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基于环摆式双面抛光法加工预测模型的去除均匀性研究 被引量:1
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作者 王春阳 帅闻 +2 位作者 肖博 黄思玲 王大森 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第9期134-144,共11页
针对环摆式双面抛光难以建立稳定去除函数并进行加工面型预测这一问题,提出了基于磨粒运动学的环摆式双面抛光加工预测模型,并通过预测模型分析不同参数影响下元件表面去除均匀性,针对不同特征面型给出优化策略以指导加工实验。首先,根... 针对环摆式双面抛光难以建立稳定去除函数并进行加工面型预测这一问题,提出了基于磨粒运动学的环摆式双面抛光加工预测模型,并通过预测模型分析不同参数影响下元件表面去除均匀性,针对不同特征面型给出优化策略以指导加工实验。首先,根据环摆式双面抛光机理,探究了环摆式双面抛光中影响去除均匀性的主要因素,提出了元件上、下表面磨粒运动学模型,结合Preston方程给出了基于磨粒运动学的环摆式双面抛光去除均匀性预测模型。根据实际加工工况,分析了不同抛光均匀性影响因素下的磨粒轨迹分布与抛光去除非均匀性,最后通过加工实验验证环摆式双面抛光加工预测模型。实验结果表明:环摆式双面抛光加工预测模型的预测结果与实际加工结果基本吻合,其面型去除特征相同。元件上表面是元件去除非均匀性的主要来源,通过改变中心偏心距、径向摆动距离等参数能改变元件上表面的去除非均匀性,从而影响元件整体面型特征,并实现基于预测模型指导下元件表面面型的快速收敛。 展开更多
关键词 光学设计 环摆式 双面抛光 去除均匀性 加工预测
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环形倒立摆系统改进遗传算法的LQR控制研究 被引量:6
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作者 周勇 《机械工程与自动化》 2020年第3期31-32,35,共3页
在一级环形倒立摆系统中,针对线性二次型控制器(LQR)加权矩阵Q和R选择策略的不足,提出一种通过改进遗传算法优化LQR加权矩阵Q和R的方法。该方法选取二次型性能指标J作为个体适应值,在传统遗传算法的基础上通过对交叉率和变异率按S曲线... 在一级环形倒立摆系统中,针对线性二次型控制器(LQR)加权矩阵Q和R选择策略的不足,提出一种通过改进遗传算法优化LQR加权矩阵Q和R的方法。该方法选取二次型性能指标J作为个体适应值,在传统遗传算法的基础上通过对交叉率和变异率按S曲线和高斯分布曲线自适应调整等策略来提高遗传算法的全局搜索能力和收敛速度,实现对Q和R矩阵的优化。仿真结果表明:用改进遗传算法优化后的一级环形倒立摆系统LQR控制具有更好的自适应性,系统连杆和摆杆的调节时间分别减少了2 s和1.5 s,有效地提高了系统的稳定性。 展开更多
关键词 环形倒立摆 LQR控制器 遗传算法
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基于压力分布的环摆式双面抛光去除均匀性研究
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作者 毛晨 肖博 +3 位作者 王春阳 白祎凡 黄思玲 王大森 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第16期278-291,共14页
构建了一种基于速度和压力分布模型的材料去除量分布计算模型。建立了环摆式双面抛光的有限元模型,对5种半径的上抛光盘在不同加工压力下与元件接触面的压力分布进行分析,通过拟合得到压力分布特性模型。根据Preston方程,将压力分布模... 构建了一种基于速度和压力分布模型的材料去除量分布计算模型。建立了环摆式双面抛光的有限元模型,对5种半径的上抛光盘在不同加工压力下与元件接触面的压力分布进行分析,通过拟合得到压力分布特性模型。根据Preston方程,将压力分布模型与速度分布模型耦合,得到材料去除量分布计算模型。通过模拟加工计算,研究加工压力和上抛光盘尺寸对去除量分布及均匀性的影响,发现去除量分布主要受上抛光盘尺寸和摆动距离的影响,去除均匀性主要受加工压力的影响。通过加工实验,对所得到的材料去除量分布计算模型的准确性进行验证,并研究了加工压力和上盘尺寸对材料去除量分布及均匀性的影响。实验结果表明,上抛光盘的直径越大,则加工压力越小,材料去除的均匀性越好。基于去除量分布预测模型,利用得到的规律指导实际加工,选取初始表面面型峰谷(PV)值为2.09λ(λ=632.8 nm)、均方根(RMS)值为0.464λ的熔石英样件,通过材料去除量预测模型得到工艺参数的最优解。加工后元件表面面型PV值降至0.85λ,RMS值降至0.137λ。所提模型将元件表面PV值降低到λ以下的时间缩短至原来的50%,实现了元件表面面型的快速收敛。 展开更多
关键词 大口径平面光学元件 环摆式双面抛光法 压力分布特性 去除均匀性 材料去除量计算模型
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