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发光二极管中负电容现象的实验研究 被引量:7
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作者 王军 冯列峰 +3 位作者 朱传云 丛红侠 陈永 王存达 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期1-4,共4页
对各种发光二极管(LEDs)的负电容(NC)进行了研究。实验结果表明,所有的LEDs都展示了NC现象。电压调制发光(VMEL)实验确认,在发光有源区中注入载流子引起的强发光复合是产生NC现象的基本原因。测量还表明,不同的LEDs的NC随电压和频率的... 对各种发光二极管(LEDs)的负电容(NC)进行了研究。实验结果表明,所有的LEDs都展示了NC现象。电压调制发光(VMEL)实验确认,在发光有源区中注入载流子引起的强发光复合是产生NC现象的基本原因。测量还表明,不同的LEDs的NC随电压和频率的变化规律是类似的;测试频率越低,正向偏压越高,NC现象越明显。 展开更多
关键词 发光二极管(LEDs) 正向交流(a.c.)特性 负电容(nc) 电压调制发光(VMEL)
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聚合物发光二极管中的负电容效应 被引量:5
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作者 黄文波 曾文进 +1 位作者 王藜 彭俊彪 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第9期5983-5988,共6页
采用交流阻抗谱技术,研究了以共轭聚合物(poly[2-methoxy,5-(2′-ethylhexoxy)-1,4-phenylenevinylene])(MEH-PPV)为发光层,以带有胺基的聚芴共聚物poly[(9,9-bis(3′-(N,N-dimethylamino)propyl)-2,7-fluorene)-alt-2,7-(9,9-dioctylfl... 采用交流阻抗谱技术,研究了以共轭聚合物(poly[2-methoxy,5-(2′-ethylhexoxy)-1,4-phenylenevinylene])(MEH-PPV)为发光层,以带有胺基的聚芴共聚物poly[(9,9-bis(3′-(N,N-dimethylamino)propyl)-2,7-fluorene)-alt-2,7-(9,9-dioctylfluorene)](PF-NR2)为电子传输层的发光二极管的交流响应特性.对于结构为ITO/PEDOT/MEH-PPV/PF-NR2/Al的发光器件,交流阻抗谱中出现了负电容效应(negative capacitance),根据对其Cole-Cole图的分析,MEH-PPV/PF-NR2界面的交流响应可用一个RLL并联电路来模拟,实验结果表明,PF-NR2层既是电子传输层同时又充当了空穴阻挡层的作用,并给出了解释这种以PF-NR2/Al为阴极的器件效率提高的微观机理. 展开更多
关键词 PF-NR_2 聚合物发光二极管 交流阻抗谱 负电容效应
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Charge recombination mechanism to explain the negative capacitance in dye-sensitized solar cells
3
作者 冯列峰 赵昆 +2 位作者 戴海涛 王树国 孙小卫 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2016年第3期366-370,共5页
Negative capacitance (NC) in dye-sensitized solar cells (DSCs) has been confirmed experimentally. In this work, the recombination behavior of carriers in DSC with semiconductor interface as a carder's transport l... Negative capacitance (NC) in dye-sensitized solar cells (DSCs) has been confirmed experimentally. In this work, the recombination behavior of carriers in DSC with semiconductor interface as a carder's transport layer is explored theoreti- cally in detail. Analytical results indicate that the recombination behavior of carriers could contribute to the NC of DSCs under small signal perturbation. Using this recombination capacitance we propose a novel equivalent circuit to completely explain the negative terminal capacitance. Further analysis based on the recombination complex impedance show that the NC is inversely proportional to frequency. In addition, analytical recombination resistance is composed by the alternating current (AC) recombination resistance (Rrac) and the direct current (DC) recombination resistance (Rrdc), which are caused by small-signal perturbation and the DC bias voltage, respectively. Both of two parts will decrease with increasing bias voltage. 展开更多
关键词 dye-sensitized solar-cells (DSCs) negative capacitance nc small-signal perturbation carrier'stransport
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双栅负电容隧穿场效应晶体管的仿真
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作者 马师帅 朱慧珑 黄伟兴 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第8期609-616,共8页
介绍了一种锗硅(Si1-xGex)沟道双栅(DG)负电容(NC)隧穿场效应晶体管(TFET),在Sentaurus TCAD软件中通过耦合Landau-Khalatnikov(LK)模型的方法对器件进行了仿真。首先分析了沟道中锗摩尔分数对DG TFET性能的影响。在DG TFET的基础上引... 介绍了一种锗硅(Si1-xGex)沟道双栅(DG)负电容(NC)隧穿场效应晶体管(TFET),在Sentaurus TCAD软件中通过耦合Landau-Khalatnikov(LK)模型的方法对器件进行了仿真。首先分析了沟道中锗摩尔分数对DG TFET性能的影响。在DG TFET的基础上引入负电容结构得到DG NC TFET,并通过耦合LK模型的方法对不同铁电层厚度的DG NC TFET进行了仿真研究。最后,从能带图和带间隧穿概率的角度分析了负电容效应对器件性能的影响。仿真结果显示,在Si0.6Ge0.4沟道DG TFET基础上引入9 nm铁电层厚度的负电容结构之后,DG NC TFET的开态电流从1.3μA(0.65μA/μm)提高到了29μA(14.5μA/μm),同时有7个源漏电流量级的亚阈值摆幅小于60 mV/dec。 展开更多
关键词 隧穿场效应晶体管(TFET) 负电容(nc) Landau-Khalatnikov(LK)模型 电流开关比 亚阈值摆幅
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发光二极管的低频电容特性
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作者 冯列峰 李杨 +4 位作者 王军 从红侠 朱传云 王存达 张国义 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第12期1565-1568,共4页
通过自建装置精确测试了发光二极管(LED)的低频(小于102Hz)电学特性。电学测量表明,所有LED在低频下都表现出明显的负电容(NC)现象,且频率越低NC现象越明显。调制发光测量表明,相对发光强度在低频下表现出明显饱和现象,并且随频率增加... 通过自建装置精确测试了发光二极管(LED)的低频(小于102Hz)电学特性。电学测量表明,所有LED在低频下都表现出明显的负电容(NC)现象,且频率越低NC现象越明显。调制发光测量表明,相对发光强度在低频下表现出明显饱和现象,并且随频率增加而减小。比较电学和光学的测量结果可以证实,辐射发光是产生NC现象的主要原因。通过对LED电学测量结果的详细分析得出了NC随电压和频率的变化关系式。 展开更多
关键词 低频特性 发光二极管(LED) 负电容(nc)
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