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离子刻蚀生物样品的初步研究 被引量:38
1
作者 余增亮 邵春林 杨剑波 《安徽农业大学学报》 CAS CSCD 1994年第3期260-264,共5页
低能电子束对生物样品表面的刻蚀有重要的生物学意义。刻蚀的程度与样品的部位使用的离子能量和剂量等密切相关。离子刻蚀原理应用于细胞加工、基因工程等。
关键词 离子刻蚀 生物样品 基因转移
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全息离子束刻蚀衍射光栅 被引量:26
2
作者 徐向东 洪义麟 +1 位作者 傅绍军 王占山 《物理》 CAS 北大核心 2004年第5期340-344,共5页
全息离子束刻蚀衍射光栅集中了机械刻划光栅的高效率和全息光栅的无鬼线、低杂散光、高信噪比的优点 .全息离子束刻蚀已作为常规工艺手段应用于真空紫外及软X射线衍射光栅的制作 .文章对全息离子束刻蚀衍射光栅的制作方法、主要类型。
关键词 衍射光栅 全息光刻 离子束刻蚀 全息光学 全息光栅 光栅制作
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反应离子刻蚀工艺因素研究 被引量:22
3
作者 张锦 冯伯儒 +4 位作者 杜春雷 王永茹 周礼书 侯德胜 林大键 《光电工程》 CAS CSCD 1997年第S1期47-52,共6页
通过大量的实验研究,介绍了反应离子刻蚀的原理,分析了不同材料反应离子刻蚀的机理和关键的工艺因素,给出了工艺参数结果。
关键词 离子束光刻 离子腐蚀 光刻工艺
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高衍射效率凸面闪耀光栅的研制 被引量:16
4
作者 刘全 吴建宏 +1 位作者 郭培亮 陈新华 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第3期304-308,共5页
基于严格耦合波分析,研究凸面闪耀光栅的衍射特性;采用全息光刻-离子束刻蚀法制作中心周期为2.45μm、曲率半径为51.64 mm、口径为17 mm的凸面闪耀光栅,闪耀角为6.4°,顶角为141°。结果表明,在整个可见-近红外波段,所制作光栅... 基于严格耦合波分析,研究凸面闪耀光栅的衍射特性;采用全息光刻-离子束刻蚀法制作中心周期为2.45μm、曲率半径为51.64 mm、口径为17 mm的凸面闪耀光栅,闪耀角为6.4°,顶角为141°。结果表明,在整个可见-近红外波段,所制作光栅的1级衍射效率大于40%,在闪耀波长处1级衍射效率大于75%。 展开更多
关键词 光栅 凸面闪耀光栅 全息光刻 离子束刻蚀 衍射效率
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大面积平坦金刚石薄膜的制备和图形化 被引量:13
5
作者 张志明 沈荷生 +3 位作者 何贤昶 万永中 杨艺蓉 任琮欣 《微细加工技术》 1999年第4期33-37,共5页
采用直拉热丝CVD法沉积了面积3 英寸的金刚石薄膜。硅衬底在沉积前采用0-5 ~1μm 金刚石微粉研磨,使成核密度达1010 个/cm2 以上,同时调整沉积工艺,特别是降低沉积气压至0-5 ~1-5kPa,促进了金刚石的二... 采用直拉热丝CVD法沉积了面积3 英寸的金刚石薄膜。硅衬底在沉积前采用0-5 ~1μm 金刚石微粉研磨,使成核密度达1010 个/cm2 以上,同时调整沉积工艺,特别是降低沉积气压至0-5 ~1-5kPa,促进了金刚石的二次成核,使薄膜变得十分平坦,当薄膜厚度为5μm 时,表面粗糙度Ra 仅为60nm 左右。另外,以铝作为保护膜,用氧离子束刻蚀金刚石薄膜,得到宽度为3 ~5μm 的精细金刚石薄膜图形。 展开更多
关键词 金刚石 薄膜 平坦表面 离子束刻蚀
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同步辐射球面闪耀光栅的研制 被引量:8
6
作者 徐向东 洪义麟 +4 位作者 霍同林 周洪军 陶晓明 傅绍军 张允武 《中国科学技术大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2000年第2期248-250,共3页
A spherical blazed grating (SBG) of 1200l/mm was successfully fabricated for the Seya Namioka monochromator of photochemistry experiment station at National Synchrotron Radiation Laboratory with the holographic ion be... A spherical blazed grating (SBG) of 1200l/mm was successfully fabricated for the Seya Namioka monochromator of photochemistry experiment station at National Synchrotron Radiation Laboratory with the holographic ion beam technique. In addition to the general process, the photoresist ashing technique is developed for achieving good quality gratings. 展开更多
关键词 离子束刻蚀 光刻胶灰化 同步辐射 球面闪耀光栅
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用于ICF的大尺寸位相元件的设计 被引量:11
7
作者 王炜 李涛 +5 位作者 刘力 李永平 洪义麟 徐向东 霍同林 傅绍军 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第5期395-399,共5页
发展了用于实现ICF靶面均匀照明的大口径连续型位相元件设计的新方法,并且在工艺上进行了初步试制。等厚干涉图显示达到了预期的大口径。
关键词 PPE 设计 ICF 惯性约束核聚变 激光技术
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离子束刻蚀过程中光刻胶收缩行为研究 被引量:6
8
作者 曾祥林 宋柏泉 +1 位作者 赵小林 蔡炳初 《微细加工技术》 1994年第3期22-26,共5页
光刻胶作为离子束刻蚀的掩膜已得到了普遍采用,由于它在受到离子束轰击时会发热收缩、不利于刻蚀线条高宽比的提高,限制了它的进一步使用。在离子束的轰击下,光刻胶的收缩不仅与其发热程度有关,而且与刻蚀线条的宽度也有关,通过改... 光刻胶作为离子束刻蚀的掩膜已得到了普遍采用,由于它在受到离子束轰击时会发热收缩、不利于刻蚀线条高宽比的提高,限制了它的进一步使用。在离子束的轰击下,光刻胶的收缩不仅与其发热程度有关,而且与刻蚀线条的宽度也有关,通过改变刻蚀时基片和旋转台之间的热接触状态发现,光刻胶发热越厉害,收缩量越大。而在光刻胶发热程度很小或者不发热时,收缩量极小,可以忽略不计。而在同一发热状态下,不同宽度线条的光刻胶收缩量也不一样,宽度越大,收缩量就越大,宽度越小,收缩量也越小。结果造成在不同宽度线条的接合处,线条边缘出现弯曲。 展开更多
关键词 离子束刻蚀 光刻胶 收缩 微电子器件
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同步辐射Laminar光栅的研制 被引量:5
9
作者 徐向东 洪义麟 +3 位作者 霍同林 周洪军 陶晓明 傅绍军 《光学技术》 CAS CSCD 2001年第5期459-461,468,共4页
采用全息离子束刻蚀和反应离子刻蚀相结合的新工艺 ,在熔石英基片上成功地刻蚀出 2 0 0l/mm、线空比 4:6、槽深 70nm、刻划面积 60× 2 0mm2 的浅槽矩形Laminar光栅。对改进光栅线条粗糙度和线空比的方法进行了系统的研究。这一新... 采用全息离子束刻蚀和反应离子刻蚀相结合的新工艺 ,在熔石英基片上成功地刻蚀出 2 0 0l/mm、线空比 4:6、槽深 70nm、刻划面积 60× 2 0mm2 的浅槽矩形Laminar光栅。对改进光栅线条粗糙度和线空比的方法进行了系统的研究。这一新工艺相对简单 。 展开更多
关键词 Laminar光栅 全息光刻 离子束刻蚀 反应离子刻蚀 同步辐射
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离子束刻蚀入射角对图形侧壁陡度影响的研究 被引量:9
10
作者 胡新宁 刘刚 田扬超 《微细加工技术》 2003年第4期14-17,共4页
介绍了离子束刻蚀的二次效应对图形轮廓以及离子束刻蚀入射角对图形侧壁陡度的影响。利用能量为450eV,束流密度为80mA/cm2的离子束分别以0°、15°、30°、45°和60°的刻蚀入射角对石英基片进行了刻蚀,得到了不同... 介绍了离子束刻蚀的二次效应对图形轮廓以及离子束刻蚀入射角对图形侧壁陡度的影响。利用能量为450eV,束流密度为80mA/cm2的离子束分别以0°、15°、30°、45°和60°的刻蚀入射角对石英基片进行了刻蚀,得到了不同离子束入射角度下的图形侧壁的陡直情况。从电镜照片中可以看出,以30°入射角刻蚀出的图形质量最佳。结果表明,在离子束刻蚀中,选择适当的离子束入射角可以提高图形侧壁陡度,改善图形质量。因此对于离子束刻蚀来说,为控制二次效应,保证图形质量,必须重视离子束入射角的选择。 展开更多
关键词 离子束刻蚀 入射角 二次效应 图形轮廓 图形侧壁陡度
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平面调制靶的表面起伏图形研制 被引量:8
11
作者 陈建荣 王珏 +5 位作者 陈玲燕 沈军 杜保旗 周斌 秦树基 陈家华 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 1996年第4期616-622,共7页
表面起伏靶是惯性约束聚变(ICF)分解实验中的重要实验用靶。本文报导了采用离子束刻蚀和激光干涉两种方法制备初始微扰振幅和波长分别在几微米和几十微米范围的正弦调制形状;摸索了相应的工艺条件和工艺过程;用台阶仪及光学显微... 表面起伏靶是惯性约束聚变(ICF)分解实验中的重要实验用靶。本文报导了采用离子束刻蚀和激光干涉两种方法制备初始微扰振幅和波长分别在几微米和几十微米范围的正弦调制形状;摸索了相应的工艺条件和工艺过程;用台阶仪及光学显微轮廓仪测微加工后的形貌;探讨了调制波长的精确控制与干涉工艺之间的关系。 展开更多
关键词 平面靶 正弦起伏 激光干涉 惯性约束聚变
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宽离子束刻蚀微透镜阵列研究 被引量:10
12
作者 赵光兴 杨国光 +1 位作者 陈洪 侯西云 《微细加工技术》 EI 1995年第1期21-24,共4页
本文对宽束离子束刻蚀技术进行了研究,并运用宽离子束对微透镜阵列进行了刻蚀,表明宽离子束可进行微米、亚微米刻蚀。
关键词 离子束刻蚀 微透镜阵列 离子束刻蚀
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宽波段全息-离子束刻蚀光栅的设计及工艺 被引量:9
13
作者 吴娜 谭鑫 +1 位作者 于海利 张方程 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第7期1978-1983,共6页
设计和制作了一种在同一基底上具有多闪耀角的宽波段全息-离子束刻蚀光栅。提出了组合形成宽波段全息-离子束刻蚀光栅的分区设计方法,优化了3种闪耀角混合的宽波段全息光栅设计参数,并利用反应离子束刻蚀装置对该光刻胶掩模进行刻蚀图... 设计和制作了一种在同一基底上具有多闪耀角的宽波段全息-离子束刻蚀光栅。提出了组合形成宽波段全息-离子束刻蚀光栅的分区设计方法,优化了3种闪耀角混合的宽波段全息光栅设计参数,并利用反应离子束刻蚀装置对该光刻胶掩模进行刻蚀图形转移,采用分段、分步离子束刻蚀技术开展了获得不同闪耀角的离子束刻蚀实验。最后在同一光栅基底上分区制作了位相相同,并具有9,18,29°3个不同闪耀角,口径为60mm×60mm,使用波段为200~900nm的宽波段全息光栅。衍射效率测试结果显示其在使用波段的最低衍射效率超过30%,最高衍射效率超过50%,实验结果与理论计算结果基本符合。与其它方式制作的宽波段光栅相比,采用宽波段全息-离子束刻蚀光栅不但工艺成熟,易于控制光栅槽形,而且光栅有效面积尺寸较大,便于批量复制。 展开更多
关键词 全息光栅 宽波段光栅 离子束刻蚀 刻蚀模拟
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软X射线相位型聚焦波带片的研制 被引量:8
14
作者 肖凯 刘颖 +1 位作者 徐向东 付绍军 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第12期1722-1723,共2页
软X射线波带片是软X射线光学中聚焦、色散和成像的重要元件。以激光全息离子束刻蚀技术制作金的振幅型软X射线聚焦波带片,以此为掩模,利用接触式同步辐射光刻和离子束刻蚀技术在聚酰亚胺衬底上,分别制作出了镍和锗的软X射线相位型聚焦... 软X射线波带片是软X射线光学中聚焦、色散和成像的重要元件。以激光全息离子束刻蚀技术制作金的振幅型软X射线聚焦波带片,以此为掩模,利用接触式同步辐射光刻和离子束刻蚀技术在聚酰亚胺衬底上,分别制作出了镍和锗的软X射线相位型聚焦波带片。 展开更多
关键词 X射线光学 相位型波带片 同步辐射光刻 离子束刻蚀
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离子束蚀刻微透镜中蚀刻深度允许误差的研究 被引量:6
15
作者 赵光兴 杨国光 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期113-116,共4页
基于衍射光学原理,获得了微透镜的衍射效率与蚀刻深度误差之间的关系式。研究表明,离子束蚀刻中目前采用的时间控制法可满足L=1时的微透镜微加工要求,但未能满足L>1时的微透镜微加工要求。对L>1的情形,需要提高蚀刻深度控... 基于衍射光学原理,获得了微透镜的衍射效率与蚀刻深度误差之间的关系式。研究表明,离子束蚀刻中目前采用的时间控制法可满足L=1时的微透镜微加工要求,但未能满足L>1时的微透镜微加工要求。对L>1的情形,需要提高蚀刻深度控制精度以使蚀刻深度的误差小于87nm。 展开更多
关键词 微透镜 离子束蚀刻 误差 衍射光学
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离子束表面加工设备及工艺研究
16
作者 范江华 李勇 +3 位作者 袁祖浩 龚俊 胡凡 黄也 《中国集成电路》 2024年第9期87-91,共5页
本文介绍了一种用于红外芯片金属化与刻蚀工艺的离子束表面加工设备。通过实验探索不同工艺角度下薄膜沉积速率与均匀性及刻蚀速率与均匀性的影响,结果表明薄膜沉积均匀性与刻蚀均匀性均优于3%。同时经过产线流片,红外芯片表面薄膜均匀... 本文介绍了一种用于红外芯片金属化与刻蚀工艺的离子束表面加工设备。通过实验探索不同工艺角度下薄膜沉积速率与均匀性及刻蚀速率与均匀性的影响,结果表明薄膜沉积均匀性与刻蚀均匀性均优于3%。同时经过产线流片,红外芯片表面薄膜均匀性良好、一致性高,芯片电路图案刻蚀陡直性高、损伤低,满足红外芯片金属化与刻蚀工艺需求。 展开更多
关键词 离子束溅射沉积 离子束刻蚀 离子束加工 射频离子源
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钽酸锂晶体滤波器的离子束刻蚀技术研究 被引量:8
17
作者 张永川 彭胜春 徐阳 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2014年第3期474-475,共2页
以钽酸锂晶体作为晶体滤波器压电材料。通过优化离子束刻蚀工艺参数,采用间歇式离子束刻蚀方法,解决了刻蚀区微裂纹工艺问题,使厚度为60μm钽酸锂晶片减薄至30μm。利用反台阶结构晶片制作出了中心频率为70MHz、3dB带宽为1 109kHz的高... 以钽酸锂晶体作为晶体滤波器压电材料。通过优化离子束刻蚀工艺参数,采用间歇式离子束刻蚀方法,解决了刻蚀区微裂纹工艺问题,使厚度为60μm钽酸锂晶片减薄至30μm。利用反台阶结构晶片制作出了中心频率为70MHz、3dB带宽为1 109kHz的高基频宽带钽酸锂晶体滤波器。 展开更多
关键词 晶体滤波器 钽酸锂 离子束刻蚀 高频 宽带
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激光干涉光刻法制作100nm掩模 被引量:8
18
作者 陈欣 赵青 +2 位作者 方亮 王长涛 罗先刚 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期806-810,共5页
介绍了一种利用激光干涉光刻技术得到特征图形,并通过离子束刻蚀将图形转移到铬层上,从而获得掩模的方法。针对掩模透光率以及对干涉图形对比度可能产生影响的两个参数分别进行了数值仿真,从而证明此方法的可行性和参数的优化选择。自... 介绍了一种利用激光干涉光刻技术得到特征图形,并通过离子束刻蚀将图形转移到铬层上,从而获得掩模的方法。针对掩模透光率以及对干涉图形对比度可能产生影响的两个参数分别进行了数值仿真,从而证明此方法的可行性和参数的优化选择。自搭干涉光刻实验系统,用257 nm的激光光源实现光刻,得到特征尺寸为100 nm的图形,再经过离子束刻蚀,最终得到周期200 nm、线宽100 nm的掩模。 展开更多
关键词 激光干涉光刻 离子束刻蚀 纳米光刻 微纳结构制造
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微加工中一种新型刻蚀深度实时检测系统 被引量:6
19
作者 赵光兴 陈洪 +2 位作者 候西云 程上彝 杨国光 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第6期745-749,共5页
实现了一种新型刻蚀深度实时检测系统,整个系统对温度漂移,气体流动与外界振动等环境因素极不敏感,系统测量误差小于0.98%,实现了在真空环境下刻蚀深度的实时监视与检测。
关键词 微加工 离子束刻蚀 刻蚀深度 实时检测
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聚焦离子束刻蚀性能的研究 被引量:6
20
作者 谢进 江素华 +2 位作者 王家楫 唐雷钧 宗祥福 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期151-155,共5页
对聚焦离子束 (FIB)的基本刻蚀性能进行了实验和研究 .通过扫描电镜对 FIB刻蚀坑的观测 ,给出了在不同材料上 (硅、铝和二氧化硅 ) FIB的刻蚀速率及刻蚀坑的形貌同离子束流大小的关系 .由于不同材料的原子结合能、原子量及晶体结构等因... 对聚焦离子束 (FIB)的基本刻蚀性能进行了实验和研究 .通过扫描电镜对 FIB刻蚀坑的观测 ,给出了在不同材料上 (硅、铝和二氧化硅 ) FIB的刻蚀速率及刻蚀坑的形貌同离子束流大小的关系 .由于不同材料的原子结合能、原子量及晶体结构等因素对离子束溅射产额的影响 ,从而影响着离子束的刻蚀速率 ;随着离子束流的增大 ,刻蚀速率并非线性增加 ,且刻蚀坑的形貌越来越不均匀 。 展开更多
关键词 聚焦离子束 集成电路 刻蚀 溅射 扫描电镜 FIB
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