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纳米硅薄膜制备及HIT太阳能电池 被引量:7
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作者 张心强 张维佳 +3 位作者 武美伶 贾士亮 刘浩 李国华 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第10期1741-1744,共4页
在较高工作气压(332.5-399Pa)下,采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺制备了优质的本征纳米硅薄膜及掺磷的纳米硅薄膜,并采用X射线衍射(XRD)、拉曼散射(Raman)测试技术对其进行了测试和分析。结果表明纳米硅薄膜的XRD谱中存... 在较高工作气压(332.5-399Pa)下,采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺制备了优质的本征纳米硅薄膜及掺磷的纳米硅薄膜,并采用X射线衍射(XRD)、拉曼散射(Raman)测试技术对其进行了测试和分析。结果表明纳米硅薄膜的XRD谱中存在(111)(、220)和(331)峰位;Raman谱中显示出其薄膜中的晶粒的大小(2-5nm)符合纳米晶的要求。将制备的纳米硅薄膜初步用于栅极/ITO/n-nc-Si∶H/i-nc-Si∶H/p-c-Si/Al/Ag结构的异质结(HIT)太阳能电池,开路电压(Voc)达404mV,短路电流密度(Jsc)可达到34.2mA/cm^2(AM1.5,100mW/cm^2,25℃)。 展开更多
关键词 纳米硅 薄膜 PECVD hIT 太阳能电池
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沉积压力对磁控溅射纳米硅薄膜结构和性能影响 被引量:5
2
作者 于军 王晓晶 +2 位作者 雷青松 彭刚 徐玮 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期556-560,共5页
采用射频(RF)磁控溅射方法在玻璃衬底上制备了氢化纳米硅薄膜,研究了沉积压力(4-9 Pa)对薄膜结构和性能的影响。利用XRD、SEM、紫外-可见光分光光度计、傅立叶红外吸收光谱仪(FT-IR)及四探针电阻测试仪等对薄膜结构和性能进行了... 采用射频(RF)磁控溅射方法在玻璃衬底上制备了氢化纳米硅薄膜,研究了沉积压力(4-9 Pa)对薄膜结构和性能的影响。利用XRD、SEM、紫外-可见光分光光度计、傅立叶红外吸收光谱仪(FT-IR)及四探针电阻测试仪等对薄膜结构和性能进行了表征。结果表明:随着沉积压力的提高,薄膜结晶程度逐渐变差,晶粒尺寸降低;薄膜光学带隙在2.04-2.3 eV之间,且随着沉积压力的提高而增加;薄膜具有SiH、SiO、SiH2和SiH3振动吸收峰,随着沉积压力的增加,SiH、SiH2振动吸收峰向高波数移动,薄膜方块电阻在132-96Ω/□,且随着沉积压力的升高而降低。 展开更多
关键词 氢化纳米硅 磁控溅射 沉积压力 光学带隙
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本征纳米硅薄膜的微结构表征 被引量:2
3
作者 刘绪伟 郜小勇 +4 位作者 赵剑涛 杨仕娥 陈永生 谷锦华 卢景霄 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期200-202,共3页
采用PECVD技术,在玻璃衬底上低温沉积了优质本征纳米硅薄膜,并利用Raman光谱对其微结构作了表征。研究结果表明,硅烷浓度、衬底温度Ts对表征纳米硅薄膜微结构的晶化率和平均晶粒尺寸参数影响很大。SiH4浓度越低,越有利于晶化,对应的晶... 采用PECVD技术,在玻璃衬底上低温沉积了优质本征纳米硅薄膜,并利用Raman光谱对其微结构作了表征。研究结果表明,硅烷浓度、衬底温度Ts对表征纳米硅薄膜微结构的晶化率和平均晶粒尺寸参数影响很大。SiH4浓度越低,越有利于晶化,对应的晶化率拐点温度越低。平均晶粒尺寸、晶化率随衬底温度的升高具有相似的变化规律,谱中出现的拐点温度一致,暗示它们之间存在紧密的联系。从薄膜生长角度对该实验结果作了合理解释。 展开更多
关键词 纳米硅 晶化率 晶粒尺寸 拐点温度
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高电导本征纳米硅膜及其缓冲层太阳能电池
4
作者 崔敏 张维佳 +3 位作者 钟立志 吴小文 王天民 李国华 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期47-49,共3页
通过PECVD法制备了纳米硅薄膜(nc-Si:H),采用Raman散射谱,AFM对样品的结构和形貌进行了测试,并测试了样品的室温电导率。结果表明:制备出的纳米硅薄膜,其电导率达到4.9S·cm-1。另外制备了本征nc-Si:H膜作缓冲层,结构为ITO/n+-nc-Si... 通过PECVD法制备了纳米硅薄膜(nc-Si:H),采用Raman散射谱,AFM对样品的结构和形貌进行了测试,并测试了样品的室温电导率。结果表明:制备出的纳米硅薄膜,其电导率达到4.9S·cm-1。另外制备了本征nc-Si:H膜作缓冲层,结构为ITO/n+-nc-Si:H/i-nc-Si:H/p-c-Si/Ag的PIN型太阳能电池,其Voc达到534.7mV,Isc达到49.24mA(3cm2),填充因子FF为0.4228。 展开更多
关键词 无机非金属材料 纳米硅 电导率 PECVD 薄膜 太阳能电池
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Ar流量对ECR-PECVD制备氢化纳米晶硅薄膜结构及性能影响研究
5
作者 张学宇 吴化 +1 位作者 刘耀东 吴爱民 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第9期1750-1756,共7页
采用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)设备制备了氢化纳米晶硅薄膜。通过Raman光谱、XRD和紫外-可见分光光度计的测试分析,研究了Ar/H2对薄膜组织结构和光学性能的影响,并对沉积腔室的等离子体环境进行了系统的诊断。... 采用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)设备制备了氢化纳米晶硅薄膜。通过Raman光谱、XRD和紫外-可见分光光度计的测试分析,研究了Ar/H2对薄膜组织结构和光学性能的影响,并对沉积腔室的等离子体环境进行了系统的诊断。实验发现:少量Ar气的通入有利于提高腔室中的电子温度,保证纳米晶硅薄膜结构的同时提高薄膜的光学带隙宽度。进一步提高Ar气的比例,薄膜明显非晶化,光学性能下降。结合薄膜生长机理和放电气体电离特性对实验结果的产生原因进行了分析。 展开更多
关键词 nc-sih Ar/h2 等离子体诊断 ECR-PECVD
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Effects of the Fabrication Processes of NC-Si:H Films on Their Mechanical Properties
6
作者 LIN Jin-zhao WANG Jin-liang ZHOU Bo WU Er-xing 《Chinese Journal of Aeronautics》 SCIE EI CAS CSCD 2006年第B12期202-205,共4页
Studies of nanoindentation were performed on nc-Si:H films to evaluate the effects of the fabrication processes on their mechanical properties. It is observed that with the decrease of the SiH4 contents, the grain si... Studies of nanoindentation were performed on nc-Si:H films to evaluate the effects of the fabrication processes on their mechanical properties. It is observed that with the decrease of the SiH4 contents, the grain size of the films increases gradually, and as does the crystalline volume fraction. The smaller the grains become, the more homogeneous the films, and the more even the hardness as well as the modulus will be. The hardness and the modulus will increase with the substrate's temperature rising. The hardness and the modulus of the nc-Si:H films on the Si substrate prove to be higher than those on the glass substrate given the same technology parameters. How- ever, the films on the glass substrate appear to be more homogeneous. 展开更多
关键词 NANOINDENTATION hARDNESS MODULUS plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) nc-sih
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磷掺杂对纳米硅薄膜输运性质的影响 被引量:1
7
作者 刘绪伟 郜小勇 +4 位作者 赵剑涛 陈永生 杨仕娥 谷锦华 卢景霄 《真空》 CAS 北大核心 2007年第5期25-28,共4页
采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在玻璃衬底上低温沉积了优质本征和掺磷纳米硅薄膜,并利用Raman散射谱和电导率谱对比研究了磷掺杂对纳米硅薄膜的电子输运性质的影响。研究结果表明影响本征纳米硅电导率的主导因素是载流子的... 采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在玻璃衬底上低温沉积了优质本征和掺磷纳米硅薄膜,并利用Raman散射谱和电导率谱对比研究了磷掺杂对纳米硅薄膜的电子输运性质的影响。研究结果表明影响本征纳米硅电导率的主导因素是载流子的迁移率,而自由载流子浓度影响有限;影响掺磷纳米硅薄膜电导率的因素既包括磷掺杂产生的自由载流子,又包括迁移率,其输运过程可用量子点隧穿(HQD)模型合理解释。少量掺磷会促进晶化,但过量掺磷会引起晶格畸变,不利于晶化率和电导率的提高。 展开更多
关键词 化学气相沉积 纳米硅 晶化率 电导率 量子点
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HWCVD低温制备超薄硼掺杂纳米晶硅薄膜
8
作者 郭宇坤 周玉荣 +2 位作者 陈瑱怡 马宁 刘丰珍 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第8期2003-2010,共8页
采用热丝化学气相沉积(HWCVD)技术在低温条件下(100℃)制备超薄(-30 nm)的硼掺杂硅薄膜。系统研究了氢稀释比例RH对薄膜的微结构和电学性能的影响。当RH由55增加至115,薄膜的有序度增加,晶化率升高,载流子浓度增加,暗电导率增加;... 采用热丝化学气相沉积(HWCVD)技术在低温条件下(100℃)制备超薄(-30 nm)的硼掺杂硅薄膜。系统研究了氢稀释比例RH对薄膜的微结构和电学性能的影响。当RH由55增加至115,薄膜的有序度增加,晶化率升高,载流子浓度增加,暗电导率增加;同时,薄膜的缺陷密度增加、霍尔迁移率降低。实验证实,当RH=55-70时,超薄硅薄膜开始晶化,这是薄膜由非晶到纳米晶的转化区。快速热退火工艺进一步提高了薄膜导电率。在RH=115、衬底温度为100℃沉积条件下,经过420℃、80 s退火,获得电导率为6.88 S/cm的超薄硼掺杂纳米晶硅薄膜。 展开更多
关键词 热丝化学气相沉积 硅薄膜 硼掺杂 电学性能
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硼掺杂对热丝CVD法制备纳米晶硅薄膜微结构与光电性能的影响
9
作者 潘园园 沈鸿烈 +2 位作者 吴天如 张磊 刘斌 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第6期509-513,共5页
采用热丝化学气相沉积法制备了不同B2H6掺杂比例(B2H6/SiH4为2%-15%)的p型纳米晶硅薄膜,通过探索B2H6掺杂比例、晶化率、光学带隙和电学性能(电导率、载流子浓度、霍尔迁移率)之间的关系以及薄膜掺杂机理来研究B2H6掺杂比例对薄膜... 采用热丝化学气相沉积法制备了不同B2H6掺杂比例(B2H6/SiH4为2%-15%)的p型纳米晶硅薄膜,通过探索B2H6掺杂比例、晶化率、光学带隙和电学性能(电导率、载流子浓度、霍尔迁移率)之间的关系以及薄膜掺杂机理来研究B2H6掺杂比例对薄膜微结构和光电性能的影响。在掺杂比例为11%时成功获得了电导率为32 S/cm的高电导率硼掺杂nc-Si∶H薄膜。 展开更多
关键词 掺杂比例 硼掺杂 纳米晶硅 热丝化学气相沉积 电导率
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AC Impedance Spectroscopy of a-nc-Si:H Thin Films
10
作者 Vladimir Tudic 《Engineering(科研)》 2014年第8期449-461,共13页
The AC impedance of amorphous-nano-crystalline silicon composite thin films (a-nc-Si:H) from mHz to MHz at different temperatures has been studied. The samples were prepared by Plasma Enhanced Chemical Vapor Depositio... The AC impedance of amorphous-nano-crystalline silicon composite thin films (a-nc-Si:H) from mHz to MHz at different temperatures has been studied. The samples were prepared by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition technique. The X-ray diffraction and high resolution electron microscopy showed that films consist of isolated nano-crystals embedded in amorphous matrix. In analysis of impedance data, two approaches were tested: the ideal Deby type equivalent circuit and modified one, with CPE (constant phase elements). It was found that the later better fits to results. The amorphous matrix showed larger resistance and lower capacity than nano-crystals. By heat treatment in vacuum, the capacity for both phases changes, according to expected change in size of ordered domains. 展开更多
关键词 a-nc-si:h Impedance Spectroscopy Composite Thin Film Equivalent Circuit
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纳米硅(nc-Si:H)晶体硅(c-Si)异质结太阳电池的数值模拟分析 被引量:27
11
作者 胡志华 廖显伯 +4 位作者 曾湘波 徐艳月 张世斌 刁宏伟 孔光临 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期217-224,共8页
运用美国宾州大学发展的AMPS程序模拟分析了n 型纳米硅 (n+ nc Si:H) p 型晶体硅 (p c Si)异质结太阳电池的光伏特性 .分析表明 ,界面缺陷态是决定电池性能的关键因素 ,显著影响电池的开路电压 (VOC)和填充因子(FF) ,而电池的光谱响... 运用美国宾州大学发展的AMPS程序模拟分析了n 型纳米硅 (n+ nc Si:H) p 型晶体硅 (p c Si)异质结太阳电池的光伏特性 .分析表明 ,界面缺陷态是决定电池性能的关键因素 ,显著影响电池的开路电压 (VOC)和填充因子(FF) ,而电池的光谱响应或短路电流密度 (JSC)对缓冲层的厚度较为敏感 .对不同能带补偿 (bandgapoffset)的情况所进行的模拟分析表明 ,随着ΔEc 的增大 ,由于界面态所带来的开路电压和填充因子的减小逐渐被消除 ,当ΔEc达到 0 5eV左右时界面态的影响几乎完全被掩盖 .界面层的其他能带结构特征对器件性能的影响还有待进一步研究 .最后计算得到了这种电池理想情况下 (无界面态、有背面场、正背面反射率分别为 0和 1)的理论极限效率 ηmax=31 17% (AM1 5 ,10 0mW cm2 ,0 4 0— 1 10 μm波段 ) . 展开更多
关键词 数值模拟 nc-si:h/c-si异质结 太阳电池 计算机模拟 光伏特性 纳米硅/晶体硅异质结
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PECVD生长nc-Si∶H膜的沉积机理分析 被引量:16
12
作者 彭英才 何宇亮 刘明 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1998年第4期283-288,共6页
nc-Si∶H膜具有显著不同于α-Si∶H与μc-Si∶H膜的新颖结构与物性。从热力学反应的基元过程出发,定性地分析了本征nc-Si∶H与掺磷nc-Si(P)∶H膜的沉积机理。
关键词 PEVCD nc-si:h 沉积机理 退火处理 自组织生长
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P-nc-Si:H薄膜材料及在微晶硅薄膜太阳电池上应用 被引量:11
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作者 朱锋 赵颖 +5 位作者 张晓丹 魏长春 孙建 任慧智 熊绍珍 耿新华 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期381-384,共4页
对RF PECVD技术沉积p nc Si:H薄膜材料进行了研究。随着功率的增大材料的晶化率增大。B的掺杂可以提高材料的电导率,同时会抑制材料的晶化,在纳米Si薄膜材料中B的掺杂效率很高,少量的B即可获得高的电导率,而对材料晶化影响不大。用比较... 对RF PECVD技术沉积p nc Si:H薄膜材料进行了研究。随着功率的增大材料的晶化率增大。B的掺杂可以提高材料的电导率,同时会抑制材料的晶化,在纳米Si薄膜材料中B的掺杂效率很高,少量的B即可获得高的电导率,而对材料晶化影响不大。用比较高沉积功率和少量B的方法获得了高电导率、宽光学带隙和高晶化率的P型纳米Si薄膜材料(σ=0.7S/cm,Eopt>2.0eV)。将这种材料应用于微晶硅(μc Si)薄膜太阳能电池中,电池结构为:glass/SnO2/ZnO/p nc Si:H/I μC Si:H/n Si:H。首次获得效率η=4.2%的μC Si薄膜太阳能电池(Voc=0.399V,Jsc=20.56mA/cm2,FF=51.6%)。 展开更多
关键词 P-nc-si:h薄膜材料 微晶硅薄膜 太阳能电池 电导率 掺杂效率 RF-PECVD技术 电池结构
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PECVD法生长的nc-Si:H膜电导率的研究 被引量:5
14
作者 韦亚一 郑国珍 何宇亮 《功能材料》 EI CAS CSCD 1994年第6期525-528,共4页
使用PECVD方法生长了nc-Si:H膜,X射线衍射、Raman光谱和电镜观测表明样品具备了纳米结构特征。测量了样品在77K~400K温度范围的电导率,并使用二相随机分布有效介质理论,计算了nc-Si:H膜中晶粒部分... 使用PECVD方法生长了nc-Si:H膜,X射线衍射、Raman光谱和电镜观测表明样品具备了纳米结构特征。测量了样品在77K~400K温度范围的电导率,并使用二相随机分布有效介质理论,计算了nc-Si:H膜中晶粒部分和晶界部分的电导率。对计算结果进行了理论分析,初步探讨了nc-Si结构对其导电性能的影响,提出nc-Si:H的高电导率来源于膜中纳米晶粒的小尺寸效应。 展开更多
关键词 纳米级 si:h 有效介质 电导率 半导体 PECVD
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n型氢化纳米晶硅薄膜在柔性钙钛矿太阳电池中的应用
15
作者 靳果 王记昌 闫奇 《金属功能材料》 CAS 2024年第4期67-75,共9页
柔性钙钛矿太阳电池电子传输层的低温制备工艺是影响其光电转换效率和大规模应用的关键因素。将n型氢化纳米晶硅薄膜作为柔性钙钛矿太阳电池电子传输层,研究射频功率、掺杂浓度等制备参数对薄膜性能的影响,得到暗电导率、光透过率、表... 柔性钙钛矿太阳电池电子传输层的低温制备工艺是影响其光电转换效率和大规模应用的关键因素。将n型氢化纳米晶硅薄膜作为柔性钙钛矿太阳电池电子传输层,研究射频功率、掺杂浓度等制备参数对薄膜性能的影响,得到暗电导率、光透过率、表面形貌适用于柔性钙钛矿太阳电池电子传输层的n型氢化纳米晶硅薄膜低温制备条件。经过界面优化处理的柔性钙钛矿太阳电池转换效率达到14.66%,推动了柔性钙钛矿太阳电池的发展,为制备高性能的柔性钙钛矿太阳电池提供了新的研究思路和方法。 展开更多
关键词 柔性钙钛矿太阳电池 电子传输层 n型氢化纳米晶硅 低温
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工艺条件对硼掺杂纳米硅薄膜微结构及力学性能的影响 被引量:5
16
作者 丁建宁 祁宏山 +6 位作者 袁宁一 何宇亮 程广贵 范真 潘海彬 王君雄 王秀琴 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期188-193,共6页
采用射频和直流偏压(RF+DC)双重激励源,在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中成功制备了掺硼纳米硅薄膜。改变衬底温度、射频功率和退火温度几个关键工艺参数,利用拉曼(Raman)谱仪、薄膜测厚仪和原子力显微镜(AFM)对掺硼纳米硅薄膜... 采用射频和直流偏压(RF+DC)双重激励源,在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中成功制备了掺硼纳米硅薄膜。改变衬底温度、射频功率和退火温度几个关键工艺参数,利用拉曼(Raman)谱仪、薄膜测厚仪和原子力显微镜(AFM)对掺硼纳米硅薄膜的微结构进行了分析;应用纳米压痕法研究了工艺条件对薄膜弹性模量及硬度等力学性能的影响关系。结果表明:薄膜晶态比、平均晶粒大小随着衬底温度的升高均有增大趋势;射频功率对提高薄膜生长速率存在最优值条件;退火对本征和掺硼薄膜表面形貌特征有较大影响,退火后掺硼薄膜表面粗糙度增大明显。薄膜弹性模量及硬度很大程度上受射频功率和后序处理条件的影响,退火使薄膜的力学性能有所提高。针对实验现象,从薄膜结构方面进行了相关的理论阐释。 展开更多
关键词 纳米硅薄膜 掺硼 弹性模量 退火 AFM
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n-nc-Si:H低温制备工艺及其在柔性钙钛矿太阳电池中的应用
17
作者 靳果 王记昌 闫奇 《河南科技》 2024年第9期83-87,共5页
【目的】为在低温工艺下制备出适用于柔性钙钛矿太阳电池的高性能电子传输层,需要对电子传输层材料及制备条件进行研究。【方法】将n型氢化纳米晶硅薄膜作为柔性钙钛矿太阳电池电子传输层,研究衬底温度对薄膜性能的影响,并优化电子传输... 【目的】为在低温工艺下制备出适用于柔性钙钛矿太阳电池的高性能电子传输层,需要对电子传输层材料及制备条件进行研究。【方法】将n型氢化纳米晶硅薄膜作为柔性钙钛矿太阳电池电子传输层,研究衬底温度对薄膜性能的影响,并优化电子传输层与钙钛矿层界面处理工艺和结构。【结果】得到暗电导率、光透过率、表面形貌适用于柔性钙钛矿太阳电池电子传输层的n型氢化纳米晶硅薄膜低温制备条件,经过界面优化处理的柔性钙钛矿太阳电池转换效率达到14.66%。【结论】在低温工艺下制备出了高性能的电子传输层及柔性钙钛矿太阳电池,对进一步开展叠层钙钛矿太阳电池的研究具有指导意义。 展开更多
关键词 柔性钙钛矿太阳电池 n-nc-si:h 衬底温度 薄膜性能 界面优化
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掺杂nc-Si∶H膜的电导特性 被引量:5
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作者 彭英才 刘明 +1 位作者 何宇亮 李月霞 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第3期308-312,共5页
采用常规 PECVD工艺 ,以高纯 H2 稀释的 Si H4 作为反应气体源 ,以 PH3作为 P原子的掺杂剂 ,在 P型 ( 1 0 0 )单晶硅 ( c- Si)衬底上 ,成功地生长了掺 P的纳米硅膜 ( nc- Si( P)∶ H)膜 .通过对膜层结构的 Raman谱分析和高分辨率电子显... 采用常规 PECVD工艺 ,以高纯 H2 稀释的 Si H4 作为反应气体源 ,以 PH3作为 P原子的掺杂剂 ,在 P型 ( 1 0 0 )单晶硅 ( c- Si)衬底上 ,成功地生长了掺 P的纳米硅膜 ( nc- Si( P)∶ H)膜 .通过对膜层结构的 Raman谱分析和高分辨率电子显微镜 ( HREM)观测指出 :与本征 nc- Si∶H膜相比 ,nc- Si( P)∶ H膜中的 Si微晶粒尺寸更小 (~ 3nm) ,其排布更有秩序 ,呈现出类自组织生长的一些特点 .膜层电学特性的研究证实 ,nc- Si( P)∶ H膜具有比本征 nc- Si∶ H膜约高两个数量级的电导率 ,其 σ值可高达 1 0 - 1~ 1 0 - 1Ω- 1· cm- 1.这种高电导率来源于 nc- Si( P)∶H膜中有效电子浓度 ne的增加、Si微晶粒尺寸的减小和电导激活能 ΔE的降低 .采用 nc- Si( P)∶H膜和 P型 c- Si制备了异质结二极管 ,其反向击穿电压值可高达 75V,而反向漏电流却仅有几个 n A。 展开更多
关键词 电导特性 nc-si:h 掺杂 半导体薄膜
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H_2稀释比对RF-PECVD制备a-Si:H/nc-Si:H薄膜的光电特性的影响 被引量:3
19
作者 程自亮 蒋向东 +2 位作者 王继岷 刘韦颖 连雪艳 《电子器件》 CAS 北大核心 2015年第3期485-488,共4页
研究了H2稀释比对a-Si:H/nc-Si:H薄膜光电特性及微结构的影响。采用RF-PECVD法,以高纯Si H4及H2/Si H4混合气体为反应气源交替反应制备样品,并通过紫外-可见光分光光度计、椭偏仪及Keithley 4200、XRD对样品进行分析测试。实验表明:在... 研究了H2稀释比对a-Si:H/nc-Si:H薄膜光电特性及微结构的影响。采用RF-PECVD法,以高纯Si H4及H2/Si H4混合气体为反应气源交替反应制备样品,并通过紫外-可见光分光光度计、椭偏仪及Keithley 4200、XRD对样品进行分析测试。实验表明:在纳米级厚度的a-Si:H薄膜基础上,随着第二反应气H2/Si H4混合气中H2比率(99%、97%、95%、92%、80%)的升高,沉积速率持续下降,薄膜消光系数、禁带宽度以及电导率呈现先增大后减小的趋势。针对实验现象,结合薄膜生长机理对实验结果原因进行了分析。 展开更多
关键词 a-si:h/nc-si:h 氢稀释 RF-PECVD(射频等离子体化学气相沉积) 光电性能 生长机理
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PECVD工艺参数对nc-Si∶H膜质量的影响 被引量:4
20
作者 彭英才 刘明 何宇亮 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第4期277-280,共4页
研究了PECVD生长ncSi∶H膜过程中SiH4气体稀释比、平衡反应气压、衬底温度、等离子体射频功率和直流负偏压等各种工艺参数对生成膜层质量的影响。
关键词 nc-si:h 膜层质量 工艺参数 PECVD
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