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自由曲面光学透镜平滑DMD扫描光刻图形边缘 被引量:6
1
作者 孙彦杰 刘华 +3 位作者 李金环 陆子凤 张莹 罗钧 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第4期65-73,共9页
数字微镜阵列扫描曝光图形在某些方向的边缘存在约一个像素的锯齿,对此设计自由曲面光学透镜,将其安装在距离数字微镜阵列窗口玻璃1mm附近,使微镜阵列成像线性错位,在保持原有线宽和光刻效率的情况下,平滑曝光图形边缘.理论分析了微镜... 数字微镜阵列扫描曝光图形在某些方向的边缘存在约一个像素的锯齿,对此设计自由曲面光学透镜,将其安装在距离数字微镜阵列窗口玻璃1mm附近,使微镜阵列成像线性错位,在保持原有线宽和光刻效率的情况下,平滑曝光图形边缘.理论分析了微镜阵列成像线性错位形式及其表达式.根据物像映射原理,用Matlab软件计算出自由曲面光学透镜面形初始数据,通过Zemax软件优化得到理想透镜模型,模拟了安装该透镜模型前后曝光图形效果.结果表明:在±2μm容差范围内,安装该透镜且曝光总能量为原来的0.9倍时,曝光图形的横线边缘锯齿由0.14个像素缩小至0~0.01个像素,斜线边缘锯齿由0.338个像素缩小至0.110~0.125个像素,且线长变化范围为-0.153~0.05个像素,线宽变化范围为-0.058~0.153个像素,变形范围不影响10~30μm pcb板的制作精度.该方法可同时提高能量利用率,降低光源成本. 展开更多
关键词 数字微镜阵列 扫描光刻 自由曲面光学透镜 成像线性错位 图形边缘 投影成像系统
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基于数字微镜器件的无掩模数字光刻技术研究进展 被引量:2
2
作者 谢芳琳 王雷 黄胜洲 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2022年第11期141-150,共10页
无掩模光刻技术具有无需物理掩模、成本低、适合大批量生产的优点,在微结构制作中得到了广泛应用。基于数字微镜器件(DMD)的无掩模数字光刻技术具有分辨率高、灵活性好、加工精度高等优势,成为近年来数字光刻领域的研究热点。综述了DMD... 无掩模光刻技术具有无需物理掩模、成本低、适合大批量生产的优点,在微结构制作中得到了广泛应用。基于数字微镜器件(DMD)的无掩模数字光刻技术具有分辨率高、灵活性好、加工精度高等优势,成为近年来数字光刻领域的研究热点。综述了DMD数字光刻技术的研究进展,包括基于DMD的扫描光刻技术、步进式光刻技术以及灰阶光刻技术,介绍了该方法在集成电路、微光学、三维打印等领域的应用,并总结了目前DMD光刻技术存在的问题及其未来发展趋势。 展开更多
关键词 光学设计 无掩模 数字微镜器件 扫描光刻技术 步进式光刻技术 灰阶光刻技术
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步进扫描投影光刻机工件台和掩模台的进展 被引量:22
3
作者 刘丹 程兆谷 +3 位作者 高海军 黄惠杰 赵全忠 谌巍 《激光与光电子学进展》 CSCD 2003年第5期14-20,共7页
着重介绍了当前国外步进扫描投影光刻机的工件台和掩模台的发展状况,并对套刻精度和整机精度进行了分析。
关键词 步进扫描投影光刻机 工件台 掩模台 发展状况 套刻精度 整机精度 测量系统 控制系统
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超精密外差利特罗式光栅干涉仪位移测量系统 被引量:18
4
作者 王磊杰 张鸣 +2 位作者 朱煜 鲁森 杨开明 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第12期2975-2985,共11页
开展了扫描干涉光刻机工作台超精密位移测量的实验研究,以提高扫描干涉光刻机的环境鲁棒性。针对扫描干涉光刻机工作台位移测量精度,提出了新型高环境鲁棒性外差利特罗式光栅干涉仪测量系统。介绍了系统测量原理,设计了测量系统,提出了... 开展了扫描干涉光刻机工作台超精密位移测量的实验研究,以提高扫描干涉光刻机的环境鲁棒性。针对扫描干涉光刻机工作台位移测量精度,提出了新型高环境鲁棒性外差利特罗式光栅干涉仪测量系统。介绍了系统测量原理,设计了测量系统,提出了基于Elden公式的系统死程误差建模方法。设计制造了尺寸仅为48mm×48mm×18mm的光栅干涉仪。基于误差模型计算了死程误差,计算结果表明:对于1.52mm死程的光栅干涉仪,宽松的环境波动指标(温度波动为0.01℃、压力梯度为±7.5Pa、相对湿度波动为1.5%、CO2含量波动为±50×10-6)仅引起±0.05nm的死程误差。最后,设计了基于商用双频激光平面镜干涉仪的测量比对系统,开展了光栅干涉仪原理验证实验和测并量稳定性实验。原理验证实验表明:光栅干涉仪原理正确且系统分辨率达0.41nm。测量稳定性实验表明:常规实验室环境下,环境波动引起的死程误差为7.59nm(3σ)@<0.9Hz&1~10Hz,优于同等环境条件下平面镜干涉仪的31.11nm(3σ)@<0.9Hz&1~10Hz。实验结果显示系统具有很高的环境鲁棒性。 展开更多
关键词 扫描干涉光刻 位移测量 光栅干涉仪 外差干涉仪 环境鲁棒性
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表面等离子体无掩膜干涉光刻系统的数值分析(英文) 被引量:5
5
作者 董启明 郭小伟 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期558-564,共7页
表面等离子体激元具有近场增强效应,可以代替光子作为曝光源形成纳米级特征尺寸的图像.本文数值分析了棱镜辅助表面等离子体干涉系统的参量空间,并给出了计算原理和方法.结果表明,适当地选择高折射率棱镜、低银层厚度、入射波长和光刻... 表面等离子体激元具有近场增强效应,可以代替光子作为曝光源形成纳米级特征尺寸的图像.本文数值分析了棱镜辅助表面等离子体干涉系统的参量空间,并给出了计算原理和方法.结果表明,适当地选择高折射率棱镜、低银层厚度、入射波长和光刻胶折射率,可以获得高曝光度、高对比度的干涉图像.入射波长为431nm时,选择40nm厚的银层,曝光深度可达200nm,条纹周期为110nm.数值分析结果为实验的安排提供了理论支持. 展开更多
关键词 干涉光刻 表面等离子体激元 克莱舒曼结构
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原子力显微镜在高分子表征中的应用 被引量:7
6
作者 王冰花 陈金龙 张彬 《高分子学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2021年第10期1406-1420,共15页
原子力显微镜(AFM)是一种在纳米尺度表征材料表面形貌结构、性能和演变的有效工具,在高分子科学领域具有广泛应用.AFM不仅可以表征高分子从单分子链到聚集态结构的形貌与性能,也能够原位研究外场作用下高分子结晶与熔融、嵌段高分子自... 原子力显微镜(AFM)是一种在纳米尺度表征材料表面形貌结构、性能和演变的有效工具,在高分子科学领域具有广泛应用.AFM不仅可以表征高分子从单分子链到聚集态结构的形貌与性能,也能够原位研究外场作用下高分子结晶与熔融、嵌段高分子自组装和共混高分子相分离等过程,进一步采用基于扫描探针刻蚀技术的机械刻蚀、电致刻蚀和热致刻蚀等还可以构筑高分子功能化微图案.这里首先简述AFM的工作原理及常用成像模式,进一步介绍AFM在高分子表征中的样品制备、扫描参数优化和图像数据处理的一些要点.最后结合国内外相关研究进展,简单综述了AFM在高分子聚集态结构形貌与相转变表征、高分子纳米尺度性能表征和高分子纳米加工3个方面的典型应用. 展开更多
关键词 原子力显微镜 高分子表征 聚集态结构 微观性能 扫描探针刻蚀加工
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扫描干涉场曝光系统中干涉条纹周期测量误差对光栅掩模槽形的影响 被引量:7
7
作者 姜珊 巴音贺希格 +2 位作者 宋莹 潘明忠 李文昊 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期48-56,共9页
扫描干涉场曝光系统中干涉条纹周期的测量误差是影响曝光过程中相位拼接的主要因素。为制作符合离子束刻蚀要求的高质量光栅掩模,建立了条纹周期测量误差与扫描曝光对比度关系的数学模型,利用光刻胶在显影过程中的非线性特性,建立了扫... 扫描干涉场曝光系统中干涉条纹周期的测量误差是影响曝光过程中相位拼接的主要因素。为制作符合离子束刻蚀要求的高质量光栅掩模,建立了条纹周期测量误差与扫描曝光对比度关系的数学模型,利用光刻胶在显影过程中的非线性特性,建立了扫描干涉场曝光光栅的显影模型,给出了光栅掩模槽形随周期测量误差的变化规律,并进行了实验验证。结果表明:周期测量误差不仅会使掩模槽形变差,还会引起槽形在空间上的变化。在周期测量的相对误差一定时,相位拼接误差与相邻扫描间的步进间隔成正比,与干涉条纹周期成反比。在显影条件一定、曝光光束束腰半径1mm、曝光步进间隔0.8mm、曝光线密度1800gr/mm时,周期测量误差控制在139ppm以内,理论上可以制作槽底洁净无残胶、槽形均匀的光栅掩模。 展开更多
关键词 光栅 扫描干涉场曝光系统 周期测量误差 槽形
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扫描探针加工技术的新进展及扫描等离子体加工技术的研究 被引量:5
8
作者 王海 褚家如 赵钢 《微纳电子技术》 CAS 2003年第7期177-180,185,共5页
扫描探针加工技术作为一种无掩模微细加工手段以其所需设备简单和加工精度高达纳米量级等优点 ,近年来受到广泛的重视和研究。但目前扫描探针加工技术存在加工效率低、可重复性差、可加工材料非常有限等缺点。采用探针阵列并结合其他加... 扫描探针加工技术作为一种无掩模微细加工手段以其所需设备简单和加工精度高达纳米量级等优点 ,近年来受到广泛的重视和研究。但目前扫描探针加工技术存在加工效率低、可重复性差、可加工材料非常有限等缺点。采用探针阵列并结合其他加工技术的并行工艺 ,可以提高加工效率 ,拓展应用范围。本文以纳米喷流加工和蘸水笔纳米加工为例介绍了扫描探针加工技术这一方面的最新进展 ,阐述了它们各自的基本原理和特点。最后 ,提出了一种基于并行探针驱动的扫描等离子体加工技术 ,结合了扫描探针加工精度高和等离子体加工适用材料广泛的优点 ,为小批量多品种微系统和纳米器件的加工探索出一种新方法。 展开更多
关键词 微电子技术 扫描探针加工技术 扫描等离子体加工技术 蘸水笔纳米加工 纳米喷流加工
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步进扫描式光刻机隔振试验平台主动减振系统试验研究 被引量:4
9
作者 杨辅强 吴运新 邓习树 《噪声与振动控制》 CSCD 北大核心 2008年第4期3-5,共3页
根据步进扫描式光刻机的振动特点,设计隔振试验平台的减振系统,并对试验平台的主动减振系统进行测试研究。测试结果表明,步进扫描式光刻机隔振试验主动减振系统,能有效降低光刻机工作过程中运动部件对工作平台的冲击,具有良好的减振效果。
关键词 振动与波 步进扫描式光刻机 主动减振 试验研究
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单体大尺寸高精度全息光栅制造技术综述 被引量:6
10
作者 王磊杰 张鸣 朱煜 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第8期1759-1768,共10页
单体大尺寸高精度全息平面光栅是高端浸没式光刻机、惯性约束核聚变等高端装备和重大工程的核心器件,制造难度极高。本文综述了单体大尺寸高精度全息平面光栅的主要制造技术,介绍了基于单次大尺寸干涉光刻技术和干涉光刻步进拼接技术的... 单体大尺寸高精度全息平面光栅是高端浸没式光刻机、惯性约束核聚变等高端装备和重大工程的核心器件,制造难度极高。本文综述了单体大尺寸高精度全息平面光栅的主要制造技术,介绍了基于单次大尺寸干涉光刻技术和干涉光刻步进拼接技术的单体大尺寸高精度全息平面光栅制造技术的研究进展以及存在的问题,并着重对基于扫描干涉光刻技术的单体大尺寸高精度全息光栅制造技术的研究进展进行论述。最后,总结了大尺寸高精度平面光栅制造技术——扫描干涉光刻技术的发展趋势。 展开更多
关键词 全息平面光栅 扫描干涉光刻 条纹锁定 栅距/方向/相位控制
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扫描干涉场曝光系统中周期设定对曝光刻线相位的影响 被引量:6
11
作者 姜珊 巴音贺希格 +2 位作者 李文昊 宋莹 潘明忠 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第9期47-54,共8页
扫描干涉场曝光系统中的干涉条纹周期是相位锁定系统的重要参数,其设定值与名义值之间的偏差会引起相邻扫描间的干涉条纹相位拼接误差。为获取以扫描曝光方式所制作光栅的衍射波前特征,根据步进扫描曝光的特点及动态相位锁定的工作原理... 扫描干涉场曝光系统中的干涉条纹周期是相位锁定系统的重要参数,其设定值与名义值之间的偏差会引起相邻扫描间的干涉条纹相位拼接误差。为获取以扫描曝光方式所制作光栅的衍射波前特征,根据步进扫描曝光的特点及动态相位锁定的工作原理,建立了扫描曝光的数学模型,给出了曝光刻线误差及曝光光栅周期的变化规律,并进行了相关实验验证。结果表明,相位锁定中周期设定误差会带来周期性的刻线误差。曝光光栅周期会随周期设定值的变化而改变,当周期设定误差较小时,曝光光栅周期等于周期设定值。对于曝光光斑束腰半径为0.9mm、曝光步进间隔为0.6mm、曝光条纹周期为555.6nm的系统参数,周期设定的相对误差小于278×10-6时,周期性的刻线误差小于1nm。若要求曝光对比度大于0.9,则周期设定的相对误差需要控制在92.6×10-6以内,周期设定值及曝光光栅周期的可变范围为102.8pm。 展开更多
关键词 光栅 扫描干涉场曝光系统 相位锁定 光栅周期 刻线误差
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用于扫描干涉场曝光的超精密微动台设计与控制 被引量:5
12
作者 鲁森 杨开明 +3 位作者 朱煜 王磊杰 张鸣 杨进 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第10期202-210,共9页
扫描干涉场曝光(SBIL)系统中曝光效果与工件台的运动性能密切相关。为了制作纳米精度的大面积平面光栅,工件台采用了粗微叠层结构设计,其中微动台是实现工件台运动精度的关键。基于SBIL原理,推导了干涉条纹周期测量精度与曝光对比度的... 扫描干涉场曝光(SBIL)系统中曝光效果与工件台的运动性能密切相关。为了制作纳米精度的大面积平面光栅,工件台采用了粗微叠层结构设计,其中微动台是实现工件台运动精度的关键。基于SBIL原理,推导了干涉条纹周期测量精度与曝光对比度的关系。针对移动分光镜测量干涉条纹周期的方法,结合周期测量精度需求,分析了微动台定位精度指标,提出了实现微动台x、y、θz三个自由度定位精度的控制器设计方法,并在微动台系统上进行了实验验证。结果表明,微动台x方向定位精度可达±1.51nm,y方向定位精度可达±5.46nm,θz定位精度可达±0.02μrad,可以满足SBIL的需求和干涉条纹周期测量的精度要求。 展开更多
关键词 测量 扫描干涉场曝光 微动台 条纹周期测量精度 相位锁定
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扫描干涉光刻机的超精密移相锁定系统 被引量:5
13
作者 王磊杰 张鸣 +2 位作者 朱煜 鲁森 杨开明 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第8期1765-1773,共9页
扫描干涉光刻机移相锁定是实现大面积高精度全息光栅曝光拼接的关键之一。为了实现大面积高精度全息光栅高精度曝光拼接,针对扫描干涉光刻机步进扫描拼接轨迹,重点开展了移相锁定系统的研究。在零差移频式相位锁定分系统和外差利特罗式... 扫描干涉光刻机移相锁定是实现大面积高精度全息光栅曝光拼接的关键之一。为了实现大面积高精度全息光栅高精度曝光拼接,针对扫描干涉光刻机步进扫描拼接轨迹,重点开展了移相锁定系统的研究。在零差移频式相位锁定分系统和外差利特罗式光栅位移测量干涉仪的基础上,阐述了扫描干涉光刻机的新型移相锁定系统原理。针对新型的移相锁定系统原理,构建了移相锁定控制系统实验装置。最后,基于移相锁定控制实验装置,针对移相锁定定位性能,开展了移相锁定定位控制实验以及影响控制精度的因素分析,实现了±3.27 nm(3σ,Λ=251 nm)的定位控制精度;针对移相跟踪控制性能,在移相跟踪控制精度实验分析的基础上,利用陷阱滤波&PID控制实现了±4.17 nm(3σ,Λ=251 nm)的跟踪控制精度。 展开更多
关键词 扫描干涉光刻 零差移频式相位锁定 外差利特罗光栅干涉仪 移相锁定控制 陷阱滤波
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扫描干涉场曝光系统中干涉条纹周期精确测量方法 被引量:5
14
作者 姜珊 巴音贺希格 +2 位作者 潘明忠 李文昊 宋莹 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第7期47-56,共10页
扫描干涉场曝光系统中的干涉条纹周期是相位锁定系统的重要参数,为精确测量干涉条纹周期,根据扫描干涉场曝光系统的特点提出了分束棱镜移动测量干涉条纹周期的方法,根据高斯光束传播理论,分析了该方法的理论误差;提出了周期计数法对周... 扫描干涉场曝光系统中的干涉条纹周期是相位锁定系统的重要参数,为精确测量干涉条纹周期,根据扫描干涉场曝光系统的特点提出了分束棱镜移动测量干涉条纹周期的方法,根据高斯光束传播理论,分析了该方法的理论误差;提出了周期计数法对周期测量数据进行计算。为降低对系统二维工作台运行及稳定精度的要求,提出了小行程高精度位移台辅助测量周期的方法,并进行了相关实验验证。结果表明:小行程位移台辅助周期测量方法在原理上可行,对于干涉条纹线密度1800 line/mm的系统参数,小行程位移台辅助周期测量的重复性可达到1.08×10-5(σ值),曝光实验的实测值与理论模型之间一致性较好,验证了该周期测量方法的可行性。 展开更多
关键词 光栅 扫描干涉场曝光系统 干涉条纹周期测量 相位锁定
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近场作用下纳米针尖点接触界面传热研究
15
作者 徐屾 邓书港 +2 位作者 黄小娜 黄德钊 岳亚楠 《工程热物理学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第10期3131-3136,共6页
扫描探针光刻技术可实现10 nm以下的材料加工,为微纳加工技术带来新的发展方向。但在该技术中针尖与样品间热量传递是影响材料温升和加工效果的关键因素。本文设计了一种金纳米针尖阵列支撑的单层石墨烯结构,在真空条件下,针尖与石墨烯... 扫描探针光刻技术可实现10 nm以下的材料加工,为微纳加工技术带来新的发展方向。但在该技术中针尖与样品间热量传递是影响材料温升和加工效果的关键因素。本文设计了一种金纳米针尖阵列支撑的单层石墨烯结构,在真空条件下,针尖与石墨烯间接触热阻是影响结构温升的主要因素。首先评估金纳米针尖阵列在532 nm激光作用下近场增强因子约为3.2,其次,结合实验和仿真,测定金纳米针尖阵列与石墨烯间接触热阻约为4.6×10^(-5)(m^(2)·K)/W。 展开更多
关键词 界面接触热阻 纳米针尖 拉曼光谱 近场增强 扫描探针光刻技术
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Material transport in dip-pen nanolithography 被引量:2
16
作者 Keith A. Brown Daniel J. Eichelsdoerfer +2 位作者 Xing Liao Shu He Chad A. Mirkin 《Frontiers of physics》 SCIE CSCD 2014年第3期385-397,共13页
Dip-pen na.nolithography (DPN) is a useful method for directly printing materials on surfaces with sub-50nm resolution. Because it, involves the physical transport of materials from a scanning probe tip to a surface... Dip-pen na.nolithography (DPN) is a useful method for directly printing materials on surfaces with sub-50nm resolution. Because it, involves the physical transport of materials from a scanning probe tip to a surface and the subsequent chemical interaction of that material with the surface, there are many factors to consider when attempting to understand DPN. In this review, we overview the physical and chemical processes that are known to play a role in DPN, Through a detailed review of the literature, we classify inks into three general categories based on their transport properties, and highlight the myriad ways that. DPN can be used to perform chemistry at the tip of a scanning probe. 展开更多
关键词 dip-pen nanolithography scanning probe lithography materials transport
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扫描干涉场曝光光束自动对准及其收敛性分析 被引量:4
17
作者 王玮 巴音贺希格 +2 位作者 宋莹 姜珊 潘明忠 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第12期170-177,共8页
光束自动对准技术是扫描干涉场曝光系统中的关键技术之一,两曝光光束位置与角度的重合程度直接影响所制作光栅掩模的槽型质量。针对光束对准过程中光束调整的两个运动维度之间存在相互耦合的情况,推导了存在耦合时对准算法的收敛条件,... 光束自动对准技术是扫描干涉场曝光系统中的关键技术之一,两曝光光束位置与角度的重合程度直接影响所制作光栅掩模的槽型质量。针对光束对准过程中光束调整的两个运动维度之间存在相互耦合的情况,推导了存在耦合时对准算法的收敛条件,并分析了光路中反射镜与解耦平面之间存在的装调误差对对准性能的影响。分析得出,装调误差降低了光束对准系统性能,甚至导致对准算法发散,通过调节光路中反射镜M_2和解耦平面的距离L_2与反射镜M_1和解耦平面的距离L_1的比值L_2/L_1可以优化系统的收敛性能。实验结果表明,当L_2/L_1较大时对准系统调节性能较差,收敛速率较低;当L_2/L_1较小时光束对准系统可以快速地收敛到目标位置,有效地对光束进行对准调节。推导证明与模拟分析可为光束对准系统以及整个曝光光路的设计提供理论指导。 展开更多
关键词 光栅 扫描干涉场曝光系统 光束对准 收敛性能 装调误差
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原子力显微镜研究高分子超薄膜结晶机理及功能化调控 被引量:3
18
作者 张彬 《高分子学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2020年第3期221-238,I0002,共19页
近十年来,随着功能高分子单晶(含单层或寡层片晶)工程及应用研究的不断深入,除了纳米尺度结晶形貌的表征以外,多功能原子力显微镜还被用于研究分子结构、结晶条件和后处理条件对功能高分子晶体性能(电、热、光、磁等)的影响,进一步还可... 近十年来,随着功能高分子单晶(含单层或寡层片晶)工程及应用研究的不断深入,除了纳米尺度结晶形貌的表征以外,多功能原子力显微镜还被用于研究分子结构、结晶条件和后处理条件对功能高分子晶体性能(电、热、光、磁等)的影响,进一步还可采用扫描探针加工技术(机械刻蚀、电致刻蚀和热致刻蚀等)对其性能进行调控以构筑功能化聚集态结构和微图案.另一方面,超薄膜中单层或寡层片晶可为研究高分子结晶提供合适的模型体系,与原子力显微镜相结合,不但可以原位、实空间、高分辨地研究高分子的成核与生长过程(生长形态演变和生长动力学),还可以用于研究亚稳态折叠链片晶厚度和形态随热处理温度与时间的演化,从而加深对片晶内有序差异、片晶增厚与熔融行为和自诱导成核的认识. 展开更多
关键词 原子力显微镜 高分子超薄膜 片晶 结晶机理 扫描探针加工
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Study on electrothermally actuated cantilever array for nanolithography 被引量:1
19
作者 FU JianYu,CHEN DaPeng & YE TianChun Integrated Circuit Advanced Process Center,Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China 《Science China(Technological Sciences)》 SCIE EI CAS 2010年第5期1184-1189,共6页
Nanolithography is a patterning technique for the fabrication of nano-scale structures.A promising method of nanolithography known as scanning probe lithography has particularly extensive applications for its high res... Nanolithography is a patterning technique for the fabrication of nano-scale structures.A promising method of nanolithography known as scanning probe lithography has particularly extensive applications for its high resolution,high reliability,and simple operation.In this paper,a novel electrothermally actuated cantilever with integrated heater,thermal conductor and actuator for scanning probe lithography is proposed.Cantilevers are designed in an 8×4 array.Analytical models are presented to simulate the temperature distribution,deflection and thermal crosstalk of the cantilever array.This structure is successfully fabricated.It is demonstrated that this structure can produce a tip deflection of 16.9 μm at an actuation current of 5.5 mA and the thermal crosstalk between the cantilevers is neglected. 展开更多
关键词 NANOlithography scanning probe lithography ELECTROTHERMAL ACTUATION
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扫描干涉场曝光系统中光束对准误差及其控制 被引量:3
20
作者 王玮 巴音贺希格 +2 位作者 潘明忠 宋莹 李文昊 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第7期239-248,共10页
为了提升扫描干涉场曝光光束对准精度,保证制作的光栅掩模槽形的质量,建立了曝光光束对准误差模型,利用模型对光束对准误差进行了分析。同时为了满足系统对光束重叠精度的要求,设计研制了光束自动对准系统,并对曝光光束进行了对准实验... 为了提升扫描干涉场曝光光束对准精度,保证制作的光栅掩模槽形的质量,建立了曝光光束对准误差模型,利用模型对光束对准误差进行了分析。同时为了满足系统对光束重叠精度的要求,设计研制了光束自动对准系统,并对曝光光束进行了对准实验。分析结果表明,当光束存在较大对准误差时,光栅基底表面曝光对比度大幅下降,而且由于采用步进扫描的曝光方式,光刻胶表面出现了各处曝光不均匀的现象,影响光栅掩模槽形的质量。设计的对准系统可以对光束角度与位置进行对准调节,系统整体表现出良好的收敛性能,多步调节后可使光束位置对准精度优于10μm,光束角度对准精度优于9μrad。这样的曝光光束对准精度可以满足系统要求,达到了预期的设计目的。 展开更多
关键词 光学设计 光栅 扫描干涉场曝光 光束对准 曝光对比度 位置解耦 角度解耦
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