利用远红外激光干涉仪对Tokamak内部电子数密度和磁场分布进行测量是控制其放电状态的重要依据。从该方法的测量原理出发,分析了中频信号频率不稳定性对电子数密度和磁场分布测量以及Tokamak放电状态实时控制的影响;针对如何提高中频频...利用远红外激光干涉仪对Tokamak内部电子数密度和磁场分布进行测量是控制其放电状态的重要依据。从该方法的测量原理出发,分析了中频信号频率不稳定性对电子数密度和磁场分布测量以及Tokamak放电状态实时控制的影响;针对如何提高中频频率的稳定性提出了一套以单片机为核心的控制方案和控制系统,并研制了稳频控制器;通过现场调试,对比分析了控制前后中频信号的频率变化。实验结果表明,未接入稳频控制器时,30 min内中频频率中心值变化了90 k Hz;而接入稳频控制器后,中频频率中心值始终在设定值的±5 k Hz范围内变化。这表明该控制方法和控制系统能够实现中频频率的稳定控制。展开更多
文摘利用远红外激光干涉仪对Tokamak内部电子数密度和磁场分布进行测量是控制其放电状态的重要依据。从该方法的测量原理出发,分析了中频信号频率不稳定性对电子数密度和磁场分布测量以及Tokamak放电状态实时控制的影响;针对如何提高中频频率的稳定性提出了一套以单片机为核心的控制方案和控制系统,并研制了稳频控制器;通过现场调试,对比分析了控制前后中频信号的频率变化。实验结果表明,未接入稳频控制器时,30 min内中频频率中心值变化了90 k Hz;而接入稳频控制器后,中频频率中心值始终在设定值的±5 k Hz范围内变化。这表明该控制方法和控制系统能够实现中频频率的稳定控制。
