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低温环境下桥梁钢Q345qD疲劳裂纹扩展行为研究 被引量:15
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作者 廖小伟 王元清 +1 位作者 石永久 陈宏 《工程力学》 EI CSCD 北大核心 2018年第10期85-91,共7页
为了明确在寒冷地区服役桥梁钢的疲劳裂纹扩展行为,以16 mm厚桥梁钢Q345qD为研究对象,完成了室温和低温下的夏比冲击韧性试验、疲劳裂纹扩展速率试验和疲劳裂纹扩展门槛值试验。结果表明,夏比冲击功和试样断口剪切断面率随温度的降低而... 为了明确在寒冷地区服役桥梁钢的疲劳裂纹扩展行为,以16 mm厚桥梁钢Q345qD为研究对象,完成了室温和低温下的夏比冲击韧性试验、疲劳裂纹扩展速率试验和疲劳裂纹扩展门槛值试验。结果表明,夏比冲击功和试样断口剪切断面率随温度的降低而减少;在应力比0.1、0.2和0.5条件下,疲劳裂纹扩展速率均随温度降低而变缓,该桥梁钢的疲劳韧-脆转变温度点在-60℃以下;在室温^-60℃,其裂纹扩展速率均对应力比的变化不敏感;应力比0.1条件下的疲劳裂纹扩展门槛值随温度的降低有略微增大的趋势。该批次桥梁钢表现出了良好的抵抗低温疲劳裂纹扩展性能,防止低温脆性破坏成为疲劳设计的重点;试验数据能为钢结构桥梁的进一步抗低温疲劳和防低温冷脆断裂设计提供参考。 展开更多
关键词 Q345qD桥梁钢 疲劳裂纹扩展 低温 门槛值 韧-脆转变温度
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预测低温冷害的门限回归模型 被引量:13
2
作者 杨晓华 金菊良 魏一鸣 《灾害学》 CSCD 2002年第1期10-14,共5页
提出用门限回归模型 (TR)来描述低温灾害指标变量在灾害状况与非灾害状况的突变性。研制了 TR建模的一套简便通用的方案 ,用笔者改进的遗传算法可同时优化门限值和回归系数 ,从而解决了 TR建模过程所涉及的大量复杂寻优工作这一难题 ,为... 提出用门限回归模型 (TR)来描述低温灾害指标变量在灾害状况与非灾害状况的突变性。研制了 TR建模的一套简便通用的方案 ,用笔者改进的遗传算法可同时优化门限值和回归系数 ,从而解决了 TR建模过程所涉及的大量复杂寻优工作这一难题 ,为 TR模型的广泛应用提供了有效工具。实例的计算结果说明了其可行性和有效性。该方案具有通用性 。 展开更多
关键词 低温冷害 时间序列 门限回归模型 遗传算法 农作物
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寸草塔煤矿22煤层自然发火标志气体及自燃预警值研究 被引量:9
3
作者 王文清 邢真强 郭佳策 《煤矿安全》 CAS 北大核心 2021年第1期173-176,183,共5页
寸草塔煤矿22煤层为变质程度较低的不黏煤,低温氧化条件下CO产生量较大。结合22301工作面煤层赋存的实际情况,通过实验室测试分析,优选了22煤层自然发火标志气体,通过理论计算,构建了工作面正常推采条件下回风隅角CO体积分数值的预测模... 寸草塔煤矿22煤层为变质程度较低的不黏煤,低温氧化条件下CO产生量较大。结合22301工作面煤层赋存的实际情况,通过实验室测试分析,优选了22煤层自然发火标志气体,通过理论计算,构建了工作面正常推采条件下回风隅角CO体积分数值的预测模型,现场实测了采空区自燃火灾关键技术参数,确定了工作面回风隅角CO体积分数预警值,规范和完善工作面回风隅角CO气体超限防治技术。 展开更多
关键词 低变质煤 低温氧化 CO临界值 采空区自燃“三带” 气体超限
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低温集输工艺技术研究与应用 被引量:9
4
作者 王忠民 《石油工程建设》 2013年第5期61-63,10,共3页
通过对结蜡机理、管材对结蜡的影响、流速对结蜡的影响、结蜡量与含水率的关系、温度对结蜡的影响等方面进行室内实验研究,同时引入原油失流点测试研究,对高含水油不同状态下的集输性能进行分析实验,初步确定了原油低温集输界限,经现场... 通过对结蜡机理、管材对结蜡的影响、流速对结蜡的影响、结蜡量与含水率的关系、温度对结蜡的影响等方面进行室内实验研究,同时引入原油失流点测试研究,对高含水油不同状态下的集输性能进行分析实验,初步确定了原油低温集输界限,经现场应用取得了较好的节能效果和社会效益。 展开更多
关键词 含蜡原油 集输性能 低温集输 界限 应用 节能效果
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基于再分析资料与观测资料的中国低温阈值变化特征研究 被引量:7
5
作者 高庆九 余汶樯 周小艳 《大气科学学报》 CSCD 北大核心 2018年第3期308-317,共10页
采用1979—2013年中国192站逐日最低温度观测资料和NCEP/NCAR、NCEP/DOE、JRA-55、ERA-Interim再分析资料及1979—2004年均一化资料,分别计算低温阈值并对比分析其气候态、年际和年代际变化、长期趋势等特征。结果表明:与观测结果相比,... 采用1979—2013年中国192站逐日最低温度观测资料和NCEP/NCAR、NCEP/DOE、JRA-55、ERA-Interim再分析资料及1979—2004年均一化资料,分别计算低温阈值并对比分析其气候态、年际和年代际变化、长期趋势等特征。结果表明:与观测结果相比,均一化资料阈值在东北、内蒙古西部和两广等地偏低,在青藏高原东侧、新疆北部和黄河中下游偏高,线性趋势则相反;再分析资料阈值在南方偏低、东北偏高,在东部的可信度高于西部;再分析资料能显示内蒙古中西部的降温趋势和青藏高原的增温趋势,但在数值和范围上有差异,且均低估了观测资料反映的华北地区的显著升温现象;再分析资料能体现观测资料阈值的全区一致性、东北与其他地区反相的空间分布及其年际变化特征,仅JRA-55和ERA-Interim可再现低温阈值的年代际变化特征。 展开更多
关键词 低温阈值 观测资料 均一化资料 再分析资料 适用性评估
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大鼠低温烫伤阈值的研究 被引量:6
6
作者 霍春暖 王建荣 《中华现代护理杂志》 2011年第34期4113-4115,F0003,共4页
目的探讨低温烫伤发生的时机及采用防护措施的效果,为临床上防治低温烫伤提供依据。方法以大鼠为实验模型,在麻醉状态下,观察大鼠胸腹部皮肤在42~70℃时烫伤组织的病理变化、损伤程度,以及烫伤发生的时间、温度及其与组织损伤程度... 目的探讨低温烫伤发生的时机及采用防护措施的效果,为临床上防治低温烫伤提供依据。方法以大鼠为实验模型,在麻醉状态下,观察大鼠胸腹部皮肤在42~70℃时烫伤组织的病理变化、损伤程度,以及烫伤发生的时间、温度及其与组织损伤程度和死亡之间的关系。结果接触42℃低温热源的大鼠与不接触热源的大鼠皮肤组织无明显差别。大鼠接触45℃低温热源2~3h内有45.2%动物热死亡。接触50℃低温热源大鼠45~60min内全部动物热死亡,55℃直接接触组大鼠死亡时间(42.43±2.15) in,防护组死亡时间(66.14±8.61)min,两组比较差异有统计学意义(t=7.0697,P〈0.01)。显微镜下可见60℃以上高温烫伤组大鼠皮肤及皮下组织、深部肌层组织广泛坏死。结论皮肤直接接触热源在45-70℃之间可引起低温烫伤,皮肤直接接触热源在70℃以上引起高温烫伤。皮肤损伤程度和热致死率与接触温度、接触持续时间、接触部位有关。 展开更多
关键词 低温 大鼠 护理 烫伤 阈值
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一种频率可调低温漂振荡器的设计 被引量:4
7
作者 付鑫 冯全源 《电子元件与材料》 CAS CSCD 2016年第7期68-71,共4页
设计了一种频率可调,低温漂、结构简单的张弛振荡器。该振荡器利用基准电压和负反馈的钳位作用,通过改变外部电阻的阻值来线性改变振荡周期。利用电容两端电压不能突变的原理,使得每次充放电电容电压跳变后都远离反相器的阈值,这样便忽... 设计了一种频率可调,低温漂、结构简单的张弛振荡器。该振荡器利用基准电压和负反馈的钳位作用,通过改变外部电阻的阻值来线性改变振荡周期。利用电容两端电压不能突变的原理,使得每次充放电电容电压跳变后都远离反相器的阈值,这样便忽略阈值对振荡器的影响,并且省去了常规结构中的迟滞比较器,简化了电路结构,减小了振荡器的复位延时。基于0.18μm BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工艺模型,采用Cadence和Hspice进行仿真。在典型应用下,振荡器的频率范围为500 k Hz^2 MHz,温度在–20^+120℃变化时,振荡器的频率随温度变化的偏移量在±2.76%以内。 展开更多
关键词 张弛振荡器 频率可调 低温漂 负反馈 充放电电容 反相器阈值
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一种阵列式版图布局的低温度系数CMOS带隙基准电压源 被引量:3
8
作者 王鹏飞 刘博 +2 位作者 段文娟 张立文 张金灿 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第1期24-29,共6页
设计了一款低温度系数的自偏置CMOS带隙基准电压源电路,分析了输出基准电压与关键器件的温度依存关系,实现了低温度系数的电压输出。后端物理设计采用多指栅晶体管阵列结构进行对称式版图布局,以压缩版图面积。基于65 nm/3.3 V CMOS RF... 设计了一款低温度系数的自偏置CMOS带隙基准电压源电路,分析了输出基准电压与关键器件的温度依存关系,实现了低温度系数的电压输出。后端物理设计采用多指栅晶体管阵列结构进行对称式版图布局,以压缩版图面积。基于65 nm/3.3 V CMOS RF器件模型,在Cadence IC设计平台进行原理图和电路版图设计,并对输出参考电压的精度、温度系数、电源抑制比(PSRR)和功耗特性进行了仿真分析和对比。结果表明,在3.3 V电源和27℃室温条件下,输出基准电压的平均值为765.7 mV,功耗为0.75μW;在温度为-55~125℃时,温度系数为6.85×10~(-6)/℃。此外,输出基准电压受电源纹波的影响较小,1 kHz时的PSRR为-65.3 dB。 展开更多
关键词 互补金属氧化物半导体(CMOS) 带隙基准电压源 低温度系数 亚阈值区 晶体管阵列版图
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硬级铺面沥青低温性能评价指标研究 被引量:2
9
作者 董雨明 谭忆秋 +1 位作者 柳浩 李振 《公路》 北大核心 2015年第11期176-182,共7页
选择具有油源代表性的国产硬级沥青,基于现象学、流变学系统研究了其低温性能特征,优选了两种不同级配的硬级沥青混合料,研究了其低温性能,结果显示,硬级沥青延度值不高,但其混合料低温弯曲极限应变可以满足我国沥青混凝土路面部分气候... 选择具有油源代表性的国产硬级沥青,基于现象学、流变学系统研究了其低温性能特征,优选了两种不同级配的硬级沥青混合料,研究了其低温性能,结果显示,硬级沥青延度值不高,但其混合料低温弯曲极限应变可以满足我国沥青混凝土路面部分气候分区的要求。在此基础上,系统分析了硬级沥青胶结料与混合料的低温性能指标间的相关性,结果发现,对于硬级沥青而言,延度与极限应变相关性不佳,而流变学指标低温弯曲劲度、m值等指标与极限应变有较好的相关性。并根据线性相关关系,建立了两个气候分区冬冷区、冬温区基于流变学的硬级沥青低温性能评价标准。 展开更多
关键词 硬级铺面沥青 低温性能 评价指标 门槛值 气候分区
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一种低温度系数的全CMOS基准电流源 被引量:2
10
作者 罗彦彬 乐建连 +2 位作者 甘业兵 钱敏 叶甜春 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2016年第5期624-627,共4页
基于传统基准电流源结构,增加了一条负反馈支路,将片上电阻的温度系数、晶体管载流子的温度系数与晶体管阈值电压的温度系数相互抵消,实现了基准电流源的温度补偿。测试结果表明,该基准电流源在1.1V的电源电压下能正常工作。在1.2V工作... 基于传统基准电流源结构,增加了一条负反馈支路,将片上电阻的温度系数、晶体管载流子的温度系数与晶体管阈值电压的温度系数相互抵消,实现了基准电流源的温度补偿。测试结果表明,该基准电流源在1.1V的电源电压下能正常工作。在1.2V工作电压下,该基准电流源的静态电流仅为26μA,输出平均电流为10.36μA;当工作温度从-40℃到85℃变化时,电流的温度系数仅为3.79×10-4/℃。该电路采用55nm CMOS工艺,其芯片面积为4 488μm2,满足低功耗低成本的要求。 展开更多
关键词 基准电流源 低温度系数 阈值电压 CMOS
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速生杨树越冬伤害阈值和发生时期的研究 被引量:2
11
作者 杨成超 张妍 李晓宇 《辽宁林业科技》 2020年第1期1-4,63,共5页
为了阐明杨树越冬伤害发生原因,解决杨树越冬伤害风险评估的基础性问题,以凌海市速生杨树为研究对象,采用定位监测的方法开展了速生杨树越冬伤害阈值和发生时期的研究。结果表明:冬季负积温、平均气温、最低气温与杨树树干破腹率及越冬... 为了阐明杨树越冬伤害发生原因,解决杨树越冬伤害风险评估的基础性问题,以凌海市速生杨树为研究对象,采用定位监测的方法开展了速生杨树越冬伤害阈值和发生时期的研究。结果表明:冬季负积温、平均气温、最低气温与杨树树干破腹率及越冬死亡率无相关关系。大幅度日较差与速生杨树越冬死亡有关,但不是所有的大幅度日较差都会造成速生杨树越冬死亡,越冬死亡与大幅度日较差出现的时间有关。有效冻融型越冬伤害一般发生在抗寒锻炼期和脱锻炼期,深度休眠期的温度变化对杨树越冬影响相对较小。速生杨树在野外发生极端低温型越冬伤害的气温阈值小于-29.2℃,发生有效冻融型越冬伤害的气温日较差阈值≥15.5℃。该研究为速生杨树越冬伤害模型构建奠定了基础,具有一定的科研和实际应用价值。 展开更多
关键词 杨树 有效冻融 极端低温 阈值 发生时期
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民用飞机冬季运行低温修正与评估研究
12
作者 翟鹏飞 马玲 +1 位作者 王航臣 刘资涵 《民用飞机设计与研究》 2023年第4期134-140,共7页
目前,航空公司主力机型温度补偿能力欠缺,管制部门、机场和航空公司低温修正方法不统一,除RNP程序外其他程序无温度标注。针对上述问题,首先,说明了低温修正的主体责任,并分析了目前国内低温修正的现状,提出并非所有的低温都需要修正,... 目前,航空公司主力机型温度补偿能力欠缺,管制部门、机场和航空公司低温修正方法不统一,除RNP程序外其他程序无温度标注。针对上述问题,首先,说明了低温修正的主体责任,并分析了目前国内低温修正的现状,提出并非所有的低温都需要修正,具体需要根据温度和飞行程序来判定。其次,从净空条件较好与复杂两种情况介绍了低温修正越障的风险,以及越障裕度计算的三个方法:简单计算法、ICAO公式法和查表法,并指出可以通过ICAO公式法反推低温修正的门限温度,并通过门限温度判断机场是否需要低温修正。最后,以北京大兴国际机场为例进行计算,得出除非在二三类盲降皆不可用,且能见度处于航图标准边缘时才需要考虑低温修正。除上述情况,其余跑道任何时候都不需要低温修正。 展开更多
关键词 民用飞机 低温修正 越障 门限温度
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一种低温漂张弛振荡器设计
13
作者 危林峰 李文昌 +2 位作者 尹韬 刘剑 张天一 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第1期31-36,72,共7页
针对传统张弛振荡器输出频率的稳定性易受温度影响的问题,设计了一种结构简单的低温漂张弛振荡器。将MOS管的阈值电压作为参考比较电压,无需考虑比较器偏移电压的影响,偏置电流电路提供与阈值电压有关的电容充电电流,可以抵消参考比较... 针对传统张弛振荡器输出频率的稳定性易受温度影响的问题,设计了一种结构简单的低温漂张弛振荡器。将MOS管的阈值电压作为参考比较电压,无需考虑比较器偏移电压的影响,偏置电流电路提供与阈值电压有关的电容充电电流,可以抵消参考比较电压温度系数对振荡器输出频率的影响,最终使其对温度的稳定性只受电阻温漂的影响。设计中电阻采用相反温度系数的串/并联复合的拓扑结构,能有效降低电阻温漂对输出频率温度稳定性的影响。该振荡器采用0.35μm BCD工艺实现,已集成应用于一款温度传感芯片,振荡器单元尺寸为0.25 mm×0.3 mm,电源电压为3.3 V,功耗约为15μW。测试结果表明,当电源电压在3~3.6 V变化时,输出频率变化小于0.34%;当温度从-55℃变化到125℃时,输出频率的温度系数为83.6×10^(-6)/℃。 展开更多
关键词 张弛振荡器 低温漂 并/串联复合电阻 阈值电压 比较器
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江西地区冬半年极端低温事件主模态及环流特征
14
作者 马锋敏 刘冬梅 《气象与减灾研究》 2023年第1期1-8,共8页
基于1961—2022年江西日最低气温观测资料和NCEP/NCAR再分析资料,首先极端低温阈值,分析极端低温事件发生频次的分布特征;再利用经验正交函数(EOF)获得极端低温事件发生频次的主模态,分析相应的关键环流系统特征。结果表明:江西省大部... 基于1961—2022年江西日最低气温观测资料和NCEP/NCAR再分析资料,首先极端低温阈值,分析极端低温事件发生频次的分布特征;再利用经验正交函数(EOF)获得极端低温事件发生频次的主模态,分析相应的关键环流系统特征。结果表明:江西省大部分地区冬半年极端低温阈值在0℃以下,南北分布差异较明显。极端低温事件发生频次在空间上具有很好的一致性,在1985年前后由偏多转为偏少的年代际振荡。极端低温发生频次主模态的变化受冬季风系统关键成员的影响显著,东亚冬季风偏强、西伯利亚高压偏强、东亚大槽加深、副热带西风急流偏强都利于江西地区出现极端低温事件。 展开更多
关键词 极端低温 阈值 频次 主模态 东亚冬季风
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深亚微米工艺低温阈值电压解析模型研究
15
作者 刘海峰 何高魁 +3 位作者 刘洋 郝晓勇 宛玉晴 田华阳 《核电子学与探测技术》 CAS 北大核心 2023年第1期151-157,共7页
现有仿真模型的温度适用范围在223~423 K,无法满足低温设计需求,且目前公开报道的低温CMOS工艺物理建模研究成果中模型不解析。为了在低温下高纯锗探测器近端集成CMOS读出电路,实现高分辨率的核探测技术,着重从阈值电压温度效应物理机... 现有仿真模型的温度适用范围在223~423 K,无法满足低温设计需求,且目前公开报道的低温CMOS工艺物理建模研究成果中模型不解析。为了在低温下高纯锗探测器近端集成CMOS读出电路,实现高分辨率的核探测技术,着重从阈值电压温度效应物理机理出发,通过分段线性化和主项近似积分法结合常温下的边界条件建立4~423 K深亚微米工艺阈值电压解析模型。常温下的边界条件获取过程中,在均匀掺杂长沟道器件阈值电压表达式基础上,分别考虑横向、纵向非均匀掺杂,以及漏致势垒下降效应带来的影响,通过求解简化的耗尽区准泊松方程,得到常温边界条件通式。实际使用过程中,可针对不同工艺通过测试得到通式里包含的4个因子。在SMIC 0.18μm工艺下用该模型与MEDICI软件仿真结果对比发现极其吻合,验证了低温建模方法的可行性。 展开更多
关键词 低温 0.18μm CMOS工艺 阈值电压 解析模型
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低温CMOS-器件物理和互连特性 被引量:1
16
作者 刘卫东 魏同立 李垚 《东南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 1995年第A04期64-72,共9页
本文概述低温CMOS的器件物理及其中的互连特性。详细分析了MOS结构中载流的冻析效应,低温迁移率和漂移速度,并讨论了MOS器件的低温阈值特性。对低温下多晶硅和TiSi2等互连以及金一半欧姆接触特性,也作了扼要讨论。本... 本文概述低温CMOS的器件物理及其中的互连特性。详细分析了MOS结构中载流的冻析效应,低温迁移率和漂移速度,并讨论了MOS器件的低温阈值特性。对低温下多晶硅和TiSi2等互连以及金一半欧姆接触特性,也作了扼要讨论。本文的结果和结论对于优化低温CMOS结构和器件参数具有一定的参考价值。 展开更多
关键词 低温 CMOS 冻析 迁移率/互连 阈值特性 散射 多晶硅栅 金-半欧姆接触
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AlGaN/GaN HEMT低温直流特性研究
17
作者 张浩 吕长志 +2 位作者 朱修殿 徐立国 杨集 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2005年第11期7-9,共3页
研究了20℃ ̄-70℃栅宽为100μm、栅长为1μm的AlGaN/GaNHEMT的直流特性。随温度降低,电子迁移率增大,而二维电子气密度基本不变,HEMT饱和漏电流IDsat增大;阈值电压低温时有所下降,在一定温度范围内变化不明显,其原因除栅肖特基势垒高度... 研究了20℃ ̄-70℃栅宽为100μm、栅长为1μm的AlGaN/GaNHEMT的直流特性。随温度降低,电子迁移率增大,而二维电子气密度基本不变,HEMT饱和漏电流IDsat增大;阈值电压低温时有所下降,在一定温度范围内变化不明显,其原因除栅肖特基势垒高度、AlGaN/GaN导带差发生变化外,还可能与器件制备工艺和源极串联电阻有关。 展开更多
关键词 ALGAN/GAN HEMT 低温特性 饱和漏极电流 阈值电压
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1959~2009年宁夏极端温度阈值变化及其与AO指数相关分析 被引量:17
18
作者 薛红喜 孟丹 +2 位作者 吴东丽 王连喜 李琪 《地理科学》 CSCD 北大核心 2012年第3期380-385,共6页
以1959-2009年宁夏10个测站的逐日最高和最低气温资料,运用百分位法定义不同测站的逐年极端高、低温阈值,研究了宁夏近51 a来极端温度的变化特征;通过Mann-Kendall检验得出宁夏各气象站点温度发生突变的年份;并运用Pearson相关系数分析... 以1959-2009年宁夏10个测站的逐日最高和最低气温资料,运用百分位法定义不同测站的逐年极端高、低温阈值,研究了宁夏近51 a来极端温度的变化特征;通过Mann-Kendall检验得出宁夏各气象站点温度发生突变的年份;并运用Pearson相关系数分析探讨极端温度阈值与AO的相关关系。结果表明:①宁夏极端高温、低温阈值均呈极显著上升趋势,但极端低温阈值上升趋势更显著;②极端高温阈值北高南低,极端低温阈值南高北低;③宁夏极端低温阈值发生突变的时间集中在20世纪80年代左右,极端高温阈值的突变时间相对较晚;④极端高温阈值与夏季AO指数相关性不显著,极端低温阈值与冬季AO指数呈显著正相关性,北极涛动对宁夏冬季低温的影响较大。 展开更多
关键词 极端高温阈值 极端低温阈值 北极涛动 相关分析
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低光低温联合作用对铜绿微囊藻复苏能力的影响 被引量:17
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作者 汤俊 宋立荣 +2 位作者 孙松松 魏海慧 万能 《环境科学》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第12期2932-2937,共6页
运用正交实验设计方法研究了低温低光联合作用对铜绿微囊藻(Microcystis aeruginosa FACHB 905,以下称905)生长与光合活性的影响.采用比色法测定了铜绿微囊藻细胞叶绿素、类胡萝卜素的含量及组成比例,同时使用植物效率分析仪(Water-PAM... 运用正交实验设计方法研究了低温低光联合作用对铜绿微囊藻(Microcystis aeruginosa FACHB 905,以下称905)生长与光合活性的影响.采用比色法测定了铜绿微囊藻细胞叶绿素、类胡萝卜素的含量及组成比例,同时使用植物效率分析仪(Water-PAM)测定了905细胞的光合活性,并通过回复培养验证了其光合作用回复的能力.结果表明,相对于正常培养条件,低温低光对M.aeruginosa的生长均有不同程度的抑制作用,在9℃各处理组中,M.aeruginosa基本无法生长,因此可推测905细胞生长的温度阈值应高于9℃.在12℃各处理组中,光强为影响905细胞生长的主要因子,12℃、100 lx能促进其初期的生长,据此推测这一条件可能为微囊藻复苏的起始条件.15℃、100 lx处理组中,藻生长最快,生物量(以叶绿素a计)最大值为0.88 mg/L左右,分别为其他处理组的2~17倍;并且在15℃各处理组中,905细胞在"微光"(100 lx)处理组中叶绿素含量,电子传递速率及最大光量子产量均高于"低光"(500 lx)处理组,显示出相对于"低光"条件,铜绿微囊藻对"微光"的适应性更强.而回复培养的数据显示,9℃和12℃处理组样品在5 d内能迅速恢复其生长与光合活性,并最终与15℃处理组样品同样,荧光量子产量最终保持在0.55~0.6左右,并能稳定生长.研究结果对揭示铜绿微囊藻对湖泊底泥中越冬环境条件的耐受阈值及复苏的起始条件有重要意义. 展开更多
关键词 低温低光 联合作用 铜绿微囊藻 阈值 复苏
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NMOSFET低温阈值特性的研究
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作者 刘卫东 魏同立 +1 位作者 吴金 郑茳 《东南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 1993年第3期35-40,共6页
本文对N沟多晶硅栅MOSFET的低温(77 K)阈值特性进行了理论和实验研究.结果表明,理论分析和测试结果一致,而且与器件的室温特性相比,77 K下器件的亚阈值和阈值电压特性以及衬底灵敏度均得到改善.基于这些结果,本文也给出了适于低温工作... 本文对N沟多晶硅栅MOSFET的低温(77 K)阈值特性进行了理论和实验研究.结果表明,理论分析和测试结果一致,而且与器件的室温特性相比,77 K下器件的亚阈值和阈值电压特性以及衬底灵敏度均得到改善.基于这些结果,本文也给出了适于低温工作的增强型MOSFET的设计原则. 展开更多
关键词 场效应晶体管 低温 阈值 NMOSFET
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