期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到10篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
低介电常数材料和氟化非晶碳薄膜的研究进展 被引量：1
1
作者 闫继红 宁兆元 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期20-22,35,共4页
目前微电子器件正经历着一场材料结构的变革。由于其特征尺寸进入到100nm,由内部金属连线的电阻和线间绝缘介质层的电容构成的阻容延时已经成为限制器件性能的主要因素。用电阻更小的铜取代目前使用的铝作金属连线,用低介电常数(低 K)... 目前微电子器件正经历着一场材料结构的变革。由于其特征尺寸进入到100nm,由内部金属连线的电阻和线间绝缘介质层的电容构成的阻容延时已经成为限制器件性能的主要因素。用电阻更小的铜取代目前使用的铝作金属连线,用低介电常数(低 K)材料取代二氧化硅作线间介质成为重要的、应用价值巨大的研究课题。着重叙述了具有低介电常数的氟化非晶碳薄膜的研究进展。 展开更多
关键词 氟化非晶碳薄膜 研究进展 低介电常数材料 微电子器件 特征尺寸 材料结构 器件性能 二氧化硅 研究课题 应用价值 介质层 连线 金属 电阻
下载PDF
显微云纹技术在微电子器件力学测量中的应用 被引量：2
2
作者 谢惠民 王怀喜 +2 位作者 马少鹏 刘清珺 岸本哲 《力学与实践》 CSCD 北大核心 2009年第3期1-8,共8页
电子工业的不断发展促进了电子器件的微小型化,作为新型产品设计基础的微电子器件可靠性分析成为人们非常关注的问题.力学参数的测量可以为可靠性评价提供有价值的实验依据.概括总结了显微云纹技术的发展,主要介绍了云纹干涉法和扫描显... 电子工业的不断发展促进了电子器件的微小型化,作为新型产品设计基础的微电子器件可靠性分析成为人们非常关注的问题.力学参数的测量可以为可靠性评价提供有价值的实验依据.概括总结了显微云纹技术的发展,主要介绍了云纹干涉法和扫描显微镜云纹方法及其在微电子器件全场变形场测量中的应用. 展开更多
关键词 显微云纹 微电子器件 变形分析
下载PDF
折叠波导行波管及微加工技术 被引量：6
3
作者 欧阳勤 《真空电子技术》 2003年第6期33-38,共6页
随着真空微电子学和微加工技术的发展,微真空电子器件的研究范围日益扩展并逐步扩大了各领域的重要应用。研究表明:毫米波折叠波导行波管已成为国际范围THz器件的研究重点。本文扼要地介绍了美国威斯康星大学对折叠波导行波管的研究情况... 随着真空微电子学和微加工技术的发展,微真空电子器件的研究范围日益扩展并逐步扩大了各领域的重要应用。研究表明:毫米波折叠波导行波管已成为国际范围THz器件的研究重点。本文扼要地介绍了美国威斯康星大学对折叠波导行波管的研究情况,包括设计、缩尺实验、采用的制造技术以及某些其他微真空电子器件和微加工制造方法。 展开更多
关键词 微真空电子器件 折叠波导 微加工技术
下载PDF
雷电波侵入低压电源线引起冲击电压的仿真研究 被引量：10
4
作者 李建胜 邝立新 +1 位作者 宋志国 鲁铁成 《电网技术》 EI CSCD 北大核心 2007年第16期26-29,共4页
针对雷电波侵入电力调度通信大楼电源线引起的冲击电压进行仿真研究,分别考虑不同的电缆接线方式、是否接压敏电阻以及压敏电阻的组数对冲击电压的影响。计算结果表明:未加装压敏电阻时,各结点电压随电缆长度的增加而升高;加装压敏电阻... 针对雷电波侵入电力调度通信大楼电源线引起的冲击电压进行仿真研究,分别考虑不同的电缆接线方式、是否接压敏电阻以及压敏电阻的组数对冲击电压的影响。计算结果表明:未加装压敏电阻时,各结点电压随电缆长度的增加而升高;加装压敏电阻后,电缆沿线各结点冲击电压得到有效抑制;线路带负载后冲击电压进一步降低。在总配电柜及微电子设备的供电处各安装一组过电压保护器,可以有效降低冲击电压对大楼内微电子设备造成的危害。 展开更多
关键词 雷电波 冲击电压 电缆 微电子设备 压敏电阻
下载PDF
基于原子力显微镜的三维表面多参数检测技术
5
作者 耿俊媛 张号 +2 位作者 孟祥和 谢晖 赵新 《中国科学：技术科学》 EI CSCD 北大核心 2024年第12期2221-2254,共34页
三维微纳电子器件因其结构紧凑、功能密度高等特点,逐渐成为主流的半导体元件形式,实现三维微纳表面多参数量化分析是控制三维器件功能质量的关键.原子力显微镜具备高分辨率力反馈成像能力,是实现微纳表面形貌、电学和力学特性同步检测... 三维微纳电子器件因其结构紧凑、功能密度高等特点,逐渐成为主流的半导体元件形式,实现三维微纳表面多参数量化分析是控制三维器件功能质量的关键.原子力显微镜具备高分辨率力反馈成像能力,是实现微纳表面形貌、电学和力学特性同步检测的重要工具.本文综述了基于原子力显微镜的三维表面多参数检测技术,首先介绍了原子力显微镜微纳表面形貌、电势和力学特性检测原理;随后归纳了近年来基于原子力显微镜的三维表面形貌测量方法,讨论了各类三维表面形貌检测技术的优缺点,并总结了当下已开发的三维表面电势表征方法和三维表面纳米力学特性表征方法,分析了三维表面电学与力学特性测量的必要性.最后,对三维表面多参数检测技术的发展方向及其所面临的挑战进行了展望和简要概括.本文所概述的原子力显微镜三维表面多参数检测方法将为推动三维微纳电子器件功能机理问题研究提供强大的技术支持. 展开更多
关键词 三维微纳电子器件 原子力显微镜 三维表面形貌 三维表面电势 三维表面纳米力学特性
原文传递
片上电子源的真空阳极键合 被引量：1
6
作者 陶俊明 刘文超 +3 位作者 郭等柱 赵振征 陈清 魏贤龙 《真空电子技术》 2020年第4期28-33,共6页
本文介绍了一种新型片上微型电子源的真空阳极键合方法,以构建一个和片上微型电子源集成在一起的片上微型真空腔室。采用导线搭接的方法完成了硅玻璃交替的多层键合结构,实现了包含五层键合结构的片上微型真空三极管。使用氦质谱检漏仪... 本文介绍了一种新型片上微型电子源的真空阳极键合方法,以构建一个和片上微型电子源集成在一起的片上微型真空腔室。采用导线搭接的方法完成了硅玻璃交替的多层键合结构,实现了包含五层键合结构的片上微型真空三极管。使用氦质谱检漏仪对键合界面进行真空漏率的检测,提出了一种可改善电极跨越键合界面引起界面漏气的简单方法。 展开更多
关键词 阳极键合 片上微型电子源 微纳真空电子器件 片上微型真空腔室
下载PDF
微纳电子器件课程思政案例教学的探索和实践 被引量：5
7
作者 刘森 李智炜 王玺 《教育教学论坛》 2020年第47期236-238,共3页
微纳电子器件是一门涉及微电子、集成电路先进制造工艺和表征技术的课程。由于“中兴”“华为”事件,我国微电子科学与产业技术引起广泛关注和讨论。文章以微纳电子器件课程改革为契机,在课堂教学中融入思政元素,展示我国微电子领域取... 微纳电子器件是一门涉及微电子、集成电路先进制造工艺和表征技术的课程。由于“中兴”“华为”事件,我国微电子科学与产业技术引起广泛关注和讨论。文章以微纳电子器件课程改革为契机,在课堂教学中融入思政元素,展示我国微电子领域取得的成就,引导大家客观评价我国微电子产业技术,建立对我国微电子科学发展的信心和兴趣,实现知识传授和价值引领同频共振。 展开更多
关键词 课程思政 教学改革 微纳电子器件
下载PDF
氧化硅水平隧穿结电子源及其应用
8
作者 朱韬远 李志伟 +2 位作者 詹芳媛 杨威 魏贤龙 《真空科学与技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第9期737-748,共12页
电子源是真空电子设备的核心部件,片上微型电子源是实现微型化、片上化真空电子器件的关键和基础。氧化硅水平隧穿结电子源是本课题组近几年发展的一种新型片上微型电子源,其具有发射效率高、发射电流密度大、工作电压低、能耐受粗真空... 电子源是真空电子设备的核心部件,片上微型电子源是实现微型化、片上化真空电子器件的关键和基础。氧化硅水平隧穿结电子源是本课题组近几年发展的一种新型片上微型电子源,其具有发射效率高、发射电流密度大、工作电压低、能耐受粗真空和时间响应快等优点,展现出较大的应用潜力。文章将从电子发射微观过程及理论模型、阵列化集成以及在真空电子器件中的应用三个方面系统介绍氧化硅水平隧穿结电子源,并对本课题组在该方向上所做的工作进行梳理与总结。 展开更多
关键词 氧化硅水平隧穿结电子源 片上微型电子源 微型真空电子器件
下载PDF
场发射冷阴极的技术现状及其应用研究进展 被引量：2
9
作者 徐季 张建 +5 位作者 李孟杰 史永佼 施予同 吴量 李新宇 张晓兵 《真空电子技术》 2020年第3期1-14,共14页
基于场发射冷阴极的真空电子器件被广泛应用于通讯、医疗、安全监测等领域,本文主要回顾了近年来场发射冷阴极及其真空电子器件的最新研究进展,介绍了现行冷阴极中使用的低维纳米材料和新型复合式结构,详细探讨了场发射冷阴极在微波管... 基于场发射冷阴极的真空电子器件被广泛应用于通讯、医疗、安全监测等领域,本文主要回顾了近年来场发射冷阴极及其真空电子器件的最新研究进展,介绍了现行冷阴极中使用的低维纳米材料和新型复合式结构,详细探讨了场发射冷阴极在微波管、电子显微技术、X射线管及真空纳米间隙晶体管中的应用现状。最后,着重阐述了真空电子微系统的科学概念,并对未来的应用前景进行了展望。 展开更多
关键词 场发射冷阴极 真空微纳电子器件 低维纳米材料 微纳加工工艺 真空微系统
下载PDF
真空微电子器件发展现状及远景了望
10
作者 罗恩泽 《真空电子技术》 北大核心 1993年第4期1-6,共6页
本文论述了真空微电子器件的发展远景,并回答了为什么真空微电子器件在未来必将取代固体器件,以及目前它在工艺上和理论上存在些什么困难。
关键词 真空微电子器件 真空电子器件 微电子器件
下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部