期刊文献+
共找到362篇文章
< 1 2 19 >
每页显示 20 50 100
反应磁控溅射的进展 被引量:29
1
作者 茅昕辉 陈国平 蔡炳初 《真空》 CAS 北大核心 2001年第4期1-7,共7页
反应磁控溅射被广泛应用于制备化合物薄膜。本文分析了反应磁控溅射中迟滞效应、靶中毒与打火现象 ,讨论了提高反应磁控溅射沉积速率、抑制靶面打火与保持溅射过程稳定性的途径。在阐述了近年来反应磁控溅射最新研发进展的基础上 ,介绍... 反应磁控溅射被广泛应用于制备化合物薄膜。本文分析了反应磁控溅射中迟滞效应、靶中毒与打火现象 ,讨论了提高反应磁控溅射沉积速率、抑制靶面打火与保持溅射过程稳定性的途径。在阐述了近年来反应磁控溅射最新研发进展的基础上 ,介绍了中频溅射在减反膜。 展开更多
关键词 反应磁控溅射 中频溅射 脉冲溅射 化合物薄膜 迟滞效应 制备 打火 抑制途径 靶中毒
下载PDF
磁控溅射ZnO薄膜的成核机制及表面形貌演化动力学研究 被引量:21
2
作者 刘志文 谷建峰 +1 位作者 孙成伟 张庆瑜 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期1965-1973,共9页
利用原子力显微镜分析了ZnO薄膜在具有本征氧化层的Si(100)和Si(111)基片上的表面形貌随沉积时间的演化.通过对薄膜生长形貌的动力学标度表征,研究了射频反应磁控溅射条件下,ZnO薄膜的成核过程及生长动力学行为.研究发现,ZnO在基片表面... 利用原子力显微镜分析了ZnO薄膜在具有本征氧化层的Si(100)和Si(111)基片上的表面形貌随沉积时间的演化.通过对薄膜生长形貌的动力学标度表征,研究了射频反应磁控溅射条件下,ZnO薄膜的成核过程及生长动力学行为.研究发现,ZnO在基片表面的成核过程可分为初期成核阶段、低速率成核阶段和二次成核阶段.对于Si(100)基片,三个成核阶段的生长指数分别为β1=1·04,β2=0·25±0·01,β3=0·74;对于Si(111)基片,β1=0·51,β2=0·08±0·02,β3=0·63.在初期成核阶段,ZnO薄膜的成核密度可能与Si基片表面的本征缺陷有关,薄膜的生长过程除扩散效应影响以外,还可能存在着比较强的晶粒择优生长和晶格错配应力粗化机制.在低速率成核阶段,薄膜的生长行为主要受沉积速率所支配,而扩散效应的影响相对弱化,错配应力得以进一步释放.在二次成核阶段,载能粒子对基片表面的轰击是导致ZnO薄膜再次成核的重要原因,同时阴影效应也可能对薄膜的生长有一定的影响.在薄膜生长后期的稳定生长阶段,薄膜的表面粗糙度明显降低,具有典型的柱状晶生长特征. 展开更多
关键词 ZNO薄膜 磁控溅射 生长动力学 成核机制
原文传递
硅靶中频反应磁控溅射二氧化硅薄膜的特性研究 被引量:16
3
作者 许生 侯晓波 +6 位作者 范垂祯 赵来 周海军 吴克坚 高文波 颜远全 查良镇 《真空》 CAS 北大核心 2001年第5期1-6,共6页
报道了中频双靶反应磁控溅射制备二氧化硅 (Si O2 )薄膜的装置、工艺及薄膜特性。对制备的 Si O2 薄膜的化学配比和元素化学态进行了 SAM和 XPS分析 ,测试了膜层对钠离子 (Na+ )阻挡性能、光学折射率和可见光的透过率。研究表明作者开... 报道了中频双靶反应磁控溅射制备二氧化硅 (Si O2 )薄膜的装置、工艺及薄膜特性。对制备的 Si O2 薄膜的化学配比和元素化学态进行了 SAM和 XPS分析 ,测试了膜层对钠离子 (Na+ )阻挡性能、光学折射率和可见光的透过率。研究表明作者开发的中频双靶反应磁控溅射沉积 Si O2 薄膜的设备和工艺可以高速率、大面积制备高质量的 Si O2 膜。 展开更多
关键词 反应磁控溅射 二氧化硅 薄膜 制备 性质 化学配比 ITO透明导电玻璃 元素 化学态 分析 阻挡性 镀膜 阻挡层
下载PDF
沉积速率及相关工艺条件对直流反应磁控溅射制备TiO_2薄膜性质的影响 被引量:15
4
作者 张永熙 沈杰 +4 位作者 杨锡良 陈华仙 陆明 严学俭 章壮健 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2000年第1期13-18,共6页
在玻璃基板上用直流反应磁控溅射钛靶的方法制备TiO2 薄膜。在溅射总气压为 0 4Pa ,氧氩比分别为 1∶9,1∶5及 1∶3 2的情况下 ,调节溅射功率使沉积速率由 0 99nm/min变化到 12 12nm/min ,而且当基板温度为 34 0℃时 ,薄膜在可见光... 在玻璃基板上用直流反应磁控溅射钛靶的方法制备TiO2 薄膜。在溅射总气压为 0 4Pa ,氧氩比分别为 1∶9,1∶5及 1∶3 2的情况下 ,调节溅射功率使沉积速率由 0 99nm/min变化到 12 12nm/min ,而且当基板温度为 34 0℃时 ,薄膜在可见光范围内的平均折射率基本不变 ,为 2 48± 0 0 3,而薄膜的表面形貌却有明显变化。XRD表明 ,在pO2 /pAr为 1∶9的条件下 ,薄膜中出现了TiOx(x <2 )的晶粒 ,但这对薄膜的光学性质并无影响。另外对TiO2 展开更多
关键词 二氧化钛薄膜 反应磁控溅射 光学性质 光学薄膜
下载PDF
ZnO∶Al透明导电薄膜的研制 被引量:12
5
作者 应春 沈杰 +2 位作者 陈华仙 杨锡良 章壮健 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1998年第2期125-129,共5页
介绍用直流平面磁控溅射方法制备掺铝的氧化锌透明导电薄膜并研究了其特性,阐述了金属氧化物透明导电薄膜研究的发展情况及其应用前景,并讨论了氧化锌掺铝薄膜的优点。介绍了ZnO∶Al薄膜的制备情况:靶的制备及薄膜的制备过程。测量... 介绍用直流平面磁控溅射方法制备掺铝的氧化锌透明导电薄膜并研究了其特性,阐述了金属氧化物透明导电薄膜研究的发展情况及其应用前景,并讨论了氧化锌掺铝薄膜的优点。介绍了ZnO∶Al薄膜的制备情况:靶的制备及薄膜的制备过程。测量了薄膜的光电特性,包括透射比、折射率、消光系数、方块电阻、电阻率、载流子浓度和迁移率等参数,并分析了各种实验条件对薄膜性能的影响。 展开更多
关键词 掺铝 氧化锌 薄膜 反应磁控溅射 透明 导电
下载PDF
Si含量对Ti-Al-Si-N薄膜微结构与力学性能的影响 被引量:16
6
作者 喻利花 薛安俊 +1 位作者 董松涛 许俊华 《材料热处理学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第7期140-145,共6页
采用多靶反应磁控溅射技术制备了一系列不同Si含量的Ti-Al-Si-N复合膜。采用能谱仪、X射线衍射仪、三维轮廓仪、原子力显微镜和显微硬度仪对薄膜进行表征,研究了Si含量对Ti-Al-Si-N复合膜微结构和力学性能的影响。结果表明:用Ti0.33 Al0... 采用多靶反应磁控溅射技术制备了一系列不同Si含量的Ti-Al-Si-N复合膜。采用能谱仪、X射线衍射仪、三维轮廓仪、原子力显微镜和显微硬度仪对薄膜进行表征,研究了Si含量对Ti-Al-Si-N复合膜微结构和力学性能的影响。结果表明:用Ti0.33 Al0.67合金靶制备的Ti-Al-N复合膜呈双相共存结构(fcc+hcp),Si的加入,促进了六方相的生长,细化了晶粒,降低了表面粗糙度。随着Si含量的增加,Ti-Al-Si-N复合膜的硬度逐渐增大,在Si含量为16.69 at%时,达到最大硬度32.3 GPa,继续增加Si含量,薄膜硬度降低。 展开更多
关键词 Ti-Al-Si-N 磁控溅射 微结构 显微硬度
原文传递
磁控溅射制备CrN_x薄膜及其结构和性能研究 被引量:15
7
作者 田俊红 《真空与低温》 2007年第3期159-162,共4页
采用反应磁控溅射技术制备了CrNx薄膜,并研究了氮气分压对CrNx薄膜的沉积速率、结构和摩擦系数的影响。研究发现:采用反应磁控溅射技术能有效地抑制靶中毒现象,薄膜的沉积速率变化仅仅是由于氩和氮对靶的溅射产率不同造成的。通过调节... 采用反应磁控溅射技术制备了CrNx薄膜,并研究了氮气分压对CrNx薄膜的沉积速率、结构和摩擦系数的影响。研究发现:采用反应磁控溅射技术能有效地抑制靶中毒现象,薄膜的沉积速率变化仅仅是由于氩和氮对靶的溅射产率不同造成的。通过调节不同的氮分压,可将CrNx薄膜的结构在很大的范围内调控,从Cr到Cr2N,到无定形,一直到CrN多种结晶形态的变化。且制备出的CrNx薄膜晶粒细小致密,晶粒和粒径分布都很均匀,晶粒在几十纳米左右。CrN薄膜的摩擦系数在0.70左右,无定形态CrNx和Cr2N的摩擦系数相对比较小,在0.20 ̄0.30之间;Cr薄膜与钢球和氮化硅球对磨的摩擦系数相差比较大,分别为0.55和0.72。 展开更多
关键词 反应磁控溅射 CrNx 结构 摩擦系数
下载PDF
高功率脉冲磁控溅射制备非晶碳薄膜研究进展 被引量:17
8
作者 左潇 孙丽丽 +1 位作者 汪爱英 柯培玲 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第9期53-63,共11页
非晶碳薄膜主要由sp^3碳原子和sp^2碳原子相互混杂的三维网络构成,具有高硬度、低摩擦系数、耐磨损、耐腐蚀以及化学稳定性等优异性能。然而传统制备方法难以实现薄膜结构及其性能的综合调控,高功率脉冲磁控溅射因其离子沉积特性受到领... 非晶碳薄膜主要由sp^3碳原子和sp^2碳原子相互混杂的三维网络构成,具有高硬度、低摩擦系数、耐磨损、耐腐蚀以及化学稳定性等优异性能。然而传统制备方法难以实现薄膜结构及其性能的综合调控,高功率脉冲磁控溅射因其离子沉积特性受到领域内专家学者的关注。总结了近年来关于高功率脉冲磁控溅射制备非晶碳薄膜材料的研究进展。重点介绍了高功率脉冲磁控溅射石墨靶的放电特性,指出了其在沉积非晶碳薄膜过程中获得高碳原子离化率的条件。针对离化率和沉积速率低,主要从提高碳原子离化率和碳离子传输效率等角度,介绍了几种改进的高功率脉冲磁控溅射方法。并对比了不同高功率脉冲磁控溅射方法中的碳原子离化特征、薄膜沉积速率、结构和力学性能。进一步地,探讨了高功率脉冲磁控溅射在制备含氢非晶碳薄膜和金属掺杂非晶碳薄膜中的优势及其在燃料电池、生物、传感等前沿领域的应用。最后,对高功率脉冲磁控溅射石墨靶的离子沉积特性、非晶碳薄膜制备及其应用研究趋势进行了展望。 展开更多
关键词 高功率脉冲磁控溅射 非晶碳薄膜 放电特征 沉积速率 反应性磁控溅射 金属掺杂非晶碳薄膜
下载PDF
氟化类金刚石薄膜的拉曼和红外光谱结构研究 被引量:13
9
作者 江美福 宁兆元 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期1588-1593,共6页
以高纯石墨作靶、CHF3 Ar作源气体采用反应磁控溅射法制备了介电常数在 1 77左右的氟化类金刚石 (F DLC)薄膜 .拉曼光谱表明 ,源气体中CHF3相对流量、射频功率和工作气压的增加都会引起薄膜的D峰与G峰强度之比ID IG 减小 ,薄膜中链式 (... 以高纯石墨作靶、CHF3 Ar作源气体采用反应磁控溅射法制备了介电常数在 1 77左右的氟化类金刚石 (F DLC)薄膜 .拉曼光谱表明 ,源气体中CHF3相对流量、射频功率和工作气压的增加都会引起薄膜的D峰与G峰强度之比ID IG 减小 ,薄膜中链式 (烯烃 )结构比例的上升 .红外吸收光谱分析表明薄膜的主体骨架仍为芳香环式结构 .薄膜的性质如光学带隙和介电常数等不仅与氟含量有关 ,还与碳氟原子间的耦合形式和碳氟键的分布密切相关 . 展开更多
关键词 氟化类金刚石薄膜 反应磁控溅射法 拉曼光谱 红外吸收光谱 射频功率 光学带隙
原文传递
反应磁控溅射法制备的氟化类金刚石薄膜的XPS结构研究 被引量:10
10
作者 江美福 宁兆元 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第9期3220-3224,共5页
采用射频反应磁控溅射法用高纯石墨作靶、三氟甲烷 (CHF3)和氩气 (Ar)作源气体制备了氟化类金刚石 (F DLC)薄膜 ,通过XPS光谱结合拉曼光谱、红外透射光谱和紫外 可见光光谱研究了源气体流量比等工艺条件对薄膜中键结构、sp2 sp3杂化比... 采用射频反应磁控溅射法用高纯石墨作靶、三氟甲烷 (CHF3)和氩气 (Ar)作源气体制备了氟化类金刚石 (F DLC)薄膜 ,通过XPS光谱结合拉曼光谱、红外透射光谱和紫外 可见光光谱研究了源气体流量比等工艺条件对薄膜中键结构、sp2 sp3杂化比以及光学带隙等性能的影响 .结果表明在低功率 (6 0W)、高气压 (2 0Pa)和适当的流量比(Ar CHF3=2∶1 )下利用射频反应磁控溅射法可制备出氟含量高且具有较宽光学带隙和超低介电常数的F 展开更多
关键词 反应磁控溅射法 氟化类金刚石薄膜 红外透射光谱 XPS光谱 光学带隙
原文传递
反应磁控溅射法制备的氮掺杂TiO_2光催化膜的氮化学态和光催化活性(英文) 被引量:7
11
作者 陈崧哲 张彭义 +1 位作者 祝万鹏 庄大明 《催化学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2004年第7期515-517,共3页
采用中频交流磁控溅射法 ,以O2 /N2 混和气为反应气体 ,在铝片上沉积了氮掺杂TiO2 膜 .利用原子力显微镜、紫外 可见光谱、X射线衍射和X射线光电子能谱等手段研究了掺杂膜的表面形貌、光吸收性能、物相组成以及膜样品中氮的化学态 ,并... 采用中频交流磁控溅射法 ,以O2 /N2 混和气为反应气体 ,在铝片上沉积了氮掺杂TiO2 膜 .利用原子力显微镜、紫外 可见光谱、X射线衍射和X射线光电子能谱等手段研究了掺杂膜的表面形貌、光吸收性能、物相组成以及膜样品中氮的化学态 ,并通过苯甲酰胺的光催化降解实验对光催化剂活性进行了评价 .结果表明 ,所得掺杂膜仅能够被紫外光所激发 ,反应气的配比对膜的形貌和TiO2 的锐钛矿 /金红石相比率均有影响 ,而氮在膜中以掺杂N3 -、表面吸附N2 和固溶N2 的形式存在 .随着N3 -掺入量的增加 ,掺杂膜的光催化活性显著提高 ,在反应气体组成为N2 /(O2 +N2 ) =80 % (体积分数 )时 ,掺杂N3 -量为0 5 94 % ,苯甲酰胺光催化降解效果最好 ,其活性约为纯TiO2 膜的 1 . 展开更多
关键词 掺杂 二氧化钛光催化膜 氮化学态 光催化活性 反应磁控溅射法 制备 苯甲酰胺
下载PDF
反应磁控溅射技术的发展情况及趋势 被引量:11
12
作者 王治安 刘晓波 +4 位作者 刘维 王军生 韩大凯 戴彬 童洪辉 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第12期1229-1236,共8页
综述了反应磁控溅射技术的发展情况。分析了模拟反应磁控溅射的/Berg0经典模型;详述了反应磁控溅射过程中迟滞效应和打火现象的产生原理及过程;分析了消除迟滞效应和打火现象的各种方法并提出个人的观点;展望了反应磁控溅射技术的发展... 综述了反应磁控溅射技术的发展情况。分析了模拟反应磁控溅射的/Berg0经典模型;详述了反应磁控溅射过程中迟滞效应和打火现象的产生原理及过程;分析了消除迟滞效应和打火现象的各种方法并提出个人的观点;展望了反应磁控溅射技术的发展趋势。 展开更多
关键词 反应磁控溅射 迟滞效应 打火 “Berg”模型
下载PDF
磁控溅射ZnO薄膜生长的等离子体发射光谱研究 被引量:9
13
作者 李勇 孙成伟 +1 位作者 刘志文 张庆瑜 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第8期4232-4237,共6页
通过反应磁控溅射过程中的等离子体发射光谱,研究了制备ZnO薄膜的沉积温度、氧气流量比例R=O2(O2+Ar)对Zn和O原子发射光谱的影响,并结合ZnO薄膜的结构和物理性能,探讨了沉积温度在ZnO薄膜生长中的作用.研究结果显示:当R≥0.75%时,Zn的... 通过反应磁控溅射过程中的等离子体发射光谱,研究了制备ZnO薄膜的沉积温度、氧气流量比例R=O2(O2+Ar)对Zn和O原子发射光谱的影响,并结合ZnO薄膜的结构和物理性能,探讨了沉积温度在ZnO薄膜生长中的作用.研究结果显示:当R≥0.75%时,Zn的溅射产额随R的增加基本呈线性下降规律.当R介于10%—50%时,氧含量的变化相对平缓,有利于ZnO薄膜生长的稳定性控制.Zn原子发射光谱强度随沉积温度的变化可以分为三个阶段.当沉积温度低于250℃时,发射光谱强度基本保持不变;当沉积温度介于250—550℃时,光谱强度随沉积温度的增加呈线性增加的趋势;当沉积温度大于550℃以后,光谱强度随沉积温度的增加而迅速增加.通过沉积温度的控制可以实现满足或接近化学计量配比的ZnO薄膜的生长,适合高质量ZnO薄膜沉积的温度介于650—800℃,750℃下沉积的ZnO薄膜具有比较低的缺陷密度和明显的室温紫外光致荧光发射. 展开更多
关键词 ZNO 薄膜生长 反应磁控溅射 等离子体发射光谱
原文传递
气压及偏压对磁控溅射TaN薄膜力学性能影响 被引量:10
14
作者 刘星 马国佳 +2 位作者 孙刚 段玉平 刘顺华 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第1期54-60,共7页
采用电子回旋共振增强磁控溅射在不锈钢基体上制备六方相TaN薄膜,并研究了气压及偏压对TaN薄膜结构、力学性能的影响。利用X射线衍射、扫描电镜、原子力显微镜分析薄膜化学结构及形貌,利用纳米压痕、划痕实验仪对薄膜力学性能进行测定... 采用电子回旋共振增强磁控溅射在不锈钢基体上制备六方相TaN薄膜,并研究了气压及偏压对TaN薄膜结构、力学性能的影响。利用X射线衍射、扫描电镜、原子力显微镜分析薄膜化学结构及形貌,利用纳米压痕、划痕实验仪对薄膜力学性能进行测定。研究表明,制备气压上升影响六方TaN相择优取向,气压、Ar/N2流量比及偏压改变对TaN薄膜力学性能有较大影响。实验证明在1.1×10-1Pa,偏压100V下制备的TaN薄膜具有最高硬度32.4 GPa,最高结合力极限载荷27 N。 展开更多
关键词 反应磁控溅射 TaN薄膜 气压 偏压 力学性能
下载PDF
衬底温度对反应磁控溅射制备AlN压电薄膜的影响 被引量:7
15
作者 王忠良 刘桥 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2005年第7期47-49,共3页
采用反应磁控溅射法在Si(111)衬底上沉积了AlN薄膜。XRD分析表明,在5种温度下,AlN均以(100)面取向,衬底温度的提高有利于薄膜结晶性的改善,在600℃以上时AlN中Al—N0键断裂,仅出现(100)衍射峰。AFM分析显示,在600℃时平均晶粒尺寸90nm,... 采用反应磁控溅射法在Si(111)衬底上沉积了AlN薄膜。XRD分析表明,在5种温度下,AlN均以(100)面取向,衬底温度的提高有利于薄膜结晶性的改善,在600℃以上时AlN中Al—N0键断裂,仅出现(100)衍射峰。AFM分析显示,在600℃时平均晶粒尺寸90nm,Z轴最高突起仅为23nm。 展开更多
关键词 无机非金属材料 AlN压电薄膜 反应磁控溅射 择优取向
下载PDF
反应磁控溅射制备Ti-Si-N薄膜的摩擦磨损性能 被引量:8
16
作者 马大衍 马胜利 +1 位作者 徐可为 S.Veprek 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第8期1308-1312,共5页
用反应磁控溅射方法,在不锈钢表面沉积Ti Si N薄膜。用原子力显微镜观察薄膜的表面形貌,Ti Si N颗粒尺寸小于0.1μm,用亚微压入仪测试薄膜硬度,当硅的摩尔分数为9.6%时,薄膜硬度出现最大值47GPa。球盘式摩擦磨损结果表明,Ti Si N薄膜的... 用反应磁控溅射方法,在不锈钢表面沉积Ti Si N薄膜。用原子力显微镜观察薄膜的表面形貌,Ti Si N颗粒尺寸小于0.1μm,用亚微压入仪测试薄膜硬度,当硅的摩尔分数为9.6%时,薄膜硬度出现最大值47GPa。球盘式摩擦磨损结果表明,Ti Si N薄膜的耐磨性能明显优于TiN薄膜,加入少量硅元素后,TiN薄膜的抗磨损性能有显著提高,但Ti Si N薄膜的室温摩擦系数较高(0.6~0.8),高温下摩擦系数也仅轻微降低(550℃,0.5~0.6)。由于Ti Si N薄膜的摩擦系数可能与磨损中氧化物生成量的增加有关,常温下Ti Si N薄膜的摩擦系数随硅摩尔分数的增加而增大,而高温下Ti Si N薄膜的摩擦系数随硅含量上升而降低。 展开更多
关键词 Ti—Si—N薄膜 反应磁控溅射 摩擦学
下载PDF
WO_x:Mo薄膜的结构及电致变色性能研究 被引量:6
17
作者 黄佳木 施萍萍 吕佳 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期580-584,589,共6页
采用反应磁控溅射工艺,以纯钨和纯钼为靶材在ITO玻璃上制备Mo掺杂WOx电致变色薄膜,用薄膜的透射光谱和XRD衍射方法对掺杂后薄膜的电致变色性能和结构进行了分析,研究了Mo掺杂对WOx薄膜电致变色性能和微观结构的影响机理。实验结果表明:... 采用反应磁控溅射工艺,以纯钨和纯钼为靶材在ITO玻璃上制备Mo掺杂WOx电致变色薄膜,用薄膜的透射光谱和XRD衍射方法对掺杂后薄膜的电致变色性能和结构进行了分析,研究了Mo掺杂对WOx薄膜电致变色性能和微观结构的影响机理。实验结果表明:在一定掺杂范围内,Mo掺杂对薄膜电致变色性能有较大提高;掺杂越均匀,对薄膜电致变色性能的改善越显著。影响薄膜电致变色性能的相应掺杂量由溅射时间表示,相对掺量存在最佳值,即7.7%附近,薄膜的变色性能可得到最大的提高,按实验结果趋势分析掺杂量存在有效范围,超出有效掺杂范围,掺杂便会失效。XRD分析表明,掺杂Mo之后的WOx薄膜仍为非晶态,且非晶态有增强的趋势。 展开更多
关键词 掺杂氧化钨 钼掺杂 非晶态薄膜 电致变色 反应磁控溅射
下载PDF
玻璃和石英基体上沉积的TiO_2薄膜的光催化性能 被引量:7
18
作者 张文杰 朱圣龙 +2 位作者 李瑛 王福会 何红波 《催化学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2007年第3期269-273,共5页
采用直流磁控反应溅射法,在玻璃和石英基体上制备了TiO2薄膜.在氧气流速超过阈值的条件下溅射,能够得到均匀透明的TiO2薄膜.在玻璃和石英基体上制备的薄膜都由均匀的锐钛矿型氧化钛晶粒组成,在晶粒中间分布着微小的孔隙.尽管在整个光谱... 采用直流磁控反应溅射法,在玻璃和石英基体上制备了TiO2薄膜.在氧气流速超过阈值的条件下溅射,能够得到均匀透明的TiO2薄膜.在玻璃和石英基体上制备的薄膜都由均匀的锐钛矿型氧化钛晶粒组成,在晶粒中间分布着微小的孔隙.尽管在整个光谱区域内石英基体的透射率都比玻璃基体高,但在两种基体上制备的TiO2薄膜的光谱吸收边沿基本相同.薄膜中的Ti都以Ti4+形式存在.两种TiO2薄膜光催化降解甲基橙的能力相差不大. 展开更多
关键词 磁控反应溅射 氧化钛 薄膜 玻璃 石英 基体 光催化 甲基橙 降解
下载PDF
衬底温度对FeCrCoNiMn高熵合金氮化物薄膜组织结构和电性能的影响 被引量:9
19
作者 杨克蒋 张国庆 +1 位作者 汪亮兵 罗永春 《金属功能材料》 CAS 2018年第2期36-42,共7页
采用射频反应磁控溅射法在Si(100)衬底上制备出纳米晶高熵合金FeCrCoNiMn氮化物薄膜,结合场发射扫描电子显微镜(FESEM)、电子显微探针(EPMA)、X射线光电子能谱分析仪(XPS)、原子力显微镜(AFM)及四点探针(FPP)研究了衬底温度... 采用射频反应磁控溅射法在Si(100)衬底上制备出纳米晶高熵合金FeCrCoNiMn氮化物薄膜,结合场发射扫描电子显微镜(FESEM)、电子显微探针(EPMA)、X射线光电子能谱分析仪(XPS)、原子力显微镜(AFM)及四点探针(FPP)研究了衬底温度(40、300、500℃)对沉积薄膜的表面形貌、化学组成、微观结构和导电性能的影响。结果表明,衬底温度对高熵合金FeCrCoNiMn-N薄膜的形貌、组织结构和导电性能有显著影响。随衬底温度的升高,薄膜的表面粗糙度和颗粒/晶粒尺寸增大;与氮反应沉积后,含氮高熵合金薄膜中形成了Mn3N2、MnN、Cr2N和CrN金属氮化物,而Fe、Ni和Co元素则以Fe-Ni-Co合金相形式存在。不含氮合金薄膜其电阻率高达131.78mΩ·cm,加入氮沉积后,随衬底温度的增加,含氮薄膜的电阻率逐渐减小(6.14~0.43mΩ·cm),含氮合金薄膜的电阻率明显小于合金靶材的沉积膜,衬底温度500℃时薄膜的电阻率达到最小值0.43mΩ·cm。 展开更多
关键词 反应磁控溅射 高熵合金薄膜 氮化物 导电性
原文传递
TiAlN/VN纳米多层膜的微结构与力学和摩擦学性能 被引量:9
20
作者 李淼磊 王恩青 +1 位作者 岳建岭 黄小忠 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第12期1280-1284,共5页
采用反应磁控溅射制备了Ti Al N/VN纳米多层膜,并使用X射线衍射分析(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、纳米压痕仪和多功能摩擦磨损试验机对多层膜的微结构与力学和摩擦学性能进行了表征和分析。研究结果表明:不同调制... 采用反应磁控溅射制备了Ti Al N/VN纳米多层膜,并使用X射线衍射分析(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、纳米压痕仪和多功能摩擦磨损试验机对多层膜的微结构与力学和摩擦学性能进行了表征和分析。研究结果表明:不同调制周期的Ti Al N/VN多层膜均呈典型的柱状晶生长结构,插入VN层并没有打断Ti Al N涂层柱状晶的生长。在一定调制周期下,Ti Al N/VN纳米多层膜中的Ti Al N和VN层之间能够形成共格生长结构,其硬度和弹性模量相比于Ti Al N单层膜均有显著提升,其中,Ti Al N(10 nm)/VN(10 nm)的硬度和弹性模量最大增量分别达到39.3%和40.9%。Ti Al N/VN纳米多层膜的强化主要与其共格界面生长结构有关。另外,Ti Al N单层膜的摩擦系数较高(~0.9),通过周期性地插入摩擦系数较低的VN层能够使得Ti Al N的摩擦系数大大降低,Ti Al N/VN纳米多层膜的摩擦系数最低为0.4。 展开更多
关键词 反应磁控溅射 TiAlN/VN纳米多层膜 摩擦性能
下载PDF
上一页 1 2 19 下一页 到第
使用帮助 返回顶部