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FeCrVTa_(0.4)W_(0.4)高熵合金氮化物薄膜的微观结构与性能 被引量:5
1
作者 王子鑫 张勇 《工程科学学报》 EI CSCD 北大核心 2021年第5期684-692,共9页
实验利用单靶射频磁控溅射技术,在单晶硅基底上,制备了两个系列FeCrVTa_(0.4)W_(0.4)高熵合金氮化物薄膜,即FeCrVTa_(0.4)W_(0.4)氮化物成分梯度多层薄膜和(FeCrVTa_(0.4)W_(0.4))Nx单层薄膜,其中,多层薄膜用于太阳光谱选择性吸收薄膜.... 实验利用单靶射频磁控溅射技术,在单晶硅基底上,制备了两个系列FeCrVTa_(0.4)W_(0.4)高熵合金氮化物薄膜,即FeCrVTa_(0.4)W_(0.4)氮化物成分梯度多层薄膜和(FeCrVTa_(0.4)W_(0.4))Nx单层薄膜,其中,多层薄膜用于太阳光谱选择性吸收薄膜.通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、纳米力学探针、原子力显微镜(AFM)、紫外−可见分光光度计、接触角测量仪和四探针测试台对FeCrVTa_(0.4)W_(0.4)高熵合金氮化物薄膜进行微观结构分析以及性能表征.结果表明:在不通入氮气时,薄膜为非晶结构,当氮气含量升高后,转变为面心立方固溶体结构;当表层氮气流量为15 mL·min^(−1)时,FeCrVTa_(0.4)W_(0.4)氮化物多层薄膜及单层薄膜均具有最佳的力学性能,其中,多层薄膜的硬度为22.05 GPa,模量为287.4 GPa,单层薄膜的硬度为22.8 GPa,模量为280.7 GPa,随着表层氮气含量的继续增加,力学性能下降;FeCrVTa_(0.4)W_(0.4)氮化物成分梯度多层薄膜在300~800 nm波长范围内均具有太阳光谱选择吸收性,当氮化物薄膜层数较少时具有较好的疏水性;(FeCrVTa_(0.4)W_(0.4))Nx单层薄膜随着氮气含量的增加,薄膜方块电阻增加. 展开更多
关键词 高熵合金 磁控溅射 氮化物薄膜 成分梯度 光学性能
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Al_(0.3)CrFe_(1.5)MnNi_(0.5)高熵合金氮化物薄膜的微观结构及摩擦磨损性能研究 被引量:4
2
作者 王馨 孙勇毅 +2 位作者 李荣斌 汪龙 陈梦蝶 《热加工工艺》 CSCD 北大核心 2015年第12期174-177,181,共5页
采用反应磁控溅射法制备了Al0.3CrFe1.5MnNi0.5高熵合金氮化物薄膜,分析了不同氮气含量反应下薄膜的微观结构,并考察了薄膜的摩擦磨损性能。结果表明:溅射时氮含量(RN)为0%时,薄膜为体心立方结构,RN为10%时,氮化物镀层主相为面心立方... 采用反应磁控溅射法制备了Al0.3CrFe1.5MnNi0.5高熵合金氮化物薄膜,分析了不同氮气含量反应下薄膜的微观结构,并考察了薄膜的摩擦磨损性能。结果表明:溅射时氮含量(RN)为0%时,薄膜为体心立方结构,RN为10%时,氮化物镀层主相为面心立方CrN,且存在其他原子置换CrN的晶格中部分Cr原子而形成固溶体。RN达到15%时,薄膜形成非晶结构,随着RN的增大,薄膜非晶化趋势明显。RN为20%-30%时,氮气的固溶度逐渐达到饱和。高熵合金氮化物薄膜的摩擦系数较合金薄膜有明显提高,在磨耗过程中,能够有效阻止裂纹,抗摩擦磨损性能较合金薄膜均有不同程度的提高。 展开更多
关键词 高熵合金 氮化物薄膜 磁控溅射 微观结构 摩擦磨损
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纳米复合薄膜水润滑摩擦学性能的研究进展 被引量:3
3
作者 周飞 王谦之 +1 位作者 付永强 张懋达 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第6期34-44,共11页
评述了类金刚石基(DLC、a-C)、非晶氮化碳基(a-CNx)、过渡金属氮化物基(TiN、CrN)及其改性纳米复合薄膜的水润滑摩擦学性能,分析了微观结构、梯度结构、元素掺杂、对磨材料及摩擦参数对其水润滑摩擦磨损性能的影响,并揭示了水润滑中纳... 评述了类金刚石基(DLC、a-C)、非晶氮化碳基(a-CNx)、过渡金属氮化物基(TiN、CrN)及其改性纳米复合薄膜的水润滑摩擦学性能,分析了微观结构、梯度结构、元素掺杂、对磨材料及摩擦参数对其水润滑摩擦磨损性能的影响,并揭示了水润滑中纳米复合薄膜存在的摩擦磨损机制,指出了三种纳米复合薄膜体系在水润滑中均可表现出优异的减摩抗磨特性,但与薄膜成分、层状结构、力学性能及对磨材料物理化学性能密切相关。一般而言,相比于过渡金属氮化物基薄膜,类金刚石基及非晶氮化碳基薄膜由于在水润滑中形成转移层和水合润滑层而呈现出更低的摩擦系数和磨损率。当选用的对磨材料易于发生摩擦水合反应时,形成的水合层起到的保护作用使得纳米复合薄膜均表现出了更低的磨损率。在保证薄膜未发生剥落而失效时,适当地加载载荷和滑移速度也是获得最优水润滑摩擦学性能的关键因素。为薄膜应用在水润滑器械作业提供了一定的参考,并展望了纳米复合薄膜水润滑摩擦学未来的研究方向。 展开更多
关键词 碳基薄膜 氮化物基薄膜 水润滑 水合反应 摩擦 磨损
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离子束增强沉积氮化硅薄膜生长及其性能研究 被引量:3
4
作者 柳襄怀 薛滨 +2 位作者 郑志宏 周祖尧 邹世昌 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第6期457-462,共6页
用离子束增强沉积技术合成了氮化硅薄膜并研究了薄膜的组分、性能和结构.结果表明,离子束增强沉积生长的氮化硅薄膜的组分比,可借助于调节氮离子和硅原子到达率之比加以控制.在合适条件下生长的氮化硅薄膜,其红外吸收特征峰在波数为840c... 用离子束增强沉积技术合成了氮化硅薄膜并研究了薄膜的组分、性能和结构.结果表明,离子束增强沉积生长的氮化硅薄膜的组分比,可借助于调节氮离子和硅原子到达率之比加以控制.在合适条件下生长的氮化硅薄膜,其红外吸收特征峰在波数为840cm^(-1)附近,光折射率在2.2到2.6之间,其组分为Si_3N_4用RBS、AES、TEM、SEM、ED及扩展电阻,测量和观察生成的氮化硅薄膜的组分深度分布及结构.发现,离子束增强沉积制备的氮化硅薄膜,存在着表面富硅层、氮化硅沉积层及混合过渡层这样的多层结构.薄膜呈球状或方块状堆积.基本上是无定形相,但局部可观察到单晶相的存在.离子束增强沉积制备的氮化硅薄膜中的含氧量比不用离子束辅助沉积的显著减少. 展开更多
关键词 离子束 增强沉积 氮化硅 薄膜生长
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Different Geometries of Superheterodyne Amplification of Electromagnetic Beams in Waveguides Nitride-Dielectric
5
作者 Jesus Escobedo-Alatorre Volodymyr Grimalsky +1 位作者 Svetlana Koshevaya Margarita Tecpoyotl-Torres 《Journal of Electromagnetic Analysis and Applications》 2020年第11期159-168,共10页
The superheterodyne amplification of electromagnetic waves is investigated when the resonant three-wave interaction of two electromagnetic waves with the space charge wave occurs in the waveguides nitride <em>n&... The superheterodyne amplification of electromagnetic waves is investigated when the resonant three-wave interaction of two electromagnetic waves with the space charge wave occurs in the waveguides nitride <em>n</em>-GaN, <em>n</em>-InN films-dielectric. The amplification of SCW waves due to the negative differential conductivity is investigated in nitride <em>n</em>-GaN, <em>n</em>-InN films at the frequencies <em>f</em> ≤ 400 GHz in the lower part of the terahertz (THz) range. The electromagnetic waves are either in the upper part of THz range or in the optical range. The superheterodyne amplification is considered in two geometries, the collinear one in which the three interacting waves travel in the same direction and the anti-collinear geometry where the second electromagnetic wave propagates in the opposite direction. The preferences and drawbacks of each geometry are pointed out. The finite width of space charge waves leads to decrease of increments of amplification. 展开更多
关键词 Superheterodyne Amplification Negative Differential Conductivity Space Charge Wave nitride films Terahertz Range
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Microstructure and Wear Behaviour of WC Film Prepared by Pulsed High Energy Density Plasma
6
作者 刘元富 韩建民 +2 位作者 张谷令 王久丽 杨思泽 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2005年第12期3126-3129,共4页
A super hard and wear resistant WC film is in-situ prepared on a 0.45%C steel substrate by pulsed high energy density plasma technique at ambient temperature. The microstructure and composition of the film are analyse... A super hard and wear resistant WC film is in-situ prepared on a 0.45%C steel substrate by pulsed high energy density plasma technique at ambient temperature. The microstructure and composition of the film are analysed by x-ray diffraction, x-ray photoelectron spectroscopy, Auger electron spectroscopy and scanning electron microscopy. The hardness profile and tribological behaviour of the film are determined with nano-indenter and wear tester, respectively. The results show that the microstructure of the film was dense and uniform and mainly composed of WC and a small amount of W2 C. A wide mixing interface exists between the film and the 0.45%C steel substrate. The thickness of the film is about 2μm. The hardness and Yang's modulus of the film are very high. The film has excellent wear resistance and low friction coefficient under dry sliding wear test conditions. 展开更多
关键词 CO COATINGS nitride films RESISTANCE
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工艺参数对磁控反应溅射AlN薄膜沉积速率的影响 被引量:30
7
作者 乔保卫 刘正堂 李阳平 《西北工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期260-263,共4页
采用射频磁控反应溅射法 ,以高纯 Al为靶材 ,高纯 N2 为反应气体 ,成功制备了氮化铝( Al N)薄膜。研究了 N2 气流量、射频功率、溅射气压等工艺参数对 Al N膜沉积速率的影响规律。结果表明 ,随着 N2 气流量的增加 ,靶面溅射由金属态过... 采用射频磁控反应溅射法 ,以高纯 Al为靶材 ,高纯 N2 为反应气体 ,成功制备了氮化铝( Al N)薄膜。研究了 N2 气流量、射频功率、溅射气压等工艺参数对 Al N膜沉积速率的影响规律。结果表明 ,随着 N2 气流量的增加 ,靶面溅射由金属态过渡到氮化态 ,沉积速率随之明显降低 ;沉积速率随射频功率的增大几乎成线性增大 ,随靶基距的增大而减小 ;随着溅射气压的增大 ,沉积速率不断增大 ,但在一定气压下达到最大值后 ,沉积速率又随气压不断减小。 展开更多
关键词 磁控反应溅射 AlN薄膜 沉积速率
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螺旋波等离子体增强化学气相沉积氮化硅薄膜 被引量:15
8
作者 于威 刘丽辉 +3 位作者 侯海虹 丁学成 韩理 傅广生 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期687-691,共5页
利用螺旋波等离子体增强化学气相沉积 (HWP CVD)技术 ,以SiH4 和N2 为反应气体进行了氮化硅 (SiN)薄膜沉积 ,并研究了实验参量对薄膜特性的影响 .利用傅里叶变换红外光谱、紫外—可见光谱和椭偏光检测等技术对薄膜的结构、厚度和折射率... 利用螺旋波等离子体增强化学气相沉积 (HWP CVD)技术 ,以SiH4 和N2 为反应气体进行了氮化硅 (SiN)薄膜沉积 ,并研究了实验参量对薄膜特性的影响 .利用傅里叶变换红外光谱、紫外—可见光谱和椭偏光检测等技术对薄膜的结构、厚度和折射率等参量进行了测量 .结果表明 ,采用HWP CVD技术能在低衬底温度条件下以较高的沉积速率制备低H含量的SiN薄膜 ,所沉积的薄膜主要表现为Si—N键合结构 .采用较低的反应气体压强将提高薄膜沉积速率 ,并使薄膜的致密性增加 .适当提高N2 SiH4 比例有利于薄膜中H含量的降低 . 展开更多
关键词 螺旋波等离子体增强化学气相沉积 氮化硅薄膜 制备 微电子学
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多弧离子镀膜机(буиат-6)性能分析和工艺参数研究 被引量:15
9
作者 谢光荣 胡社军 +2 位作者 黎炳雄 王桂棠 黄小平 《广东机械学院学报》 1997年第2期14-20,共7页
分析研究了多弧离子镀膜机буиат—6的主要性能。在不同工艺参数条件下,于高速钢基体上制备了Ti膜和TiN膜,用扫描电镜观察Ti膜表面形貌;用能谱仪对Ti膜上小液滴颗粒成份进行测试分析;用超微负荷硬度计测量了TiN膜... 分析研究了多弧离子镀膜机буиат—6的主要性能。在不同工艺参数条件下,于高速钢基体上制备了Ti膜和TiN膜,用扫描电镜观察Ti膜表面形貌;用能谱仪对Ti膜上小液滴颗粒成份进行测试分析;用超微负荷硬度计测量了TiN膜的显微硬度;用表面刻划仪测试了TiN膜与基体的附着力。实验结果表明:选择适当的工艺条件,包括弧流大小,电磁场强度,镀膜时间以及冷阴极离子源辅助沉积,可获得性能优良的TiN膜,其显微硬度可达Hv2500,附着力为65N。 展开更多
关键词 多弧离子镀膜机 性能分析 工艺参数
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新型石墨烯基LED器件:从生长机理到器件特性 被引量:13
10
作者 陈召龙 高鹏 刘忠范 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2020年第1期113-126,共14页
III族氮化物因具有禁带宽度大、击穿电压高、电子饱和漂移速度大、稳定性高等优异特性而广泛应用在发光二极管(LED)、激光器以及高频器件中。目前III族氮化物薄膜通常是异质外延生长在蓝宝石衬底表面,但是由于蓝宝石与III族氮化物之间... III族氮化物因具有禁带宽度大、击穿电压高、电子饱和漂移速度大、稳定性高等优异特性而广泛应用在发光二极管(LED)、激光器以及高频器件中。目前III族氮化物薄膜通常是异质外延生长在蓝宝石衬底表面,但是由于蓝宝石与III族氮化物之间存在较大的晶格失配与热失配,使得外延生长的III族氮化物内部存在较大的应力与较高的位错密度,严重影响了器件性能;与此同时,蓝宝石衬底热导率差,限制了其在大功率器件方面的应用。近年来研究发现,石墨烯作为外延生长缓冲层,能够有效解决蓝宝石衬底与外延III族氮化物薄膜之间由于晶格失配和热失配导致的高应力与高位错密度等问题,进而获得了高品质薄膜,并提升了器件的性能。本文综述了石墨烯/蓝宝石衬底上III族氮化物生长与LED器件构筑的研究现状,着重介绍了本课题组提出的一种新型外延衬底—石墨烯/蓝宝石衬底的特点,阐明了III族氮化物在该新型衬底上的生长机理,总结了其对III族氮化物质量提升的作用,并对其发展前景进行了展望。 展开更多
关键词 石墨烯 化学气相沉积 蓝宝石 III族氮化物 LED 准范德华外延
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氮化硅陶瓷刀具表面涂覆高硬耐磨氮化钛涂层研究 被引量:8
11
作者 彭志坚 苗赫濯 +3 位作者 齐龙浩 龚江宏 杨思泽 刘赤子 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期507-511,共5页
用高能量密度脉冲等离子体于室温下在氮化硅陶瓷刀具上成功沉积了高硬耐磨的氮化钛涂层。薄膜厚度用光学显微镜和俄歇电子能谱仪测定,薄膜元素和相组成与分布分别用俄歇电子能谱仪、X光电子能谱以及X光衍射仪测定,薄膜微观结构用扫描电... 用高能量密度脉冲等离子体于室温下在氮化硅陶瓷刀具上成功沉积了高硬耐磨的氮化钛涂层。薄膜厚度用光学显微镜和俄歇电子能谱仪测定,薄膜元素和相组成与分布分别用俄歇电子能谱仪、X光电子能谱以及X光衍射仪测定,薄膜微观结构用扫描电镜观察,薄膜表面粗糙度用光学显微镜测定,薄膜力学性能由纳米压痕实验和纳米划痕实验确定,薄膜的磨损性能用工业条件下的切削实验评价。实验结果表明,在最优化条件下,涂层与基体的结合力很好,纳米划痕实验临界载荷达80 mN以上;氮化钛涂层具有很高的硬度和杨氏模量,分别达28 GPa和350 GPa以上。涂层刀具用于HB达2 200 MPa^2 300 MPa的HT250钢切削实验表明,刀具耐磨损能力增强,寿命明显提高。 展开更多
关键词 高能量密度脉冲等离子 TIN涂层 氮化硅陶瓷 刀具
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立方氮化硼薄膜的最新研究进展 被引量:9
12
作者 杨杭生 聂安民 张健英 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期1364-1370,共7页
立方氮化硼(cBN)作为一种在自然界中并不存在的人造材料具有优异的理化特性.在超硬刀具、高温电子器件和光学保护膜等领域有着广泛的应用前景,已经成为材料科学的研究热点之一.但是气相生长高质量cBN薄膜仍然还有许多难点需要攻克.在综... 立方氮化硼(cBN)作为一种在自然界中并不存在的人造材料具有优异的理化特性.在超硬刀具、高温电子器件和光学保护膜等领域有着广泛的应用前景,已经成为材料科学的研究热点之一.但是气相生长高质量cBN薄膜仍然还有许多难点需要攻克.在综述近几年cBN薄膜研究所取得的一些突破性进展后,结合研究现状提出今后可能的主要研究方向. 展开更多
关键词 立方氮化硼薄膜 压缩应力 异质外延 掺杂
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富硅量不同的富硅氮化硅薄膜的光致发光研究 被引量:8
13
作者 王颖 申德振 +4 位作者 张吉英 刘益春 张振中 吕有明 范希武 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期103-106,共4页
采用等离子体增强化学气相沉积方法(PECVD),在低衬底温度下制备了系列富硅量不同的富硅氮化硅薄膜,且所有样品分别经过不同温度的退火。通过X射线光电子能谱(XTP)的测试证实了薄膜中硅团簇的存在。对不同富硅量的氮化硅薄膜做了红外和... 采用等离子体增强化学气相沉积方法(PECVD),在低衬底温度下制备了系列富硅量不同的富硅氮化硅薄膜,且所有样品分别经过不同温度的退火。通过X射线光电子能谱(XTP)的测试证实了薄膜中硅团簇的存在。对不同富硅量的氮化硅薄膜做了红外和光致发光的比较研究。由不同富硅量薄膜中硅团簇的尺寸变化对发光峰的影响,得出了发光来源于包埋于氮化硅薄膜中由于量子限制效应而使带隙增大了的硅团簇。 展开更多
关键词 氮化硅薄膜 光致发光 Si团簇 量子限制效应
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HWP-CVD氮化硅薄膜的结构和光学特性 被引量:5
14
作者 于威 侯海虹 +2 位作者 何杰 王华英 傅广生 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期907-911,共5页
采用傅立叶红外吸收谱和紫外-可见透射谱研究了螺旋波等离子体增强化学气相沉积法制备的氢化非晶氮化硅薄膜的原子间键合结构和光学特性。结果表明,在不同硅、氮活性气体配比冗下,薄膜表现出不同的Si/N比和H原子键合方式,富氮样品中H原... 采用傅立叶红外吸收谱和紫外-可见透射谱研究了螺旋波等离子体增强化学气相沉积法制备的氢化非晶氮化硅薄膜的原子间键合结构和光学特性。结果表明,在不同硅、氮活性气体配比冗下,薄膜表现出不同的Si/N比和H原子键合方式,富氮样品中H原子主要和N原子结合,而富硅样品中主要和Si原子结合。随着R的增加,薄膜的光学带隙Eg和E04逐渐减小,此结果关联于薄膜结构无序性程度的增加,而薄膜的(E04-Eg)和Tauc斜率B值之间存在着相互制约关系。 展开更多
关键词 氮化硅薄膜 光学特性 螺旋波等离子体增强化学气相沉积
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Extended Anode Effect for Tube Inner Coating of Non-Conductive Ceramics by Pulsed Coaxial Magnetron Plasma 被引量:2
15
作者 Musab Timan Idriss Gasab Hiroyuki Sugawara +1 位作者 Kei Sakata Hiroshi Fujiyama 《Materials Sciences and Applications》 2018年第1期1-10,共10页
For uniform tube inner coating of non-conductive thin films, the double-ended coaxial magnetron pulsed plasma (DCMPP) method was investigated. In this study, coating of TiN and TiO2 was performed. It was clearly shown... For uniform tube inner coating of non-conductive thin films, the double-ended coaxial magnetron pulsed plasma (DCMPP) method was investigated. In this study, coating of TiN and TiO2 was performed. It was clearly shown that the extended anode effect was strongly influenced by the electric resistance of the coated thin films on the inner surface of an insulator tube. Additionally, high frequency (100 kHz) was better for relatively high plasma density. On the other hand, in the case of titanium oxide deposition, negative ion productions drastically decrease the deposition rate and the shifting velocity of plasma main position for coated TiO2 films. 展开更多
关键词 Double-Ended COAXIAL MAGNETRON PULSED Plasma TUBE Inner Coating Extended Anode Effect Fine Ceramic films TITANIUM nitride films TITANIUM Oxide films
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高温退火对非晶CN_x薄膜场发射特性的影响 被引量:4
16
作者 李俊杰 郑伟涛 +5 位作者 卞海蛟 吕宪义 姜志刚 白亦真 金曾孙 赵永年 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第7期1797-1801,共5页
采用射频磁控溅射方法在纯N2 气氛中沉积了非晶CNx 薄膜样品 ,并在真空中退火至 90 0℃ .对高温退火引起的CNx 薄膜化学成分、键合结构及其场发射特性方面的变化进行研究 .用傅里叶变换红外光谱和x射线光电子能谱分析样品的内部成分及... 采用射频磁控溅射方法在纯N2 气氛中沉积了非晶CNx 薄膜样品 ,并在真空中退火至 90 0℃ .对高温退火引起的CNx 薄膜化学成分、键合结构及其场发射特性方面的变化进行研究 .用傅里叶变换红外光谱和x射线光电子能谱分析样品的内部成分及键合结构的变化 ,其中sp2 键及薄膜中N的含量与薄膜的场发射特性密切相关 .退火实验的结果表明高温退火可以导致CNx 薄膜中N含量大量损失 ,并在薄膜中形成大量sp2 键 ,这些化学成分及键合结构上的变化将直接影响CNx 薄膜的场发射特性 .与其他温度退火样品相比 ,75 0℃退火的样品具有最低的阈值电场 。 展开更多
关键词 非晶CNx薄膜 场发射特性 高温退火 射频磁控溅射方法 场致电子发射 化学键合
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LPCVD氮化硅薄膜的制备工艺 被引量:3
17
作者 冯海玉 黄元庆 冯勇健 《厦门大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2004年第B08期362-364,共3页
氮化硅(Si3N4)薄膜具有许多优良特性,在半导体、微电子和MEMS领域应用广泛.简要介绍了Si3N4膜的制备方法及CVD法制备的Si3N4薄膜的特性,详细介绍了低压化学气相淀积(LPCVD)氮化硅的工艺.通过调整炉温使批量生产的淀积膜的均匀性达到技... 氮化硅(Si3N4)薄膜具有许多优良特性,在半导体、微电子和MEMS领域应用广泛.简要介绍了Si3N4膜的制备方法及CVD法制备的Si3N4薄膜的特性,详细介绍了低压化学气相淀积(LPCVD)氮化硅的工艺.通过调整炉温使批量生产的淀积膜的均匀性达到技术要求. 展开更多
关键词 氮化硅薄膜 LPCVD 制备工艺 低压化学气相淀积
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Chemical Synthesis and Characterization of Flaky h-BCN at High Pressure and High Temperature 被引量:2
18
作者 杨大鹏 李英爱 +5 位作者 杨旭昕 杜勇慧 吉晓瑞 宫希亮 苏作鹏 张铁臣 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2007年第4期1088-1091,共4页
Hexagonal boron carbonitrogen (h-BCN) compound is synthesized from a mixture of boron powder and CNH compound prepared by pyrolysis of melamine (CaH6N6) under high temperature (1400-1500℃) and high pressure (5... Hexagonal boron carbonitrogen (h-BCN) compound is synthesized from a mixture of boron powder and CNH compound prepared by pyrolysis of melamine (CaH6N6) under high temperature (1400-1500℃) and high pressure (5.0-5.5 GPa). X-ray photoelectron spectroscopy, Fourier transform infrared spectroscopy and Raman spec- troscopy are used to determine the chemical composition and bonds of the product. The results show that the product has composition of B0.18C0.64N0.16 (near BC4N) and atomic-level hybrid. X-ray diffraction analysis indicates that the powder has a hexagonal network structure. Scanning and transmission electron microscopy results suggest that h-BCN compound morphology is mainly flaky in width about 1 μm and thickness 200nm. 展开更多
关键词 CARBON nitride films THIN-films B-N BORON BC2N DEPOSITION STATE
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PECVD中电子能量状态对氮化硅薄膜应力的影响 被引量:4
19
作者 杨景超 赵钢 邬玉亭 《新技术新工艺》 2007年第7期102-104,共3页
研究了平板电容式PECVD设备中电子能量状态对氮化硅薄膜应力的影响。通过改变沉积工艺参数,研究了射频功率、载气体分压比和反应压强与电子能量状态之间的联系及电子能量状态变化对氮化硅薄膜应力的影响。最终制备出了应力只有-182.4 MP... 研究了平板电容式PECVD设备中电子能量状态对氮化硅薄膜应力的影响。通过改变沉积工艺参数,研究了射频功率、载气体分压比和反应压强与电子能量状态之间的联系及电子能量状态变化对氮化硅薄膜应力的影响。最终制备出了应力只有-182.4 MPa的低应力氮化硅薄膜。 展开更多
关键词 PECVD 氮化硅 应力 电子能量
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碳氮膜的研究进展 被引量:3
20
作者 刘祖琴 晁晟 +1 位作者 王维洁 王天民 《微细加工技术》 EI 1997年第3期75-78,共4页
简要回顾了碳氮膜的发展历史,综述了碳氮膜研究的最新进展,并对这类膜的发展前景进行了展望。
关键词 碳氮膜 氢致碳氮膜 碳氮含量比 超硬材料
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