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氧化物薄膜电化学沉积的研究进展 被引量:15
1
作者 熊金平 叶皓 +1 位作者 赵景茂 左禹 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2002年第2期4-6,共3页
综述了氧化物薄膜电化学沉积的工艺条件与参数及其影响 ,给出了氧化物薄膜沉积的对象 。
关键词 电化学沉积 氧化物薄膜 工艺条件 功能复合材料
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The Role of Oxide Thin Layer in Inverted Structure Polymer Solar Cells
2
作者 Orawan Wiranwetchayan Zhiqiang Liang +2 位作者 Qifeng Zhang Guozhong Cao Pisith Singjai 《Materials Sciences and Applications》 2011年第12期1697-1701,共5页
The role of wide band gap oxide thin layer in inverted structure polymer solar cells was investigated by employing oxide films of TiO2 and Nb2O5approximately 10 nm in thickness deposited onto FTO substrates. The exper... The role of wide band gap oxide thin layer in inverted structure polymer solar cells was investigated by employing oxide films of TiO2 and Nb2O5approximately 10 nm in thickness deposited onto FTO substrates. The experimental results demonstrated that the thin oxide layer serving to separate the electron collecting electrode and the photoactive film of a blend of poly(3-hexylthiophene) (P3HT) and phenyl-C61-butyric acid methyl ester (PCBM) was necessary to promote the formation of continuous uniform PCBM film to block holes in P3HT from being recombined with electrons in collecting electrode. A use of TiO2 buffer layer leads to power conversion efficiency as high as 2.8%. As for Nb2O5, in spite the fact that its conduction band is higher than the LUMO level of PCBM polymer acting as electron transport material, a power conversion of 2.7%, which was only slightly different from the 2.8% achieved for the cell employing TiO2. These experimental results suggest a tunneling mechanism for the electrons to transport from the PCBM to collecting electrode over the oxide film, instead of a diffusion through the oxide film arising from either energy or concentration difference of the photogenerated electrons. 展开更多
关键词 Polymer SOLAR Cell oxide thin film TiO2 thin film NB2O5 thin film
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氧化镓薄膜的氧敏特性研究 被引量:1
3
作者 马英仁 徐晓峰 +1 位作者 孟娟 雷鸣亮 《黑龙江大学自然科学学报》 CAS 1997年第3期59-61,共3页
使用射频溅射法制作了Ga2O3薄膜并对其氧敏特性和温度特性进进了测试和研究,结果表明薄膜电阻与环境气氛中的氧分压的1/4次方成比例而与温度呈指数律关系。使用单电离氧空位模型成功地解决了实验结果。
关键词 氧化物薄膜 氧敏特性 气体传感器 射频溅射法
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Photovoltaic properties of Cu_2O-based heterojunction solar cells using n-type oxide semiconductor nano thin films prepared by low damage magnetron sputtering method 被引量:1
4
作者 Toshihiro Miyata Kyosuke Watanabe +1 位作者 Hiroki Tokunaga Tadatsugu Minami 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2019年第3期29-32,共4页
We improved the photovoltaic properties of Cu_2O-based heterojunction solar cells using n-type oxide semiconductor thin films prepared by a sputtering apparatus with our newly developed multi-chamber system. We also o... We improved the photovoltaic properties of Cu_2O-based heterojunction solar cells using n-type oxide semiconductor thin films prepared by a sputtering apparatus with our newly developed multi-chamber system. We also obtained the highest efficiency(3.21%) in an AZO/p-Cu_2O heterojunction solar cell prepared with optimized pre-sputtering conditions using our newly developed multi-chamber sputtering system. This value achieves the same or higher characteristics than AZO/Cu_2O solar cells with a similar structure prepared by the pulse laser deposition method. 展开更多
关键词 CU2O AZO solar cell oxide thin film MAGNETRON SPUTTERING
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由氧化层厚度估算化学反应扩散掺杂量的研究 被引量:2
5
作者 魏晋云 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第3期287-288,共2页
在化学反应扩散制备p/n结的过程中,伴随生成的SiO2薄膜的厚度与扩散进入硅中的掺杂量有确定的关系(QSi=cd),由此可由氧化层厚度简便地估算扩散掺杂量。
关键词 太阳能电池 氧化层 掺杂量 液态源磷扩散
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基于分子源SrTiO_3薄膜同质外延生长的Monte Carlo模拟Ⅰ:生长机制、模型与算法
6
作者 张青磊 朱基亮 +4 位作者 谭浚哲 于光龙 吴家刚 朱建国 肖定全 《四川大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2005年第S1期135-139,共5页
提出了一种在极低的生长速率下(例如分子外延技术),以SrTi O3为代表的ABO3型氧化物薄膜的生长机理,并针对这一生长机制,给出了基于Monte Carlo方法的三维模型和模拟算法.模拟基于Solid on Solid模型,并采用周期性的边界条件;模拟中通过... 提出了一种在极低的生长速率下(例如分子外延技术),以SrTi O3为代表的ABO3型氧化物薄膜的生长机理,并针对这一生长机制,给出了基于Monte Carlo方法的三维模型和模拟算法.模拟基于Solid on Solid模型,并采用周期性的边界条件;模拟中通过库仑作用势引入了基底对沉积分子的影响;Monte Carlo事件由沉积事件、扩散事件、吸附成核事件组成;分子扩散能力与扩散激活能相关. 展开更多
关键词 MONTE CARLO模拟 薄膜生长 分子源 SrTiO_3薄膜 氧化物
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Nb掺杂BaTiO_3薄膜的激光分子束外延及其特性
7
作者 颜 雷 吕惠宾 +4 位作者 戴守愚 陈正豪 陈 凡 赵 彤 杨国桢 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第z1期61-63,共3页
用激光分子束外延方法在SrTiO3(100)基底上外延生长了BaNbxTi1-xO3(0.01≤x≤0.03)导电薄膜.原子力显微镜测得BaNb0.3Ti0.7O3薄膜表面均方根粗糙度在2μm×2μm范围内为2.4(?)... 用激光分子束外延方法在SrTiO3(100)基底上外延生长了BaNbxTi1-xO3(0.01≤x≤0.03)导电薄膜.原子力显微镜测得BaNb0.3Ti0.7O3薄膜表面均方根粗糙度在2μm×2μm范围内为2.4(?),达到原子尺度光滑.霍尔测量表明BaNbxTi1-xO3薄膜为n型导电薄膜;在室温下,BaNb0.02Ti0.98O3、BaNb0.2Ti0.8O3和BaNb0.3Ti0.7O3薄膜的电阻率分别为2.43×10-4Ω·cm、1.98×10-4Ω·cm和1.297×10-4Ω·cm,载流子浓度分别为5.9×1021cm-1、6.37×1021cm-1和9.9×102lcm-1. 展开更多
关键词 激光分子束外延 氧化物薄膜 BaNb0.3Ti07O3 超晶格 n型导电薄膜.
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高温氧化薄膜中残余应力分析和试验方法
8
作者 杨于兴 《上海金属》 CAS 1997年第2期58-61,共4页
介绍一种高温氧化薄膜应力的测定技术,在一定高温氧化条件下能测定氧化膜中的生长应力,在某一温度变化范围内能测定氧化膜中的热应力,这种技术可在普通衍射仪上进行。
关键词 氧化薄膜 测定 生长应力 热应力 残余应力
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ZnO薄膜p型掺杂的研究进展 被引量:21
9
作者 叶志镇 张银珠 +1 位作者 徐伟中 吕建国 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期11-18,共8页
ZnO是一种新型的II-VI族半导体材料,具有许多优异的性能.但由于ZnO存在诸多的本征施主缺陷(如空位氧Vo和间隙锌Zni),对受主产生高度自补偿作用,天然为n型半导体,难以实现p型转变.ZnO薄膜p型掺杂的实现是ZnO基光电器件的关键技术,也一直... ZnO是一种新型的II-VI族半导体材料,具有许多优异的性能.但由于ZnO存在诸多的本征施主缺陷(如空位氧Vo和间隙锌Zni),对受主产生高度自补偿作用,天然为n型半导体,难以实现p型转变.ZnO薄膜p型掺杂的实现是ZnO基光电器件的关键技术,也一直是ZnO研究中的主要课题,目前已取得重大进展,文章对此进行了详细阐述. 展开更多
关键词 研究进展 ZNO薄膜 P型掺杂 氧化锌 半导体
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ZnO薄膜生长技术的最新研究进展 被引量:11
10
作者 汪雷 《材料导报》 EI CAS CSCD 2002年第9期33-36,共4页
ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,目前已研究开发了许多ZnO薄膜的生长技术。其中,磁控溅射、喷雾热分解、分子束外延、激光脉冲沉积、金属有机物化学气相外延等沉积技术得到了有效应用;而一些新的工艺方法,如溶胶-凝胶、原子层处延、... ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,目前已研究开发了许多ZnO薄膜的生长技术。其中,磁控溅射、喷雾热分解、分子束外延、激光脉冲沉积、金属有机物化学气相外延等沉积技术得到了有效应用;而一些新的工艺方法,如溶胶-凝胶、原子层处延、化学浴沉积、离子吸附成膜、离子束辅助沉积、薄膜氧化等也进行了深入研究。详细阐述了ZnO薄膜生长技术的最新研究进展。 展开更多
关键词 研究进展 ZNO薄膜 生长技术 喷雾热分解 分子光外延 氧化锌 半导体材料 磁控溅射
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溶胶-凝胶法制备二氧化锡薄膜 被引量:10
11
作者 潘庆谊 张剑平 +2 位作者 董晓雯 程知萱 施利毅 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 2001年第1期6-9,共4页
以无机物 (SnCl4 ·5H2 O)为前驱物采用溶胶 凝胶技术、浸渍涂布法制备二氧化锡薄膜。研究了凝胶的脱水与晶化过程 ,得到经 6 0 0℃热处理后凝胶晶化完整。同时对不同粘度的涂布液与成膜厚度以及不同提拉速度与成膜厚度的关系进行研... 以无机物 (SnCl4 ·5H2 O)为前驱物采用溶胶 凝胶技术、浸渍涂布法制备二氧化锡薄膜。研究了凝胶的脱水与晶化过程 ,得到经 6 0 0℃热处理后凝胶晶化完整。同时对不同粘度的涂布液与成膜厚度以及不同提拉速度与成膜厚度的关系进行研究 ,得到较好的直线关系。膜厚与提拉速度的关系式为t≈V0 展开更多
关键词 溶胶凝胶法 二氧化锡薄膜 厚度 浸渍涂布法
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电致变色纳米氧化镍薄膜的溶胶-凝胶法制备与表征 被引量:10
12
作者 王连超 孟凡利 +2 位作者 孙宇峰 黄行九 刘锦淮 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期1391-1396,共6页
以无水氯化镍、乙醇为前驱液,加入适量的丁醇和柠檬酸为稳定剂,通过回流、水解得到稳定的溶胶;采用浸渍-提拉的方法在ITO导电玻璃上形成均匀的膜层;分析了溶胶制备中加水量的影响;研究了热处理温度对制备膜层的结构、光透过率的影响;对... 以无水氯化镍、乙醇为前驱液,加入适量的丁醇和柠檬酸为稳定剂,通过回流、水解得到稳定的溶胶;采用浸渍-提拉的方法在ITO导电玻璃上形成均匀的膜层;分析了溶胶制备中加水量的影响;研究了热处理温度对制备膜层的结构、光透过率的影响;对经过不同处理的膜层进行X射线衍射、透射电子显微镜、扫描电子显微镜、热重分析等研究表明:在空气中加热到350℃、保温30min薄膜分解为稳定的具有立方结构的NiO纳米晶;以氢氧化钾水溶液为电解质的循环伏安、电致变色实验结果表明制备的纳米氧化镍薄膜具有良好的电致变色特性. 展开更多
关键词 溶胶-凝胶 电致变色 纳米晶 氧化镍薄膜.
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纳米Cu_2O/TiO_2异质结薄膜电极的制备和表征 被引量:16
13
作者 唐一文 陈志钢 +2 位作者 张丽莎 贾志勇 张新 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期453-458,共6页
通过阴极还原在纳米TiO2膜上电沉积Cu2O,获得了p-Cu2O/n-TiO2异质结电极.研究了沉积温度对Cu2O膜厚、纯度和形貌的影响,制备出纯度较高、粒径为40-50nm的Cu2O 薄膜.纳米Cu2O膜在200℃烧结后透光性最好,禁带宽度为2.06eV.光电化学... 通过阴极还原在纳米TiO2膜上电沉积Cu2O,获得了p-Cu2O/n-TiO2异质结电极.研究了沉积温度对Cu2O膜厚、纯度和形貌的影响,制备出纯度较高、粒径为40-50nm的Cu2O 薄膜.纳米Cu2O膜在200℃烧结后透光性最好,禁带宽度为2.06eV.光电化学测试表明纳米 p-Cu2O/n-TiO2异质结电极呈现较强的n-型光电流响应并且能够提高光电转换效率. 展开更多
关键词 氧化亚铜薄膜 二氧化钛膜 异质结电极 光电化学
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中频交流反应溅射TiO_2薄膜的制备及性能研究 被引量:7
14
作者 侯亚奇 庄大明 +1 位作者 张弓 吴敏生 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2001年第6期457-460,共4页
利用中频交流磁控溅射设备用金属Ti靶制备出了TiO2 薄膜。用椭偏仪测试了TiO2 薄膜的厚度和折射率 ,用俄歇电子能谱、扫描电子显微镜、X射线衍射仪和紫外及可见光分光光度计分别测试了TiO2 薄膜的表面成分、表面形貌、晶体结构及其紫外... 利用中频交流磁控溅射设备用金属Ti靶制备出了TiO2 薄膜。用椭偏仪测试了TiO2 薄膜的厚度和折射率 ,用俄歇电子能谱、扫描电子显微镜、X射线衍射仪和紫外及可见光分光光度计分别测试了TiO2 薄膜的表面成分、表面形貌、晶体结构及其紫外及可见光透射谱 ,并初步探讨了工艺因素对薄膜性质的影响。实验结果表明 :所制备的氧化钛薄膜O/Ti比符合化学计量比 ,而且O/Ti比随O2 流量的变化不大 ;TiO2 薄膜结构主要为锐钛矿型 ;薄膜表面致密 ;TiO2 薄膜光学性能较好 ,透射比较高 ;但O2 流量较低时透射比明显下降。 展开更多
关键词 TIO2薄膜 中频交流磁控溅射 光催化降解 锐钛矿 二氧化钛薄膜 制备 有机物 光学性能 光催化剂
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掺杂氧化钨薄膜的电致变色特性 被引量:10
15
作者 李建军 陈国平 +1 位作者 刘云峰 黄蕙芬 《真空》 CAS 北大核心 2001年第2期33-35,共3页
掺杂氧化钼对氧化钨薄膜的电致变色特性有一定的影响。本文介绍了用电子束蒸发制备不同 Mo O3掺杂比例的氧化钨膜。对其着色态与漂白态的光学特性以及循环伏安特性进行了实验研究。通过对循环伏安曲线的分析 。
关键词 电致变色 氧化钨薄膜 氧化钼掺杂 电致变色材料 循环伏安法 电子束蒸发
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一种制备氧化钒薄膜的新工艺 被引量:11
16
作者 王宏臣 易新建 +2 位作者 黄光 肖静 陈四海 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期280-282,共3页
 采用两步法工艺,即先在衬底上溅射一层金属钒膜,再对其进行氧化的方法,在硅和氮化硅衬底上制备了高电阻温度系数的混合相VOx多晶薄膜。电学测试结果表明:厚度为50nm的氧化钒薄膜的方块电阻和电阻温度系数(TCR)在室温时分别达到50kΩ和...  采用两步法工艺,即先在衬底上溅射一层金属钒膜,再对其进行氧化的方法,在硅和氮化硅衬底上制备了高电阻温度系数的混合相VOx多晶薄膜。电学测试结果表明:厚度为50nm的氧化钒薄膜的方块电阻和电阻温度系数(TCR)在室温时分别达到50kΩ和0.021K-1。 展开更多
关键词 红外探测器 氧化钒薄膜 离子束溅射淀积 热敏薄膜
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PMMA/纳米ZnO薄膜的紫外屏蔽性能研究 被引量:13
17
作者 洪晓东 邓恩燕 杨东旭 《中国塑料》 CAS CSCD 北大核心 2013年第1期48-51,共4页
采用硅烷偶联剂对纳米ZnO进行了表面改性,并采用旋转涂膜法制备了聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)/纳米ZnO薄膜,研究了薄膜的紫外屏蔽性能。结果表明,表面改性的纳米ZnO在水和甲苯中均无明显沉淀现象,其溶解性得到改善;改性纳米ZnO红外图谱中877... 采用硅烷偶联剂对纳米ZnO进行了表面改性,并采用旋转涂膜法制备了聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)/纳米ZnO薄膜,研究了薄膜的紫外屏蔽性能。结果表明,表面改性的纳米ZnO在水和甲苯中均无明显沉淀现象,其溶解性得到改善;改性纳米ZnO红外图谱中877cm-1处出现的新吸收峰,可证实偶联剂已成功修饰于粒子表面;光学显微镜与原子力显微镜测试表明,改性ZnO在PMMA薄膜中的颗粒团聚减少,其分散性得到改善。当PMMA在甲苯中浓度为0.04g/mL、纳米ZnO为PMMA质量的10%时,薄膜的紫外屏蔽性能最好,紫外区透过率为0.66;相同配比的PMMA/改性ZnO薄膜的紫外屏蔽性能明显提高,紫外区透过率为0.53。 展开更多
关键词 聚甲基丙烯酸甲酯 纳米氧化锌 薄膜 紫外屏蔽
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双靶磁控溅射制备掺W氧化钒薄膜的研究 被引量:1
18
作者 崔敬忠 达道安 +2 位作者 邱家稳 李喜梅 王枚 《真空与低温》 1999年第2期77-80,共4页
用双靶磁控溅射制备了掺钨氧化钒薄膜。X射线电子谱(XPS)对所沉积的薄膜进行了分析,发现掺W氧化钒薄膜的相结构比较复杂。通过特征峰标定了这些相。用面积灵敏度因子方法得到W掺杂量的结果。原子力显微镜给出了薄膜的表面形貌... 用双靶磁控溅射制备了掺钨氧化钒薄膜。X射线电子谱(XPS)对所沉积的薄膜进行了分析,发现掺W氧化钒薄膜的相结构比较复杂。通过特征峰标定了这些相。用面积灵敏度因子方法得到W掺杂量的结果。原子力显微镜给出了薄膜的表面形貌。其表面形貌特征随沉积条件的不同有一定的变化。 展开更多
关键词 氧化钒 薄膜 钨掺杂 磁控溅射 XPS分析
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退火温度对TiO_2薄膜光学性能的影响 被引量:1
19
作者 侯亚奇 庄大明 +2 位作者 张弓 赵明 吴敏生 《清华大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第11期1441-1443,共3页
为确定合适的TiO2薄膜退火工艺,研究了退火温度对采用中频交流反应磁控溅射技术制备的TiO2薄膜光学性能的影响。利用分光光度计测得石英玻璃基体TiO2薄膜试样的透射谱和反射谱,用包络线法和经验公式法计算出薄膜的光学常数。结果表明:T... 为确定合适的TiO2薄膜退火工艺,研究了退火温度对采用中频交流反应磁控溅射技术制备的TiO2薄膜光学性能的影响。利用分光光度计测得石英玻璃基体TiO2薄膜试样的透射谱和反射谱,用包络线法和经验公式法计算出薄膜的光学常数。结果表明:TiO2薄膜的折射率随退火温度的上升而增加,低温退火时薄膜消光系数略有减小,500℃退火时TiO2薄膜具有最优的光学性能。 展开更多
关键词 退火温度 二氧化钛薄膜 光学性能 中频交流磁控溅射 薄膜光学
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高性能金属铟镓锌氧化物TFT的研究 被引量:10
20
作者 刘翔 张盛东 +3 位作者 薛建设 宁策 杨静 王刚 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第2期130-133,共4页
在2.5 G试验线上研究了金属氧化物IGZO薄膜晶体管(TFT)的性能,获得良好的IGZO TFT性能,迁移率为10.65cm2/V·s,阈值电压Vth为-1.5 V,开态电流为1.58×10-4 A,关态电流为3.0×10-12,开关比为5.27×107,亚阈值摆幅为0.44V... 在2.5 G试验线上研究了金属氧化物IGZO薄膜晶体管(TFT)的性能,获得良好的IGZO TFT性能,迁移率为10.65cm2/V·s,阈值电压Vth为-1.5 V,开态电流为1.58×10-4 A,关态电流为3.0×10-12,开关比为5.27×107,亚阈值摆幅为0.44V/Dev,验证了TFT的均一性和重复性。此外还研究了可见光照和电压偏应力对IGZO TFT性能的影响,可见光照不会促使IGZO TFT Vth的漂移,进行2 h的负偏电压应力测试,IGZO TFT的Vth几乎没有漂移。使用上述IGZO TFT基板成功地制作了中国大陆第一款Oxide-LCD样机(18.5英寸),展现出良好的效果。 展开更多
关键词 金属氧化物薄膜晶体管 铟镓锌氧化物半导体 高迁移率 高性能
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