基于渐进圆锥天线的ns前沿电磁脉冲电场传感器 被引量：14

1

作者 郭飞 王绍飞 +3 位作者 李秀广 刘世涛 孔旭 谢彦召 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第4期146-150,共5页

为了对ns级上升沿的电磁脉冲电场进行测量,研制了一种基于D-dot渐进圆锥天线的电场传感器。设计采用单极子渐进圆锥天线作为电场传感器的接收天线,并通过建模仿真验证了该天线的性能;通过电光转换模块将天线感应的电信号转换为光强度信... 为了对ns级上升沿的电磁脉冲电场进行测量,研制了一种基于D-dot渐进圆锥天线的电场传感器。设计采用单极子渐进圆锥天线作为电场传感器的接收天线,并通过建模仿真验证了该天线的性能;通过电光转换模块将天线感应的电信号转换为光强度信号并通过光纤传输;利用软件积分对传感器测得的电场微分信号进行处理;通过测试试验验证了传感器的性能。研究表明,所研制的电场传感器能够测量上升沿大于1.5ns的脉冲电场,具有体积小、线性度高的优点。 展开更多

关键词 渐进圆锥天线 ns上升沿 电磁脉冲 电场 传感器

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纳秒上升时间Q开关高压脉冲发生器的设计 被引量：8

2

作者 朱军 叶志生 +2 位作者 王升平 高惠敏 任国权 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期256-260,共5页

设计了一种基于MarxBankGenerator脉冲发生原理而设计的ns级上升沿调Q开关雪崩三极管高压脉冲发生器。它可以在20ns以内的时间在Nd:YAG激光器的电光调Q晶体(KD*P)两端加上1/4波高压,调Q时间由原来使用电子管时的90ns缩短为15ns以内,从... 设计了一种基于MarxBankGenerator脉冲发生原理而设计的ns级上升沿调Q开关雪崩三极管高压脉冲发生器。它可以在20ns以内的时间在Nd:YAG激光器的电光调Q晶体(KD*P)两端加上1/4波高压,调Q时间由原来使用电子管时的90ns缩短为15ns以内,从而使输出脉冲的峰值功率由25mW增大至93mW,脉宽由16ns缩短为8ns。该调Q电路还具有体积小、功耗低、电磁辐射小、重复率高和工作寿命长等优点。 展开更多

关键词 Q开关 高压脉冲发生器 纳秒上升沿 雪崩三极管 调Q

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低抖动纳秒级前沿的氢闸流管高压脉冲源 被引量：5

3

作者 郝晓敏 唐丹 +1 位作者 陈敏德 王欣 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期265-268,共4页

　试验用功率MOSFET驱动氢闸流管,做成幅度可达15kV、前沿小于10ns、抖动低于1ns的高压纳秒级前沿脉冲源。简要介绍了脉冲源的电路结构,着重从氢闸流管储氢器加热电压、阴极加热电压、触发脉冲幅度、前沿和延迟几方面测量分析了其对脉... 　试验用功率MOSFET驱动氢闸流管,做成幅度可达15kV、前沿小于10ns、抖动低于1ns的高压纳秒级前沿脉冲源。简要介绍了脉冲源的电路结构,着重从氢闸流管储氢器加热电压、阴极加热电压、触发脉冲幅度、前沿和延迟几方面测量分析了其对脉冲源输出特性的影响。 展开更多

关键词 氢闸流管 高压脉冲源 纳秒级前沿 低抖动

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纳秒级上升沿100 kV方波发生装置研制 被引量：2

4

作者 谢施君 穆舟 +3 位作者 丁卫东 王嘉琛 苏芳菲 刘勇 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第6期2169-2176,共8页

为了能够在高幅值、陡上升沿的方波电压下开展特快速瞬态过电压(very fast transient overvoltage, VFTO)传感器的性能测试,研制了上升沿纳秒级、输出电压幅值最高可达100 kV的方波发生装置。首先,建立了方波发生装置的电路模型,推导了... 为了能够在高幅值、陡上升沿的方波电压下开展特快速瞬态过电压(very fast transient overvoltage, VFTO)传感器的性能测试,研制了上升沿纳秒级、输出电压幅值最高可达100 kV的方波发生装置。首先,建立了方波发生装置的电路模型,推导了输出电压波形上升时间、波尾时间的估计式;仿真分析了脉冲电容器电容值、负载电阻、回路总电阻、回路电感对输出波形的影响;设计、研制了结构紧凑的100 kV方波发生装置,并测试了其输出性能。测试结果表明,其输出电压的上升时间<5 ns,在波尾1μs时的平顶降<1%,且重复性良好,可用于VFTO传感器的标定。 展开更多

关键词 方波发生装置 VFTO 纳秒级上升沿 波尾时间 重复性

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50 kV紧凑型自动化纳秒脉冲源的研制 被引量：1

5

作者 谢霖燊 石凌 王伟 《强激光与粒子束》 CAS CSCD 北大核心 2022年第7期145-148,共4页

介绍了一种50 kV紧凑型自动化纳秒脉冲源,输出脉冲幅值1~50 kV连续可调,输出前沿约2 ns,脉宽约21 ns,搭配有界波导波天线,可建立满足IEC61000-2-9标准要求的电磁环境。该脉冲源采用电容直流充放电的方法实现输出电压连续可调,通过改变... 介绍了一种50 kV紧凑型自动化纳秒脉冲源,输出脉冲幅值1~50 kV连续可调,输出前沿约2 ns,脉宽约21 ns,搭配有界波导波天线,可建立满足IEC61000-2-9标准要求的电磁环境。该脉冲源采用电容直流充放电的方法实现输出电压连续可调,通过改变储能电容大小的方法实现输出脉冲脉宽可调。研制了一套远程光控的控制系统实现脉冲源的全自动化运行。该脉冲源可用于绝缘材料击穿特性试验,以及外接导波天线可产生特定的电磁环境等。通过设计和选用更高耐压的储能电容、充电绝缘子等部件,脉冲源可输出更高的电压。 展开更多

关键词 电磁脉冲 快前沿 高压脉冲源 脉冲功率

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亚纳秒级同轴电阻分压器研制及其不确定度评定 被引量：2

6

作者 谢施君 张晨萌 +3 位作者 丁卫东 梅锴盛 韩晓言 张榆 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第12期4391-4399,共9页

为了保证纳秒脉冲电压测量用电容分压器的准确性,需在测量系统标定平台中布置标准电阻分压器作为基准分压器,通过测量结果比对的方式获得电容分压器的频率特性。因此,采用金属膜电阻研制了同轴电阻分压器作为电容分压器标定时的基准;研... 为了保证纳秒脉冲电压测量用电容分压器的准确性,需在测量系统标定平台中布置标准电阻分压器作为基准分压器,通过测量结果比对的方式获得电容分压器的频率特性。因此,采用金属膜电阻研制了同轴电阻分压器作为电容分压器标定时的基准;研制了亚纳秒级上升沿的方波校准器,对此同轴电阻分压器进行了方波响应测试;并参照测量不确定度表示通用方法对其刻度因数不确定度和上升时间不确定度进行了评定。试验结果表明,所研制的电阻分压器可有效响应上升前沿约300 ps的方波,取95%置信区间时,其方波响应的刻度因数扩展不确定度为1.264%,上升时间的扩展不确定度为6.92%。 展开更多

关键词 同轴电阻分压器 亚纳秒 方波响应 方波校准器 刻度因数 上升时间 不确定度评定

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基于MOSFET的纳秒级全固态脉冲源设计 被引量：1

7

作者 李玺钦 吴红光 +4 位作者 栾崇彪 肖金水 谢敏 李洪涛 马成刚 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第4期82-86,共5页

采用MOSFET半导体固态开关作为主放电开关取代气体开关、高压二极管替代充电电阻的技术方法,设计了一种基于功率MOSFET固态开关的纳秒级全固态脉冲源。设计的脉冲源主开关级数共5级,每级主开关分别由5只功率MOSFET半导体固态开关器件串... 采用MOSFET半导体固态开关作为主放电开关取代气体开关、高压二极管替代充电电阻的技术方法,设计了一种基于功率MOSFET固态开关的纳秒级全固态脉冲源。设计的脉冲源主开关级数共5级,每级主开关分别由5只功率MOSFET半导体固态开关器件串联组成,开关通断控制采用脉冲隔离变压器同步驱动方式。在重复频率1Hz^1kHz、充电电压4kV、负载阻抗为1kΩ条件下,可实现输出幅度大于20kV、前沿小于10ns且脉宽大于100ns的高压快脉冲。通过实验结果验证了所采用的设计原理及方法的可行性,并给出了单次和重复频率(1kHz)触发信号作用下全固态脉冲源输出的实验结果。 展开更多

关键词 功率MOSFET 纳秒级前沿 半导体固态开关 全固态 MARX发生器

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改变纳秒脉冲驱动波形提高等离子体显示平板维持期光效的研究

8

作者 吴晓震 刘克富 +1 位作者 区琼荣 李柳霞 《照明工程学报》 2012年第4期28-32,共5页

等离子体显示平板(PDP)作为自发光显示器件存在光效低、功耗大的问题。本文提出了一种新思路,利用快脉冲驱动改善PDP单元介质阻挡放电发光强度,提高电光转化效率。驱动源主要由低压信号经隔离放大后控制快速开关管开通、关断,实现正负... 等离子体显示平板(PDP)作为自发光显示器件存在光效低、功耗大的问题。本文提出了一种新思路,利用快脉冲驱动改善PDP单元介质阻挡放电发光强度,提高电光转化效率。驱动源主要由低压信号经隔离放大后控制快速开关管开通、关断,实现正负几百伏双极纳秒脉冲输出。PDP工作在维持驱动期稳定放电状态下,测量了照度、相对红外辐射等特性参数。给出了上升沿和脉宽引起特性参数变化的曲线,以及硬开关阶段上升沿参数的选取的实验结果分析。研究表明,快上升沿脉冲有利于PDP单元放电过程紫外光充分激发并大大降低热效应,从而显著改善PDP的光效。 展开更多

关键词 纳秒脉冲 上升沿 脉宽 驱动波形 光强 光效 PDP

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一种10kV方波电压发生器 被引量：15

9

作者 毛志国 邹晓兵 +3 位作者 刘锐 刘骁 何露芽 王新新 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第10期41-44,共4页

为了对高电压分压器进行实验标定,研制了一台最高输出电压为10 kV的方波发生器。它由直流高压源、脉冲形成线、高气压气体火花开关和脉冲传输线构成,以波阻抗为50Ω的聚乙烯高频同轴电缆作为脉冲形成线和脉冲传输线,并采用紧凑型氮气火... 为了对高电压分压器进行实验标定,研制了一台最高输出电压为10 kV的方波发生器。它由直流高压源、脉冲形成线、高气压气体火花开关和脉冲传输线构成,以波阻抗为50Ω的聚乙烯高频同轴电缆作为脉冲形成线和脉冲传输线,并采用紧凑型氮气火花开关,改变脉冲形成线的长度和开关的气压可分别改变方波脉宽和幅值（3-10 kV）。实验中脉冲形成线的长度为10 m,对应的方波脉宽为100 ns。开关中氮气为0.2-0.7 MPa时,输出方波前沿的上升时间为14.1-1.5 ns,随气压的上升而急剧下降,且上升时间和气压的关系式不同于由J.C.Mar-tin公式推导的结果。0.7 MPa时间隙静态击穿场强高达500 kV/cm,为输出方波上升时间大大减小的根本原因。由上述实验知：该方波发生器完全适合于高电压分压器的实验标定。 展开更多

关键词 高电压方波发生器 气体火花开关 脉冲上升时间 电阻分压器 方波响应时间 高气压击穿

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高压陡前沿脉冲发生装置

10

作者 王典 陈庆国 《电源世界》 2009年第4期40-43,共4页

介绍了一种基于IGBT串联技术的频率可调的高压陡前沿脉冲发生装置。并针对串级型结构的固体开关式脉冲发生器存在的可靠性受同步驱动、均压等技术条件影响严重的问题,提出了利用光纤连接器提高驱动信号同步性等解决方案。利用OrCAD\PSp... 介绍了一种基于IGBT串联技术的频率可调的高压陡前沿脉冲发生装置。并针对串级型结构的固体开关式脉冲发生器存在的可靠性受同步驱动、均压等技术条件影响严重的问题,提出了利用光纤连接器提高驱动信号同步性等解决方案。利用OrCAD\PSpice软件对电路的仿真和与实际测试波形的对比结果证明,该装置工作可靠,输出脉冲电压峰峰值为+5kV,频率为lkHz～10kHz可调,脉冲前沿到达200纳秒以内。 展开更多

关键词 纳秒级脉冲前沿 IGBT串联 光纤连接器

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基于雪崩三极管的高压方波脉冲发生器研究 被引量：2

11

作者 陈伟 王谦 +4 位作者 吴高林 李永福 谭坚文 颜克伟 谭宽 《中国仪器仪表》 2020年第10期23-27,共5页

测试与测量领域对快前沿脉冲发生器的需求越来越高,特别是要求产生高重复频率和高电压的快脉冲。本文使用串行雪崩三极管开发了一种低成本的便携式高重复频率高压纳秒方波脉冲发生器。通过优化设计串行晶体管电路和PCB,有效降低杂散电... 测试与测量领域对快前沿脉冲发生器的需求越来越高,特别是要求产生高重复频率和高电压的快脉冲。本文使用串行雪崩三极管开发了一种低成本的便携式高重复频率高压纳秒方波脉冲发生器。通过优化设计串行晶体管电路和PCB,有效降低杂散电感和电压反射,使输出方波脉冲获得2.5ns的上升时间,幅度输出脉冲2.5kV,脉冲宽度为12.5ns。高压脉冲发生器在10kHz的高重复频率工作模式下,脉冲时间抖动小于100ps。 展开更多

关键词 高压纳秒脉冲发生器 雪崩三极管 快前沿 方波脉冲

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高压陡前沿脉冲发生装置

12

作者 王典 陈庆国 《变频器世界》 2009年第4期53-56,共4页

介绍了一种基于IGBT串联技术的频率可调的高压陡前沿脉冲发生装置。并针对串级型结构的固体开关式脉冲发生器存在的可靠性受同步驱动、均压等技术条件影响严重的问题,提出了利用光纤连接器提高驱动信号同步性等解决方案。利用OrCAD\PSp... 介绍了一种基于IGBT串联技术的频率可调的高压陡前沿脉冲发生装置。并针对串级型结构的固体开关式脉冲发生器存在的可靠性受同步驱动、均压等技术条件影响严重的问题,提出了利用光纤连接器提高驱动信号同步性等解决方案。利用OrCAD\PSpice软件对电路的仿真和与实际测试波形的对比结果证明,该装置工作可靠.输出脉冲电压峰峰值为±5kV,频率为1kHz～10kHz可调,脉冲前沿到达200ns以内。 展开更多

关键词 纳秒级脉冲前沿 IGBT串联 光纤连接器

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