La掺杂浓度对PLZT薄膜红外光学性质的影响 被引量：4

1

作者 胡志高 石富文 +4 位作者 黄志明 王根水 孟祥建 林铁 褚君浩 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第7期1624-1629,共6页

采用溶胶 凝胶法在Pt Ti SiO2 Si衬底上制备了不同La掺杂浓度PLZT(x 4 0 6 0 )薄膜 .x射线衍射分析表明制备的PLZT(x 4 0 6 0 )薄膜是具有单一钙钛矿结构的多晶薄膜 .通过红外椭圆偏振光谱仪测量了波长为 2 5— 12 6 μm范围内PLZ... 采用溶胶 凝胶法在Pt Ti SiO2 Si衬底上制备了不同La掺杂浓度PLZT(x 4 0 6 0 )薄膜 .x射线衍射分析表明制备的PLZT(x 4 0 6 0 )薄膜是具有单一钙钛矿结构的多晶薄膜 .通过红外椭圆偏振光谱仪测量了波长为 2 5— 12 6 μm范围内PLZT薄膜的椭偏光谱 ,采用经典色散模型拟合获得PLZT薄膜的红外光学常数 ,同时也拟合获得PLZT薄膜的厚度 .随着La掺杂浓度的增大 ,折射率逐渐减小 .而消光系数除PLZT(4 4 0 6 0 )薄膜外 ,呈现逐渐增大的趋势 .分析表明这些差异主要与PLZT薄膜的结晶性 ,如晶粒尺寸 ,以及颗粒边界、形貌、电子能带结构有关 .通过计算得到PLZT薄膜的吸收系数大于PZT薄膜的吸收系数 .随着La掺杂浓度的增大 ,静态电荷值逐渐减小 .这说明在PLZT中 ,电荷的转移是不完全的 ,它属于离子 共价混合的化合物 . 展开更多

关键词 LA掺杂 掺杂浓度 PLZT薄膜 红外光学性质 镧掺杂 红外椭圆偏振光谱 铁电薄膜

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ZnS头罩增透保护膜系制备 被引量：5

2

作者 宋建全 刘正堂 +2 位作者 于忠奇 耿东生 郑修麟 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期203-206,共4页

利用计算机对不同运动轨迹下 Zn S头罩外表面膜厚分布进行了模拟 ,优化出头罩的最佳运动轨迹 ,在该轨轨迹下采用射频磁控反应溅射 (RRFS)法进行头罩镀膜 ,能够得到满足使用要求的薄膜厚度均匀性 .实验结果表明 ,头罩外表面薄膜厚度不均... 利用计算机对不同运动轨迹下 Zn S头罩外表面膜厚分布进行了模拟 ,优化出头罩的最佳运动轨迹 ,在该轨轨迹下采用射频磁控反应溅射 (RRFS)法进行头罩镀膜 ,能够得到满足使用要求的薄膜厚度均匀性 .实验结果表明 ,头罩外表面薄膜厚度不均匀性小于 10 % ,双面镀膜后 ,8～ 11.5 μm波段平均透过率从 6 9.6 %提高到 87.2 %以上 ,透过率的不均匀性小于 1.2 % ,满足了红外应用中对 Zn S头罩的要求 . 展开更多

关键词 头罩 射频磁控溅射 厚度均匀性 红外光学性能 模拟 增透保护膜系 硫化锌 薄膜

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VO_(2)薄膜材料的变温光学性质及1550 nm激光防护性能研究

3

作者 段嘉欣 江林 +6 位作者 郑国彬 丁长春 黄敬国 刘奕 高艳卿 周炜 黄志明 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第2期150-157,共8页

具有半导体-金属态相变性质的二氧化钒材料可用于光电探测器的激光致盲防护。本文报道了基于磁控溅射法制备二氧化钒薄膜材料的结构、形貌特性,以及在不同温度下的光学性质。使用椭偏光谱法测量了20~100℃下可见-近红外波段二氧化钒材... 具有半导体-金属态相变性质的二氧化钒材料可用于光电探测器的激光致盲防护。本文报道了基于磁控溅射法制备二氧化钒薄膜材料的结构、形貌特性,以及在不同温度下的光学性质。使用椭偏光谱法测量了20~100℃下可见-近红外波段二氧化钒材料的椭偏参数,利用Gaussian、Lorentz模型获取了薄膜在相变前的光学性质,结合Drude模型拟合获取了材料在相变后的光学特性,获取了材料在300~1700 nm之间的变温折射率和消光系数等参数。变功率下1550 nm红外激光透射率的实验测试研究表明,VO_(2)薄膜样品的相变阈值功率为12 W/cm^(2),相变前后透射率由51%减小到15%~17%,开关率为69%。 展开更多

关键词 激光防护 二氧化钒薄膜 半导体-金属态相变 红外光学性质

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氟化铒薄膜晶体结构与红外光学性能的关系 被引量：5

4

作者 苏伟涛 李斌 +1 位作者 刘定权 张凤山 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期2541-2546,共6页

使用热蒸发技术在锗(111)衬底上制备了氟化铒(ErF3)薄膜.XRD衍射结果表明,随着衬底温度的增加,氟化铒薄膜发生了从非晶状态到结晶状态的转变,薄膜的表面形貌和红外光学性能也发生了显著的变化,部分结晶的氟化铒薄膜的远红外透射谱和完... 使用热蒸发技术在锗(111)衬底上制备了氟化铒(ErF3)薄膜.XRD衍射结果表明,随着衬底温度的增加,氟化铒薄膜发生了从非晶状态到结晶状态的转变,薄膜的表面形貌和红外光学性能也发生了显著的变化,部分结晶的氟化铒薄膜的远红外透射谱和完全非晶的薄膜基本一致,但是与结晶薄膜则没有相似之处.晶格常数计算表明薄膜中存在压应力.使用洛伦兹谐振子模型对薄膜的透射率曲线进行拟合计算,得到ErF3薄膜的折射率和消光系数.在10μm处非晶薄膜的折射率和消光系数最小值分别为1.38和0.01,结晶薄膜的折射率和消光系数最小值分别为1.32和0.006. 展开更多

关键词 氟化铒 红外光学性质 光学常数 洛伦兹谐振子模型

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云母表面不同厚度VO_2薄膜的红外光学特性 被引量：5

5

作者 颜家振 黄婉霞 +2 位作者 张月 何鹏 李宁 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2011年第7期1305-1309,共5页

以天然白云母的解理面为基底,采用无机溶胶-凝胶法在其表面制备不同厚度的VO2薄膜,并研究了厚度对VO2薄膜的微观结构和红外光学特性的影响。利用SEM、XRD等手段分析了薄膜的表面形貌和晶体结构,利用原位FTIR分析了VO2薄膜半导体-金属相... 以天然白云母的解理面为基底,采用无机溶胶-凝胶法在其表面制备不同厚度的VO2薄膜,并研究了厚度对VO2薄膜的微观结构和红外光学特性的影响。利用SEM、XRD等手段分析了薄膜的表面形貌和晶体结构,利用原位FTIR分析了VO2薄膜半导体-金属相变特性。结果表明,云母表面VO2薄膜室温下具有(011)择优生长取向,随着厚度增加,薄膜晶粒变大,表面致密。同时薄膜厚度直接影响到VO2薄膜相变前后的红外透过率和薄膜在半导体-金属相变过程中产生的透过率变化ΔTr,当厚度为120 nm时,薄膜具有最大的红外透过率变化为70.5%。随着薄膜厚度的增加,VO2薄膜晶粒增大导致热致相变过程中滞回温宽变小,相变过程更加陡然。 展开更多

关键词 二氧化钒 薄膜厚度 热致相变 红外光学性能

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沉积工艺条件对金刚石薄膜红外椭偏光学性质的影响 被引量：4

6

作者 苏青峰 刘健敏 +2 位作者 王林军 史伟民 夏义本 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第10期5145-5149,共5页

采用红外椭圆偏振光谱仪对不同工艺条件下制备的CVD金刚石薄膜在红外波长范围内的光学参量进行了测量,分析了工艺条件对金刚石薄膜红外光学性质的影响.获得了最佳的沉积工艺参数,优化了薄膜的制备工艺.结果表明薄膜的折射率和消光系数... 采用红外椭圆偏振光谱仪对不同工艺条件下制备的CVD金刚石薄膜在红外波长范围内的光学参量进行了测量,分析了工艺条件对金刚石薄膜红外光学性质的影响.获得了最佳的沉积工艺参数,优化了薄膜的制备工艺.结果表明薄膜的折射率和消光系数与薄膜质量密切相关,当温度为750℃,碳源浓度为0·9%和压强为4·0kPa时,金刚石薄膜的红外椭偏光学性质最佳,折射率平均值为2·385,消光系数在10-4范围内,在红外波段具有良好的透过性. 展开更多

关键词 薄膜光学 红外光学性质 工艺条件 金刚石薄膜

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W-Mo复合离子掺杂VO_2薄膜热滞回线的热调制现象 被引量：5

7

作者 张阳 黄婉霞 +2 位作者 施奇武 宋林伟 徐元杰 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第5期497-501,共5页

以单晶Si(100)为基底,采用无机溶胶–凝胶法在其表面制备W-Mo复合离子掺杂VO2薄膜。采用SEM、XRD等手段分析了薄膜的表面形貌和晶体结构。在热驱动下,利用原位FTIR分析了W-Mo复合离子掺杂VO2薄膜半导体–金属相变性能。结果显示:单晶Si(... 以单晶Si(100)为基底,采用无机溶胶–凝胶法在其表面制备W-Mo复合离子掺杂VO2薄膜。采用SEM、XRD等手段分析了薄膜的表面形貌和晶体结构。在热驱动下,利用原位FTIR分析了W-Mo复合离子掺杂VO2薄膜半导体–金属相变性能。结果显示:单晶Si(100)表面VO2薄膜具有(011)择优生长取向,W6+、Mo6+取代了V4+在晶格中的位置,实现置换掺杂。热滞回线分析表明,与未掺杂VO2薄膜相比,V1-x-yMoxWyO2薄膜相变温度降低,滞后温宽减小,同时相变陡然性变差,相变温宽增大;在相变温度区间内,温度路径对红外透过率具有调制效果,其调制作用受原始热滞回线的制约。 展开更多

关键词 二氧化钒薄膜 红外光学性能 W-Mo复合掺杂 热调制

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电子束热蒸发非晶硅薄膜红外光学特性 被引量：4

8

作者 潘永强 黄国俊 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2011年第11期2233-2237,共5页

采用Ar＋离子束辅助电子柬热蒸发技术制备非晶硅（a-Si）薄膜，利用正交实验研究了薄膜红外光学常数与工艺参数之间的关系。采用椭偏仪和分光光度计分析了薄膜沉积速率、基底温度和工作真空度对非晶硅薄膜的折射率和消光系数的影响。实... 采用Ar＋离子束辅助电子柬热蒸发技术制备非晶硅（a-Si）薄膜，利用正交实验研究了薄膜红外光学常数与工艺参数之间的关系。采用椭偏仪和分光光度计分析了薄膜沉积速率、基底温度和工作真空度对非晶硅薄膜的折射率和消光系数的影响。实验结果表明：影响a-Si薄膜光学特性的主要因素是沉积速率和基底温度，工作真空度的影响最小。随着沉积速率和烘烤温度的升高，a-Si薄膜的折射率先增大后减小；工作真空度越高，薄膜的折射率越大。a—Si薄膜在波长1～5μm之间，折射率变化范围为2．65～3．38。当沉积速率为0．6nm／s、基底温为120oC、工作真空度是1．0×10吨Pa时，获得的a—Si薄膜的光学特性比较好，在3μm处薄膜的折射率为2．87，消光系数仅为1．67×10^-5。 展开更多

关键词 非晶硅薄膜 电子束蒸发 红外光学特性

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氧化热处理对VO_2薄膜红外光学相变特性的影响 被引量：3

9

作者 徐凯 路远 +2 位作者 凌永顺 乔亚 唐聪 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2015年第1期53-57,共5页

采用直流磁控溅射法在硅基底上制备 VO2薄膜，并对薄膜氧化热处理。分别对热处理前后薄膜进行 X 射线衍射（XRD）、傅里叶变换红外光谱（FTIR）透射率测试，分析了热处理对 VO2薄膜晶相成分与红外透射率相变特性的影响。实验分析表明，... 采用直流磁控溅射法在硅基底上制备 VO2薄膜，并对薄膜氧化热处理。分别对热处理前后薄膜进行 X 射线衍射（XRD）、傅里叶变换红外光谱（FTIR）透射率测试，分析了热处理对 VO2薄膜晶相成分与红外透射率相变特性的影响。实验分析表明，经热处理的 VO2发生非晶态向晶态转变，单斜金红石结构 VO2（011）晶体具有明显择优取向，晶粒尺寸均匀度提高，且薄膜的红外透射率具有明显相变特性，相变温度为60.5℃，3-5μm、8-12μm 波段的红外透射率对比值达到99％，适合应用于红外探测器的激光防护研究。 展开更多

关键词 二氧化钒 直流磁控溅射 氧化热处理 红外特性

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磁控溅射制备VO_2薄膜及其红外相变特性 被引量：2

10

作者 徐凯 路远 +1 位作者 凌永顺 乔亚 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第3期372-376,共5页

采用直流磁控溅射法与氧化法热处理相结合的工艺,在Si基底上制备VO2薄膜,通过扫描电镜（SEM）、X射线衍射（XRD）、X射线电子能谱（XPS）、傅里叶变换红外光谱（FTIR）透射率测试,分析了VO2薄膜截面结构、晶相成分、成分价态及红外透射... 采用直流磁控溅射法与氧化法热处理相结合的工艺,在Si基底上制备VO2薄膜,通过扫描电镜（SEM）、X射线衍射（XRD）、X射线电子能谱（XPS）、傅里叶变换红外光谱（FTIR）透射率测试,分析了VO2薄膜截面结构、晶相成分、成分价态及红外透射率相变特性。实验分析表明,采用直流磁控溅射与氧化热处理相结合的方法,可获得主要成分为具有明显择优取向单斜金红石结构VO2（011）晶体的氧化钒薄膜,其红外透射率具有明显相变特性,相变中心温度为57.5℃,3~5μm、8~12μm波段的红外透射率对比值达到99.5%,适合应用于红外探测器的激光防护研究。 展开更多

关键词 二氧化钒 直流磁控溅射 氧化热处理 红外相变特性

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纳米MgO微晶的微观特性实验探究 被引量：1

11

作者 赵国俭 《大学物理实验》 2012年第6期1-2,共2页

通过X射线衍射分析和红外吸收特性测试,获得了MgO样品的微结构参数,发现其主特征峰位于416cm1处;并根据衍射峰峰宽和谱线展宽公式计算出样品的平均晶粒度。

关键词 MGO 纳米微晶 红外光学性质

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纳米MgO微晶的红外光学性质的模拟计算 被引量：1

12

作者 赵国俭 《大学物理实验》 2012年第5期1-3,共3页

用第一原理计算氧化镁的能带结构、态密度和红外光学性质等来研究材料的微结构,以预测材料的性质,预知实验的可行性。并说明纳米MgO的晶格膨胀是其红外光谱出现红移现象的原因之一。

关键词 MGO 纳米微晶 红外光学性质 第一原理计算

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氢辅助脉冲直流溅射沉积的碳化硼薄膜的红外光学性质与机械性质的研究

13

作者 陈儒婷 SHIGENG SONG +4 位作者 DES GIBSON LEWIS FLEMING SAM AHMADZADEH HIN ON CHU XIAOLING ZHANG 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第7期7039-7044,共6页

采用氢气为辅助气体,在不同氢气流速下用微波等离子体辅助脉冲直流磁控溅射系统制备碳化硼薄膜。碳化硼薄膜的设计厚度为1200 nm,过渡层非晶硅的设计厚度为500 nm。所用的基板为载玻片、Ge、Si、Si wafer、GaAs和JGS3。之后,采用傅里叶... 采用氢气为辅助气体,在不同氢气流速下用微波等离子体辅助脉冲直流磁控溅射系统制备碳化硼薄膜。碳化硼薄膜的设计厚度为1200 nm,过渡层非晶硅的设计厚度为500 nm。所用的基板为载玻片、Ge、Si、Si wafer、GaAs和JGS3。之后,采用傅里叶红外光谱(FT-IR),X射线衍射(XRD)、维氏硬度计(Vicker indenter),分析了氢气流速(0、3、7和10 mL/min)对碳化硼薄膜的光学性质和机械性质的影响。结果表明,氢气流速的增加,可以明显提高红外光学透过率,降低红外光光吸收率。与此同时,氢气的增加还能降低薄膜应力,使薄膜易于附着在基底上。然而,氢气也会使得碳化硼薄膜硬度降低。 展开更多

关键词 碳化硼薄膜 红外性质 机械性质

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SrF2-CaF2混合物薄膜的物理及红外光学特性研究

14

作者 于天燕 秦杨 +1 位作者 刘定权 张凤山 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期2546-2550,共5页

采用热蒸发和电子束蒸发两种沉积方式分别沉积了相同厚度的SrF2-CaF2(比例为1∶1)的混合物薄膜,对其物理和光学特性进行了研究,并定量地给出了其在红外波段的光学常数,填补了这一数据的空白.同时提供了一种获得不同低折射率薄膜的方法.... 采用热蒸发和电子束蒸发两种沉积方式分别沉积了相同厚度的SrF2-CaF2(比例为1∶1)的混合物薄膜,对其物理和光学特性进行了研究,并定量地给出了其在红外波段的光学常数,填补了这一数据的空白.同时提供了一种获得不同低折射率薄膜的方法.文中还以该比例的混合物作为低折射率材料,研制出具有很好的光学性能的长波红外宽光谱增透膜. 展开更多

关键词 SrF2-CaF2混合物薄膜 表面形貌 红外光学特性 宽光谱增透膜

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金属栅网的远红外光学特性 被引量：2

15

作者 高翔 郭其良 童兴德 《红外技术》 CSCD 1994年第1期27-30,共4页

介绍了金属栅网在远红外波段的应用，并根据微波传输线理论推导了栅网的透射率、反射率、吸收率公式和相位表达式，提出用等效三角形描述不同结构的栅网，并与等效电路法的结果作了对比和讨论。

关键词 远红外光学 应用

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激光防护中VO_2薄膜的最佳膜厚计算 被引量：1

16

作者 徐凯 路远 +2 位作者 凌永顺 乔亚 唐聪 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2015年第8期959-963,共5页

为实现 VO2薄膜在激光防护应用中的最佳膜厚设计，采用椭圆偏振法测试分别得到 Si基底 VO2薄膜低温半导体态与高温金属态的光学常数，基于具有吸收特性薄膜的透射率计算理论，结合 VO2薄膜用于激光防护的需求，计算得到适用于激光防护... 为实现 VO2薄膜在激光防护应用中的最佳膜厚设计，采用椭圆偏振法测试分别得到 Si基底 VO2薄膜低温半导体态与高温金属态的光学常数，基于具有吸收特性薄膜的透射率计算理论，结合 VO2薄膜用于激光防护的需求，计算得到适用于激光防护的最佳膜厚。为验证计算方法准确性，根据入射激光波长10．6μm 为例计算的最佳膜厚，采用直流磁控溅射法在 Si 基底上制备具有相应膜厚的薄膜，利用傅里叶变换红外光谱测试分析了该薄膜的红外透射率相变特性，结果表明其红外透射率具有明显相变特性，3～5μm 波段的红外透射率对比值达到99％，λ＝10．6μm 处相变前后的红外透射率分别为67．2％、4．2％，与理论计算透射率66．4％、3．3％误差较小，实测透射率对比值为93．8％，与理论预期95％基本相符，表明理论计算方法具有一定的准确性，根据最佳膜厚算法设计的 VO2薄膜适合应用于红外探测器的激光防护研究。 展开更多

关键词 二氧化钒薄膜 激光防护 最佳膜厚 磁控溅射法 红外相变特性

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