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Si衬底的氮化处理对ZnO薄膜质量的影响 被引量:11
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作者 王晓华 范希武 +4 位作者 李柄生 张吉英 刘益春 吕有明 申德振 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第8期783-786,共4页
用氮化处理的方法对Si衬底的表面进行钝化,外延生长出高质量的ZnO薄膜。ZnO薄膜的质量通过X 射线(XRD)、阴极射线(CL)谱和光致发光(PL)谱来表征。氮化的作用主要表现在生长ZnO薄膜的XRD的半高宽由未经氮化的0.25°;减小为经氮化后的... 用氮化处理的方法对Si衬底的表面进行钝化,外延生长出高质量的ZnO薄膜。ZnO薄膜的质量通过X 射线(XRD)、阴极射线(CL)谱和光致发光(PL)谱来表征。氮化的作用主要表现在生长ZnO薄膜的XRD的半高宽由未经氮化的0.25°;减小为经氮化后的0.20°,CL谱的紫外发光增强,深缺陷发光变弱。这说明,在ZnO外延生长前,对Si表面的氮化是一种提高其质量的有效方法。并对氮化处理提高ZnO薄膜质量的机理进行了探索。 展开更多
关键词 SI衬底 钝化 ZNO薄膜 氮化 薄膜质量 等离子增强化学气相沉积
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PECVD法低温制备二氧化硅薄膜(英文) 被引量:6
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作者 李东玲 尚正国 +1 位作者 温志渝 王胜强 《纳米技术与精密工程》 CAS CSCD 2013年第2期185-190,共6页
针对金属层间介质以及MEMS等对氧化硅薄膜的需求,介绍了采用等离子增强型化学气相沉积(PECVD)技术,以SiH4和N2O为反应气体,低温制备SiO2薄膜的方法.利用椭偏仪和应力测试系统对制得的SiO2薄膜的厚度、折射率、均匀性以及应力等性能指标... 针对金属层间介质以及MEMS等对氧化硅薄膜的需求,介绍了采用等离子增强型化学气相沉积(PECVD)技术,以SiH4和N2O为反应气体,低温制备SiO2薄膜的方法.利用椭偏仪和应力测试系统对制得的SiO2薄膜的厚度、折射率、均匀性以及应力等性能指标进行了测试,探讨了射频功率、反应腔室压力、气体流量比等关键工艺参数对SiO2薄膜性能的影响.结果表明:SiO2薄膜的折射率主要由N2O/SiH4的流量比决定,而薄膜均匀性主要受电极间距以及反应腔室压力的影响.通过优化工艺参数,在低温260℃下制备了折射率为1.45~1.52、均匀性为±0.64%、应力在-350~-16MPa可控的SiO2薄膜.采用该方法制备的SiO2薄膜均匀性好、结构致密、沉积速率快、沉积温度低且应力可控,可广泛应用于集成电路以及MEMS器件中. 展开更多
关键词 二氧化硅 等离子增强型化学气相沉积(pecvd) 折射率 均匀性 应力
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等离子体增强化学气相沉积法制备类金刚石薄膜研究综述 被引量:4
3
作者 马会中 路军涛 张兰 《科学技术与工程》 北大核心 2023年第18期7597-7606,共10页
类金刚石薄膜由于其独特的物理化学特性,使得该薄膜在光学、电学、机械、医学、航空航天等领域得到了广泛应用。等离子体增强化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapor deposition,PECVD)制备类金刚石是近几十年兴起的新的制备类金... 类金刚石薄膜由于其独特的物理化学特性,使得该薄膜在光学、电学、机械、医学、航空航天等领域得到了广泛应用。等离子体增强化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapor deposition,PECVD)制备类金刚石是近几十年兴起的新的制备类金刚石薄膜的方法,因其对沉积温度要求低,对基底友好,同时还具有沉积速率快和无转移生长的优势,获得了越来越多的研究者关注。详细介绍了类金刚石薄膜优异的特性,阐述了在等离子化学气相沉积条件下,不同沉积条件对沉积类金刚石薄膜结构特性的影响。衬底的选择直接影响着沉积类金刚石薄膜的性能,不同的衬底直接决定着生成类金刚石结构中sp^(3)相的数量和质量;沉积参数是最为常见的控制条件,对沉积薄膜的总体效果影响也是最大的,改变沉积参数,沉积薄膜的表面将会变得更加光滑致密;常用的掺杂元素是硅和氮,掺杂元素的引入往往是为了降低沉积薄膜的内应力,提高与衬底间的结合力,延长使用寿命等;由于很难直接在金属上沉积类金刚石薄膜,所以常通过制备复合层来改善沉积效果。最后对类金刚石薄膜的发展以及今后研究方向进行了展望。 展开更多
关键词 等离子体增强化学气相沉积(pecvd) 类金刚石薄膜 沉积条件 掺杂 复合层
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GaSb基PECVD法制备SiO_2薄膜的应力研究 被引量:5
4
作者 王志伟 郝永芹 +5 位作者 李洋 谢检来 王霞 晏长岭 魏志鹏 马晓辉 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第7期935-941,共7页
为了实现在GaSb衬底上获得低应力的SiO_2薄膜,研究了等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)在晶格失配较大的GaSb衬底上沉积SiO_2薄膜的应力情况。通过改变薄膜沉积时的工艺条件,如反应温度、射频功率、反应压强、气体流量比,并基于曲率法... 为了实现在GaSb衬底上获得低应力的SiO_2薄膜,研究了等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)在晶格失配较大的GaSb衬底上沉积SiO_2薄膜的应力情况。通过改变薄膜沉积时的工艺条件,如反应温度、射频功率、反应压强、气体流量比,并基于曲率法模型,对镀膜前后的曲率半径进行了实验测量,利用Stoney公式计算相关应力值并绘制应力变化曲线。详细讨论了PECVD工艺条件的改变对SiO_2薄膜应力所产生的影响。同时通过在Si衬底上沉积SiO_2薄膜,对比分析了导致薄膜应力产生的因素及变化过程。实验结果表明,在沉积温度为300℃、射频功率为20 W、腔体压强为90 Pa、气体流量比SiH_4/N_2O为125/70 cm^3·min^(-1)的工艺参数下,PECVD法在GaSb衬底上沉积的SiO_2薄膜应力相对较小。 展开更多
关键词 GASB pecvd SIO2薄膜 应力
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衬底材料对μc-Si:H薄膜结构特性的影响 被引量:4
5
作者 陈永生 杨仕娥 +2 位作者 卢景霄 王海燕 李瑞 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期116-120,共5页
对在不锈钢和玻璃衬底上沉积的μc-Si:H薄膜进行了拉曼光谱和扫描电子显微(SEM)分析。拉曼分析显示在相同的工艺参数下,玻璃衬底上沉积的μc-Si:H薄膜的晶化率高于不锈钢衬底上沉积的薄膜,这可能是由于衬底与等离子体之间的电势差不... 对在不锈钢和玻璃衬底上沉积的μc-Si:H薄膜进行了拉曼光谱和扫描电子显微(SEM)分析。拉曼分析显示在相同的工艺参数下,玻璃衬底上沉积的μc-Si:H薄膜的晶化率高于不锈钢衬底上沉积的薄膜,这可能是由于衬底与等离子体之间的电势差不同和衬底表面形貌两方面所致。SEM观察表明玻璃衬底上沉积的μc-Si:H薄膜由尺寸介于200~100nm的团簇构成。 展开更多
关键词 等离子体辅助化学气相沉积 拉曼散射谱 晶化率 团簇
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用锌有机源和CO_2/H_2混合气源PECVD沉积ZnO薄膜 被引量:4
6
作者 张萌 王应民 +4 位作者 徐鹏 蔡莉 李禾 程国安 刘庭芝 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期639-640,共2页
在等离子体作用下,以CO2/H2混合气为氧源,Zn(C2H5)2锌为锌源,在单晶硅上生长出高度择优取向的氧化锌薄膜。X射线衍射分析表明,薄膜为六方结构,c轴高度择优;原子力显微镜观察到晶粒是有规律地按六方排布,薄膜的表面粗糙度较小;从光致发... 在等离子体作用下,以CO2/H2混合气为氧源,Zn(C2H5)2锌为锌源,在单晶硅上生长出高度择优取向的氧化锌薄膜。X射线衍射分析表明,薄膜为六方结构,c轴高度择优;原子力显微镜观察到晶粒是有规律地按六方排布,薄膜的表面粗糙度较小;从光致发光谱还发现在380 nm处有非常强的紫外峰。 展开更多
关键词 薄膜光学 ZNO 等离子体增强化学气相沉积
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基于复合过渡层的DLC涂层残余热应力仿真分析
7
作者 黄珂 顾德华 +6 位作者 邵思武 乔自平 李君安 陈良贤 刘金龙 李成明 魏俊俊 《材料热处理学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第11期224-233,共10页
利用ANSYS软件热固耦合模块对类金刚石(DLC)涂层的残余热应力进行有限元分析,模拟等离子体增强化学气相沉积(PECVD)制备DLC涂层从沉积温度150℃降温至22℃的过程,研究不同DLC厚度、过渡层(Cr、WC)结构及过渡层厚度对DLC涂层残余热应力... 利用ANSYS软件热固耦合模块对类金刚石(DLC)涂层的残余热应力进行有限元分析,模拟等离子体增强化学气相沉积(PECVD)制备DLC涂层从沉积温度150℃降温至22℃的过程,研究不同DLC厚度、过渡层(Cr、WC)结构及过渡层厚度对DLC涂层残余热应力的大小及应力分布的影响。结果表明:无论是DLC涂层厚度还是复合过渡层厚度的增大都有利于降低DLC涂层的热应力,但两者都具有临界最优值。较无过渡层的DLC涂层而言,过渡层WC、Cr层的单独存在都可降低DLC涂层的热应力,且WC层厚度变化的影响更明显。采用Cr/WC复合梯度过渡层结构设计,可进一步降低基底与DLC涂层之间的热膨胀系数过渡梯度,从而更有效地降低DLC涂层的热应力。 展开更多
关键词 等离子体增强化学气相沉积(pecvd) 类金刚石(DLC) 复合过渡层 ANSYS 残余热应力
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Preparation of TiO2/MCM-41 by plasma enhanced chemical vapor deposition method and its photocatalytic activity 被引量:3
8
作者 Shenghung WANG Kuohua WANG +1 位作者 Jihmirn JEHNG Lichen LIU 《Frontiers of Environmental Science & Engineering》 SCIE EI CAS CSCD 2012年第3期304-312,共9页
Titanium dioxide is coated on the surface of MCM-41 wafer through the plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method using titanium isopropoxide (TTIP) as a precursor. Annealing temperature is a key fact... Titanium dioxide is coated on the surface of MCM-41 wafer through the plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method using titanium isopropoxide (TTIP) as a precursor. Annealing temperature is a key factor affecting crystal phase of titanium dioxide. It will transform an amorphous structure to a polycrystalline structure by increasing temperature. The optimum anatase phase of TiO2 which can acquire the best methanol conversion under UV-light irradiation is obtained under an annealing temperature of 700℃ for 2 h, substrate tem- perature of 500~C, 70 mL. min1 of oxygen flow rate, and 100W of plasma power. In addition, the films are composed of an anatase-rutile mixed phase, and the ratio of anatase to rutile varies with substrate temperature and oxygen flow rate. The particle sizes of titanium dioxide are between 30.3 nm and 59.9nm by the calculation of Scherrer equation. Under the reaction conditions of ll6.8mg.L-1 methanol, 2.9mg.L-1 moisture, and 75~C of reaction temperature, the best conversion of methanol with UV-light is 48.2% by using the anatase-rutile (91.3/ 8.7) mixed phase TiO2 in a batch reactor for 60 min. While under fluorescent light irradiation, the best photoactivity appears by using the anatase-rutile (55.4/44.6) mixed phase TiO2 with a conversion of 40.0%. 展开更多
关键词 PHOTOCATALYST titanium dioxide MCM-41 plasma enhanced chemical vapor deposition pecvd
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PECVD沉积双层SiN_x对太阳电池性能的影响 被引量:4
9
作者 凡金星 施正荣 +3 位作者 张光春 杨健 陈如龙 李果华 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第3期192-196,共5页
提出了一种简单有效的制备双层SiNx薄膜的方法,其薄膜具有良好的减反射钝化特性。采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的方法,通过控制SiH4和NH3气体流量比,在p型多晶硅衬底上生长单层及双层SiNx膜。随后使用薄膜测试分析仪测量了薄膜... 提出了一种简单有效的制备双层SiNx薄膜的方法,其薄膜具有良好的减反射钝化特性。采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的方法,通过控制SiH4和NH3气体流量比,在p型多晶硅衬底上生长单层及双层SiNx膜。随后使用薄膜测试分析仪测量了薄膜的厚度、折射率及反射率,并用Semilab WT-2000测量少数载流子寿命,通过测量量子效率,对单、双层膜电池进行了比较。实验结果表明:相比单层减反射钝化膜,采用双层SiNx膜,少数载流子寿命可以得到更好的改善,开路电压可提高约2 mV,短路电流可提高约40 mA,电池效率能提高0.15%。 展开更多
关键词 双层SiNx 等离子体增强化学气相沉积 减反射膜 太阳电池 少数载流子寿命
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等离子体化学气相沉积类金刚石碳膜的特性及应用 被引量:3
10
作者 蔺增 巴德纯 杨乃恒 《真空》 CAS 北大核心 2006年第3期14-17,共4页
类金刚石(DLC)膜是含有sp3杂化态的亚稳态非晶碳膜,是具有极高的硬度、化学稳定性和光学透明性的半导体材料。这篇综述介绍了用等离子体化学气相沉积DLC膜的沉积方法、所制备薄膜的特性及应用,最后展望了DLC膜的发展趋势。
关键词 类金刚石碳膜 等离子体化学气相沉积 特性 应用
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站立式石墨烯的化学气相沉积及其应用:现状与展望
11
作者 区昊雄 颜鑫承 +1 位作者 王超 刁东风 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第32期4748-4762,共15页
站立式石墨烯(vertical graphene,VG)是一种纵向生长的石墨烯材料.它一方面具备石墨烯诸多物理化学性质,另一方面由于片层取向与衬底垂直,具有丰富锐利的边缘和巨大的比表面积,故而具有独特的性能优势,在新能源、传感器、半导体等领域... 站立式石墨烯(vertical graphene,VG)是一种纵向生长的石墨烯材料.它一方面具备石墨烯诸多物理化学性质,另一方面由于片层取向与衬底垂直,具有丰富锐利的边缘和巨大的比表面积,故而具有独特的性能优势,在新能源、传感器、半导体等领域展示出巨大的应用潜力.目前,人们已经开发出多种制备VG的方法,其中化学气相沉积(chemical vapor deposition,CVD)法有利于大面积生长和器件化,逐渐成为主要方法之一.VG的CVD生长过程可分为形成缓冲层、石墨烯成核、片层垂直生长三个阶段,其独特的站立式结构是电场、温度场、衬底催化等作用的复杂结果.目前,VG已经应用于新型电源、高灵敏传感器、生物医疗技术、柔性可穿戴电子等领域.但由于需要较高的环境温度或催化性衬底才能形成,因此VG在可穿戴设备、柔性电子等场景的应用发展较慢.作者认为在柔性衬底表面实现VG的低温生长将成为该领域的重点突破方向。本文从VG的结构与性质、形成机理、生长技术以及应用进展四个方面综述其研究现状,并对其生长技术和应用的发展趋势进行展望. 展开更多
关键词 站立式石墨烯 化学气相沉积 VG生长机理 柔性传感
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氩稀释无氨氮化硅薄膜的制备 被引量:3
12
作者 赵润 高鹏飞 +2 位作者 刘浩 李庆伟 何刚 《微纳电子技术》 北大核心 2016年第5期345-350,共6页
氮化硅(SiNx)薄膜是一种广泛应用于半导体光电器件的介质膜,其性质的优劣直接影响器件的性能。使用SiH4与NH3作为反应气体制备出的氮化硅薄膜含有大量氢,应用于某些光电器件时,会导致器件工作时光电特性不稳定。针对此问题研发了一种使... 氮化硅(SiNx)薄膜是一种广泛应用于半导体光电器件的介质膜,其性质的优劣直接影响器件的性能。使用SiH4与NH3作为反应气体制备出的氮化硅薄膜含有大量氢,应用于某些光电器件时,会导致器件工作时光电特性不稳定。针对此问题研发了一种使用SiH4与N2作为反应气体,Ar作为稀释气体的工艺方法,即无氨工艺。使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法,通过研究各工艺参数对薄膜性能的影响,制备出了一种含氢量低的氮化硅薄膜。通过傅里叶变换红外吸收谱(FTIR)测试了无氨工艺制备的氮化硅薄膜的含氢量,和使用SiH4与NH3作为反应气体制备出的氮化硅薄膜相比含氢量明显降低。 展开更多
关键词 氮化硅(SiNx)薄膜 等离子体增强化学气相沉积(pecvd) 无氨工艺 氩稀释 傅里叶变换红外光谱分析法(FTIR)
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H_2稀释在PECVD法制备微晶硅薄膜中的影响 被引量:3
13
作者 王生钊 卢景霄 +5 位作者 王红娟 刘萍 陈永生 张丽伟 杨仕娥 郜小勇 《可再生能源》 CAS 2006年第4期18-20,共3页
利用等离子增强化学气相沉积(PECVD)技术,研究了H稀释度D=H 2/(H 2+SiH 4)对在玻璃和不锈钢衬底上低温制备微晶硅薄膜的晶化率、晶粒尺寸、薄膜质量等的影响。结果表明,随着硅烷浓度的降低,样品的晶化率、晶粒尺寸有所改变。当D=99%时,... 利用等离子增强化学气相沉积(PECVD)技术,研究了H稀释度D=H 2/(H 2+SiH 4)对在玻璃和不锈钢衬底上低温制备微晶硅薄膜的晶化率、晶粒尺寸、薄膜质量等的影响。结果表明,随着硅烷浓度的降低,样品的晶化率、晶粒尺寸有所改变。当D=99%时,晶粒突然变大,晶化率显著提高。因此,我们认为此时的硅薄膜由非晶硅转化为微晶硅。 展开更多
关键词 pecvd 氢稀释 微晶硅薄膜
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模拟分析SiH_4和N_2O产生等离子体加强化学沉积制备SiO_2薄膜 被引量:3
14
作者 陈心园 黄建 +2 位作者 邓伟 王维 周筑文 《贵州师范学院学报》 2014年第9期75-79,共5页
通过等离子体粒子模拟实验(PIC),成功模拟了硅烷(SiH4)和笑气(N2O)的等离子体加强化学沉积(PECVD)制备SiO2薄膜的过程。模拟实验过程分析了电离后各种离子的动能、以及鞘层的空间和能量分布。分析这些物理参量,对比SiH4和N2O的等离子体... 通过等离子体粒子模拟实验(PIC),成功模拟了硅烷(SiH4)和笑气(N2O)的等离子体加强化学沉积(PECVD)制备SiO2薄膜的过程。模拟实验过程分析了电离后各种离子的动能、以及鞘层的空间和能量分布。分析这些物理参量,对比SiH4和N2O的等离子体加强化学沉积实验中的化学反应式,模拟实验结果从动能、能量空间分布的角度都能合理地解释等离子体加强化学沉积制备SiO2薄膜的实验过程,通过这些粒子模拟实验(PIC),从理论上合理地解释了使用SiH4和N2O形成SiO2薄膜的一些形成机制。 展开更多
关键词 粒子模拟实验 硅烷 笑气 二氧化硅 等离子体加强化学沉积(pecvd) SIO2薄膜
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氧化后退火技术对SiO2/4H-SiC界面态密度的影响 被引量:3
15
作者 杨涛涛 韩军 +5 位作者 林文魁 曾春红 张璇 孙玉华 张宝顺 鞠涛 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第1期48-52,共5页
采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)低温处理和高温快速退火的技术,研究了退火条件对SiO2/4H-SiC界面态密度的影响。在n型4H-SiC外延片上高温干氧氧化50 nm厚的SiO2层并经N2原位退火,随后在PECVD炉中对样品进行350℃退火气氛为PH3,N... 采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)低温处理和高温快速退火的技术,研究了退火条件对SiO2/4H-SiC界面态密度的影响。在n型4H-SiC外延片上高温干氧氧化50 nm厚的SiO2层并经N2原位退火,随后在PECVD炉中对样品进行350℃退火气氛为PH3,N2O,H2和N2的后退火处理,之后进行高温快速退火,最后制备Al电极4H-SiC MOS电容。I-V和C-V测试结果表明,各样品的氧化层击穿场强均大于9 MV/cm,PH3处理可以降低界面有效负电荷和近界面氧化层陷阱电荷,但PH3处理样品的界面态密度比N2O处理的结果要高。经N2O氛围PECVD后退火样品在距离导带0.2和0.4 eV处的界面态密度分别约为1.7×10^12和4×10^11eV^-1·cm^-2,有望用于SiC MOSFET器件的栅氧处理。 展开更多
关键词 4H-SIC MOS电容 C-V测试 界面态密度 等离子体增强化学气相沉积(pecvd)
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RF-PECVD法研究碳纳米管的生长特性 被引量:3
16
作者 李玮玮 李明吉 杨保和 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期79-81,共3页
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD),以Fe作为催化剂,在Si基片上生长了碳纳米管(CNT),采用扫描电子显微镜(SEM)、高分辨透射电子显微镜(HR TEM)以及显微Raman光谱等对制备的CNT的形貌及结构进行了表征。结果表明:700... 采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD),以Fe作为催化剂,在Si基片上生长了碳纳米管(CNT),采用扫描电子显微镜(SEM)、高分辨透射电子显微镜(HR TEM)以及显微Raman光谱等对制备的CNT的形貌及结构进行了表征。结果表明:700℃和800℃温度下生长的CNT均取向无序、弯曲缠结,由整齐排列的圆筒状石墨片构成,层间距约为0.34 nm,属于结晶性多壁CNT;在700℃基片温度下生长的CNT均匀细长,管径约为15~20 nm,长度约2μm;800℃基片温度下生长的CNT纯度较高。 展开更多
关键词 碳纳米管(CNT) 等离子体增强化学气相沉积(pecvd) Fe催化剂 基片温度
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掺硼纳米非晶硅的太阳能电池窗口层应用研究 被引量:2
17
作者 李喆 张溪文 韩高荣 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期119-124,共6页
本文通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法沉积p型纳米非晶硅薄膜(na-Si∶H),系统地研究了掺杂气体比(B2H6/SiH4)、沉积温度、射频电源功率对薄膜结构、光学、电学性能的影响。研究表明,轻掺硼有利于非晶硅薄膜晶化,但随着掺硼量的增... 本文通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法沉积p型纳米非晶硅薄膜(na-Si∶H),系统地研究了掺杂气体比(B2H6/SiH4)、沉积温度、射频电源功率对薄膜结构、光学、电学性能的影响。研究表明,轻掺硼有利于非晶硅薄膜晶化,但随着掺硼量的增加,硼的"毒化"作用又使薄膜变为非晶态;与p型a-Si∶H相比,掺硼纳米硅薄膜的光学带隙Eopt较高,电导率较高,电导激活能较低,是一种很有潜力的太阳能电池窗口层材料。 展开更多
关键词 等离子体增强化学气相沉积 纳米非晶硅 硼掺杂 掺杂比 光学带隙
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激发频率对纳米晶硅薄膜晶化特性的影响 被引量:3
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作者 何佳 邱海宁 《实验室研究与探索》 CAS 北大核心 2012年第12期17-18,23,共3页
为制备高质量的纳米晶硅薄膜,采用等离子体化学气相沉积方法,以硅烷、高纯氢为源气体,氢稀释率保持在98%,衬底温度200℃,反应气压100 Pa,沉积时间60 min,在射频频率分别为13.56、54.24 MHz下合成了纳米晶硅薄膜。利用Raman光谱和X射线... 为制备高质量的纳米晶硅薄膜,采用等离子体化学气相沉积方法,以硅烷、高纯氢为源气体,氢稀释率保持在98%,衬底温度200℃,反应气压100 Pa,沉积时间60 min,在射频频率分别为13.56、54.24 MHz下合成了纳米晶硅薄膜。利用Raman光谱和X射线衍射技术分析了样品,结果表明,高激发频率可促进薄膜从非晶硅到纳米晶硅的转化,有利于提高薄膜的晶化率,且晶粒具有各种晶体取向,没有出现择优生长。当激发频率从13.56 MHz升高到54.24 MHz时,晶化率相应从9%提高到72%。 展开更多
关键词 纳米晶硅 等离子体化学气相沉积 晶化率
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10m长管道内壁类金刚石薄膜沉积及性能 被引量:1
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作者 靳朋礼 田修波 巩春志 《中国表面工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第6期49-56,共8页
工业生产过程中管道内壁经常受到输送物质的腐蚀和磨损,对管道内壁进行涂层防护十分必要,而目前鲜有在大长径比管道内壁镀膜的报道,且缺乏对大长径比管道内壁膜层性能的研究。采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术在直径100 mm、长1... 工业生产过程中管道内壁经常受到输送物质的腐蚀和磨损,对管道内壁进行涂层防护十分必要,而目前鲜有在大长径比管道内壁镀膜的报道,且缺乏对大长径比管道内壁膜层性能的研究。采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术在直径100 mm、长10 m管道内壁沉积类金刚石(DLC)薄膜,并研究管道内工作气体的等离子体放电辉光光谱、膜层表面亮度、水静态接触角、硬度、摩擦因数和拉曼光谱等。结果表明:管道内等离子体光谱显示管内等离子体中有Ar^(+)和乙炔分解成的C_(2)、H和CH;膜层表面的亮度L*最高达到37.4和色差ΔE^(*)最大1.9,膜层拉曼光谱结果表明靠近管道两端和中间位置膜层的I_(D)/I_(G)均匀,膜层水静态接触角显示靠近管道两端的膜层接触角略小;靠近管道两端膜层硬度相比中间位置的膜层硬度高,并且磨损测试中膜层均未出现破损剥落,膜层具有高的耐磨性。试验实现了在大长径比的管道内壁沉积耐磨损的DLC膜层,为长管道内壁均匀镀膜提供了理论支持和技术指导。 展开更多
关键词 等离子体增强化学气相沉积(pecvd) 长管道 内壁镀膜 类金刚石
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无氨氮化硅薄膜在MEMS硅腐蚀中的应用 被引量:2
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作者 胥超 徐永青 杨志 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2014年第3期194-197,202,共5页
研究了等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)生长的无氨氮化硅薄膜作为掩蔽层在MEMS硅腐蚀工艺中的应用。比较了PECVD不同工艺条件(衬底温度和功率)以及不同四甲基氢氧化铵(TMAH)硅腐蚀液温度对无氨氮化硅薄膜硅腐蚀掩蔽效果的影响。通过优... 研究了等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)生长的无氨氮化硅薄膜作为掩蔽层在MEMS硅腐蚀工艺中的应用。比较了PECVD不同工艺条件(衬底温度和功率)以及不同四甲基氢氧化铵(TMAH)硅腐蚀液温度对无氨氮化硅薄膜硅腐蚀掩蔽效果的影响。通过优化无氨氮化硅薄膜生长条件和硅腐蚀液温度,得到了高质量的氮化硅薄膜,颗粒以及针孔密度较少,0.2μm以上颗粒度小于100,提高了硅腐蚀掩蔽选择比。实验结果显示优化生长条件的氮化硅薄膜(衬底温度350℃,功率30 W),在85℃的TMAH硅腐蚀液中,硅的腐蚀速率为68μm/h,氮化硅薄膜腐蚀速率为33.2 nm/h,硅与氮化硅的腐蚀选择比为2 048,满足MEMS体硅腐蚀工艺对于掩膜特性的要求。 展开更多
关键词 无氨氮化硅 硅腐蚀 等离子体增强化学汽相淀积(pecvd) 腐蚀比 颗粒
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