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毫米波GaAs pin单刀单掷开关单片 被引量：1
1
作者 陈新宇 蒋幼泉 +2 位作者 许正荣 黄子乾 李拂晓 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第12期2163-2166,共4页
采用GaAs pin二极管，完成了15-40GHz的单刀单掷开关单片的设计、制作．GaAs pin二极管SPST开关单片具有低插损、高隔离、高功率的特点，在15-20GHz带内插损0．6dB，驻波优于1．5，隔离度大于40dB;在20～40GHz带内插损小于1．1dB，驻波... 采用GaAs pin二极管，完成了15-40GHz的单刀单掷开关单片的设计、制作．GaAs pin二极管SPST开关单片具有低插损、高隔离、高功率的特点，在15-20GHz带内插损0．6dB，驻波优于1．5，隔离度大于40dB;在20～40GHz带内插损小于1．1dB，驻波优于1．35，隔离度大于35dB．pin二极管SPST开关单片的1dB功率压缩点P-1大于2W，GaAs pin二极管开关单片采用MOCVD生长的GaAs纵向pin二极管材料结构，Ф76mm GaAs圆片工艺加工制作． 展开更多
关键词 毫米波 GAAS pin二极管 单刀单掷 开关 单片
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