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真空蒸发法制备PbI_2多晶薄膜研究
被引量:
3
1
作者
李玉红
张弘
+2 位作者
李振生
李丹民
贺德衍
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第5期1239-1242,共4页
用真空蒸发法在玻璃衬底上制备了PbI2多晶薄膜,对样品的微结构、表面形貌、化学组分及电阻率进行了测试分析.结果表明,样品具有良好的多晶结构,并沿六角密堆积结构的c轴向高度择优取向.室温下样品暗电导率为3.09×10-11(Ω·cm)...
用真空蒸发法在玻璃衬底上制备了PbI2多晶薄膜,对样品的微结构、表面形貌、化学组分及电阻率进行了测试分析.结果表明,样品具有良好的多晶结构,并沿六角密堆积结构的c轴向高度择优取向.室温下样品暗电导率为3.09×10-11(Ω·cm)-1,电导激活能为0.78eV.
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关键词
pbi
2
多晶薄膜
真空蒸发
辐射探测
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职称材料
题名
真空蒸发法制备PbI_2多晶薄膜研究
被引量:
3
1
作者
李玉红
张弘
李振生
李丹民
贺德衍
机构
兰州大学物理科学与技术学院
出处
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第5期1239-1242,共4页
基金
真空低温技术与物理国家级重点实验室基金(51475040103JW2301)
文摘
用真空蒸发法在玻璃衬底上制备了PbI2多晶薄膜,对样品的微结构、表面形貌、化学组分及电阻率进行了测试分析.结果表明,样品具有良好的多晶结构,并沿六角密堆积结构的c轴向高度择优取向.室温下样品暗电导率为3.09×10-11(Ω·cm)-1,电导激活能为0.78eV.
关键词
pbi
2
多晶薄膜
真空蒸发
辐射探测
Keywords
polycrystalline
pbi
2
thin
film
vacuum
evaporation
radiation
detect
分类号
TB43 [一般工业技术]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
真空蒸发法制备PbI_2多晶薄膜研究
李玉红
张弘
李振生
李丹民
贺德衍
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
3
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