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太阳电池中CdS多晶薄膜的微结构及性能 被引量：10
1
作者 李卫 冯良桓 +6 位作者 蔡亚平 张静全 郑家贵 蔡伟 黎兵 武莉莉 雷智 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期46-51,共6页
采用化学水浴法制备了CdS多晶薄膜 ,通过XRD ,AFM ,XPS和光学透过率谱等测试手段研究了CdS多晶薄膜生长过程中的结构和性能 .结果表明 ,随着沉积的进行 ,薄膜更加均匀、致密 ,与衬底粘附力增强 ,其光学能隙逐渐增大 ,薄膜由无定形结构... 采用化学水浴法制备了CdS多晶薄膜 ,通过XRD ,AFM ,XPS和光学透过率谱等测试手段研究了CdS多晶薄膜生长过程中的结构和性能 .结果表明 ,随着沉积的进行 ,薄膜更加均匀、致密 ,与衬底粘附力增强 ,其光学能隙逐渐增大 ,薄膜由无定形结构向六方 (0 0 2 )方向优化生长 ,同时出现了Cd(OH) 2 相 .在此基础上 ,通过建立薄膜的生长机制与性能的联系 ,沉积出优质CdS多晶薄膜 ,获得了转化效率为 13 展开更多
关键词 CDS 多晶薄膜 水浴法 太阳电池
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用共蒸发法制备AlSb多晶薄膜 被引量：8
2
作者 姚菲菲 雷智 +7 位作者 冯良桓 张静全 李卫 武莉莉 蔡伟 蔡亚平 郑家贵 黎兵 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第9期1578-1581,共4页
采用元素共蒸发法结合退火处理制成了AlSb多晶薄膜.利用X射线衍射、透射光谱、暗电导温度关系等方法研究了薄膜的结构、光学和电学性质.发现540℃退火后得到的AlSb多晶薄膜呈立方相结构,间接跃迁光能隙为1.62eV,电导激活能约为0.33eV.... 采用元素共蒸发法结合退火处理制成了AlSb多晶薄膜.利用X射线衍射、透射光谱、暗电导温度关系等方法研究了薄膜的结构、光学和电学性质.发现540℃退火后得到的AlSb多晶薄膜呈立方相结构,间接跃迁光能隙为1.62eV,电导激活能约为0.33eV.研究结果表明,AlSb薄膜有可能成为新型太阳电池的重要材料. 展开更多
关键词 ALSB 退火 多晶薄膜
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多晶氧化物薄膜及复合膜系应力模型 被引量：3
3
作者 李静平 方明 +3 位作者 贺洪波 邵建达 范正修 李朝阳 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第10期293-297,共5页
基于膜层结构的弛豫现象,建立了一个多晶膜的应力演化模型,并通过线性组合给出了复合膜的生长应力模型。利用双光束基底曲率测量装置实时测量了电子束蒸发氧化铪、氧化硅多晶膜及其复合膜的应力演化过程,并对测量结果进行了拟合分析。
关键词 薄膜 应力模型 多晶膜 复合膜 应力演化
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射频磁控溅射法制备Cu2ZnSnS4薄膜 被引量：3
4
作者 文亚南 李琳 +2 位作者 陈士荣 史成武 梁齐 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2012年第7期47-50,共4页
利用射频磁控溅射法在玻璃基片上制备了Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜,薄膜在室温下生长,再在Ar气氛中快速退火。通过X射线衍射、X射线电子能谱、原子力显微镜和吸收谱研究了退火温度对薄膜结构、组分、形貌和禁带宽度的影响。结果表明,所制备样... 利用射频磁控溅射法在玻璃基片上制备了Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜,薄膜在室温下生长,再在Ar气氛中快速退火。通过X射线衍射、X射线电子能谱、原子力显微镜和吸收谱研究了退火温度对薄膜结构、组分、形貌和禁带宽度的影响。结果表明,所制备样品为Cu2ZnSnS4多晶薄膜,具有较强的沿(112)晶面择优取向生长的特点,薄膜组分均为富S贫Cu,样品表面形貌比较均匀。退火温度为350,400,450和500℃的薄膜样品的禁带宽度分别是1.49,1.53,1.51和1.46 eV。 展开更多
关键词 Cu2ZnSnS4 射频磁控溅射 快速退火 多晶薄膜 择优取向
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含氯气氛退火对CdTe薄膜性质影响的交流阻抗研究 被引量：2
5
作者 付文博 刘庭良 +7 位作者 何绪林 张静全 冯良桓 武莉莉 李卫 黎兵 曾广根 王文武 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第12期2225-2228,共4页
对近空间升华制备的CdTe薄膜进行了CdCl2气氛下热处理。测量了样品在室温下的交流阻抗特性,基于恒相位角元件(CPE)等效电路拟合所测量的复阻抗谱,分析了退火工艺对CdTe薄膜的晶粒体电阻、晶界电阻、弛豫时间的影响。结果表明,随退火温... 对近空间升华制备的CdTe薄膜进行了CdCl2气氛下热处理。测量了样品在室温下的交流阻抗特性,基于恒相位角元件(CPE)等效电路拟合所测量的复阻抗谱,分析了退火工艺对CdTe薄膜的晶粒体电阻、晶界电阻、弛豫时间的影响。结果表明,随退火温度的增加,晶粒电阻增大,晶界电阻减小,弛豫时间缩短。 展开更多
关键词 CDTE 多晶薄膜 交流阻抗 晶界
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CuInSe_2多晶薄膜的光学特性研究 被引量：2
6
作者 周炳卿 李蓉萍 赵凤岐 《内蒙古师范大学学报（自然科学汉文版）》 CAS 1999年第2期122-126,共5页
根据ＣｕＩｎＳｅ２多晶薄膜的反射特性和透射特性，研究了薄膜的吸收系数α（λ）、消光系数ｋ（λ）、折射率ｎ（λ）以及光学禁带宽度Ｅｇ．结果表明。
关键词 多晶薄膜 反射率 光学特性 半导体 铜铟硒化合物
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ZnMgS多晶薄膜的结构和光学性质 被引量：2
7
作者 苗银萍 孙汪典 朱汉明 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期106-109,162,共5页
本文介绍了对真空蒸发制备的多组ZnxMg1-xS多晶薄膜的研究,用X射线能量色散谱仪(EDS)测定几组ZnxMg1-xS薄膜样品的成分后,由原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)测试结果表明:薄膜晶体生长形貌和结晶性良好,为闪锌矿结构;对ZnxMg1-xS薄... 本文介绍了对真空蒸发制备的多组ZnxMg1-xS多晶薄膜的研究,用X射线能量色散谱仪(EDS)测定几组ZnxMg1-xS薄膜样品的成分后,由原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)测试结果表明:薄膜晶体生长形貌和结晶性良好,为闪锌矿结构;对ZnxMg1-xS薄膜的紫外吸收分析表明,薄膜在345 nm^275 nm处形成陡峭的吸收边,在波长小于275 nm的紫外区有强烈的吸收;光致发光谱中发光中心波长在可见光区紫光范围约为401 nm^395 nm之间。同时随着Mg含量的增加,样品的(111)峰位向大角度方向移动,吸收边和发光峰的蓝移也增加,蓝移说明了带隙的展宽。显示了其作为短波光电器件材料和拓展紫外发光器件的研制领域的潜力。 展开更多
关键词 真空蒸发 ZnMgS 结构和光学性质 多晶薄膜
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原子层沉积低温生长α-MoO_(3)薄膜 被引量：1
8
作者 成天乐 曹发 +1 位作者 李佳 季小红 《半导体光电》 CAS 北大核心 2022年第3期567-572,共6页
以六羰基钼和氧气为前驱体,通过等离子增强原子层沉积技术(PE-ALD)在硅基片上实现了α-MoO_(3)薄膜的低温制备。利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、原子力显微镜、X射线光电子能谱仪等手段对薄膜的晶体结构、表面形貌及薄膜成分进行表... 以六羰基钼和氧气为前驱体,通过等离子增强原子层沉积技术(PE-ALD)在硅基片上实现了α-MoO_(3)薄膜的低温制备。利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、原子力显微镜、X射线光电子能谱仪等手段对薄膜的晶体结构、表面形貌及薄膜成分进行表征和分析。研究发现衬底温度和氧源脉冲时间对MoO_(3)薄膜的晶体结构和表面形貌变化起关键作用。当衬底温度为170℃及以上时所制备的薄膜为α-MoO_(3);适当延长ALD单循环中的氧源脉冲时间有利于低温沉积沿(0k0)高度择优取向的MoO_(3)薄膜。根据对不同厚度MoO_(3)薄膜表面的原子力显微图片分析,MoO_(3)薄膜为岛状生长模式。 展开更多
关键词 原子层沉积 氧化钼薄膜 低温沉积 α-MoO_(3)
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双源法制备CuInSe_2多晶薄膜的研究 被引量：1
9
作者 周炳卿 李蓉萍 赵凤岐 《内蒙古师范大学学报（自然科学汉文版）》 CAS 1999年第4期277-281,共5页
利用氮气作保护气体，用元素合成法进行开管烧结，合成具有单一相黄铜矿结构的ＣｕＩｎＳｅ２ 多晶材料．用真空双源蒸发方法，通过精确控制ＣｕＩｎＳｅ２ 源和Ｃｕ 源或Ｓｅ 源的温度和蒸发速率以及衬底温度，制备ＣｕＩｎＳｅ２ 多... 利用氮气作保护气体，用元素合成法进行开管烧结，合成具有单一相黄铜矿结构的ＣｕＩｎＳｅ２ 多晶材料．用真空双源蒸发方法，通过精确控制ＣｕＩｎＳｅ２ 源和Ｃｕ 源或Ｓｅ 源的温度和蒸发速率以及衬底温度，制备ＣｕＩｎＳｅ２ 多晶薄膜，并对ＣｕＩｎＳｅ２ 多晶薄膜的组份、结构、工艺条件及电学性质进行了分析。 展开更多
关键词 CUINSE2 双源法 多晶薄膜 制备 电学性质
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碲化铅薄膜电学特性的研究
10
作者 刘倩 张方辉 牟强 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期26-27,共2页
用真空蒸镀法制备了Pb49Te51薄膜，并对薄膜的显微结构、导电类型和电阻率等电学特性及热处理对薄膜性能的影响进行了研究．结果表明：热处理对薄膜结构和性能影响很大，热处理后薄膜呈铜黄色，晶粒有明显取向，其形状为片状，且晶粒尺... 用真空蒸镀法制备了Pb49Te51薄膜，并对薄膜的显微结构、导电类型和电阻率等电学特性及热处理对薄膜性能的影响进行了研究．结果表明：热处理对薄膜结构和性能影响很大，热处理后薄膜呈铜黄色，晶粒有明显取向，其形状为片状，且晶粒尺寸变大为300～400nm；薄膜为p型半导体薄膜，其电阻率4．624×10^-2Ω·cm比晶体材料12．410×10^-2Ω·cm大。 展开更多
关键词 无机非金属材料 Pb49Te51 多晶薄膜 热处理 显微结构 电学特性
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Cd_(1-x)Zn_xS(x=0.88)多晶薄膜的制备及性能研究
11
作者 孙震 谢晗科 +6 位作者 狄霞 李卫 冯良桓 张静全 武莉莉 黎兵 雷智 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期235-237,共3页
采用真空共蒸发法制备了Cd1-xZnxS多晶薄膜,研究了Cd1-xZnxS(x=0.88)多晶薄膜的结构与光电特性。XRD的结果表明,0<x≤0.9,Cd1-xZnxS薄膜为六方结构,高度择优取向;荧光光谱分析与Ve-gard定理的结果以及石英振荡法监测的Cd1-xZnxS多晶... 采用真空共蒸发法制备了Cd1-xZnxS多晶薄膜,研究了Cd1-xZnxS(x=0.88)多晶薄膜的结构与光电特性。XRD的结果表明,0<x≤0.9,Cd1-xZnxS薄膜为六方结构,高度择优取向;荧光光谱分析与Ve-gard定理的结果以及石英振荡法监测的Cd1-xZnxS多晶薄膜的组分吻合;制备的Cd1-xZnxS多晶薄膜的光学透射谱的吸收边随Zn含量的增加发生蓝移,其光学能隙调制在CdS与ZnS能隙之间;最后测量了Cd1-xZnxS薄膜室温电阻率及暗电导率随温度的变化情况,计算了Cd1-xZnxS薄膜的电导激活能。 展开更多
关键词 Cd1-xZnxS 多晶薄膜 共蒸发 光学能隙 电导激活能
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LaAlO_3基体上CaBaCo_2O_(5+δ)多晶薄膜的微观结构以及生长方式
12
作者 李骏驰 陈江华 +4 位作者 丁莹 马春蕊 陈充林 方靖岳 张学骜 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第17期17050-17053,共4页
采用脉冲激光沉积方法,在（001）LaAlO3上沉积CaBaCo2O5＋δ多晶薄膜,用X射线衍射（XRD）和透射电子显微镜（TEM）对基体和薄膜的微观结构进行观察,并探讨了薄膜的生长机制以及改善薄膜质量的可能工艺。结果表明,（1）LaAlO3基体中存在... 采用脉冲激光沉积方法,在（001）LaAlO3上沉积CaBaCo2O5＋δ多晶薄膜,用X射线衍射（XRD）和透射电子显微镜（TEM）对基体和薄膜的微观结构进行观察,并探讨了薄膜的生长机制以及改善薄膜质量的可能工艺。结果表明,（1）LaAlO3基体中存在位错、孪晶等缺陷,且孪晶类型以（100）楔形孪晶为主;（2）CaBaCo2O5＋δ薄膜为多晶薄膜,薄膜底部保留了薄膜生长过程中的初始晶粒结构,晶粒大小约5-8 nm,厚度约为5-7 nm。薄膜顶层的晶粒较大,约为11-16 nm。 展开更多
关键词 多晶薄膜 微观结构 薄膜生长方式
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碲化锡材料的制备及其特性研究
13
作者 刘倩 张方辉 +1 位作者 李亚利 孟永春 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第F05期306-308,共3页
用Bridgman法合成SnTe晶体,并用X射线衍射仪测试其显微结构,发现其晶格常数比标准值略小。以制备的晶体为原料用真空蒸镀法制备了银灰色SnTe多晶薄膜,并对薄膜的显微结构、伏安特性及表面形貌进行了研究。结果发现,薄膜上晶粒的生长有... 用Bridgman法合成SnTe晶体,并用X射线衍射仪测试其显微结构,发现其晶格常数比标准值略小。以制备的晶体为原料用真空蒸镀法制备了银灰色SnTe多晶薄膜,并对薄膜的显微结构、伏安特性及表面形貌进行了研究。结果发现,薄膜上晶粒的生长有一定择优取向,其伏安特性曲线有突变点,通电后薄膜表面的原子形成了团簇。 展开更多
关键词 SnTe 晶体 多晶薄膜 显微结构 伏安特性 表面形貌
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用磁控溅射和真空硒化退火方法制备高质量的铜铟硒多晶薄膜 被引量：6
14
作者 谢大弢 赵夔 +5 位作者 王莉芳 朱凤 全胜文 孟铁军 张保澄 陈佳洱 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期1377-1382,共6页
用双靶磁控溅射的方法在玻璃衬底上制备了Cu1 1 In9合金薄膜 ,然后将Cu1 1 In9合金薄膜封闭在石墨盒中进行真空硒化退火得到CuInSe2 薄膜 .用扫描电子显微镜 (SEM)和X射线粉末衍射 (XRD)对CuInSe2 薄膜进行了表征 ,结果表明CuInSe2 薄... 用双靶磁控溅射的方法在玻璃衬底上制备了Cu1 1 In9合金薄膜 ,然后将Cu1 1 In9合金薄膜封闭在石墨盒中进行真空硒化退火得到CuInSe2 薄膜 .用扫描电子显微镜 (SEM)和X射线粉末衍射 (XRD)对CuInSe2 薄膜进行了表征 ,结果表明CuInSe2 薄膜具有单一的晶相 ,均匀、致密的结构 ,以及粒径超过了 3μm的晶粒 . 展开更多
关键词 真空硒化退火 制备 铜铟硒多晶薄膜 磁控溅射 太阳能电池
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射频磁控溅射ZnO多晶薄膜的制备及其荧光光谱 被引量：4
15
作者 孙汪典 任思雨 刘彭义 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期127-129,共3页
用射频磁控溅射方法在未进行人为加热的石英玻璃衬底上,生长了良好c轴择优取向的ZnO多晶薄膜。研究了该ZnO薄膜的晶粒大小与其荧光光谱的关系,发现369 nm的本征峰和406 nm的缺陷峰随着薄膜晶粒的增大晶界应力的增加而出现红移,但469 nm... 用射频磁控溅射方法在未进行人为加热的石英玻璃衬底上,生长了良好c轴择优取向的ZnO多晶薄膜。研究了该ZnO薄膜的晶粒大小与其荧光光谱的关系,发现369 nm的本征峰和406 nm的缺陷峰随着薄膜晶粒的增大晶界应力的增加而出现红移,但469 nm的缺陷峰峰位却基本保持不变,并对各峰的形成和强度大小的变化规律作出了相应的解释。 展开更多
关键词 ZnO多晶薄膜 射频磁控溅射 晶粒 荧光光谱 红移
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气相CdCl_2退火对CdTe多晶薄膜性能的影响 被引量：2
16
作者 曾广根 黎兵 +2 位作者 郑家贵 冯良桓 蔡伟 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期707-711,共5页
利用近空间升华法在Ar+O2气氛下沉积了CdTe多晶薄膜,并在气相CdCl2氛围下进行了不同温度的退火,对样品进行了厚度、XRD、SEM、透过谱,σ-T等性能测试,结果表明:退火后CdTe多晶薄膜在(111)面上仍具有择优取向,退火能使晶界钝化,增加再结... 利用近空间升华法在Ar+O2气氛下沉积了CdTe多晶薄膜,并在气相CdCl2氛围下进行了不同温度的退火,对样品进行了厚度、XRD、SEM、透过谱,σ-T等性能测试,结果表明:退火后CdTe多晶薄膜在(111)面上仍具有择优取向,退火能使晶界钝化,增加再结晶并促进晶粒长大;但对薄膜的透过率没有影响,退火后,暗电导(σdark)增加,电导激活能(Ea)减少。得到了最优化的退火条件。 展开更多
关键词 CdTe多晶薄膜 退火 太阳电池
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ZnTe：Cu多晶薄膜结构和电性质(英文) 被引量：1
17
作者 吴晓丽 郑家贵 +7 位作者 郝瑞英 冯良桓 蔡伟 蔡亚平 张静全 黎兵 李卫 武莉莉 《功能材料与器件学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期655-660,共6页
用共蒸发法在室温下制备了ZnTe:Cu多晶薄膜,利用XRD、AFM和XPS等测试技术对样品进行了表征,研究了掺Cu浓度和退火温度对薄膜物相和晶粒度的影响,分析了薄膜表面的元素状态。根据铜离子的变价行为对异常的电阻率温度关系作了解释。并确... 用共蒸发法在室温下制备了ZnTe:Cu多晶薄膜,利用XRD、AFM和XPS等测试技术对样品进行了表征,研究了掺Cu浓度和退火温度对薄膜物相和晶粒度的影响,分析了薄膜表面的元素状态。根据铜离子的变价行为对异常的电阻率温度关系作了解释。并确定了最佳掺铜浓度和退火温度。 展开更多
关键词 ZnTe:Cu多晶薄膜 共蒸发系统 结构 电阻率~温度
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Te掺杂AlSb多晶薄膜的性质研究
18
作者 郝霞 江洪超 +7 位作者 赵宇 冷丹 武莉莉 冯良桓 李卫 张静全 曾广根 王文武 《四川大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2012年第3期661-664,共4页
本文用蒸发的方法在AlSb薄膜上蒸镀一层Te膜,再经过退火处理使Te扩散进入AlSb实现掺杂.对薄膜的结构、电学及电子学性质进行了表征.结果表明,AlSb:Te薄膜在退火后,出现了Al_xTe_y化合物.AlSb:Te薄膜在150℃～170℃之间表现出反常的电导... 本文用蒸发的方法在AlSb薄膜上蒸镀一层Te膜,再经过退火处理使Te扩散进入AlSb实现掺杂.对薄膜的结构、电学及电子学性质进行了表征.结果表明,AlSb:Te薄膜在退火后,出现了Al_xTe_y化合物.AlSb:Te薄膜在150℃～170℃之间表现出反常的电导率温度行为,且A1Sb:Te薄膜在这一温度区间退火后呈现n型导电类型,而在更低或更高温度退火则为P型导电类型,这样的实验结果尚未见他人报道. 展开更多
关键词 Te掺杂 AlSb多晶薄膜
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掺杂对CdS多晶薄膜电学性能的影响
19
作者 曾广根 冯良桓 +6 位作者 蔡亚平 黎兵 郑家贵 李卫 武莉莉 雷智 张静全 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2011年第3期356-358,共3页
利用近空间升华法制备CdS多晶薄膜,同时将薄膜在400℃下进行Cl-掺杂。利用光-电阻、暗电阻-温度关系等测试手段分析不同波长光照及温度对掺杂前后薄膜电学性能的影响。结果显示:在不同波长的光照下,薄膜显示出不同的电阻值,最小电阻出现... 利用近空间升华法制备CdS多晶薄膜,同时将薄膜在400℃下进行Cl-掺杂。利用光-电阻、暗电阻-温度关系等测试手段分析不同波长光照及温度对掺杂前后薄膜电学性能的影响。结果显示:在不同波长的光照下,薄膜显示出不同的电阻值,最小电阻出现在500 nm波长附近;在光、暗态转换过程中发现,掺杂对电阻弛豫时间影响较大,掺杂后最短响应时间由原来对应的青光向蓝光移动;掺杂后,薄膜光、暗电导增加,电导激活能减少。 展开更多
关键词 CdS多晶薄膜 电阻 太阳电池
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磁控溅射法制备多晶BiFeO_3薄膜
20
作者 杨强 陈蕊 +1 位作者 王翼鑫 王丽丽 《科技创新与应用》 2018年第1期40-41,共2页
通过磁控溅射法在单晶Si(100)基片上生长了不同厚度的BiFeO_3多晶薄膜,对样品的结构、形貌、磁性进行研究。结果表明,通过改变溅射时间,影响薄膜微观结构。样品薄膜具有平整的表面。室温下,样品呈现反铁磁有序。
关键词 BiFeO3多晶薄膜 磁控溅射法 单晶Si(100) 反铁磁
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