基于噪声相消和线性度提高的低噪声放大器 被引量：5

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作者 刘华珠 贺前华 《华中科技大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期43-45,53,共4页

鉴于传统共源共栅低噪声放大器由于受共栅级的影响,其噪声和线性度都不理想,为此在共栅级上引入一对交叉耦合电容和电感,以消除共栅级的噪声并提高放大器的线性度.采用特许半导体公司0.25μm射频互补金属氧化物半导体工艺进行了设计,仿... 鉴于传统共源共栅低噪声放大器由于受共栅级的影响,其噪声和线性度都不理想,为此在共栅级上引入一对交叉耦合电容和电感,以消除共栅级的噪声并提高放大器的线性度.采用特许半导体公司0.25μm射频互补金属氧化物半导体工艺进行了设计,仿真结果表明低噪声放大器在2.4 GHz处的噪声系数仅有1.34dB,该电路能够提供17.27 dB的正向增益、小于-38.37 dB的反向传输系数、小于-27.73 dB的输入反射系数、小于-15.85 dB的输出反射系数,该放大器的三阶交调点为0.58 dBm,消耗的功率为11.23 mW. 展开更多

关键词 放大器 噪声系数 噪声相消 低噪声 交叉耦合电容 线性度提高

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射频微波功率放大器芯片技术研究进展及发展趋势

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作者 李镇兵 黄峻杰 +6 位作者 张晋荣 贾世麟 付佳龙 吴祥睿 李钢 孙浩洋 文光俊 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第6期871-882,共12页

在对射频微波功率放大器芯片的概念、类型与实现工艺进行全面综述与分类的基础上,聚焦其高频化、线性度改善、能量转换效率提升、带宽扩展以及高集成度封装等关键技术的研究现状与亟待解决的技术问题,深入分析并讨论了各项关键技术的主... 在对射频微波功率放大器芯片的概念、类型与实现工艺进行全面综述与分类的基础上,聚焦其高频化、线性度改善、能量转换效率提升、带宽扩展以及高集成度封装等关键技术的研究现状与亟待解决的技术问题,深入分析并讨论了各项关键技术的主流实现方式、典型研发案例以及相关应用利弊,旨在为现代无线通信系统射频前端集成的功率放大器芯片研发提供方法总结与设计参考。最后对射频微波功率放大器芯片技术的发展趋势与行业走向作出了展望。 展开更多

关键词 射频微波 功率放大器芯片 高频化 效率提升 线性度改善 带宽扩展 高集成度封装

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基于噪声抵消和线性度提高的差分LNA的设计

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作者 纪娜 何国荣 《微型电脑应用》 2013年第3期14-16,共3页

基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种低噪声、高增益、高线性度的差分CMOS低噪声放大器。与传统的共源共栅结构相比,在共栅极上引入一对交叉耦合电容和电感,以消除共栅极的噪声并提高电路的线性度和增益。仿真结果表明,在2.45GHz的工... 基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种低噪声、高增益、高线性度的差分CMOS低噪声放大器。与传统的共源共栅结构相比,在共栅极上引入一对交叉耦合电容和电感,以消除共栅极的噪声并提高电路的线性度和增益。仿真结果表明,在2.45GHz的工作频率下,该电路的噪声系数仅有1.3 dB,该电路能够提供17.8 dB的正向增益,良好的输入输出匹配,该放大器的输入三阶交调点为-0.9 dBm,功耗小于10 mW。 展开更多

关键词 低噪声放大器 线性度提高 低噪声 交叉耦合电容

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基于低噪声和高线性度的差分CMOS LNA的设计

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作者 何国荣 纪娜 《信息技术》 2013年第1期174-176,179,共4页

基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种低噪声、高线性度的差分CMOS低噪声放大器。与传统的共源共栅结构相比,该电路在共源晶体管的栅源极并入一个电容以降低共源极的噪声;并在共栅极上引入一对交叉耦合电容和电感,以消除共栅极的噪声... 基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种低噪声、高线性度的差分CMOS低噪声放大器。与传统的共源共栅结构相比,该电路在共源晶体管的栅源极并入一个电容以降低共源极的噪声;并在共栅极上引入一对交叉耦合电容和电感,以消除共栅极的噪声并提高电路的线性度。仿真结果表明,在2.4GHz的工作频率下,该电路的噪声系数仅有1.29 dB,该电路能够提供17dB的正向增益,良好的输入输出匹配,该放大器的输入三阶交调点为0.76dBm,功耗小于10mW。 展开更多

关键词 低噪声放大器 线性度提高 低噪声 交叉耦合电容

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采用多级噪声抵消技术的CMOS全差分LNA设计

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作者 姚春琦 毛陆虹 +1 位作者 张世林 谢生 《电路与系统学报》 北大核心 2013年第1期90-94,101,共6页

设计了一种用于2.4GHz RFID单芯片阅读器的CMOS低噪声放大器(LNA)。该设计采用全差分共源共栅结构和新颖的多级噪声抵消技术,不仅减小了电路的噪声而且增加了系统的线性度。芯片采用标准UMC 0.18um CMOS工艺,工作电压为1.2V时,消耗电流... 设计了一种用于2.4GHz RFID单芯片阅读器的CMOS低噪声放大器(LNA)。该设计采用全差分共源共栅结构和新颖的多级噪声抵消技术,不仅减小了电路的噪声而且增加了系统的线性度。芯片采用标准UMC 0.18um CMOS工艺,工作电压为1.2V时,消耗电流小于8mA,后仿真结果表明2.4GHz时,芯片达到1.69dB噪声系数,大于14.25dB功率增益以及-1.1dBm的输入三阶截点(IIP3)。设计满足单芯片阅读器低噪声,低功耗和高线性度的要求。 展开更多

关键词 低噪声放大器 噪声消除技术 线性度改善技术 CMOS射频集成电路

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简易智能烤烟房温湿度监测控制系统的研制 被引量：4

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作者 聂思敏 孙向荣 +3 位作者 吴坤 杨剑南 张崇勋 潘治昌 《农机化研究》 北大核心 2006年第3期81-85,共5页

简易智能烤烟系统使用89C51单片机,能适时地监测、控制烤烟房内的温湿度;在报警点可产生声、光报警信号。该系统控制着1个间歇运行的热风循环电机、1个鼓风机和1个排湿电机;并可自动切换到备用电池,使在电网波动很大或停电情况下显示和... 简易智能烤烟系统使用89C51单片机,能适时地监测、控制烤烟房内的温湿度;在报警点可产生声、光报警信号。该系统控制着1个间歇运行的热风循环电机、1个鼓风机和1个排湿电机;并可自动切换到备用电池,使在电网波动很大或停电情况下显示和报警系统仍能正常工作。 展开更多

关键词 自动控制技术 监测控制系统 设计 烤烟房 A/D转换 线性补偿

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射频MOS管的非线性特性分析与线性度提高技术 被引量：3

7

作者 徐元中 刘凌云 《电子技术应用》 北大核心 2015年第4期56-59,共4页

基于射频（RF） MOS管的等效电路及非线性等效模型,采用Agilent公司ADS软件中的Symbolically Defined Device（SDD）,对RF MOS管的非线性特性进行了综合分析.在此基础上,针对栅源电容（Cgs）、跨导（gm）、输出导纳（gds）和漏极结电容... 基于射频（RF） MOS管的等效电路及非线性等效模型,采用Agilent公司ADS软件中的Symbolically Defined Device（SDD）,对RF MOS管的非线性特性进行了综合分析.在此基础上,针对栅源电容（Cgs）、跨导（gm）、输出导纳（gds）和漏极结电容（Cjd）四个主要非线性源,提出了多栅晶体管补偿、PMOS管补偿、NMOS管补偿、共栅管栅电容补偿、深N阱和二次谐波短路等线性度提高技术.将这些线性度提高技术应用在射频功率放大器（PA）上,该PA采用TSMC 0.18 μm RF CMOS工艺设计,仿真结果表明：采用线性度提高技术后,该功率放大器的线性度提高了4-10 dB. 展开更多

关键词 射频场效应晶体管 非线性 三阶交调失真 线性度提高 电容补偿 跨导补偿

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1V高线性度2.4GHz CMOS低噪声放大器 被引量：3

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作者 徐跃 杨英强 《电路与系统学报》 CSCD 北大核心 2009年第4期97-100,共4页

讨论了低噪声放大器(LNA)在低电压、低功耗条件下的噪声优化及线性度提高技术。使用Chartered 0.25μmRF CMOS工艺设计一个低电压折叠式共源共栅LNA。后仿真结果表明在1V电源下,2.36GHz处的噪声系数NF仅有1.32dB,正向增益S21为14.27dB,... 讨论了低噪声放大器(LNA)在低电压、低功耗条件下的噪声优化及线性度提高技术。使用Chartered 0.25μmRF CMOS工艺设计一个低电压折叠式共源共栅LNA。后仿真结果表明在1V电源下,2.36GHz处的噪声系数NF仅有1.32dB,正向增益S21为14.27dB,反射参数S11、S12、S22分别为-20.65dB、-30.27dB、-24dB,1dB压缩点为-13.0dBm,三阶交调点IIP3为-0.06dBm,消耗的电流为8.19mA。 展开更多

关键词 低噪声放大器 噪声系数 低电压 折叠式共源共栅 线性度提高

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求解双线性单自由度复合随机系统

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作者 范么清 楼梦麟 《同济大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第7期941-947,1051,共8页

在单自由度线性复合随机系统研究及Monte Carlo法模拟的基础上,引入求解随机问题的非线性改进随机摄动法,将双线性单自由度随机结构看成是均值结构及其变分,假定反应的概率分布类型为正态分布或均匀分布,从而将双线性复合随机微分方程... 在单自由度线性复合随机系统研究及Monte Carlo法模拟的基础上,引入求解随机问题的非线性改进随机摄动法,将双线性单自由度随机结构看成是均值结构及其变分,假定反应的概率分布类型为正态分布或均匀分布,从而将双线性复合随机微分方程展开为线性摄动随机微分方程,然后与虚拟激励法结合,迭代求解随机反应.算例的计算结果表明,将非线性改进随机摄动法与虚拟激励法结合,所得的非线性复合随机振动系统的随机反应还是较为准确的.为取得更精确的计算结果,反应的概率分布类型的正确选择很重要. 展开更多

关键词 非线性改进随机摄动法 双线性随机结构 非线性复合随机振动

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采用高性能负压电荷泵的AMOLED驱动DC-DC转换器

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作者 袁敏民 孔令韬 +2 位作者 毛成烈 常昌远 郭鹏宇 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第11期833-840,共8页

提出了一种采用高性能负压电荷泵的有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)驱动DCDC转换器。正输出电压(V_(OP))由升压转换器(BOOST)和线性稳压器(LDO)级联产生,BOOST中使用前馈方法改善线性瞬态响应,LDO保证了芯片在全负载电流范围内输出电压... 提出了一种采用高性能负压电荷泵的有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)驱动DCDC转换器。正输出电压(V_(OP))由升压转换器(BOOST)和线性稳压器(LDO)级联产生,BOOST中使用前馈方法改善线性瞬态响应,LDO保证了芯片在全负载电流范围内输出电压的纹波。负输出电压(V_(ON))由一种新颖负压电荷泵电路产生,电荷泵仅由MOSFET构成以提高效率。提出了一种新型的转换负压的电平转换电路,降低了开关管导通电阻并提高了负压效率。采用突发(BURST)控制模式提高了轻载效率。芯片采用0.18μm BCD工艺,其V_(OP)和V_(ON)分别为4.6 V和-2.4 V,工作频率为1 MHz,正常工作时的负载电流为0~50 mA,最大电源效率为89.4%。VOP和VON的纹波均小于7 mV,线性瞬态响应均为5 mV,负载瞬态响应分别为5 mV和20 mV。负输出电压在-0.6~-2.4 V可调,调整步长为0.1 V。 展开更多

关键词 DC-DC转换器 有源矩阵有机发光二极管(AMOLED) 线性瞬态改善 负压电荷泵

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河南省林种结构调整的研究

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作者 王丰军 张向阳 刘建生 《河南林业科技》 1997年第3期12-15,共4页

根据１９９３年省森林资源清查、森林资源消耗量及消耗结构的调查资料，以可持续发展的理论为指导，采用线性规划对我省的林种结构进行了研究。研究结果：河南省现阶段的林种结构应为：用材林∶防护林∶经济林∶薪炭林∶特用林＝３４... 根据１９９３年省森林资源清查、森林资源消耗量及消耗结构的调查资料，以可持续发展的理论为指导，采用线性规划对我省的林种结构进行了研究。研究结果：河南省现阶段的林种结构应为：用材林∶防护林∶经济林∶薪炭林∶特用林＝３４９∶１５９∶２３７∶２１１∶４４。 展开更多

关键词 河南 林种结构 结构调整 用材林 防护林 经济林 薪炭林 特用林 综合效益

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功放线性化技术分析及前馈技术改进设计

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作者 程书田 《移动通信》 2013年第2期62-65,共4页

分析了表示功率放大器线性的参数——三阶互调产生的机理,给出了几种最常用的提高功率放大器线性的方法,同时分析了这几种方法的优缺点,着重分析了传统的前馈技术所存在的问题,并给出了对传统前馈技术的改进方法。通过实验对比表明,该... 分析了表示功率放大器线性的参数——三阶互调产生的机理,给出了几种最常用的提高功率放大器线性的方法,同时分析了这几种方法的优缺点,着重分析了传统的前馈技术所存在的问题,并给出了对传统前馈技术的改进方法。通过实验对比表明,该方法比传统的前馈技术有明显的改进。 展开更多

关键词 功率放大器 三阶互调 线性化技术 改进的前馈技术

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