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PECVD氮化硅膜的性质与生长条件的关系 被引量：9
1
作者 杨爱龄 张秀淼 邵迪玲 《杭州大学学报（自然科学版）》 CSCD 1990年第2期174-183,共10页
本文研究由国产DD-P 250型等离子淀积设备制备的氮化硅膜的性质与膜的生长条件的关系.俄歇分析的估算表明膜的组份在纵向分布均匀,含氧量均较低(3%以下),任何使Si/N比增大的生长条件均会使固定界面正电荷增加,固定界面正电荷密度与陷阱... 本文研究由国产DD-P 250型等离子淀积设备制备的氮化硅膜的性质与膜的生长条件的关系.俄歇分析的估算表明膜的组份在纵向分布均匀,含氧量均较低(3%以下),任何使Si/N比增大的生长条件均会使固定界面正电荷增加,固定界面正电荷密度与陷阱密度均在10^(12)/cm^2量级,膜的导电机理显示Poole-Frenkel发射,当Si/N比为1.25～0.81时,膜的击穿场强为3.0～8.5MV/cm. 展开更多
关键词 氮化硅 薄膜 PECVD 性质 生长条件
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淀积条件对a-SiNx:H薄膜中含氢基团的影响
2
作者 朱永福 李牧菊 +5 位作者 杨柏梁 刘传珍 廖燕平 袁剑锋 刘雅言 申德振 《液晶与显示》 CAS CSCD 1999年第4期279-283,共5页
利用红外光谱研究了等离子体化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）方法淀积的ａ－ＳiＮｘ：Ｈ薄膜。分析了气体流量比（Ｒ）、衬底温度（Ｔｓ）以及射频功率（Ｐ(ｒｆ)）的变化对ａ－ＳｉＮｘ：Ｈ薄膜中ＳｉＨ、ＮＨ和ＮＨ２基团的吸收峰强度的... 利用红外光谱研究了等离子体化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）方法淀积的ａ－ＳiＮｘ：Ｈ薄膜。分析了气体流量比（Ｒ）、衬底温度（Ｔｓ）以及射频功率（Ｐ(ｒｆ)）的变化对ａ－ＳｉＮｘ：Ｈ薄膜中ＳｉＨ、ＮＨ和ＮＨ２基团的吸收峰强度的影响，同时研究了退火条件对ａ－ＳｉＮｘ：Ｈ薄膜中含氢基团的影响。 展开更多
关键词 等离子体化学气相沉积 非晶氮化硅薄膜 含氢范围
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