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电极距离对激光电化学刻蚀速率及钻蚀的影响
被引量:
1
1
作者
刘霖
叶玉堂
+3 位作者
陈镇龙
范超
吴云峰
王昱琳
《光电子.激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第10期1208-1211,共4页
利用溶液回路电流和红外热像监测,研究了电极距离对半导体激光电化学刻蚀速率和电化学横向钻蚀特性的影响。实验结果表明,电极距离由15 cm缩短为5 cm后,回路电流数值增大,其变化率增加约15.4%,等量化学热生成时间至少缩短2/3,说明缩短...
利用溶液回路电流和红外热像监测,研究了电极距离对半导体激光电化学刻蚀速率和电化学横向钻蚀特性的影响。实验结果表明,电极距离由15 cm缩短为5 cm后,回路电流数值增大,其变化率增加约15.4%,等量化学热生成时间至少缩短2/3,说明缩短电极距离使半导体激光电化学刻蚀速率加快;当电极距离分别为20、15、10和5 cm时,垂直晶向刻蚀50μm直线凹槽,所得凹槽实际宽度分别为100、85、70和60μm,其晶向影响受到明显抑制,横向钻蚀大幅减小。研究结果说明,通过电极距离调节这一简单方式,有可能解决激光电化学刻蚀速度慢、横向钻蚀严重等难题。
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关键词
激光电化学腐蚀
光电子
半导体化合物
刻蚀速率
横向腐蚀
原文传递
题名
电极距离对激光电化学刻蚀速率及钻蚀的影响
被引量:
1
1
作者
刘霖
叶玉堂
陈镇龙
范超
吴云峰
王昱琳
机构
电子科技大学光电信息学院
出处
《光电子.激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第10期1208-1211,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(60277008)
教育部重点资助项目(03147)
+1 种基金
电科院及四川省科技厅资助项目(04GG021-020-01)
国防科技重点实验室基金资助项目(514910501005DZ0201)
文摘
利用溶液回路电流和红外热像监测,研究了电极距离对半导体激光电化学刻蚀速率和电化学横向钻蚀特性的影响。实验结果表明,电极距离由15 cm缩短为5 cm后,回路电流数值增大,其变化率增加约15.4%,等量化学热生成时间至少缩短2/3,说明缩短电极距离使半导体激光电化学刻蚀速率加快;当电极距离分别为20、15、10和5 cm时,垂直晶向刻蚀50μm直线凹槽,所得凹槽实际宽度分别为100、85、70和60μm,其晶向影响受到明显抑制,横向钻蚀大幅减小。研究结果说明,通过电极距离调节这一简单方式,有可能解决激光电化学刻蚀速度慢、横向钻蚀严重等难题。
关键词
激光电化学腐蚀
光电子
半导体化合物
刻蚀速率
横向腐蚀
Keywords
laser
electrochemistry
etching
optical
electronic
semiconductor
compound
etching
rate
traversal
etching
分类号
TN305.2 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
电极距离对激光电化学刻蚀速率及钻蚀的影响
刘霖
叶玉堂
陈镇龙
范超
吴云峰
王昱琳
《光电子.激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
1
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