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4H-SiC同质外延的绿带发光与缺陷的关系
被引量：
5
1
作者
贾仁需
张义门
+2 位作者
张玉明
郭辉
栾苏珍
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第7期4456-4458,共3页
利用室温光致发光谱(PL)对CVD法生长的4H-SiC同质外延特性进行研究,发现有绿带发光(GL)特性.用扫描电子显微镜(SEM)、二次离子质谱(SIMS)和X射线光电子谱(XPS)技术获得了4H-SiC样品纵截面形貌和元素相对含量分布.结果表明,GL与4H-SiC晶...
利用室温光致发光谱(PL)对CVD法生长的4H-SiC同质外延特性进行研究,发现有绿带发光(GL)特性.用扫描电子显微镜(SEM)、二次离子质谱(SIMS)和X射线光电子谱(XPS)技术获得了4H-SiC样品纵截面形貌和元素相对含量分布.结果表明,GL与4H-SiC晶体中碳空位(VC)及络合体缺陷相关,VC和缓冲层的扩展缺陷(点缺陷和刃位错等)是GL微观来源.GL的半峰宽(FWHM)反映了参与复合发光的VC及其络合缺陷能级分散的程度.室温下获得的样品GL强度和光谱波长度可用于分析4H-SiC外延中缺陷分布和晶体质量.
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关键词
绿带发光
4
h
-
sic
同质
外延
晶体缺陷
原文传递
p型4H-SiC同质外延有效层厚度
2
作者
杨龙
赵丽霞
吴会旺
《微纳电子技术》
北大核心
2020年第4期277-281,共5页
通过化学气相沉积法,采用不同生长工艺在4°偏角4H-SiC衬底上制备p型4H-SiC同质外延片。提出了p型4H-SiC同质外延中有效层厚度的概念,研究发现导致外延有效层厚度减少的直接原因是自掺杂效应的存在。采用傅里叶红外光谱仪(FT-IR)、...
通过化学气相沉积法,采用不同生长工艺在4°偏角4H-SiC衬底上制备p型4H-SiC同质外延片。提出了p型4H-SiC同质外延中有效层厚度的概念,研究发现导致外延有效层厚度减少的直接原因是自掺杂效应的存在。采用傅里叶红外光谱仪(FT-IR)、汞探针电容电压(Hg-CV)和表面缺陷测试仪对p型4H-SiC同质外延片进行表征,讨论了不同工艺对外延有效层厚度的影响。结果表明,采用隔离法和阻挡层法均能提高外延有效层厚度,且掺杂浓度随距表面深度变化斜率值由1.323减小到0.073。然而,阻挡层法斜率值能进一步优化至0.050,是由于有效抑制了外延中固相和气相自掺杂。对比于优化前工艺,采用阻挡层法制备的p型4H-SiC同质外延片厚度不均匀性和表面总缺陷数量处于同一水平,掺杂浓度不均匀性由2.95%改善到2.67%。综上,采用阻挡层法能够制备出高有效层厚度、高一致性和高质量的p型4H-SiC同质外延片。
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关键词
p
型
4
h
-
sic
同质
外延
片
有效层厚度
阻挡层法
隔离法
自掺杂
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职称材料
题名
4H-SiC同质外延的绿带发光与缺陷的关系
被引量：
5
1
作者
贾仁需
张义门
张玉明
郭辉
栾苏珍
机构
西安电子科技大学微电子学院
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第7期4456-4458,共3页
基金
国家重点基础研究发展计划(973)(批准号:51327020202)
西安-应用材料创新基金(批准号:XA-AM-200704)资助的课题~~
文摘
利用室温光致发光谱(PL)对CVD法生长的4H-SiC同质外延特性进行研究,发现有绿带发光(GL)特性.用扫描电子显微镜(SEM)、二次离子质谱(SIMS)和X射线光电子谱(XPS)技术获得了4H-SiC样品纵截面形貌和元素相对含量分布.结果表明,GL与4H-SiC晶体中碳空位(VC)及络合体缺陷相关,VC和缓冲层的扩展缺陷(点缺陷和刃位错等)是GL微观来源.GL的半峰宽(FWHM)反映了参与复合发光的VC及其络合缺陷能级分散的程度.室温下获得的样品GL强度和光谱波长度可用于分析4H-SiC外延中缺陷分布和晶体质量.
关键词
绿带发光
4
h
-
sic
同质
外延
晶体缺陷
Keywords
Green-band luminescence,
4
h
-
sic
h
omoe
p
itaxial layers, crystal defect
分类号
O734 [理学—晶体学]
O77
原文传递
题名
p型4H-SiC同质外延有效层厚度
2
作者
杨龙
赵丽霞
吴会旺
机构
河北普兴电子科技股份有限公司
河北省新型半导体材料重点实验室
出处
《微纳电子技术》
北大核心
2020年第4期277-281,共5页
文摘
通过化学气相沉积法,采用不同生长工艺在4°偏角4H-SiC衬底上制备p型4H-SiC同质外延片。提出了p型4H-SiC同质外延中有效层厚度的概念,研究发现导致外延有效层厚度减少的直接原因是自掺杂效应的存在。采用傅里叶红外光谱仪(FT-IR)、汞探针电容电压(Hg-CV)和表面缺陷测试仪对p型4H-SiC同质外延片进行表征,讨论了不同工艺对外延有效层厚度的影响。结果表明,采用隔离法和阻挡层法均能提高外延有效层厚度,且掺杂浓度随距表面深度变化斜率值由1.323减小到0.073。然而,阻挡层法斜率值能进一步优化至0.050,是由于有效抑制了外延中固相和气相自掺杂。对比于优化前工艺,采用阻挡层法制备的p型4H-SiC同质外延片厚度不均匀性和表面总缺陷数量处于同一水平,掺杂浓度不均匀性由2.95%改善到2.67%。综上,采用阻挡层法能够制备出高有效层厚度、高一致性和高质量的p型4H-SiC同质外延片。
关键词
p
型
4
h
-
sic
同质
外延
片
有效层厚度
阻挡层法
隔离法
自掺杂
Keywords
p
-ty
p
e
4
h
-
sic
h
omo-e
p
itaxial wafer
effective layer t
h
ickness
barrier layer met
h
od
segregation met
h
od
self-do
p
ing
分类号
TN304.054 [电子电信—物理电子学]
TN304.24
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
4H-SiC同质外延的绿带发光与缺陷的关系
贾仁需
张义门
张玉明
郭辉
栾苏珍
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
5
原文传递
2
p型4H-SiC同质外延有效层厚度
杨龙
赵丽霞
吴会旺
《微纳电子技术》
北大核心
2020
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
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引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
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