期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到181篇文章
< 1 2 … 10 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
利用ADS软件设计X频段低噪声放大器 被引量：20
1
作者 唐海啸 张玉兴 +1 位作者 杨陈庆 杨玉梅 《电讯技术》 2006年第1期119-122,共4页
首先简要介绍微波低噪声放大器的设计理论和方法，然后介绍使用Agilent公司的微波电路CAD软件ADS进行仿真和优化设计一个X频段的低噪声放大器的方法和过程。对制成品的实际测试和调试表明，此放大器达到了预定的技术指标，性能良好。其... 首先简要介绍微波低噪声放大器的设计理论和方法，然后介绍使用Agilent公司的微波电路CAD软件ADS进行仿真和优化设计一个X频段的低噪声放大器的方法和过程。对制成品的实际测试和调试表明，此放大器达到了预定的技术指标，性能良好。其工作频段为8．6—9．5GHz，噪声系数≤1．8dB，增益为23dB，带内平坦度≤±0．5dB。 展开更多
关键词 低噪声放大器 噪声系数 增益 SMITH圆图 ADS仿真软件 优化
下载PDF
集成Si基低噪声放大器的注入损伤研究 被引量：14
2
作者 柴常春 张冰 +1 位作者 任兴荣 冷鹏 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期898-903,共6页
Si基和GaAs基低噪声放大器(LNA)内部有源器件的基极/发射极间是注入能量作用下容易损伤的敏感部位,同时Si基LNA内部的无源电阻也是外界能量作用下的易损薄弱环节之一.为了研究注入损伤机理和对LNA性能参数的影响,进行了能量色散谱(EDS)... Si基和GaAs基低噪声放大器(LNA)内部有源器件的基极/发射极间是注入能量作用下容易损伤的敏感部位,同时Si基LNA内部的无源电阻也是外界能量作用下的易损薄弱环节之一.为了研究注入损伤机理和对LNA性能参数的影响,进行了能量色散谱(EDS)分析和表面形貌(SEM)分析.SEM分析表明,不同能量作用下的样品其内部无源电阻和晶体管基极分别出现了异常,而对比正常和异常区域的EDS谱表明电极异常区域的组分有明显变化.ADS2004A的仿真结果表明,能量作用后电阻损伤阻值增大引起LNA噪声系数和增益特性退化.实验结果表明,LNA噪声系数NF对能量的作用更敏感,能量注入对NF的影响远强于其对增益的影响,噪声系数NF的变化应作为Si基LNA能量作用损伤的判据之一. 展开更多
关键词 低噪声放大器 噪声系数 能量注入 损伤效应 无源电阻
下载PDF
基于ADS射频低噪声放大器的设计与仿真 被引量：13
3
作者 梁立明 南敬昌 刘影 《计算机仿真》 CSCD 北大核心 2009年第11期352-355,共4页
为了加快低噪声放大器的设计和产品化过程,在分析了如何绘制等资用功率增益圆和等噪声系数圆的基础之上,提出了一种利用等资用功率增益圆和等噪声系数圆相结合的方法来设计LNA。通过对一个中心频率在915MHz低噪声放大器的噪声系数、功... 为了加快低噪声放大器的设计和产品化过程,在分析了如何绘制等资用功率增益圆和等噪声系数圆的基础之上,提出了一种利用等资用功率增益圆和等噪声系数圆相结合的方法来设计LNA。通过对一个中心频率在915MHz低噪声放大器的噪声系数、功率增益、输入输出驻波比等参数的仿真验证了所提出的方法,为了方便物理实现还提供了最终的设计电路。从仿真结果可以得出,LNA设计完全满足性能指标,对从事LNA的设计者来说有着重要的参考价值。 展开更多
关键词 低噪声放大器 噪声系数 功率增益 驻波比
下载PDF
超宽带射频接收机的研制 被引量：10
4
作者 田玲 朱红兵 洪伟 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第10期1838-1842,共5页
超宽带(UWB)短距离无线通信技术是当前国内外研究的热点,直接序列超宽带(DS-UWB)方案和多带-正交频分复用(MB-OFDM UWB)方案是两个主要候选方案,其中多带-正交频分复用方案是较受重视的方案.本文针对MB-OFDM UWB系统,提出了一种双载波-... 超宽带(UWB)短距离无线通信技术是当前国内外研究的热点,直接序列超宽带(DS-UWB)方案和多带-正交频分复用(MB-OFDM UWB)方案是两个主要候选方案,其中多带-正交频分复用方案是较受重视的方案.本文针对MB-OFDM UWB系统,提出了一种双载波-正交频分复用(DC-OFDM UWB)的射频解决方案.该方案采用了两个相邻的子载波实现宽带通信,两个子载波是在中频部分采用合路/分路的方式,以降低硬件实现难度和系统的复杂度.设计了UWB射频接收机中的低噪声放大器(LNA)、频率合成器和解调器等关键部件,并建立了DC-OFDM UWB接收机实验演示平台.测试结果表明,研制的射频接收机满足FCC规定的射频指标要求,该方案也适用于其它的宽带通信系统中. 展开更多
关键词 超宽带 低噪声放大器 频率合成器 解调器
下载PDF
1.5-6GHz增益和噪声系数稳定的两级超宽带CMOS低噪声放大器设计与性能模拟 被引量：11
5
作者 何小威 李晋文 张民选 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第7期1668-1672,共5页
针对UWB应用设计实现了一个1.5-6GHz的两级CMOS低噪声放大器(LNA).通过引入共栅(CG)和共源(CS)结构以获得宽范围内的输入匹配,采用电流镜和峰化电感进行电流复用,所提出的LNA实现了非常平坦化的功率增益和噪声系数(NF).经标准0.18μm C... 针对UWB应用设计实现了一个1.5-6GHz的两级CMOS低噪声放大器(LNA).通过引入共栅(CG)和共源(CS)结构以获得宽范围内的输入匹配,采用电流镜和峰化电感进行电流复用,所提出的LNA实现了非常平坦化的功率增益和噪声系数(NF).经标准0.18μm CMOS工艺实现后,版图后模拟结果表明在1.5-5GHz频率范围内功率增益(S21)为11.45±0.05dB,在2-6GHz频率范围内噪声系数(NF)为5.15±0.05dB,输入损耗(S11)小于-18dB.在5GHz时,模拟得到的三阶交调点(IIP3)为-7dBm,1dB压缩点为-5dBm.在1.8V电源电压下,LNA消耗6mA的电流,版图实现面积仅为0.62mm2. 展开更多
关键词 超宽带 低噪声放大器 噪声系数 宽带 CMOS
下载PDF
一种CMOS超宽带LNA的优化设计方法 被引量：11
6
作者 刘萌萌 张盛 +2 位作者 王硕 张建良 周润德 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期1082-1086,共5页
为实现性能更优的超宽带(UWB)射频前端低噪声放大器(LNA),本文提出了一种通用的基于CMOS工艺的超宽带LNA优化设计方法.基于源端电感负反馈的LNA电路模型,本文提出利用最优化的数学方法分别确定晶体管尺寸、输入匹配网络和负载网络各元... 为实现性能更优的超宽带(UWB)射频前端低噪声放大器(LNA),本文提出了一种通用的基于CMOS工艺的超宽带LNA优化设计方法.基于源端电感负反馈的LNA电路模型,本文提出利用最优化的数学方法分别确定晶体管尺寸、输入匹配网络和负载网络各元件参数的方法,实现了较好的输入阻抗匹配,达到了较高的增益、较好的增益平坦度以及优秀的噪声系数,并具有较低的功耗;本设计方法所用无源元件不但适宜CMOS集成,而且对工艺偏差具有一定的忍耐力.仿真结果说明用上述方法设计的超宽带LNA在工作频带内能够达到预期的各项性能要求. 展开更多
关键词 射频前端低噪声放大器 超宽带 优化设计方法 CMOS
下载PDF
CMOS射频集成电路中器件模型的研究 被引量：1
7
作者 施超 庄奕琪 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2002年第6期405-408,共4页
　采用硅材料CMOS工艺制造的射频集成电路具有低功耗、低成本和容易集成的优点。文章讨论了CMOS射频集成电路设计和制造中起关键作用的MOSFET高频模型和螺旋电感模型。为了验证模型,介绍了射频集成电路中的核心模块—低噪声放大器(LNA)... 　采用硅材料CMOS工艺制造的射频集成电路具有低功耗、低成本和容易集成的优点。文章讨论了CMOS射频集成电路设计和制造中起关键作用的MOSFET高频模型和螺旋电感模型。为了验证模型,介绍了射频集成电路中的核心模块—低噪声放大器(LNA)—的设计实例。测试结果表明,该模型具有高效、实用的特点。 展开更多
关键词 CMOS 射频集成电路 高频模型 螺旋电感 低噪声放大器
下载PDF
0.5dB噪声系数高线性有源偏置低噪声放大器 被引量：10
8
作者 吴健 郑远 +5 位作者 艾宣 顾晓瑀 朱彦青 陈新宇 杨磊 钱峰 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2014年第3期211-215,共5页
设计了一种宽带、噪声系数仅为0.48dB的有源偏置超低噪声放大器。低噪声放大器采用0.5μm GaAs E-PHEMT工艺研制,2.0mm×2.0mm×0.75mm 8-pin双侧引脚扁平无铅封装,具有低噪声、高增益、高线性等特点,是GSM/CDMA基站应用上理想... 设计了一种宽带、噪声系数仅为0.48dB的有源偏置超低噪声放大器。低噪声放大器采用0.5μm GaAs E-PHEMT工艺研制,2.0mm×2.0mm×0.75mm 8-pin双侧引脚扁平无铅封装,具有低噪声、高增益、高线性等特点,是GSM/CDMA基站应用上理想的一款低噪声放大器。 展开更多
关键词 低噪声放大器 高线性 有源偏置 高增益
下载PDF
5～10GHz MMIC低噪声放大器 被引量：8
9
作者 孙昕 陈莹 +1 位作者 陈丽 李斌 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第8期569-573,597,共6页
采用稳懋公司150 nm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计了一款5~10 GHz单片微波集成电路(MMIC)低噪声放大器(LNA)。该LNA采用三级级联结构,且每一级采用相同的偏压条件,电路的低频工作端依靠电容反馈,高频工作端依靠电阻反馈... 采用稳懋公司150 nm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计了一款5~10 GHz单片微波集成电路(MMIC)低噪声放大器(LNA)。该LNA采用三级级联结构,且每一级采用相同的偏压条件,电路的低频工作端依靠电容反馈,高频工作端依靠电阻反馈调节阻抗匹配,从而实现宽带匹配,芯片面积为2.5 mm×1 mm。测试结果表明,工作频率为5~10 GHz,漏极电压为2.3 V,工作电流为70 m A时,LNA的功率增益达到35 dB,平均噪声温度为82 K,在90%工作频段内输入输出回波损耗优于-15 dB,1 dB压缩点输出功率为10.3 dBm,仿真结果与实验结果具有很好的一致性。 展开更多
关键词 低噪声放大器(lna) 单片微波集成电路(MMIC) 砷化镓 赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 宽带
下载PDF
0.35-2.5GHz超宽带低噪声放大器的设计 被引量：7
10
作者 葛广顶 康红艳 李思敏 《微计算机信息》 北大核心 2008年第8期275-276,256,共3页
探讨了一种超宽带低噪声放大器的设计方法,其匹配网络是由微带与集总元件共同组成。设计采用了PHEMT晶体管(ATF-54143)。采用负反馈技术,并使用ADS2003C对整个匹配网络进行优化设计,实现了在0.35-2.5GHz的超宽带频率范围内,增益G>25... 探讨了一种超宽带低噪声放大器的设计方法,其匹配网络是由微带与集总元件共同组成。设计采用了PHEMT晶体管(ATF-54143)。采用负反馈技术,并使用ADS2003C对整个匹配网络进行优化设计,实现了在0.35-2.5GHz的超宽带频率范围内,增益G>25dB,增益不平坦度为,噪声系数NF<1.1,输入、输出驻波比VSWR1(VSWR2)<2.0。提高了设计效率。该放大器可制作在,相对介电常数为2.65,厚度h为1mm的介质基板上。 展开更多
关键词 超宽带 低噪声放大器 负反馈 优化设计
下载PDF
一种高线性SiGe HBT宽带低噪声放大器 被引量：3
11
作者 亢树军 马云霞 +1 位作者 刘伦才 张正璠 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2006年第5期565-568,共4页
简要介绍了一种用于接收机前端的宽带低噪声放大器(LNA)。该微波单片集成电路(MMIC)蔡用0.35μm SiGe工艺实现,且不需要外部阻抗匹配元件,并利用两级级联拓扑结构实现频带内的低噪声和高线性度。电路版图设计后的仿真结果表明,该放大器... 简要介绍了一种用于接收机前端的宽带低噪声放大器(LNA)。该微波单片集成电路(MMIC)蔡用0.35μm SiGe工艺实现,且不需要外部阻抗匹配元件,并利用两级级联拓扑结构实现频带内的低噪声和高线性度。电路版图设计后的仿真结果表明,该放大器工作带宽3.78 GHz,功率增益达到27.5 dB,噪声系数(NF)≤2.26 dB,在1.5 GHz信号频率下,输出功率1 dB压缩点(P1dB)为10 dBm。 展开更多
关键词 异质结双极晶体管 低噪声放大器 射频集成电路 微波单片集成电路
下载PDF
基于最小噪声匹配的低噪放-天线一体化电路 被引量：7
12
作者 雷霄楚 陆云龙 +2 位作者 黄季甫 韩栋 许博硕 《微波学报》 CSCD 北大核心 2022年第1期76-80,共5页
传统的接收端天线与低噪声放大器(LNA)级联,通常需将天线输出阻抗与LNA的输入阻抗均匹配到50Ω,为此引入的匹配电路不仅占用了较大的电路尺寸,而且额外引入插入和失配等损耗。为消除匹配网络,本文提出一种基于ATF-54143晶体管的低噪放-... 传统的接收端天线与低噪声放大器(LNA)级联,通常需将天线输出阻抗与LNA的输入阻抗均匹配到50Ω,为此引入的匹配电路不仅占用了较大的电路尺寸,而且额外引入插入和失配等损耗。为消除匹配网络,本文提出一种基于ATF-54143晶体管的低噪放-天线一体化电路,基于最小噪声条件下将天线的阻抗与LNA晶体管的输入阻抗实现匹配。该方案通过直接优化微带天线的阻抗实现与LNA晶体管的宽带匹配,不使用任何形式的输入阻抗匹配网络来构建有源集成天线,从而克服了传统设计存在的问题和不足。实验测试表明,在2~3 GHz的带宽内,噪声系数(NF)较传统级联设计都有改善,且最大改善可达0.38 dB(较传统设计NF降低16%)。 展开更多
关键词 有源集成天线 噪声系数 低噪声放大器 最小噪声匹配
下载PDF
2～4 GHz MMIC低噪声放大器 被引量：7
13
作者 孙艳玲 许春良 +1 位作者 樊渝 魏碧华 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第10期733-736,共4页
采用中国电子科技集团公司第十三研究所的GaAs PHEMT低噪声工艺,设计了一款2~4 GHz微波单片集成电路低噪声放大器（MMIC LNA）。该低噪声放大器采用两级级联的电路结构,第一级折中考虑了低噪声放大器的最佳噪声和最大增益,采用源极串联... 采用中国电子科技集团公司第十三研究所的GaAs PHEMT低噪声工艺,设计了一款2~4 GHz微波单片集成电路低噪声放大器（MMIC LNA）。该低噪声放大器采用两级级联的电路结构,第一级折中考虑了低噪声放大器的最佳噪声和最大增益,采用源极串联负反馈和输入匹配电路,实现噪声匹配和输入匹配。第二级采用串联、并联负反馈,提高电路的增益平坦度和稳定性。每一级采用自偏电路设计,实现单电源供电。MMIC芯片测试结果为：工作频率为2~4 GHz,噪声系数小于1.0 dB,增益大于27.5 dB,1 dB压缩点输出功率大于18 dBm,输入、输出回波损耗小于-10 dB,芯片面积为2.2 mm×1.2 mm。 展开更多
关键词 低噪声放大器(lna) 微波单片集成电路(MMIC) 砷化镓赝配高电子迁移率晶体管 负反馈 宽带
下载PDF
某Ku频段卫星通信系统的设计 被引量：7
14
作者 李几超 《电讯技术》 北大核心 2012年第5期649-653,共5页
为了让两个地面站通过卫星链路进行无线通信,设计了一个Ku频段卫星通信系统,数据速率是512 kbit/s^4.096 Mbit/s,速率可调步进1 bit/s。选取了一种较简洁的Ku频段地面站设计方案,信道的本振为固定点频,调制解调器的中频范围是950~1 450... 为了让两个地面站通过卫星链路进行无线通信,设计了一个Ku频段卫星通信系统,数据速率是512 kbit/s^4.096 Mbit/s,速率可调步进1 bit/s。选取了一种较简洁的Ku频段地面站设计方案,信道的本振为固定点频,调制解调器的中频范围是950~1 450MHz。对卫星通信链路功率进行了预算。地面站的组成设备,如调制解调器、低噪声放大器、上变频单元、下变频单元等均选用成熟的商用货架产品,降低了设计风险和成本。本系统研制周期短,通信稳定可靠,得到了用户的认可。 展开更多
关键词 卫星通信 链路功率预算 低噪声放大器 上变频单元 下变频单元
下载PDF
带有源偏置的系统级封装低噪声放大器模块 被引量：5
15
作者 童华清 许石义 +3 位作者 黄剑华 莫炯炯 王志宇 郁发新 《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第4期834-840,共7页
针对近年来快速发展的多模卫星组合导航技术需求,提出覆盖主流全球卫星导航系统(GNSS)频段(包括GPS、GLONASS、伽利略、北斗)的低噪声放大器模块.该低噪声放大器模块采用SIP封装技术,在一个3 mm×3mm×1mm的塑料封装内集成了低... 针对近年来快速发展的多模卫星组合导航技术需求,提出覆盖主流全球卫星导航系统(GNSS)频段(包括GPS、GLONASS、伽利略、北斗)的低噪声放大器模块.该低噪声放大器模块采用SIP封装技术,在一个3 mm×3mm×1mm的塑料封装内集成了低噪声放大器芯片及输入输出匹配电路等片外电路,封装外无需额外分立元件.低噪声放大器芯片采用低噪声的0.25μm GaAs pHEMT工艺流片.在芯片设计中,提出新型的有源偏置电路,可以抵御电源电压和环境温度的波动,使该低噪声放大器模块能够在复杂的环境中稳定工作.测试结果表明,该低噪声放大器模块在工作频段内噪声系数约为0.65dB,增益可达20dB,输入输出回波损耗小于-10dB,中心频率输入三阶互调阻断点为0.6dBm,电源电压为3.3V,功耗为15mW. 展开更多
关键词 多模卫星组合导航 低噪声放大器(lna) 系统级封装(SIP) 有源偏置 共源共栅放大器
下载PDF
一种具有新型增益控制技术的CMOS宽带可变增益LNA 被引量：5
16
作者 谌斐华 多新中 孙晓玮 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2010年第11期2772-2775,共4页
高速超宽带无线通信的多标准融合是未来射频器件的发展趋势,该文提出一种基于CMOS工艺、具有新型增益控制技术的宽带低噪声放大器(LNA),采用并联电阻反馈实现宽带输入匹配,并引入噪声消除技术来减小噪声以提高低噪声性能;输出带有新型6... 高速超宽带无线通信的多标准融合是未来射频器件的发展趋势,该文提出一种基于CMOS工艺、具有新型增益控制技术的宽带低噪声放大器(LNA),采用并联电阻反馈实现宽带输入匹配,并引入噪声消除技术来减小噪声以提高低噪声性能;输出带有新型6位数字可编程增益控制电路以实现可变增益。采用中芯国际0.13μm RF CMOS工艺流片,芯片面积为0.76mm2。测试结果表明LNA工作频段为1.1-1.8GHz,最大增益为21.8dB、最小增益8.2dB,共7种增益模式。最小噪声系数为2.7dB,典型的IIP3为-7dBm。 展开更多
关键词 RFCMOS 低噪声放大器(lna) 噪声消除 宽带 可变增益
下载PDF
基于ADS的通信设备低噪声放大器改进设计与仿真 被引量：5
17
作者 宫波 李淑华 《电子设计工程》 2010年第2期121-124,共4页
介绍接收机前端的低噪声放大器(LNA)对于整个通信设备的接收机系统灵敏度的影响,利用ADS软件对接收机低噪声放大器进行改进设计,重点阐述了采用Smith圆图和微带线进行输入输出阻抗的匹配。通过仿真结果可以看出,利用ADS进行低噪声放大... 介绍接收机前端的低噪声放大器(LNA)对于整个通信设备的接收机系统灵敏度的影响,利用ADS软件对接收机低噪声放大器进行改进设计,重点阐述了采用Smith圆图和微带线进行输入输出阻抗的匹配。通过仿真结果可以看出,利用ADS进行低噪声放大器的设计符合预期指标,对工程实际放大器设计提供参考价值。 展开更多
关键词 ADS 低噪声放大器(lna) 噪声系数 灵敏度
下载PDF
S波段平衡式限幅放大器设计 被引量：5
18
作者 邓刚 要志宏 +1 位作者 陈书宾 苏彦文 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期98-102,共5页
采用混合集成电路工艺，设计了一款小尺寸限幅低噪声放大器（LNA）。优化了限幅电路设计，明显缩小了电路，本积。低噪声放大器采用负反馈结构，以改善增益平坦度。采用平衡式结构，提高限幅器的功率容量和放大器的1dB压缩点输出功率（P... 采用混合集成电路工艺，设计了一款小尺寸限幅低噪声放大器（LNA）。优化了限幅电路设计，明显缩小了电路，本积。低噪声放大器采用负反馈结构，以改善增益平坦度。采用平衡式结构，提高限幅器的功率容量和放大器的1dB压缩点输出功率（P-1dB）。设计制作了Lange电桥，作为平衡式限幅放大器的输出电桥。该放大器工作电压5V，电流15lmA，测试结果显示，在频带2．7～3．0GHz内，噪声系数小于1．5dB，小信号功率增益大于36dB，增益平坦度小于0．6dB，输入输出驻波比小于1．3，P-1dB大于13dBm。该限幅放大器能够承受脉冲功率300W、脉宽300txs和占空比为30％的信号，外形尺寸为27InHI×18mm×5mm。 展开更多
关键词 小型化 平衡式结构 限幅器 低噪声放大器(lna) 混合集成
下载PDF
一款130～140 GHz MMIC低噪声放大器 被引量：5
19
作者 王雨桐 吴洪江 刘永强 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第6期426-430,共5页
基于90 nm栅长的InP高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了一款工作于130~140 GHz的MMIC低噪声放大器(LNA)。该款放大器采用三级级联的双电源拓扑结构,第一级电路在确保较低的输入回波损耗的同时优化了放大器的噪声,后两级则采用最大增... 基于90 nm栅长的InP高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了一款工作于130~140 GHz的MMIC低噪声放大器(LNA)。该款放大器采用三级级联的双电源拓扑结构,第一级电路在确保较低的输入回波损耗的同时优化了放大器的噪声,后两级则采用最大增益的匹配方式,保证了放大器具有良好的增益平坦度和较小的输出回波损耗。在片测试结果表明,在栅、漏极偏置电压分别为-0.25 V和3 V的工作条件下,该放大器在130~140 GHz工作频带内噪声系数小于6.5 dB,增益为18 dB±1.5 dB,输入电压驻波比小于2∶1,输出电压驻波比小于3∶1。芯片面积为1.70 mm×1.10 mm。该低噪声放大器有望应用于D波段的收发系统中。 展开更多
关键词 单片微波集成电路(MMIC) 低噪声放大器(lna) 高电子迁移率晶体管(HEMT) 磷化铟 高增益
下载PDF
2.45 GHz 0.18μm全差分CMOS低噪声放大器设计 被引量：5
20
作者 齐凯 蔡理 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2009年第6期773-777,共5页
设计了一个基于TSMC 0.18μm CMOS工艺的2.45 GHz全差分CMOS低噪声放大器。根据电路结构特点,采用图解法对LNA进行功耗约束下的噪声优化,以选取最优的晶体管栅宽;设计了仅消耗15μA电流的偏置电路;采用在输入级增加电容的方法,在改善输... 设计了一个基于TSMC 0.18μm CMOS工艺的2.45 GHz全差分CMOS低噪声放大器。根据电路结构特点,采用图解法对LNA进行功耗约束下的噪声优化,以选取最优的晶体管栅宽;设计了仅消耗15μA电流的偏置电路;采用在输入级增加电容的方法,在改善输入匹配网络特性的同时,解决了栅极电感的集成问题。仿真结果表明:LNA噪声系数为1.96 dB,功率增益S21超过20 dB,输入反射系数S11和输出反射系数S22分别小于-30 dB和-20 dB,反向功率增益S12小于-30 dB,1 dB压缩点和三阶互调输入点IIP3分别达到-17.1 dBm和-2.55 dBm,整个电路在1.8V电源下功耗为22.4 mW。 展开更多
关键词 低噪声放大器 噪声优化 输入匹配 偏置电路
下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 2 … 10 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部