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光伏产业面临多晶硅瓶颈及对策 被引量:35
1
作者 梁骏吾 《科技导报》 CAS CSCD 2006年第6期5-7,共3页
叙述了世界以及中国光伏电池材料发展的形势。目前,世界光伏电池产业仍然以硅光电池为主,然而,自2004年以来,全球出现多晶硅短缺,中国的多晶硅也严重不足。这已成为光伏电池发展的瓶颈。因此,必须尽快完成下列紧迫任务:①国内已在建的... 叙述了世界以及中国光伏电池材料发展的形势。目前,世界光伏电池产业仍然以硅光电池为主,然而,自2004年以来,全球出现多晶硅短缺,中国的多晶硅也严重不足。这已成为光伏电池发展的瓶颈。因此,必须尽快完成下列紧迫任务:①国内已在建的多晶硅厂应早日建成、投产;②应改进多晶硅生产技术,降低硅生产的能耗、冶金硅消耗、氢耗和氯耗,每kg硅生产成本和环保指标都应该处于世界先进水平。从长远来看,流床技术将被一些工厂用来生产太阳能级多晶硅。薄膜太阳能电池(含非晶硅、微晶硅基及各种化合物半导体薄膜)具有相当大的潜力,但其产品性能还须改进,应努力使之形成规模生产。 展开更多
关键词 太阳能电池 多晶硅 短缺
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多晶硅薄膜太阳能电池的研制及发展趋势 被引量:15
2
作者 秦桂红 严彪 唐人剑 《上海有色金属》 CAS 2004年第1期38-42,共5页
阐述了多晶硅薄膜太阳能电池的结构、特点,以及多晶硅薄膜的制备方法,并展望了多晶硅薄膜电池的发展趋势和前景。
关键词 多晶硅 薄膜太阳能电池 研制 发展趋势
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热丝化学气相沉积技术低温制备多晶硅薄膜的结构与光电特性 被引量:25
3
作者 汪六九 朱美芳 +2 位作者 刘丰珍 刘金龙 韩一琴 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第11期2934-2938,共5页
以金属W和Ta为热丝 ,采用热丝化学气相沉积 ,在 2 5 0℃玻璃衬底上沉积多晶硅薄膜 .研究了热丝温度、沉积气压、热丝与衬底间距等沉积参数对硅薄膜结构和光电特性的影响 ,在优化条件下获得晶态比Xc>90 % ,暗电导率σd=10 - 7— 10 -... 以金属W和Ta为热丝 ,采用热丝化学气相沉积 ,在 2 5 0℃玻璃衬底上沉积多晶硅薄膜 .研究了热丝温度、沉积气压、热丝与衬底间距等沉积参数对硅薄膜结构和光电特性的影响 ,在优化条件下获得晶态比Xc>90 % ,暗电导率σd=10 - 7— 10 - 6 Ω- 1 cm- 1 ,激活能Ea=0 5eV ,光能隙Eopt≤ 1 3eV的多晶硅薄膜 . 展开更多
关键词 热丝化学气相沉积 多晶硅薄膜 光电特性 激活能 光能隙 薄膜结构 沉积气压 热丝温度
原文传递
中国光伏电池组件的生命周期评价 被引量:29
4
作者 刁周玮 石磊 《环境科学研究》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期571-579,共9页
在收集2009年我国光伏组件生产的主流及最优技术水平数据的基础上,采用Ecoinvent数据库中辅助材料的生命周期数据,开展了我国光伏组件生命周期评价研究,计算了能量回收期和全球变暖潜值,并探讨了不同生产步骤和生产参数的影响.结果表明... 在收集2009年我国光伏组件生产的主流及最优技术水平数据的基础上,采用Ecoinvent数据库中辅助材料的生命周期数据,开展了我国光伏组件生命周期评价研究,计算了能量回收期和全球变暖潜值,并探讨了不同生产步骤和生产参数的影响.结果表明:太阳能级多晶硅生产和铸锭、切片工艺的技术水平对光伏产品的能量消耗和环境影响最大,我国主流技术水平情景下的产品能耗和环境影响远大于最优技术水平.对于我国光伏产业来说,要降低光伏产品的环境影响,应着重从改进多晶硅生产技术和提高硅片切割效率入手. 展开更多
关键词 光伏电池组件 多晶硅 生命周期评价 能量回收期 全球变暖潜值
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太阳能电池的研究现状与发展趋势 被引量:23
5
作者 张红梅 尹云华 《水电能源科学》 2008年第6期193-197,共5页
针对目前太阳能电池中占重要地位的硅太阳能电池、化合物半导体和染料敏化太阳能电池的研究现状进行了调研,对研究热点、存在问题及发展方向进行了总结,同时讨论了三类太阳能电池各自的优势和不足。
关键词 太阳能电池 单晶硅 多晶硅 薄膜 化合物半导体 染料敏化
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硅太阳电池材料的研究进展 被引量:11
6
作者 王晓晶 班群 沈辉 《能源工程》 2002年第4期28-31,共4页
目前各种太阳电池材料中 ,硅是最主要的材料。文章简要介绍单晶硅、多晶硅、带状硅、非晶硅以及多晶硅薄膜材料的研究状况 ,并对有关问题和太阳电池材料的发展趋势进行了讨论。
关键词 硅太阳电池材料 研究进展 单晶硅 多晶硅 带状硅 非晶硅 多晶硅薄膜材料 发展趋势
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电子级多晶硅生产工艺的热力学分析 被引量:25
7
作者 李国栋 张秀玲 胡仰栋 《过程工程学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期520-525,共6页
基于Gibbs自由能最小原理,对SiHCl3法生产电子级多晶硅闭环工艺的3个反应子系统分别进行了化学反应平衡计算,重点对SiHCl3还原反应子系统进行了热力学分析.对于SiHCl3还原反应子系统,适宜的操作温度为1323~1473K,压力为0.1MPa;温度高于... 基于Gibbs自由能最小原理,对SiHCl3法生产电子级多晶硅闭环工艺的3个反应子系统分别进行了化学反应平衡计算,重点对SiHCl3还原反应子系统进行了热力学分析.对于SiHCl3还原反应子系统,适宜的操作温度为1323~1473K,压力为0.1MPa;温度高于1323K,H2/SiHCl3比大于6.6,低压下有利于SiHCl3还原生产多晶硅.针对传统的SiHCl3还原需要高温下电加热给过程操作带来的诸多不便,提出了用Cl2部分氧化使SiHCl3还原反应体系实现能量耦合的新工艺,即反应过程不需外部加热就可完成,从而节约电耗,同时还发现平衡时体系中加入的Cl2能反应完全,不会影响后序工艺的进行.对于SiCl4转化反应子系统,高压、低H2/SiCl4比有利于生成SiHCl3. 展开更多
关键词 多晶硅 生产工艺 化学反应平衡 吉布斯自由能最小
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太阳能电池现状及其发展前景 被引量:21
8
作者 梁昌鑫 陈孝祺 《上海电机学院学报》 2010年第3期182-186,共5页
主要介绍太阳能电池的技术发展现状和太阳能电池的应用,阐述了单晶硅太阳能电池、多晶硅太阳能电池、硅薄膜太阳电池、化合物薄膜太阳能电池及染料敏化太阳能电池技术的发展前景。
关键词 太阳能 单晶硅 多晶硅 薄膜太阳能
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兴建年产一千吨电子级多晶硅工厂的思考 被引量:19
9
作者 梁骏吾 《中国工程科学》 2000年第6期33-35,共3页
文章简要评述了世界以及中国的电子级多晶硅的生产能力和市场需求。在 2 0 0 0年和 2 0 1 0年中国对多晶硅的需求分别是 736t/a和 1 30 4t/a。但近几年中国的多晶硅生产仅达到 80t/a ,所以在中国建设一座年产1 0 0 0t电子级多晶硅的工... 文章简要评述了世界以及中国的电子级多晶硅的生产能力和市场需求。在 2 0 0 0年和 2 0 1 0年中国对多晶硅的需求分别是 736t/a和 1 30 4t/a。但近几年中国的多晶硅生产仅达到 80t/a ,所以在中国建设一座年产1 0 0 0t电子级多晶硅的工厂是很合理的。然而由最新统计数据可知 ,自 1 997年以来 ,世界多晶硅生产能力连年均超过市场需求 ,而且在最近的将来 ,这一趋势将会继续。为了占领国内多晶硅市场 ,未来的多晶硅工厂将面临挑战 ,产品质量和生产成本是应当考虑的最重要指标。为了占领国内市场 ,在保证多晶硅产品纯度的前提下 ,生产成本只能略微超过 2 0美元 展开更多
关键词 电子级 多晶硅 半导体工业 规模生产 生产能力 市场需求
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三氯氢硅和氢气系统中多晶硅化学气相沉积的数值模拟 被引量:20
10
作者 张攀 王伟文 +3 位作者 董海红 吴玉雷 陈光辉 李建隆 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期494-499,共6页
本文建立了三氯氢硅和氢气系统中混合气体动量、热量和质量同时传递,并且耦合气相反应、表面反应的多晶硅气相沉积模型,利用流体力学计算软件(Computational Fluid Mechanics,CFD)Fluent6.2数值分析了气体进口速率、反应压力、表面温度... 本文建立了三氯氢硅和氢气系统中混合气体动量、热量和质量同时传递,并且耦合气相反应、表面反应的多晶硅气相沉积模型,利用流体力学计算软件(Computational Fluid Mechanics,CFD)Fluent6.2数值分析了气体进口速率、反应压力、表面温度和气体组成对硅化学气相沉积特性的影响,数值结果表明计算结果与相关实验数据吻合较好。分析表明在一定的条件下,硅沉积速率随温度、压力的升高而增加,在氢气浓度较高的情况下,硅沉积速率随氢气浓度增加而线性地降低。 展开更多
关键词 物质传递 化学气相沉积 数值模拟 多晶硅
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多晶硅生产中回收氢气的净化 被引量:16
11
作者 刘建军 《有色冶炼》 2000年第6期17-19,共3页
本文介绍了回收氢气净化的基本原理、工艺流程 ,及用回收氢气生产多晶硅的实践结果 ,分析了半导体多晶硅生产中 。
关键词 活性炭 多晶硅生产 回收氢气 净化
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改良西门子法多晶硅生产中分离工艺的改进 被引量:17
12
作者 温雅 胡仰栋 单廷亮 《化学工业与工程》 CAS 2008年第2期154-159,共6页
对改良西门子法多晶硅生产中尾气分离工艺进行了改进。应用Aspen plus软件,利用精馏、吸收和吸附等不同分离方法进行组合,确定了尾气的分离序列,得到了操作条件温和的4个流程方案。用温焓图进一步分析各流程方案,发现各流程进行热匹配... 对改良西门子法多晶硅生产中尾气分离工艺进行了改进。应用Aspen plus软件,利用精馏、吸收和吸附等不同分离方法进行组合,确定了尾气的分离序列,得到了操作条件温和的4个流程方案。用温焓图进一步分析各流程方案,发现各流程进行热匹配的意义不大,但分离过程所需的冷凝温度为250 K,易于实现。通过对比流程设备、吸收剂加入量、主要设备的操作压力、需公用工程加热与冷却的负荷等参数,确定了尾气分离的最佳流程。该流程的操作条件温和,且分离效果较好。 展开更多
关键词 多晶硅 尾气分离 温焓图
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多晶硅太阳电池的表面和界面复合 被引量:10
13
作者 陈庭金 刘祖明 涂洁磊 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期133-139,共7页
根据晶格的周期性排列中断而在边界产生悬挂键理论 ,分析了多晶硅太阳电池的表面和界面复合问题 ,指出对表面和界面进行钝化和建立合适的表面和界面场是降低表面和界面对光生少数载流子的复合速度 ,从而降低表面和界面复合电流 ,提高光... 根据晶格的周期性排列中断而在边界产生悬挂键理论 ,分析了多晶硅太阳电池的表面和界面复合问题 ,指出对表面和界面进行钝化和建立合适的表面和界面场是降低表面和界面对光生少数载流子的复合速度 ,从而降低表面和界面复合电流 ,提高光电流输出的重要方法。 展开更多
关键词 多晶硅 太阳电池 表面 界面
全文增补中
世界硅材料发展动态 被引量:7
14
作者 宋大有 《上海有色金属》 CAS 2000年第1期28-33,共6页
当前 ,世界硅材料市场的发展趋势主要表现为 :半导体行业新的一轮高速发展正在形成 ,大直径化稳步推进 ,但Φ2 0 0mm时代比预期的更长 ;外延片正成为市场的新宠 ;由于价格下降造成的业绩劣化已经得到缓解 ;多晶硅连年的库存积压使得多... 当前 ,世界硅材料市场的发展趋势主要表现为 :半导体行业新的一轮高速发展正在形成 ,大直径化稳步推进 ,但Φ2 0 0mm时代比预期的更长 ;外延片正成为市场的新宠 ;由于价格下降造成的业绩劣化已经得到缓解 ;多晶硅连年的库存积压使得多数工厂开工不足。 展开更多
关键词 半导体 单晶硅 多晶硅
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影响多晶硅质量的因素 被引量:15
15
作者 董前程 《氯碱工业》 CAS 2012年第9期31-33,共3页
在三氯氢硅加氢还原生产多晶硅过程中,影响产品品质的因素有:三氯氢硅提纯、三氯氢硅加氢还原和外来杂质等。多晶硅分析要求精度高而分析方法中存在不足,建议从整个多晶硅生产工艺来分析和判断多晶硅杂质产生的原因。
关键词 多晶硅 氢气 三氯氢硅 质量 影响因素
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等离子体-热丝CVD技术制备多晶硅薄膜 被引量:4
16
作者 刘丰珍 朱美芳 +3 位作者 冯勇 刘金龙 汪六九 韩一琴 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期499-503,共5页
采用热丝化学气相沉积和等离子体增强化学气相沉积相结合的技术制备了多晶硅薄膜 ,通过 Raman散射、XRD、吸收谱等手段研究了薄膜结构和光学性质 .结果表明 ,与单纯的热丝和等离子体技术相比 ,等离子体 -热丝CVD技术在一定条件下有助于... 采用热丝化学气相沉积和等离子体增强化学气相沉积相结合的技术制备了多晶硅薄膜 ,通过 Raman散射、XRD、吸收谱等手段研究了薄膜结构和光学性质 .结果表明 ,与单纯的热丝和等离子体技术相比 ,等离子体 -热丝CVD技术在一定条件下有助于薄膜的晶化和提高薄膜均匀性 .Auger谱研究表明等离子体的引入大大降低了硅化物在高温热丝表面的形成 . 展开更多
关键词 等离子体-热丝CVD 多晶硅薄膜 光学性质 薄膜结构
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多晶硅薄膜太阳能电池的研究现状 被引量:12
17
作者 吴斌 汪建华 +3 位作者 满卫东 熊礼威 谢鹏 孙蕾 《世界科技研究与发展》 CSCD 2008年第6期688-693,共6页
综述了各类太阳能电池的优缺点和研究应用现状,介绍了多晶硅薄膜太阳能电池的基本结构及制备工艺和多晶硅薄膜的各种不同制备方法及其优缺点,最后对多晶硅薄膜太阳能电池的研究及应用前景进行了展望。
关键词 太阳能电池 多晶硅 薄膜
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多晶硅中硼含量的密闭消解-ICP-AES法测定 被引量:15
18
作者 田俊 陈红雨 李核 《分析测试学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第9期962-965,共4页
采用恒压密闭消解的方法分解多晶硅样品,电感耦合等离子体原子发射光谱测定多晶硅样品中的硼含量。探讨了酸及络合剂的类型与用量对硼含量测定的影响,优化后的实验条件为:消解体系为2 mL HF+2 mL H2O+0.6 mL HNO3,络合剂为0.30 mL甘... 采用恒压密闭消解的方法分解多晶硅样品,电感耦合等离子体原子发射光谱测定多晶硅样品中的硼含量。探讨了酸及络合剂的类型与用量对硼含量测定的影响,优化后的实验条件为:消解体系为2 mL HF+2 mL H2O+0.6 mL HNO3,络合剂为0.30 mL甘露醇溶液(2.5 g/L),稀释剂为0.3 mol/L的硝酸。在最佳实验条件下,硼元素的回收率为91%~95%,相对标准偏差均小于5.0%。 展开更多
关键词 电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-AES) 多晶硅 甘露醇
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多晶硅太阳电池表面化学织构工艺 被引量:11
19
作者 赵百川 孟凡英 崔容强 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期759-762,共4页
用化学腐蚀方法织构多晶硅片的表面 ,利用SEM分析了化学腐蚀后多晶硅片表面状态 ,通过反射谱的测试 ,分析了多晶硅片表面陷光效果。结果表明酸溶液腐蚀的硅片表面相对平整 ,有均匀的腐蚀坑 ,反射率很小。在没有任何减反射膜的情况下 ,在... 用化学腐蚀方法织构多晶硅片的表面 ,利用SEM分析了化学腐蚀后多晶硅片表面状态 ,通过反射谱的测试 ,分析了多晶硅片表面陷光效果。结果表明酸溶液腐蚀的硅片表面相对平整 ,有均匀的腐蚀坑 ,反射率很小。在没有任何减反射膜的情况下 ,在 5 0 0~ 10 0 0nm波长范围内 ,反射率在 16%以下 ,有较好的表面陷光效果。而用碱溶液和双织构腐蚀方法得到的多晶硅表面陷光作用都不很理想 ,反射率高于酸溶液腐蚀硅片 。 展开更多
关键词 织构工艺 表面织构 化学腐蚀 多晶硅 太阳能电池
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非晶硅薄膜制备及其晶化特性研究 被引量:14
20
作者 罗士雨 冯磊 +4 位作者 汪洪 林辉 滕浩 黄涛华 周圣明 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期1191-1194,共4页
用磁控溅射法在K9玻璃上沉积了非晶硅(a-Si)膜和a-Si/Al膜,并将其在流动的N2气氛下进行退火。对退火前后的样品进行Raman光谱、XRD和SEM表征和分析。Raman光谱表明随着退火温度的升高,a-Si膜的散射峰出现了明显的蓝移,但XRD结果表明薄... 用磁控溅射法在K9玻璃上沉积了非晶硅(a-Si)膜和a-Si/Al膜,并将其在流动的N2气氛下进行退火。对退火前后的样品进行Raman光谱、XRD和SEM表征和分析。Raman光谱表明随着退火温度的升高,a-Si膜的散射峰出现了明显的蓝移,但XRD结果表明薄膜仍为非晶态;而a-Si/Al膜在温度很低时就已经开始晶化。 展开更多
关键词 磁控溅射 非晶硅 多晶硅
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