期刊文献+
共找到28篇文章
< 1 2 >
每页显示 20 50 100
h-BN/Al_(2)O_(3)栅介质氢终端金刚石场效应晶体管 被引量:1
1
作者 王维 蔚翠 +5 位作者 何泽召 周闯杰 郭建超 马孟宇 高学栋 冯志红 《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第9期687-691,724,共6页
金刚石是实现高频大功率器件的理想候选材料,但是其较低的载流子迁移率制约了器件的性能,六方氮化硼(h-BN)作为氢终端金刚石场效应晶体管(FET)的栅介质材料有望提升金刚石材料的载流子迁移率。利用商业化大面积h-BN材料,制备了h-BN/Al_(... 金刚石是实现高频大功率器件的理想候选材料,但是其较低的载流子迁移率制约了器件的性能,六方氮化硼(h-BN)作为氢终端金刚石场效应晶体管(FET)的栅介质材料有望提升金刚石材料的载流子迁移率。利用商业化大面积h-BN材料,制备了h-BN/Al_(2)O_(3)栅介质的氢终端金刚石FET,h-BN/Al_(2)O_(3)/氢终端金刚石材料的载流子迁移率得到提升,达到186 cm^(2)/(V·s)。相较于Al_(2)O_(3)栅介质的金刚石FET,h-BN/Al_(2)O_(3)栅介质的金刚石FET最大饱和电流密度和最大跨导均得到提升,分别为141 mA/mm和9.7 mS/mm。通过电容-电压(C-V)测试计算了栅介质和金刚石间界面固定电荷密度和陷阱密度,h-BN/Al_(2)O_(3)栅介质的金刚石FET界面负固定电荷密度为5.4×10^(12)cm^(-2)·eV^(-1),低于Al_(2)O_(3)栅介质的金刚石FET(8.5×10^(12)cm^(-2)·eV^(-1))。固定电荷密度低、载流子迁移率高是h-BN/Al_(2)O_(3)栅介质金刚石FET性能提升的主要原因。 展开更多
关键词 金刚石 场效应晶体管(FET) 氢终端 六方氮化硼(h-BN) 栅介质
下载PDF
金刚石二维电导和场效应管研究新进展
2
作者 张金风 张进成 +2 位作者 任泽阳 苏凯 郝跃 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第6期2151-2160,共10页
金刚石表面沟道场效应管以氢终端金刚石表面的二维空穴气2DHG(Two-Dimensional Hole Gas)作为沟道实现输入电压对输出电流的控制,是目前金刚石电子器件的主流结构.该2DHG面电导具有可大范围调控的面电荷密度和较高空穴饱和漂移速度.本... 金刚石表面沟道场效应管以氢终端金刚石表面的二维空穴气2DHG(Two-Dimensional Hole Gas)作为沟道实现输入电压对输出电流的控制,是目前金刚石电子器件的主流结构.该2DHG面电导具有可大范围调控的面电荷密度和较高空穴饱和漂移速度.本文回顾了金刚石场效应管器件在直流、频率和功率特性的研究进展,揭示了低迁移率是制约金刚石低功耗高速数字电路、高频器件和高功率微波器件发展的主要因素.从理论和实验总结了金刚石表面电导出现的类调制掺杂的新掺杂机理,尤其实现了室温下2DHG霍尔迁移率提升到680 cm^(2)/Vs,材料方阻从10 kΩ/sq数量级降低到1.4 kΩ/sq电导性能的突破.相信这将会引起金刚石场效应管性能极大提升和器件的快速发展. 展开更多
关键词 金刚石 氢终端 场效应管 二维空穴气
下载PDF
Electronic properties of hydrogen- and oxygen-terminated diamond surfaces exposed to the air 被引量:1
3
作者 刘峰斌 汪家道 +1 位作者 陈大融 颜大运 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2009年第5期2041-2047,共7页
The electronic properties of hydrogen- and oxygen-terminated diamond surfaces exposed to the air are investigated by scanning probe microscopy (SPM). The results indicate that for the hydrogen-terminated diamond sur... The electronic properties of hydrogen- and oxygen-terminated diamond surfaces exposed to the air are investigated by scanning probe microscopy (SPM). The results indicate that for the hydrogen-terminated diamond surface a shallow acceptor above the valence-band-maximum (VBM) appears in the band gap. However, the oxygen-terminated diamond film exhibits a high resistivity with a wide band gap. Based on the density-functional-theory, the densities of states, corresponding to molecular adsorbate in hydrogenated and oxygenated diamond (100) surfaces, are studied. The results show that the shallow acceptor in the band gap for the hydrogen-terminated diamond film can be attributed to the interaction between the surface C H bonding orbitals and the adsorbate molecules, while for the oxygen-terminated diamond film, the interaction between the surface C-O bonding orbitals and the adsorbate molecules can induce occupied states in the valence-band. 展开更多
关键词 hydrogen-termination oxygen-termination electronic properties diamond film
下载PDF
氢终端金刚石MOSFET击穿机制的仿真研究 被引量:1
4
作者 余浩 周闯杰 +4 位作者 蔚翠 何泽召 宋旭波 郭建超 冯志红 《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第3期184-191,198,共9页
对氢终端金刚石MOSFET进行物理仿真,仿真了栅介质厚度为100 nm的氧化铝栅介质的金刚石MOSFET,得到器件的最大漏电流密度超过400 mA/mm,阈值电压接近20 V,与实测器件性能接近。引入碰撞电离模型,仿真分析了不同结构器件内部电场的分布情... 对氢终端金刚石MOSFET进行物理仿真,仿真了栅介质厚度为100 nm的氧化铝栅介质的金刚石MOSFET,得到器件的最大漏电流密度超过400 mA/mm,阈值电压接近20 V,与实测器件性能接近。引入碰撞电离模型,仿真分析了不同结构器件内部电场的分布情况,在栅极边缘和漏电极附近分别出现了电场峰值。通过增加栅介质厚度,可以降低金刚石表面电场强度。大的栅漏间距可以实现更高击穿电压,针对栅介质和金刚石表面的电场尖峰,引入钝化介质和栅场板结构,有效降低了电场峰值,降低了击穿的风险。 展开更多
关键词 仿真 金刚石 MOSFET 击穿电压 氢终端
下载PDF
单晶金刚石氢终端场效应晶体管特性 被引量:2
5
作者 任泽阳 张金风 +4 位作者 张进成 许晟瑞 张春福 全汝岱 郝跃 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第20期233-239,共7页
基于微波等离子体化学气相淀积生长的单晶金刚石制作了栅长为2μm的耗尽型氢终端金刚石场效应晶体管,并对器件特性进行了分析.器件的饱和漏电流在栅压为-6 V时达到了96 mA/mm,但是在-6 V时栅泄漏电流过大.在-3.5 V的安全工作栅压下,饱... 基于微波等离子体化学气相淀积生长的单晶金刚石制作了栅长为2μm的耗尽型氢终端金刚石场效应晶体管,并对器件特性进行了分析.器件的饱和漏电流在栅压为-6 V时达到了96 mA/mm,但是在-6 V时栅泄漏电流过大.在-3.5 V的安全工作栅压下,饱和漏电流达到了77 mA/mm.在器件的饱和区,宽5.9 V的栅电压范围内,跨导随着栅电压的增加而近线性增大到30 mS/mm.通过对器件导通电阻和电容-电压特性的分析,氢终端单晶金刚石的二维空穴气浓度达到了1.99×10^(13)cm^(-2),并且迁移率和载流子浓度均随着栅压向正偏方向的移动而逐渐增大.分析认为,沟道中高密度的载流子、大的栅电容以及迁移率的逐渐增加是引起跨导在很大的栅压范围内近线性增加的原因. 展开更多
关键词 金刚石 氢终端 场效应晶体管
下载PDF
Characterization and Tribological Behavior of Octadecene,Dodecene and Undecenoic Acid Films on Si Substrate
6
作者 Jinfang ZHOU+ and Shengrong YANGState Key Laboratory of Solid Lubrication, Lanzhou Institute of Chemical Physics, Chinese Academy of Sciences, Lanzhou730000, China 《Journal of Materials Science & Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2005年第5期671-674,共4页
The films of octadecene, dodecene, and undecenoic acid were prepared on H-terminated Si surface in the presence of ultraviolet irradiation. The resulted films were characterized with water-contact angle measurement an... The films of octadecene, dodecene, and undecenoic acid were prepared on H-terminated Si surface in the presence of ultraviolet irradiation. The resulted films were characterized with water-contact angle measurement and infrared spectroscopy. The friction-reducing behavior of the prepared films was examined on a static-dynamic friction coefficient measurement apparatus and on an atomic force microscope. It was found that all the reacted films on the Si substrate showed good friction-reducing ability; especially, the film of the octadecene exhibited the best friction-reducing ability. This was attributed to the transfer of the reacted films onto the counter face with formation of a transfer film on the counterpart surface, which led to the transformation of the sliding between the reacted films and the hard ceramic to fiat between the reacted films and its transfer film on the counterpart surface. The macroscopic and microscopic friction behaviors of the prepared films were dependent on their molecular chain lengths. Thus the octadecene reacted film with the highest degree of ordering arrangement showed the best friction-reducing and antiwear abilities in sliding against Si3N4. 展开更多
关键词 Alkese Reaction film hydrogen-terminated silicon Tribological behavior
下载PDF
铟吸附氢钝化Si(100)表面的结构和稳定性研究 被引量:1
7
作者 李玉山 《江西师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2010年第6期609-611,共3页
采用第一性原理理论研究了In吸附氢钝化的Si(100)面的结构和稳定性.对In原子吸附结构的计算表明不同的重构表面其吸附结构也是不同的:In在H/Si(100)-(2×1)面的吸附能高于In在H/Si(100)-(1×1)面的吸附能;由于氢原子对硅表面的... 采用第一性原理理论研究了In吸附氢钝化的Si(100)面的结构和稳定性.对In原子吸附结构的计算表明不同的重构表面其吸附结构也是不同的:In在H/Si(100)-(2×1)面的吸附能高于In在H/Si(100)-(1×1)面的吸附能;由于氢原子对硅表面的钝化作用,使得In在Si衬底的外延生长被破坏,In原子易在衬底表面形成团簇.对In原子是否会向衬底扩散并与H原子发生交换的研究结果表明:In原子吸附于H/Si(100)表面比与H原子发生交换具有更稳定的能量.因此,在平衡条件下,In原子不会与H原子发生交换. 展开更多
关键词 重构 氢钝化 铟吸附 吸附能
下载PDF
高跨导氢终端多晶金刚石长沟道场效应晶体管特性研究
8
作者 张金风 杨鹏志 +5 位作者 任泽阳 张进成 许晟瑞 张春福 徐雷 郝跃 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第6期244-249,共6页
基于多晶金刚石制作了栅长为4 pm的铝栅氢终端金刚石场效应晶体管.器件的饱和漏源电流为160 mA/mm,导通电阻低达37.85Ω·mm,最大跨导达到32 mS/mm,且跨导高于最大值的90%的栅压(V_(GS))范围达到3 V(-2 V≤V_(GS)≤-5 V).通过传输... 基于多晶金刚石制作了栅长为4 pm的铝栅氢终端金刚石场效应晶体管.器件的饱和漏源电流为160 mA/mm,导通电阻低达37.85Ω·mm,最大跨导达到32 mS/mm,且跨导高于最大值的90%的栅压(V_(GS))范围达到3 V(-2 V≤V_(GS)≤-5 V).通过传输线电阻分析以及器件的导通电阻和电容-电压特性分析,发现氢终端多晶金刚石栅下沟道中的空穴面浓度达到了1.56×10^(13)cm^(-2),有效迁移率在前述高跨导栅压范围保持在约170 cm^2/(V·s).分析认为,较低的栅源和栅漏串联电阻、沟道中高密度的载流子和在大范围栅压内的高水平迁移率是引起高而宽阔的跨导峰和低导通电阻的原因. 展开更多
关键词 金刚石 氢终端 场效应晶体管
下载PDF
氢终端金刚石薄膜生长及其表面结构
9
作者 马孟宇 蔚翠 +3 位作者 何泽召 郭建超 刘庆彬 冯志红 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第8期323-328,共6页
氢终端金刚石的导电性问题是目前限制其在器件领域应用的关键因素.传统的氢终端金刚石制备工艺由于金刚石中含有杂质元素以及表面的加工损伤的存在,限制了氢终端金刚石的电特性.在金刚石衬底上直接外延一层高纯、表面平整的氢终端金刚... 氢终端金刚石的导电性问题是目前限制其在器件领域应用的关键因素.传统的氢终端金刚石制备工艺由于金刚石中含有杂质元素以及表面的加工损伤的存在,限制了氢终端金刚石的电特性.在金刚石衬底上直接外延一层高纯、表面平整的氢终端金刚石薄膜成为一种可行方案,但该方案仍存在薄膜质量表征困难,表面粗糙度较大等问题.本文采用微波等离子体化学气相沉积(CVD)技术,在含氮CVD金刚石衬底上外延一层亚微米级厚度金刚石薄膜,并研究分析了不同甲烷浓度对金刚石薄膜生长以及导电性能的影响.测试结果显示:金刚石薄膜生长厚度为230—810 nm,且外延层氮浓度含量低于1×10^(16) atom/cm^(3),不同的甲烷浓度生长时,金刚石外延层表面出现了三种生长模式,这主要与金刚石的生长和刻蚀作用相关.经过短时间生长后的金刚石薄膜表面为氢终端(2×1:H)结构,而氧、氮元素在其中的占比极低,这使得生长后的金刚石薄膜具有P型导电特性.霍尔测试结果显示,甲烷浓度为4%条件下生长的氢终端金刚石薄膜导电性最好,其方块电阻为4981Ω/square,空穴迁移率为207 cm^(2)/(V·s),有效地提升了氢终端金刚石电特性,为推进大功率金刚石器件发展应用起到支撑作用. 展开更多
关键词 氢终端金刚石 甲烷浓度 生长模式 电性能
下载PDF
脂环族环氧官能化十字型MDQ硅树脂的合成及UV固化性能研究 被引量:1
10
作者 蔡亮 夏远乾 +7 位作者 金晨 呼雪 许银根 陈昱 张瑞 瞿志荣 董红 伍川 《塑料工业》 CAS CSCD 北大核心 2023年第11期34-42,共9页
以α-二甲基氢基-ω-硅醇锂封端的聚二甲基硅氧烷(HSiOLi)为原料,四氯化硅(SiCl_(4))为止链剂,在四氢呋喃(THF)促进剂的作用下通过缩聚反应先制备得到端氢封端的十字型MDQ硅树脂(H-PDMS),再将H-PDMS与1,2-环氧-4-乙烯基环己烷(VCHO)在... 以α-二甲基氢基-ω-硅醇锂封端的聚二甲基硅氧烷(HSiOLi)为原料,四氯化硅(SiCl_(4))为止链剂,在四氢呋喃(THF)促进剂的作用下通过缩聚反应先制备得到端氢封端的十字型MDQ硅树脂(H-PDMS),再将H-PDMS与1,2-环氧-4-乙烯基环己烷(VCHO)在铂的乙烯基络合物催化剂作用下发生硅氢加成反应制备得到十字型脂环族环氧官能化MDQ硅树脂(VCHO-PDMS),通过核磁共振波谱(NMR)、傅里叶红外光谱(FTIR)以及凝胶渗透色谱(GPC)等手段对改性硅树脂的结构进行了表征。对合成的脂环族环氧官能化MDQ硅树脂进行UV固化实验,探究了光引发剂用量、脂环族环氧基含量以及有机硅含量等因素对硅树脂材料性能的影响。结果表明,当UV光照时间为20 s、光引发剂质量分数为2%时,制备得到的固化树脂材料的综合性能良好,凝胶率大于70%,吸水率小于4.7%,水接触角大于100°,5%失重温度大于320℃,玻璃化转变温度(T_g)为-100℃左右,铅笔硬度值为HB左右。 展开更多
关键词 端氢树脂 环氧树脂 缩聚反应 硅氢加成 UV阳离子固化
下载PDF
十八烯反应膜的制备及其微观摩擦学性能研究 被引量:1
11
作者 周金芳 任忠海 杨生荣 《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期399-401,共3页
通过紫外激发在氢终止的单晶硅表面制得了十八烯的反应膜 ,并采用接触角测定仪、红外光谱仪、椭圆偏光仪及原子力显微镜等表征了薄膜的结构和摩擦学特性 .结果表明 ,在紫外光照射下 ,十八烯在硅表面通过键合生成有序反应膜 。
关键词 微观摩擦学性能 十八烯 反应膜 氢终止硅表面 AFM 微型机械
下载PDF
氢封端聚二甲基硅氧烷的定性分析 被引量:4
12
作者 崔灵芝 陈关喜 冯建跃 《浙江大学学报(理学版)》 CAS CSCD 2013年第2期182-185,共4页
使用气相色谱质谱联用(GC-MS)和电喷雾四极杆飞行时间质谱(ESI-Q-TOF)对氢封端聚二甲基硅氧烷进行分析,通过谱图解析,确定了样品中有100个相对分子质量134~3 908的组分,分别属于4种同系物,包括2种链状聚二甲基硅氧烷和2种环状聚二甲基... 使用气相色谱质谱联用(GC-MS)和电喷雾四极杆飞行时间质谱(ESI-Q-TOF)对氢封端聚二甲基硅氧烷进行分析,通过谱图解析,确定了样品中有100个相对分子质量134~3 908的组分,分别属于4种同系物,包括2种链状聚二甲基硅氧烷和2种环状聚二甲基硅氧烷. 展开更多
关键词 氢封端聚二甲基硅氧烷 GC-MS ESI-Q-TOF 定性分析
下载PDF
长效防涂鸦有机硅加硬涂层的制备与性能研究 被引量:3
13
作者 林家祥 陈子辉 刘仲阳 《涂料技术与文摘》 2017年第11期1-5,共5页
以端氢硅油和乙烯基三甲氧基硅烷为原料,经硅氢加成反应合成了改性硅烷偶联剂。通过实验确定了反应条件:反应时间4 h,反应温度为85℃,催化剂用量为20×10^(-6)。添加改性硅烷偶联剂制备的有机硅加硬涂层,不仅具备优异的耐摩擦等性能... 以端氢硅油和乙烯基三甲氧基硅烷为原料,经硅氢加成反应合成了改性硅烷偶联剂。通过实验确定了反应条件:反应时间4 h,反应温度为85℃,催化剂用量为20×10^(-6)。添加改性硅烷偶联剂制备的有机硅加硬涂层,不仅具备优异的耐摩擦等性能,更具有持久的防涂鸦效果。研究了端氢硅油含氢量、改性硅烷偶联剂用量对涂层综合性能的影响,并讨论了漆膜具有持久防涂鸦性能的机理。 展开更多
关键词 端氢硅油 硅氢加成 防涂鸦 有机硅 加硬涂层
下载PDF
C60与吸氢金刚石(111)表面碰撞崐的模拟研究 被引量:1
14
作者 谢军 潘正瑛 满振勇 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 1998年第7期397-402,共6页
用分子动力学方法研究了C60与吸氢的金刚石(111)表面碰撞特性与注入能量的大系。原子间的相互作用采用半经验的Brenner多体势函数。结果表明,当入射能量小于200eV时,C60只是完整地从表面反弹;当入射能量为2... 用分子动力学方法研究了C60与吸氢的金刚石(111)表面碰撞特性与注入能量的大系。原子间的相互作用采用半经验的Brenner多体势函数。结果表明,当入射能量小于200eV时,C60只是完整地从表面反弹;当入射能量为200-300eV时,C60可与底靶发生化学反应;当注入能量>300eV时,C60可与表面形成多个化学键而吸附在衬底表面。此外,计算机模拟计算还给出了C60-金刚石表面碰撞的微观过程,并从原子层次研究了C60表面沉积的成键机制。 展开更多
关键词 金刚石吸氢表面 表面碰撞 碳60分子 模拟
下载PDF
氮掺杂对氢终端金刚石射频器件特性的影响
15
作者 刘晓晨 郁鑫鑫 +4 位作者 葛新岗 姜龙 李义锋 安晓明 郭辉 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2021年第11期2045-2052,共8页
采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术,通过改变气源中的氮含量,得到不同结晶质量的单晶金刚石,通过激光切割以及抛光控制样品尺寸为5 mm×5 mm×0.5 mm,然后对样品进行表面氢化处理并研制了金刚石射频器件,系统研究了氮含... 采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术,通过改变气源中的氮含量,得到不同结晶质量的单晶金刚石,通过激光切割以及抛光控制样品尺寸为5 mm×5 mm×0.5 mm,然后对样品进行表面氢化处理并研制了金刚石射频器件,系统研究了氮含量对金刚石材料晶体质量和金刚石射频器件性能的影响。随着氮含量的增加,虽然单晶金刚石生长速率有所增加,但是其拉曼半峰全宽(FWHM)、XRD摇摆曲线半峰全宽也逐渐增加,光致发光光谱中对应的NV缺陷逐渐增多,晶体结晶质量逐渐变差,不仅导致沟道载流子的迁移率出现退化,而且也使金刚石射频器件出现了严重的电流崩塌和性能退化问题。通过降低氮浓度,提升材料的结晶质量,沟道载流子迁移率得到显著提升,金刚石射频器件的电流崩塌得到有效抑制,电流增益截止频率f_(T)和功率增益截止频率f_(max)分别从17 GHz和22 GHz大幅度提升至32 GHz和53 GHz。 展开更多
关键词 氮含量 微波等离子体化学气相沉积 晶体质量 氢终端金刚石 沟道载流子迁移率 电流崩塌 金刚石射频器件 频率特性
下载PDF
自对准栅金刚石MESFET器件研究
16
作者 周建军 柏松 +5 位作者 陈刚 孔岑 耿习娇 陆海燕 孔月婵 陈堂胜 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2013年第1期28-31,85,共5页
基于表面氢化处理的金刚石材料,利用自对准栅工艺技术研制了p型金刚石肖特基栅场效应晶体管(MESFET)。利用AFM和Raman测试方法对材料的特性进行了测试及分析。同时,对研制的金刚石MESFET器件进行了TLM以及直流特性测试及性能分析。利用... 基于表面氢化处理的金刚石材料,利用自对准栅工艺技术研制了p型金刚石肖特基栅场效应晶体管(MESFET)。利用AFM和Raman测试方法对材料的特性进行了测试及分析。同时,对研制的金刚石MESFET器件进行了TLM以及直流特性测试及性能分析。利用TLM方法测试获得的表面氢化处理金刚石材料的方阻和Au欧姆接触比接触电阻率分别为4kΩ/□和5.24×10-4Ω.cm2。研制的1μm栅长金刚石MESFET器件的最大电流在-5V偏压下达到10mA/mm以上。 展开更多
关键词 金刚石 肖特基栅场效应晶体管 表面氢化
下载PDF
产酸相发酵类型的制氢转化规律及比较 被引量:4
17
作者 宋佳秀 任南琪 +1 位作者 安东 段志杰 《净水技术》 CAS 2006年第6期55-59,共5页
以葡萄糖为唯一碳源,通过调节进水基质碱度提高反应器内部pH值,使生物制氢反应器内的发酵类型发生连续转化,重点考察了发酵菌群从乙醇型发酵演替为丁酸型发酵的转化规律,并对液相末端产物、产氢速率、氧化还原电位(ORP)以及生物量的变... 以葡萄糖为唯一碳源,通过调节进水基质碱度提高反应器内部pH值,使生物制氢反应器内的发酵类型发生连续转化,重点考察了发酵菌群从乙醇型发酵演替为丁酸型发酵的转化规律,并对液相末端产物、产氢速率、氧化还原电位(ORP)以及生物量的变化进行了比较分析。在进水有机负荷恒定的情况下,乙醇型发酵经15d转化为丁酸型发酵,转化顺序为乙醇型-丙酸型-混合酸型-丁酸型。乙醇型发酵在稳定运行的情况下比产氢速率平均为22mol·kg^(-1)·d^(-1),明显高于丁酸型的12mol·kg^(-1)·d^(-1),丙酸型和混合酸型比产氢速率较低,但酸化率高于乙醇型和丁酸型,酸化率在混合酸发酵时达到最高,为85.6%。从投碱量上看,丁酸型发酵对碱的需求量(NaOH)为乙醇型的7.5倍。反应体系pH和ORP呈现负相关性,由最初的4.2、-476mV转为6.8、-562mV。 展开更多
关键词 生物制氢 发酵类型 液相末端产物 氧化还原电位
下载PDF
羟烃基硅油的合成及应用 被引量:1
18
作者 韩嘉成 秦志永 张一甫 《粘接》 CAS 2023年第1期9-13,共5页
采用乙烯基二乙二醇醚作为乙烯基单体,与含氢量不同的端氢硅油在卡斯特催化剂下通过硅氢加成反应合成羟烃基硅油;探讨了反应温度、反应时间和催化剂对合成反应的影响。采用红外光谱(FT-IR)、核磁共振氢谱(H-NMR)、凝胶渗透色谱(GPC)对... 采用乙烯基二乙二醇醚作为乙烯基单体,与含氢量不同的端氢硅油在卡斯特催化剂下通过硅氢加成反应合成羟烃基硅油;探讨了反应温度、反应时间和催化剂对合成反应的影响。采用红外光谱(FT-IR)、核磁共振氢谱(H-NMR)、凝胶渗透色谱(GPC)对产物进行了表征,并将合成样品作为耐涂鸦添加剂,在双组分聚氨酯体系中进行了测试。实验结果表明,合成最佳条件:反应时间2 h、催化剂用量为1 mg/g、反应温度为80℃,最终所得到的羟烃基硅油的相对分子质量与理论值接近。应用于涂料中分子量为3121 u的羟烃基硅油防涂鸦效果较好。 展开更多
关键词 端氢硅油 乙烯基二乙二醇醚 硅氢加成 防涂鸦
下载PDF
窄分布双氢基封端硅氧烷低聚物的合成 被引量:4
19
作者 李涛 原华 +1 位作者 周楠 张志斌 《有机硅材料》 CAS 2014年第2期77-83,共7页
以八甲基环四硅氧烷、1,1,3,3-四甲基二氢基二硅氧烷(俗称含氢双封头)为原料,以浓硫酸为催化剂,采用平衡聚合的方法制备了不同摩尔质量的双氢基封端硅氧烷低聚物(HMDn MH)。采用红外光谱、核磁共振氢谱、凝胶渗透色谱、气相色... 以八甲基环四硅氧烷、1,1,3,3-四甲基二氢基二硅氧烷(俗称含氢双封头)为原料,以浓硫酸为催化剂,采用平衡聚合的方法制备了不同摩尔质量的双氢基封端硅氧烷低聚物(HMDn MH)。采用红外光谱、核磁共振氢谱、凝胶渗透色谱、气相色谱等分析方法对产物结构进行了确认和表征。研究了反应温度、反应时间、催化剂用量等对反应的影响。较佳反应条件为:平衡反应温度35℃、浓硫酸质量分数1.5%、反应时间6h。在此条件下可获得较高收率的窄摩尔质量分布(1.22~1.39)的HMDn MH.D4和HMMH的质量比影响产物的摩尔质量。D4含量越高(或HMMH含量越低)则产物的摩尔质量越大,且与设计值之间的偏差越大。HMDn MH的特性黏数与数均摩尔质量的自然对数之间呈线性关系,其相关系数为R2=Q994,相关性极好。 展开更多
关键词 端氢基聚硅氧烷 摩尔质量分布系数 特性黏数 1 1 3 3-四甲基二氢基二硅氧烷
下载PDF
<i>In Situ</i>ATR-FTIR Observation about Surfactant/Hydrogen-TerminatedSi(111) Interface in Solution
20
作者 Toshihito Ohtake 《Journal of Surface Engineered Materials and Advanced Technology》 2014年第2期47-52,共6页
Development of novel functional devices has been expected by modification for Si surface. This study investigated immobilization and roles of the Si surface with flowing surfactant by in situ ATR-FTIR method. This res... Development of novel functional devices has been expected by modification for Si surface. This study investigated immobilization and roles of the Si surface with flowing surfactant by in situ ATR-FTIR method. This result suggested that the surfactant prevented oxidation of the hydrogen-terminated Si surface from the higher concentration in aqueous solution. These would guard the Si surface against H2O molecules. 展开更多
关键词 ATR-FTIR Si hydrogen termination SURFACTANT
下载PDF
上一页 1 2 下一页 到第
使用帮助 返回顶部