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High-performance GaSb planar PN junction detector
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作者 Yuanzhi Cui Hongyue Hao +13 位作者 Shihao Zhang Shuo Wang Jing Zhang Yifan Shan Ruoyu Xie Xiaoyu Wang Chuang Wang Mengchen Liu Dongwei Jiang Yingqiang Xu Guowei Wang Donghai Wu Zhichuan Niu Derang Cao 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2024年第9期48-52,共5页
This paper examines GaSb short-wavelength infrared detectors employing planar PN junctions. The fabrication was based on the Zn diffusion process and the diffusion temperature was optimized. Characterization revealed ... This paper examines GaSb short-wavelength infrared detectors employing planar PN junctions. The fabrication was based on the Zn diffusion process and the diffusion temperature was optimized. Characterization revealed a 50% cut-off wavelength of 1.73 μm, a maximum detectivity of 8.73 × 10^(10) cm·Hz^(1/2)/W, and a minimum dark current density of 1.02 × 10^(-5) A/cm^(2).Additionally, a maximum quantum efficiency of 60.3% was achieved. Subsequent optimization of fabrication enabled the realization of a 320 × 256 focal plane array that exhibited satisfactory imaging results. Remarkably, the GaSb planar detectors demonstrated potential in low-cost short wavelength infrared imaging, without requiring material epitaxy or deposition. 展开更多
关键词 ANTIMONIDE short-wave infrared planar junction zinc diffusion
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InAs/GaSb Ⅱ类超晶格材料的Si离子注入研究
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作者 何苗 周易 +7 位作者 应翔霄 梁钊铭 黄敏 王志芳 朱艺红 廖科才 王楠 陈建新 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第1期15-22,共8页
Ⅱ类超晶格红外探测器一般通过台面结实现对红外辐射的探测,而通过离子注入实现横向PN结,一方面材料外延工艺简单,同时可以利用超晶格材料横向扩散长度远高于纵向的优势改善光生载流子的输运,且易于制作高密度平面型阵列。本文利用多种... Ⅱ类超晶格红外探测器一般通过台面结实现对红外辐射的探测,而通过离子注入实现横向PN结,一方面材料外延工艺简单,同时可以利用超晶格材料横向扩散长度远高于纵向的优势改善光生载流子的输运,且易于制作高密度平面型阵列。本文利用多种材料表征技术,研究了不同能量的Si离子注入以及退火前后对InAs/GaSb Ⅱ类超晶格材料性能的影响。研究通过Si离子注入,外延材料由P型变为N型,超晶格材料中产生了垂直方向的拉伸应变,晶格常数变大,且失配度随着注入能量的增大而增大,注入前失配度为-0.012%,当注入能量到200 keV时,失配度达到0.072%,超晶格部分弛豫,弛豫程度为14%,而在300℃ 60 s退火后,超晶格恢复完全应变状态,且晶格常数变小,这种张应变是退火引起的Ga-In相互扩散以及Si替位导致的晶格收缩而造成的。 展开更多
关键词 InAs/GaSbⅡ类超晶格 离子注入 平面结 退火 HRXRD
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Enhanced topological superconductivity in an asymmetrical planar Josephson junction
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作者 张二虎 张钰 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第4期200-207,共8页
As a platform for holding Majorana zero models(MZMs),the two-dimensional planar topological Josephson junction that can be used as carriers for topological quantum computing faces some challenges.One is a combination ... As a platform for holding Majorana zero models(MZMs),the two-dimensional planar topological Josephson junction that can be used as carriers for topological quantum computing faces some challenges.One is a combination of mirror and time-reversal symmetries may make the system hold multiple pairs of MZMs.The other is that a soft gap dominated by a large momentum occurs in a clean system.To solve these problems,asymmetric junction can be introduced.Breaking this symmetry changes the symmetry class from class BDI to class D,and only a single pair of MZMs can be left at the boundary of the system.We numerically study four cases that create an asymmetric system and find out different superconducting pairing potential,different coupling coefficients between two-dimensional electron gases(2DEGs)and two superconducting bulks,different widths of two superconducting bulks make the gap of the system decrease at the optimal value,but make the gap at the minimum value increases.And the zigzag-shape quasi-one-dimensional junction eliminates the large momentum parallel to the junction and enhances the gap at the large momentum.However,the zigzag-shape junction cannot increase the gap at the region of multiple pairs of MZMs in a symmetric system.We show that by combining zigzag-shape junction with different coupling coefficients,the system can maintain a large gap(≈0.2△)in a wide region of the parameter space. 展开更多
关键词 topological superconductivity planar Josephson junction Majorana zero modes
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平面结场板结构表面场分布的二维解析 被引量:2
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作者 何进 张兴 +1 位作者 黄如 王阳元 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第7期915-918,共4页
提出了基于二维泊松方程解的平面结场板结构的二维表面电场解析物理模型 .在该模型基础上 ,分析了衬底掺杂浓度、场板厚度和长度对二维表面场分布的影响 .解析预言的场分布与击穿电压的计算结果与先前的数值分析基本符合 .
关键词 平面结 场板结构 电场分布 击穿电压
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Labeling Line Drawings with Hidden-Part-Drawn of Planar Object with Trihedral Vertices 被引量:1
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作者 GAO Man-tun CAI Xu-peng 《Computer Aided Drafting,Design and Manufacturing》 2015年第2期1-13,共13页
Although line drawings consist of only line segments on a plane, they convey much information about the three-dimensional object structures. For a computer interpreting line drawings, some intelligent mechanism is req... Although line drawings consist of only line segments on a plane, they convey much information about the three-dimensional object structures. For a computer interpreting line drawings, some intelligent mechanism is required to extract three-dimensional information from the two-dimensional line drawings. In this paper, a new labeling theory and method are proposed for the two-dimensional line drawing with hidden-part-draw of a three-dimensional planar object with trihedral vertices. Some rules for labeling line drawing are established. There are 24 kinds of possible junctions for line drawing with hidden-part-draw, in which there are 8 possible Y and 16 W junctions. The three problems are solved that Sugihara's line drawing labeling technique exists. By analyzing the projections of the holes in manifold planar object, we have put forward a labeling method for the line drawing. Our labeling theory and method can discriminate between correct and incorrect hidden-part-draw natural line drawings. The hidden-part-draw natural line drawings can be labeled correctly by our labeling theory and method, whereas the labeling theory of Sugihara can only label the hidden-part-draw unnatural line drawings in which some visible lines must be drawn as hidden lines, and some invisible lines must be drawn as continuous lines. 展开更多
关键词 image understanding line drawing LABELING junction line drawing with hidden-part-drawn planar object
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圆柱突变结击穿电压及电场沿结边的分布 被引量:1
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作者 何进 《半导体情报》 2001年第1期54-57,共4页
基于横向侧扩散与纵向体扩散结深构成椭圆形冶金结外形这一与工艺实际相符合的假设 ,通过圆柱对称解的归一化 ,提出了平面结击穿电场沿结边分布的解析解。理论结果阐述了不同结深及结边形状对边缘区击穿电压的影响规律 ,说明了表面击穿... 基于横向侧扩散与纵向体扩散结深构成椭圆形冶金结外形这一与工艺实际相符合的假设 ,通过圆柱对称解的归一化 ,提出了平面结击穿电场沿结边分布的解析解。理论结果阐述了不同结深及结边形状对边缘区击穿电压的影响规律 ,说明了表面击穿电压总是小于体内击穿电压的原因。 展开更多
关键词 平面结 击穿电压 结深 电场分布 圆柱突变结
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A simple expression for impurity distribution after multiple diffusion processes
7
作者 胡浩 陈星弼 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期17-20,共4页
There are several diffusion processes with different temperatures in modern semiconductor technology.The impurity distribution after these diffusion processes is analyzed and a simple expression for describing the dis... There are several diffusion processes with different temperatures in modern semiconductor technology.The impurity distribution after these diffusion processes is analyzed and a simple expression for describing the distribution is given.It is found that the impurity distribution after multiple diffusion processes can be characterized with an effective diffusion length.The relation between this effective diffusion length and the diffusion lengths of each diffusion process is given and shows itself to be very simple and instructive.The results of the expression agree well with numerical simulations by using SUPREMⅣ.An example of the application of the expression is also shown. 展开更多
关键词 impurity distribution multiple diffusions planar junction
原文传递
High resolution scanning optical imaging of a frozen planar polymer light-emitting electrochemical cell: an experimental and modelling study
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作者 Faleh AITal Jun Gao 《Science China Chemistry》 SCIE EI CAS CSCD 2017年第4期497-503,共7页
Light-emitting electrochemical cells(LECs) are organic photonic devices based on a mixed electronic and ionic conductor.The active layer of a polymer-based LEC consists of a luminescent polymer,an ion-solvating/transp... Light-emitting electrochemical cells(LECs) are organic photonic devices based on a mixed electronic and ionic conductor.The active layer of a polymer-based LEC consists of a luminescent polymer,an ion-solvating/transport polymer,and a compatible salt.The LEC p-n or p-i-n junction is ultimately responsible for the LEC performance.The LEC junction,however,is still poorly understood due to the difficulties of characterizing a dynamic-junction LEC.In this paper,we present an experimental and modeling study of the LEC junction using scanning optical imaging techniques.Planar LECs with an interelectrode spacing of 560μm have been fabricated,activated,frozen and scanned using a focused laser beam.The optical-beam-induced-current(OBIC)and photoluminescence(PL) data have been recorded as a function of beam location.The OBIC profile has been simulated in COMSOL that allowed for the determination of the doping concentration and the depletion width of the LEC junction. 展开更多
关键词 light-emitting electrochemical cell optical beam induced current frozen junction planar LECs polymer p-n junction
原文传递
船闸平面形态突变对泄洪影响的数值模拟
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作者 解学超 赵佳源 李泳龙 《水运工程》 北大核心 2023年第10期33-36,51,共5页
岷江龙溪口航电枢纽工程中船闸与泄洪闸相邻布置,上闸首和闸室外墙结构断面不同导致船闸平面形态发生突变,泄洪时突扩区域将出现大范围回流、乱流等恶劣流态,影响枢纽泄洪。通过建立平面二维数学模型,计算闸室外墙前趾布置导墙前后的流... 岷江龙溪口航电枢纽工程中船闸与泄洪闸相邻布置,上闸首和闸室外墙结构断面不同导致船闸平面形态发生突变,泄洪时突扩区域将出现大范围回流、乱流等恶劣流态,影响枢纽泄洪。通过建立平面二维数学模型,计算闸室外墙前趾布置导墙前后的流场分布,结果显示:回流长度约为突扩宽度的2倍,按此范围布置导墙可基本消除回流,曲线形导墙能够使纵向流速等值线呈均匀递减分布,流态优化效果较好。 展开更多
关键词 船闸平面形态突变 枢纽泄洪 平面二维数学模型 流态优化
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平面PN结InSb红外焦平面探测器的研究 被引量:3
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作者 李忠贺 李海燕 +2 位作者 杜红燕 亢喆 邱国臣 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2015年第7期814-816,共3页
研究了基于Be离子注入技术的平面型和Cd扩散技术的台面型锑化铟红外焦平面阵列(IRFPA)探测器芯片工艺流程。并进行了芯片I-V、成像结果等对比测试,Be离子注入平面型器件和扩散台面型芯片的性能水平相当,具备一定的工程应用水平。
关键词 锑化铟 离子注入 红外焦平面阵列探测器 平面结
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用MATLAB和打靶法实现平面PN结一维泊松方程的简捷计算 被引量:2
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作者 王忆锋 毛京湘 《红外》 CAS 2010年第2期44-46,共3页
对泊松方程有效地进行数值计算是PN结电荷分布与静电势之间关系分析的一个基本问题。介绍了一种利用MATLAB和打靶法求解平面PN结一维泊松方程的简捷方法。该方法的计算结果与有限差分法吻合得很好,并具有编程简单、使用方便的特点。
关键词 平面PN结 泊松方程 打靶法 MATLAB
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扩散平面结反偏压下的电场分布与击穿电压 被引量:2
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作者 陈星弼 曾军 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第5期491-499,共9页
采用以结深r_j及qN_Br_j^2/ε:为归一化因子的长度和电压(N_?为衬底杂质浓度,q、ε_?的意义如常),通过简单的计算公式及程序,算出了包括各种实用扩散结的平面、边、角的耗尽层厚度,结面上电场和最大电场与结电压的关系,击穿电压与结深... 采用以结深r_j及qN_Br_j^2/ε:为归一化因子的长度和电压(N_?为衬底杂质浓度,q、ε_?的意义如常),通过简单的计算公式及程序,算出了包括各种实用扩散结的平面、边、角的耗尽层厚度,结面上电场和最大电场与结电压的关系,击穿电压与结深的关系。为便于实用,给出了与扩散工艺条件有关的量作参考的曲线族。对边、角部分的击穿电压有时可高于平面部分的击穿电压的情况,进行了物理解释。 展开更多
关键词 扩散平面结 电场 结电压 击穿电压
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用边界元素法模拟FP-JTE终端结构
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作者 武自录 罗晋生 《计算物理》 CSCD 北大核心 1999年第2期192-198,共7页
提出了一种无须进行电离积分的用于高压结终端模拟的边界元素法,分析了界面电荷对FPJTE终端结构击穿电压的影响,结果表明击穿电压几乎与界面电荷浓度呈线性关系。
关键词 边界元 场板 平面结终端 终端扩展 集成电路
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面阵LED路灯:低功率密度应用中的光色电热特性 被引量:2
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作者 韩秋漪 戴惟 +2 位作者 李福生 章开明 张善端 《中国照明电器》 2016年第10期23-28,共6页
介绍了1款低功率密度的面阵LED路灯的光色电热性能和应用。该路灯在色温5 000 K,显色指数70时,光效高达170 lm/W;在功率密度0.11~0.55 W/cm^2、基板温度45~85℃的范围内,结温只比基板温度高2~7℃。该路灯包含多块低功率密度封装的LED面... 介绍了1款低功率密度的面阵LED路灯的光色电热性能和应用。该路灯在色温5 000 K,显色指数70时,光效高达170 lm/W;在功率密度0.11~0.55 W/cm^2、基板温度45~85℃的范围内,结温只比基板温度高2~7℃。该路灯包含多块低功率密度封装的LED面光源模块,配合整体式配光的玻璃透镜,可以实现良好的蝙蝠翼配光,满足道路照明标准的要求。该路灯还具有成本低、无眩光危害、安装方便的特点,可以直接改装现有的高压钠灯灯具。该路灯可用于替换高压钠灯和金卤灯等传统路灯,节能70%以上。 展开更多
关键词 LED封装 面阵光源 低功率密度 结温测试 无眩光
原文传递
Transport properties in monolayer–bilayer–monolayer graphene planar junctions
15
作者 储开龙 王孜博 +1 位作者 周娇娇 江华 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2017年第6期338-345,共8页
The transport study of graphene based junctions has become one of the focuses in graphene research. There are two stacking configurations for monolayer–bilayer–monolayer graphene planar junctions. One is the two mon... The transport study of graphene based junctions has become one of the focuses in graphene research. There are two stacking configurations for monolayer–bilayer–monolayer graphene planar junctions. One is the two monolayer graphene contacting the same side of the bilayer graphene, and the other is the two-monolayer graphene contacting the different layers of the bilayer graphene. In this paper, according to the Landauer–Büttiker formula, we study the transport properties of these two configurations. The influences of the local gate potential in each part, the bias potential in bilayer graphene,the disorder and external magnetic field on conductance are obtained. We find the conductances of the two configurations can be manipulated by all of these effects. Especially, one can distinguish the two stacking configurations by introducing the bias potential into the bilayer graphene. The strong disorder and the external magnetic field will make the two stacking configurations indistinguishable in the transport experiment. 展开更多
关键词 monolayer graphene bilayer graphene graphene planar junction
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基于热扩散制备平面PN结InSb红外焦平面芯片 被引量:1
16
作者 亢喆 邱国臣 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2014年第7期757-762,共6页
研究了一种基于在锑化铟衬底材料上以热扩散工艺制备平面PN结的红外焦平面阵列(IRFPA)探测器芯片结构及其工艺流程。根据锑化铟材料的特性设计了新的焦平面器件制备流程,选择了等离子增强化学气相淀积(PECVD)淀积的非晶氧化硅(SiO2)、... 研究了一种基于在锑化铟衬底材料上以热扩散工艺制备平面PN结的红外焦平面阵列(IRFPA)探测器芯片结构及其工艺流程。根据锑化铟材料的特性设计了新的焦平面器件制备流程,选择了等离子增强化学气相淀积(PECVD)淀积的非晶氧化硅(SiO2)、氮氧化硅(SiON)薄膜作为扩散工艺中的掩膜材料。在此基础上制备出了具有较好的I-V特性曲线的焦平面芯片。 展开更多
关键词 锑化铟 红外焦平面阵列探测器 平面PN结 热扩散
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FP-FLR结终端结构的模拟分析 被引量:1
17
作者 武自录 李文宏 +1 位作者 梁苏军 罗晋生 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 1999年第2期73-74,78,共3页
用边界元素法开发成功了高压结终端通用模拟器BREAK,利用该软件对浮置金属场板与浮置场限环的复合终端结构进行了仿真计算,并与用TMAMEDICI4.0的仿真结果进行了比较,仿真结果与实验符合较好。
关键词 平面结终端 场板 功率器件 半导体器件 FP-FLR
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含移动铰平面连杆机构动态静力分析键合图法 被引量:1
18
作者 王中双 吴建华 《哈尔滨工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第S1期47-52,共6页
阐述了建立含有移动铰的平面连杆机构键合图模型的一般方法.将运动副约束反力视做未知势源加在系统键合图模型相应的0-结处,不能完全消除系统键合图模型的微分因果关系.在考虑混合因果关系情况下,推导出便于计算机自动生成的系统驱动力... 阐述了建立含有移动铰的平面连杆机构键合图模型的一般方法.将运动副约束反力视做未知势源加在系统键合图模型相应的0-结处,不能完全消除系统键合图模型的微分因果关系.在考虑混合因果关系情况下,推导出便于计算机自动生成的系统驱动力矩及运动副约束反力方程的统一公式,克服了微分因果关系及非线性结型结构给计算机自动进行系统动态静力分析所带来的代数困难.所述方法特别适合于多能域并存的系统,通过实例说明本文方法的有效性. 展开更多
关键词 键合图 平面连杆机构 移动铰 动态静力分析 混合因果关系 非线性结型结构
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场限制环的安全环距设计原理 被引量:1
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作者 季超仁 陆景唐 +1 位作者 宋汉斌 董鸣 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1996年第3期216-220,共5页
场限制环作为一种可与许多器件工艺相容的PN结终端得到了广泛应用。存在的一个问题是其效果随结构参数有过分敏感的变化。文中认为:作为设计指导思想的最佳环距原则是加重这一敏感性的重要原因。作为改进,提出了新的安全环距设计原... 场限制环作为一种可与许多器件工艺相容的PN结终端得到了广泛应用。存在的一个问题是其效果随结构参数有过分敏感的变化。文中认为:作为设计指导思想的最佳环距原则是加重这一敏感性的重要原因。作为改进,提出了新的安全环距设计原则。按安全环距原则设计,除可明显缓解终端效果随结构参数敏感变化的问题外,还可有效地提高在同样结构和工艺条件下所制成器件的额定电压。 展开更多
关键词 场限制环 安全环距 PN结 半导体物理
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FP-JTE终端扩展区注入剂量对击穿电压的影响
20
作者 武自录 王行业 罗晋生 《郑州大学学报(自然科学版)》 CAS 1998年第1期43-47,共5页
提出了一种无须进行电离积分的用于高压结终端模拟的边界元素法,分析了下FP-JTE终端结构中扩展区注入剂量对击穿电压的影响,结果表明击穿电压与注入剂量呈线性关系,场板可减弱击穿电压对注入剂量的敏感性.
关键词 场板 结终端扩展 终端扩展区 击穿电压 注入剂量
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