灭,而其表面上的量子点发光可持续到室温,原因归结于量子点的三维量子尺寸限制效应;变激发功率光谱表... 利用变温和变激发功率分别研究了不同厚度CdSe阱层的自组织CdSe量子点的发光。稳态变温光谱表明:低温下CdSe量子阱有很强的发光,高温猝灭,而其表面上的量子点发光可持续到室温,原因归结于量子点的三维量子尺寸限制效应;变激发功率光谱表明:量子点激子发光是典型的自由激子发光,且在功率增加时。宽阱层表面上的CdSe量子点有明显的带填充效应。通过比较不同CdSe阱层厚度的样品的发光,发现其表面上量子点的发光差异较大,这可以归结为阱层厚度不同导致应变弛豫的程度不同,直接决定了所形成量子点的大小与空间分布。 展开更多
关键词 S-K模式 自组织生长 CDSE量子点 发光
下载PDF
Si基多层Ge量子点近红外光电探测器研制 被引量：1
4
作者 汪建元 陈松岩 李成 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第5期660-664,共5页
采用超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)技术在Si衬底上外延生长了PIN结构多层Ge量子点探测器材料。PIN探测器结构由N型Si衬底,多层Ge量子点吸收区,和原位掺杂P型Si盖层构成,电极分别制作于N-Si和P-Si上,以获得好的欧姆接触。制备的Si基Ge... 采用超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)技术在Si衬底上外延生长了PIN结构多层Ge量子点探测器材料。PIN探测器结构由N型Si衬底,多层Ge量子点吸收区,和原位掺杂P型Si盖层构成,电极分别制作于N-Si和P-Si上,以获得好的欧姆接触。制备的Si基Ge量子点光电探测器具有较低的暗电流密度(-1 V偏压下为7.35×10-6A/cm2),与Si相比,探测波长延伸到1.31μm波段。 展开更多
关键词 多层Ge量子点 近红外光电探测器 UHV/CVD系统 自组织生长
下载PDF
基于锗硅异质纳米晶的非易失浮栅存储器的存储特性
5
作者 闾锦 陈裕斌 +3 位作者 左正 施毅 濮林 郑有炓 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期770-773,共4页
利用自组织生长和选择化学刻蚀方法在超薄SiO2隧穿氧化层上制备了渐变锗硅异质纳米晶,并通过电容-电压特性和电容-时间特性研究了该纳米结构浮栅存储器的存储特性.测试结果表明,该异质纳米晶非易失浮栅存储器具有良好的空穴存储特性,这... 利用自组织生长和选择化学刻蚀方法在超薄SiO2隧穿氧化层上制备了渐变锗硅异质纳米晶,并通过电容-电压特性和电容-时间特性研究了该纳米结构浮栅存储器的存储特性.测试结果表明,该异质纳米晶非易失浮栅存储器具有良好的空穴存储特性,这是由于渐变锗硅异质纳米晶中Ge的价带高于Si的价带形成了复合势垒,空穴有效地存储在复合势垒的Ge的一侧. 展开更多
关键词 异质纳米晶 非易失浮栅存储器 电容-电压特性 自组织生长 选择化学刻蚀
下载PDF
Si组分对SiGe量子点形状演化的影响 被引量：5
6
作者 邓宁 陈培毅 李志坚 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第9期3136-3140,共5页
研究了自组织生长SiGe岛 (量子点 )中Si组分对形状演化的影响 .采用UHV CVD方法生长了不同Si组分的SiGe岛 ,用AFM对其形状和尺寸分布进行了分析 ,实验结果表明SiGe岛从金字塔形向圆顶形转变的临界体积随Si组分的增大而增大 .通过对量子... 研究了自组织生长SiGe岛 (量子点 )中Si组分对形状演化的影响 .采用UHV CVD方法生长了不同Si组分的SiGe岛 ,用AFM对其形状和尺寸分布进行了分析 ,实验结果表明SiGe岛从金字塔形向圆顶形转变的临界体积随Si组分的增大而增大 .通过对量子点能量的应变能项进行修正 ,解释了量子点中Si组分对形状演化的影响 .在特定的工艺条件下得到了单模尺寸分布的金字塔和圆顶形量子点 .结果表明 ,通过调节SiGe岛中的Si组分 。 展开更多
关键词 量子器件 异质外延生长应变自组装 硅锗量子点 临界体积 硅组分
原文传递
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部