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脉冲偏场作用下石榴石磁泡薄膜中布洛赫线的形成 被引量:6
1
作者 胡云志 孙会元 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第8期5256-5260,共5页
实验研究了石榴石磁泡薄膜中不同脉冲宽度下产生的硬磁畴的动态特性.结果表明:由零偏场下产生的枝状畴收缩而成的哑铃畴均逆时针转动,与产生枝状畴时所用的脉冲偏场的脉冲宽度无关.而固定直流偏场下由软畴段硬化而成的哑铃畴的转动状态... 实验研究了石榴石磁泡薄膜中不同脉冲宽度下产生的硬磁畴的动态特性.结果表明:由零偏场下产生的枝状畴收缩而成的哑铃畴均逆时针转动,与产生枝状畴时所用的脉冲偏场的脉冲宽度无关.而固定直流偏场下由软畴段硬化而成的哑铃畴的转动状态,则与所用的硬化脉冲偏场的脉冲宽度有关.低脉冲宽度下硬化成的哑铃畴均逆时针转动,随硬化脉冲宽度的升高,出现混合转动向顺时针转动的过渡.由此揭示了直流偏场和脉冲偏场在石榴石磁泡薄膜中形成正、负垂直布洛赫线的作用. 展开更多
关键词 磁畴 磁泡 垂直布洛赫线
原文传递
硬磁畴稳定性与垂直布洛赫线间静磁相互作用的关系 被引量:2
2
作者 唐贵德 刘英 +2 位作者 孙会元 聂向富 李伯臧 《应用科学学报》 CAS CSCD 1998年第3期291-299,共9页
研究石榴石磁泡膜在直流偏磁场作用下布洛赫线间的静磁作用对硬磁畴稳定性的影响.一方面实验研究了圆形硬磁畴的缩灭行为和条泡转变行为以及两种行为间的关系;另一方面通过引入相邻布洛赫线间的静磁作用能,改进了圆柱形硬磁畴的畴壁... 研究石榴石磁泡膜在直流偏磁场作用下布洛赫线间的静磁作用对硬磁畴稳定性的影响.一方面实验研究了圆形硬磁畴的缩灭行为和条泡转变行为以及两种行为间的关系;另一方面通过引入相邻布洛赫线间的静磁作用能,改进了圆柱形硬磁畴的畴壁能公式,从而使一些多年来一直不能解释的硬磁畴在直流偏磁场下的行为得到了统一的解释,并在此基础上提出了估算硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线数目的方法.最后还应用经该文改进了的畴壁能公式定性地解释了部分硬磁畴种类随温度而变化的现象. 展开更多
关键词 磁泡 布洛赫线 硬磁畴 稳定性 静磁相互作用 ID
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垂直布洛赫线间静磁相互作用探讨
3
作者 唐贵德 胡海宁 +1 位作者 孙会元 聂向富 《哈尔滨师范大学自然科学学报》 CAS 2001年第4期101-112,共12页
本文以实验现象为基础 ,利用相邻布洛赫线间的静磁作用能 ,改进圆柱形硬磁畴的畴壁能公式 ,公式中只使用了一个由实验数据拟合而确定的参数 c.由一个典型样品得到的参数 c,用于其它几个样品计算时 ,所得数据都与实验数据符合较好 .从而... 本文以实验现象为基础 ,利用相邻布洛赫线间的静磁作用能 ,改进圆柱形硬磁畴的畴壁能公式 ,公式中只使用了一个由实验数据拟合而确定的参数 c.由一个典型样品得到的参数 c,用于其它几个样品计算时 ,所得数据都与实验数据符合较好 .从而使一些多年来一直不能解释的硬磁畴在直流偏磁场下的行为得到了统一的解释 ,特别是成功地解释了硬磁畴的一些温度特性 ,并首次提出垂直布洛赫线元模型 。 展开更多
关键词 磁泡 磁畴壁 布洛赫线 垂直布洛赫线元 静磁相互作用 静磁作用能
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Co/Cu/Co纳米多层膜的铁磁耦合效应 被引量:1
4
作者 马晓艳 杨柏 +2 位作者 毕晓昉 宫声凯 徐惠彬 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期1383-1386,共4页
采用洛仑兹电子显微镜研究了磁控溅射沉积制备的Cu(2 0nm) /Co/Cu/Co纳米多层膜磁畴结构随铁磁层间耦合效应的变化。Cu中间层厚度较薄时 ,由于铁磁层之间的耦合作用 ,纳米多层膜为垂直易磁化 ,磁畴为磁泡结构 ,磁泡的平均直径随Cu中间... 采用洛仑兹电子显微镜研究了磁控溅射沉积制备的Cu(2 0nm) /Co/Cu/Co纳米多层膜磁畴结构随铁磁层间耦合效应的变化。Cu中间层厚度较薄时 ,由于铁磁层之间的耦合作用 ,纳米多层膜为垂直易磁化 ,磁畴为磁泡结构 ,磁泡的平均直径随Cu中间层厚度的增加而减小 ,多层膜矫顽力呈减小趋势。当Cu中间层厚度大于 3nm时 ,铁磁层之间的耦合作用减弱 ,纳米多层膜为面内易磁化 ,磁泡结构的磁畴消失 ,全部为具有波纹状的接近180°畴壁的磁畴结构。 展开更多
关键词 Co/Cu/Co 纳米多层膜 铁磁耦合效应 磁畴 磁泡
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磁泡点阵
5
作者 孙会元 倪振成 +1 位作者 张文羽 聂向富 《河北轻化工学院学报》 1997年第2期9-11,共3页
实验发现系列脉冲偏场能形成磁泡点阵,并给出了其形成规律,为磁泡点阵的形成提供了一种方法。
关键词 磁泡 泡阵 硬磁泡 磁性缺陷 点阵 磁性材料
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磁泡点阵的形成条件 被引量:1
6
作者 杨素娟 封顺珍 孙会元 《河北师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2006年第3期288-289,共2页
实验研究了磁泡点阵的形成条件,发现石榴石磁泡薄膜样品在系列脉冲偏场作用下可以形成规则的泡阵,泡阵呈六角密排结构.形成泡阵的条件与脉冲偏场的幅度和脉冲宽度有关,存在一个与材料参量相关的阈值脉冲宽度,只有大于此阈值时才能够得... 实验研究了磁泡点阵的形成条件,发现石榴石磁泡薄膜样品在系列脉冲偏场作用下可以形成规则的泡阵,泡阵呈六角密排结构.形成泡阵的条件与脉冲偏场的幅度和脉冲宽度有关,存在一个与材料参量相关的阈值脉冲宽度,只有大于此阈值时才能够得到泡阵.对于某一直流偏场,形成泡阵的脉冲幅度不随脉冲宽度变化.直流偏场和脉冲偏场联合作用下形成泡阵的条件:脉冲幅度与直流偏场的Hb和为条泡转变场.还进一步探讨了脉冲宽度和脉冲频率对泡阵形成的影响. 展开更多
关键词 磁泡 磁泡点阵 脉冲偏场 脉冲宽度 脉冲频率
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Effect of the Injected Plasma on the Effective Radius of the Magnetic Bubble
7
作者 李辉 陶小平 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2010年第1期99-102,共4页
Effect of the injected plasma on the effective radius of the magnetic bubble in plasma sail is discussed. Results from solving both the two-dimensional magneto-hydrodynamic(MHD) equations and the magnetic flux conse... Effect of the injected plasma on the effective radius of the magnetic bubble in plasma sail is discussed. Results from solving both the two-dimensional magneto-hydrodynamic(MHD) equations and the magnetic flux conservation equation indicate that the effective radius of the magnetic bubble formed by the pure dipole field is very small, and the rate of the falloff of the magnetic field can be effectively reduced by the inflation of the high-density plasma. The falloff rate of the magnetic field can be r^-1.4. The effective radius of the magnetic bubble can hence be 8.2 km. The effective radius of the magnetic bubble increases about thirty-six times, comparing to the case of the pure dipole field. 展开更多
关键词 effective radius magnetic bubble plasma sail high-density plasma
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石榴石磁泡膜饱和磁化强度的两种测量方法
8
作者 唐贵德 韩志勇 +3 位作者 张民 王小晋 侯登录 聂向富 《河北师范大学学报(自然科学版)》 CAS 1999年第2期188-190,共3页
用振动样品磁强计(VSM)测量了石榴石磁泡膜的饱和磁化强度M,并与用磁光法测量的结果进行了比较.发现用两种方法测得的M随温度的升高而下降的趋势存在着明显的差别,用VSM测得的下降趋势缓慢,用磁光法测得的下降趋势迅速.... 用振动样品磁强计(VSM)测量了石榴石磁泡膜的饱和磁化强度M,并与用磁光法测量的结果进行了比较.发现用两种方法测得的M随温度的升高而下降的趋势存在着明显的差别,用VSM测得的下降趋势缓慢,用磁光法测得的下降趋势迅速.这就引出一个问题:与磁光法测量M有关的理论可能存在着不足. 展开更多
关键词 磁泡膜 饱和磁化强度 石榴石磁泡膜 磁泡存储器
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等离子体性质对磁泡的影响
9
作者 彭国良 张俊杰 +3 位作者 王仲琦 任泽平 谢海燕 杜太焦 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第21期414-423,共10页
利用三维混合模拟程序计算了大量超热碎片离子在低密度背景等离子体中爆炸膨胀的过程.通过定量计算磁泡的变化过程和磁泡对碎片云运动的约束效果,分析了背景等离子体电荷密度、背景离子原子量、碎片离子荷质比等参数对磁泡的影响.计算... 利用三维混合模拟程序计算了大量超热碎片离子在低密度背景等离子体中爆炸膨胀的过程.通过定量计算磁泡的变化过程和磁泡对碎片云运动的约束效果,分析了背景等离子体电荷密度、背景离子原子量、碎片离子荷质比等参数对磁泡的影响.计算结果表明,背景电荷密度对磁泡和碎片云的运动有重要影响.在碎片云扩张早期,背景离子原子量对磁泡扩张影响较小,但对后期碎片云的运动有一定影响.当碎片离子荷质比较小时,离子回旋半径大于磁泡半径,此时磁泡半径较小,且磁泡无法约束碎片云.当碎片离子荷质比较大时,离子回旋半径小于磁泡半径,如果此时背景电荷密度较低,磁泡和碎片云的早期扩张几乎不受碎片离子荷质比影响,但对系统后续演化有一定影响,如果此时背景电荷密度较大,碎片离子荷质比对磁泡和碎片云的运动有较大影响. 展开更多
关键词 磁泡 碎片云 背景电荷密度 背景离子原子量 碎片离子荷质比
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石榴石磁泡膜中哑铃畴缩灭行为的进一步研究
10
作者 王洪信 张文羽 +2 位作者 张向牧 杨书芬 唐贵德 《河北师范大学学报(自然科学版)》 CAS 1996年第4期30-32,共3页
通过对于第一类哑铃畴(ID)缩灭行为的实验研究,发现在直流偏场增加的过程中,ID以稳定的圆形畴存在的直流偏场范围ΔHb随着其条泡转变场的增加而减小,直至趋于零.
关键词 磁泡 哑铃畴 布耕种 赫线 磁畴 磁泡膜 缩灭
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磁泡布洛赫线观测系统及图像处理
11
作者 陈善宝 张志强 《华中理工大学学报》 CSCD 北大核心 1996年第1期85-88,共4页
研究磁泡畴壁微结构──垂直布洛赫线的晃动观测方法;讨论了梯度场、势阱的作用,回复脉冲场对条畴稳定的影响;用数学形貌学方法对磁泡畴结构进行数字图像处理.
关键词 磁泡 晃动法 布洛赫线 存储器 数字图像处理
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直流偏磁场作用下VBL消失机制探讨
12
作者 唐贵德 刘英 聂向富 《河北师范大学学报(自然科学版)》 CAS 1995年第S1期150-152,共3页
以实验为依据,在Thiele磁泡静力学理论和垂直布洛赫线均匀旋转模型的基础上,通过对畴壁能进行修正,研究了直流偏磁场作用下泡状硬磁畴的条泡转变和缩灭问题,从能量表达式出发算出了硬磁畴的缩灭场和最大缩灭场,并首次解释了... 以实验为依据,在Thiele磁泡静力学理论和垂直布洛赫线均匀旋转模型的基础上,通过对畴壁能进行修正,研究了直流偏磁场作用下泡状硬磁畴的条泡转变和缩灭问题,从能量表达式出发算出了硬磁畴的缩灭场和最大缩灭场,并首次解释了第二类哑铃畴以条畴形态缩灭的现象。从而系统地解释了这些多年来未能解释的实验现象。 展开更多
关键词 磁泡 垂直布洛赫线 硬泡畴 哑铃畴
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温度对硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线间平衡间距的影响
13
作者 李海涛 尹世忠 +3 位作者 顾建军 胡云志 赵淑梅 孙会元 《河北师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2009年第6期744-748,共5页
实验研究了温度对外延石榴石磁泡薄膜中三类硬磁畴畴长的影响.研究发现,普通硬磁泡、第Ⅰ类哑铃畴和第Ⅱ类哑铃畴在条泡转变标准场和硬泡标准场处其畴长随温度的升高而增大,由此揭示了三类硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线间的平衡间距随温度... 实验研究了温度对外延石榴石磁泡薄膜中三类硬磁畴畴长的影响.研究发现,普通硬磁泡、第Ⅰ类哑铃畴和第Ⅱ类哑铃畴在条泡转变标准场和硬泡标准场处其畴长随温度的升高而增大,由此揭示了三类硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线间的平衡间距随温度的升高而变大,纠正了垂直布洛赫线间的平衡间距随温度的升高而变小这一结论.证明了三类硬磁畴的畴壁结构是一致的,在直流偏场下之所以会出现不同的缩灭行为,完全是由垂直布洛赫线的数目引起的.在同一温度下,普通硬磁泡、第Ⅰ类哑铃畴和第Ⅱ类哑铃畴中的垂直布洛赫线数目依次增多. 展开更多
关键词 磁畴 磁泡 垂直布洛赫线
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枝状畴的形状与硬磁畴种类的对应关系 被引量:1
14
作者 郭革新 聂向富 +1 位作者 孙会元 韩宝善 《四川师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 1996年第5期75-76,共2页
本文用“低直流偏场法”
关键词 枝状畴 硬磁畴 磁泡膜 低直流偏场法
全文增补中
源自软磁畴段的布洛赫线链行为研究
15
作者 韩宝善 《物理》 北大核心 2017年第6期352-360,共9页
在从1967-1992年连续25年研制固态磁存储器的故事中,中国没有缺席。1970年代初,中国科学院物理研究所磁学室磁泡组11个人从生长基片单晶,制备单晶磁泡薄膜和进行磁泡测量三方面开始磁泡材料的研制。当时文章作者负责测量,设计制作了磁... 在从1967-1992年连续25年研制固态磁存储器的故事中,中国没有缺席。1970年代初,中国科学院物理研究所磁学室磁泡组11个人从生长基片单晶,制备单晶磁泡薄膜和进行磁泡测量三方面开始磁泡材料的研制。当时文章作者负责测量,设计制作了磁泡测量装置。为了表征磁泡薄膜,发现了含有"一盘"软磁畴段的H图形,并找到了"脉冲偏磁场作用下硬磁泡的形成"的研究课题。这使作者在1980年代初经受住了磁泡下马的冲击,迎来了1983年布洛赫线存储器方案的提出,发觉已具有研究其机理的条件,最终成为该存储器的终结者,并在1991年国际J.Mag.Mag.Mater.杂志第100纪念卷中荣幸地为"China"占了一席之地。从1992年以来,时间又过去了25年,但活生生的磁泡总在,当年报废的磁泡测量装置已经更新。盼望大学生和刚入门的研究者喜欢这台能显示赏心悦目的磁泡畴运动,能生动阐述铁磁学物理基础的研究导向性的物理实验设备。 展开更多
关键词 石榴石磁泡薄膜 磁泡 磁泡存储器 布洛赫线链 布洛赫线存储器
原文传递
硬磁泡畴壁中VBL特性的进一步研究 被引量:1
16
作者 赵国良 顾建军 孙会元 《四川师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2011年第3期352-354,共3页
实验对在固定直流偏场下产生的硬磁泡(OHB)畴壁中垂直布洛赫线(VBL)的分布均匀性进行了研究.实验发现,泡径越大的硬泡,缩灭场就越大,VBL数目就越多;泡径越小的硬泡,缩灭场就越小,VBL数目就越少,即硬磁泡畴壁中垂直布洛赫线(VBL)是均匀... 实验对在固定直流偏场下产生的硬磁泡(OHB)畴壁中垂直布洛赫线(VBL)的分布均匀性进行了研究.实验发现,泡径越大的硬泡,缩灭场就越大,VBL数目就越多;泡径越小的硬泡,缩灭场就越小,VBL数目就越少,即硬磁泡畴壁中垂直布洛赫线(VBL)是均匀分布的,且存在一个平衡间距.实验结果验证了均匀旋转模型的正确性. 展开更多
关键词 硬磁泡 垂直布洛赫线 直流偏场
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直流偏磁场对第二类哑玲畴长度的影响
17
作者 唐贵德 王洪信 +1 位作者 徐继东 聂向富 《四川师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 1996年第5期68-69,共2页
本文通过研究直流偏磁场Hb对标称成份为(YSmCa)3(FeGe)5O12石榴石磁泡材料中第二类哑铃畴(ID)长度的影响,观察到:1)ID的长度随Hb的升高而缩短;2)经过直流偏场从低到高两次大幅度地准静态升降,ID... 本文通过研究直流偏磁场Hb对标称成份为(YSmCa)3(FeGe)5O12石榴石磁泡材料中第二类哑铃畴(ID)长度的影响,观察到:1)ID的长度随Hb的升高而缩短;2)经过直流偏场从低到高两次大幅度地准静态升降,ID长度与Hb的关系曲线基本重合;3)随着Hb的升高,直至IID缩灭的过程中,较长ID与较短ID的长度比变化不大.这些实验现象暗示。 展开更多
关键词 磁泡膜 哑铃畴 石榴石磁泡材料 直流偏磁场
全文增补中
磁泡研究有新突破——在磁畴壁上读取信息
18
作者 冷钧 《吉林工学院学报(自然科学版)》 1990年第1期84-85,共2页
本文报告了最新重要科技信息.利用外加磁场控制布洛赫畴壁(简记BL)可产生磁化矢量复杂扭转.其中能形成一些磁化方向垂直指向膜面的小区域.称为垂直布洛赫线(或VBL).利用这些成对的布洛赫线,可以制成存储密度极高的计算机存储器,因为信... 本文报告了最新重要科技信息.利用外加磁场控制布洛赫畴壁(简记BL)可产生磁化矢量复杂扭转.其中能形成一些磁化方向垂直指向膜面的小区域.称为垂直布洛赫线(或VBL).利用这些成对的布洛赫线,可以制成存储密度极高的计算机存储器,因为信息是在布洛赫线内被编码寄存的,而不是在磁泡本身内.因此,极限信息密度可达到10^(10)bit/cm^2,从布洛赫线存储器中检索信息只需要约2/1000s、而目前检索信息要10s. 展开更多
关键词 磁泡 垂直布洛赫线存储器 磁性薄膜 磁畴壁 磁化方向 磁泡存储器
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软畴段在面内磁场作用下的行为
19
作者 孙会元 王洪信 +1 位作者 聂向富 郭革新 《四川师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 1996年第5期73-74,共2页
实验研究发现Hip对软畴段的条泡转变场Hsb和磁泡缩灭场HO有较大影响。
关键词 软畴段 磁泡膜 面内磁场 直流偏磁场
全文增补中
在磁泡材料中作用在BL线和BL串上的动力学反作用力
20
作者 冷钧 《吉林工学院学报(自然科学版)》 1989年第4期54-64,共11页
本文讨论了含有BL线和BL串的磁泡畴壁的动力学.应用磁畴壁运动的基本方程推导出作用在单个BL线和正常磁泡畴壁的动力学反作用力并由含有BL串的畴磁壁运动的耦合方程给出这些力的合成形式.
关键词 磁泡 畴壁迁移 线质系数 BL串 BL线 动力学 反作用力 磁泡材料
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