通过对某交流500 k V复合绝缘子断裂情况进行分析,认为由电场畸变引起的局部放电是促使绝缘子断裂的原因。利用有限元软件ANSYS建立500 k V复合绝缘子几何模型,对其电场分布特性进行仿真计算。结果表明:绝缘子断裂位置位于高压端附近的...通过对某交流500 k V复合绝缘子断裂情况进行分析,认为由电场畸变引起的局部放电是促使绝缘子断裂的原因。利用有限元软件ANSYS建立500 k V复合绝缘子几何模型,对其电场分布特性进行仿真计算。结果表明:绝缘子断裂位置位于高压端附近的场强极大值处,当此处护套芯棒界面存在气隙缺陷时,护套内外局部电场均出现不同程度的增大,且内外场强存在较大差值易造成护套击穿。电场不均匀引起的局部放电进一步会沿电场方向形成碳化通道,在水气及酸性物质的影响下,绝缘子力学性能会极大降低,严重时导致绝缘子断裂。展开更多
文摘通过对某交流500 k V复合绝缘子断裂情况进行分析,认为由电场畸变引起的局部放电是促使绝缘子断裂的原因。利用有限元软件ANSYS建立500 k V复合绝缘子几何模型,对其电场分布特性进行仿真计算。结果表明:绝缘子断裂位置位于高压端附近的场强极大值处,当此处护套芯棒界面存在气隙缺陷时,护套内外局部电场均出现不同程度的增大,且内外场强存在较大差值易造成护套击穿。电场不均匀引起的局部放电进一步会沿电场方向形成碳化通道,在水气及酸性物质的影响下,绝缘子力学性能会极大降低,严重时导致绝缘子断裂。
