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THE IMPROVEMENT OF ELECTRON FIELD EMISSION FROM AMORPHOUS CARBON FILMS DUE TO HYDROGEN PLASMA CHEMICAL ANNEALING EFFECT 被引量:16
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作者 J. Xu, X.H. Huang, L. Wang, W. Li and K.J. Chen (National Laboratory of Solid State Microstructures and Departmeat of Physics, Nanjing University, Nanjing 210093, China) J.B. Xu (Department of Electronic Engineering, The Chinese University of Hong Kong, S 《Acta Metallurgica Sinica(English Letters)》 SCIE EI CAS CSCD 2001年第6期497-500,共4页
Hydrogenated amorphous carbon films were fabricated by using layer-by-layer deposition method and hydrogen dilution method in a small d.c.-assisted plasma enhanced chemical vapor deposition system. It was found that t... Hydrogenated amorphous carbon films were fabricated by using layer-by-layer deposition method and hydrogen dilution method in a small d.c.-assisted plasma enhanced chemical vapor deposition system. It was found that the hydrogen plasma treatment could change the sp2/sp3 ratio to some extent by chemical etching. The improvements of field emission characteristics were observed compared with that from conventionally deposited a-C films, which can be attributed to the large field enhancement effect due to the inhomogeneous distribution of nanometer scale sp2 clusters and the reduction of the surface emission barrier due to the hydrogen termination. 展开更多
关键词 field emission amorphous carbon hydrogen plasma treatment
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晶化多晶硅氢等离子钝化处理的优化研究 被引量:3
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作者 罗翀 李娟 +4 位作者 李鹤 孟志国 熊绍珍 郭海成 张志林 《光电子技术》 CAS 北大核心 2010年第3期172-178,共7页
以衬底温度和射频(RF)功率为调控晶化多晶硅薄膜的氢等离子钝化处理工艺的参数,借助发射光谱(OES)全程实时探测以及对氢化处理后薄膜的傅里叶变换红外吸收谱(FTIR)的分析,通过钝化前后薄膜电性能相对照,探讨工艺优化的微观机理。对于LP... 以衬底温度和射频(RF)功率为调控晶化多晶硅薄膜的氢等离子钝化处理工艺的参数,借助发射光谱(OES)全程实时探测以及对氢化处理后薄膜的傅里叶变换红外吸收谱(FTIR)的分析,通过钝化前后薄膜电性能相对照,探讨工艺优化的微观机理。对于LPCVD为晶化前驱物SPC晶化的样品,氢等离子体中的Hβ和Hγ基元对氢钝化处理起主要作用。硅薄膜氢化处理后膜中的氢以Si-H或Si-H2的形态大量增加。随氢化处理的温度升高,促使Hβ和Hγ以更高的动能在表面移动并进入薄膜内与硅悬挂键键合。只有提供足够的动能才能有效改善多晶硅微结构(R降低),使霍尔迁移率得以增大;样品在足够高的衬底温度下,只需较低功率即能产生所需数量的Hβ和Hγ等离子基元对样品予以钝化。降低功率,能有效降低I2100、继而减小R,从而减少对薄膜的轰击和刻蚀,有利提高电学性能。实验中样品氢化处理较优化的条件为550°C,10 W,其霍尔迁移率提高了43.5%。 展开更多
关键词 氢钝化处理 多晶硅薄膜 机制
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纳米碳管的制备及其场发射性能研究(英文) 被引量:3
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作者 邓周虎 王雪文 +2 位作者 李林 闫军锋 任兆玉 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期239-243,共5页
将Ni(NO3)2-Mg(NO3)2体系作为催化剂前驱体,在不同气源比例下用CVD催化裂解法制备纳米碳管,用SEM、TEM和喇曼光谱对其进行了表征和分析,制备出完整性好的纳米碳管.再用两种工艺和配方制备其场发射阴极,对阴极样品进行了场发射性能测试.... 将Ni(NO3)2-Mg(NO3)2体系作为催化剂前驱体,在不同气源比例下用CVD催化裂解法制备纳米碳管,用SEM、TEM和喇曼光谱对其进行了表征和分析,制备出完整性好的纳米碳管.再用两种工艺和配方制备其场发射阴极,对阴极样品进行了场发射性能测试.结果表明,经过氢处理在Si基上制备的CNT阴极发光效果好,且具有良好的场发射性能. 展开更多
关键词 纳米碳管 场发射阴极 氢等离子体表面处理
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低分子量壳聚糖对涤纶织物亲水性的影响 被引量:2
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作者 顾益飞 王黎明 +2 位作者 孙洁 赵园林 张旋宇 《棉纺织技术》 CAS 北大核心 2017年第9期22-26,共5页
研究低分子量壳聚糖接枝对涤纶织物亲水性能的影响。用双氧水降解制备低分子量壳聚糖,将其用于涤纶纤维和织物的改性处理。用红外光谱分析仪、热重分析仪以及扫描电镜等对壳聚糖及改性后涤纶织物的性能进行测试分析。结果表明:低分子量... 研究低分子量壳聚糖接枝对涤纶织物亲水性能的影响。用双氧水降解制备低分子量壳聚糖,将其用于涤纶纤维和织物的改性处理。用红外光谱分析仪、热重分析仪以及扫描电镜等对壳聚糖及改性后涤纶织物的性能进行测试分析。结果表明:低分子量壳聚糖改性涤纶纤维平均回潮率可达3.28%;接枝的低分子量壳聚糖涤纶织物回潮率从0.4%上升到了1.03%,芯吸高度从2.8cm/(30min)上升到了6.3cm/(30min),接触角从83.7°下降到了34.2°。认为:经过低分子量壳聚糖改性的涤纶织物具有良好的亲水性能。 展开更多
关键词 涤纶纤维 壳聚糖 双氧水 等离子体处理 红外光谱 接触角
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Reduced defect density in microcrystalline silicon by hydrogen plasma treatment
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作者 李敬彦 曾湘波 +5 位作者 李浩 谢小兵 杨萍 肖海波 张晓东 王启明 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2013年第10期36-38,共3页
: The effect of hydrogen plasma treatment (HPT) during the initial stage ofmicrocrystalline silicon (μc- Si) growth on the defect density of μc-Si has been investigated. Lower absorption coefficient in the 0.8-... : The effect of hydrogen plasma treatment (HPT) during the initial stage ofmicrocrystalline silicon (μc- Si) growth on the defect density of μc-Si has been investigated. Lower absorption coefficient in the 0.8-1.0 eV indicated less defect density compared to its counterpart without HPT. The infrared spectroscopy of μc-Si with HPT shows an increase in 2040 cm-1, which reveals more Si-H in the amorphous/crystalline interfaces. We ascribe the decrease of defect density to hydrogen passivation of the dangling bonds. Improved performance of μc-Si solar cell with HPT is due to the reduced defect density. 展开更多
关键词 microcrystalline silicon defect density hydrogen plasma treatment PASSIVATION
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Synthesis of ZnO films with a special texture and enhanced field emission properties
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作者 王小平 王子 +1 位作者 王丽军 梅翠玉 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2011年第10期325-328,共4页
ZnO films with special textures ave fabricated on Mo-coated Al2O3 ceramic substrates by the catalyst-free electron beam evaporation method, and the as-deposited films are treated by hydrogen plasma. It is found that t... ZnO films with special textures ave fabricated on Mo-coated Al2O3 ceramic substrates by the catalyst-free electron beam evaporation method, and the as-deposited films are treated by hydrogen plasma. It is found that the surface morphologies of the films are changed significantly after hydrogen plasma treatment and that the films consist of vertically standing and intersecting nanosheets. A lower turn-on field of 1.2 V/μm and an enhanced current density -0.11 mA/cm2 at 2.47 V/μm are achieved. The low threshold field and the high emission current density are attributed primarily to the unique shape and smaller resistivity of the ZnO nanosheet films. 展开更多
关键词 nano-ZnO thin films hydrogen plasma treatment field electron emission microwaveplasma chemical vapour deposition
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氢等离子体处理钝化层对高效晶硅异质结太阳电池性能的影响
7
作者 刘欢 由甲川 +3 位作者 赵雷 王文静 曲铭浩 徐希翔 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第7期140-144,共5页
研究不同时间氢等离子体处理(HPT)氢化非晶硅a-Si:H(i)钝化层对高效晶硅异质结太阳电池(效率>23%)性能的影响。发现适当时间的HPT可改善钝化效果提升电池性能,但过长时间的HPT可导致薄膜钝化效果变差,有效少数载流子寿命降低。分析认... 研究不同时间氢等离子体处理(HPT)氢化非晶硅a-Si:H(i)钝化层对高效晶硅异质结太阳电池(效率>23%)性能的影响。发现适当时间的HPT可改善钝化效果提升电池性能,但过长时间的HPT可导致薄膜钝化效果变差,有效少数载流子寿命降低。分析认为HPT时间过长,H原子进入到a-Si:H(i)薄膜层中,导致薄膜内部SiH2增多,微结构因子(R)增大,薄膜质量变差。并且,适当时间的HPT改善太阳电池性能的幅度有限,而过长时间的HPT导致电池性能下降却很明显。因此,针对高效率的晶硅异质结太阳电池,应对钝化层沉积之后的HPT工艺进行谨慎控制。 展开更多
关键词 晶硅异质结 太阳电池 PECVD 氢等离子体处理 钝化
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基于氢等离子体处理改善氢化非晶硅/晶体硅界面钝化效果的工艺研究
8
作者 王楠 钟奇 周玉琴 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2019年第10期1912-1919,共8页
薄层a-Si∶H钝化技术对于提高硅异质结太阳能电池的效率至关重要,通常有三类工艺可显著改善a-Si∶H薄膜的钝化效果:晶硅表面湿化学处理(薄膜沉积前);氢等离子体处理(薄膜沉积过程中);后退火处理(薄膜沉积后)。该论文基于等离子增强型化... 薄层a-Si∶H钝化技术对于提高硅异质结太阳能电池的效率至关重要,通常有三类工艺可显著改善a-Si∶H薄膜的钝化效果:晶硅表面湿化学处理(薄膜沉积前);氢等离子体处理(薄膜沉积过程中);后退火处理(薄膜沉积后)。该论文基于等离子增强型化学气相沉积系统,采用氢等离子处理和后退火处理改善a-Si∶H/c-Si界面的钝化效果,样品的有效少数载流子寿命最高达到1 ms,并研究了射频功率密度、腔体压力、氢气流量等工艺参数对钝化效果的影响;采用光发射谱、台阶仪等对氢等离子体处理所涉及的物理过程进行研究,得出该工艺对a-Si∶H薄膜具有刻蚀作用;根据钝化效果和刻蚀速率的关系,得出低刻蚀速率由于给予薄膜充足的时间进行结构弛豫或重构,显著改善钝化效果;基于快速热退火方法进一步改善钝化效果,采用傅里叶变换红外光谱对a-Si∶H薄膜的钝化机理进行研究,并基于化学退火模型进行讨论;采用透射电镜研究了a-Si∶H/c-Si界面的微结构,并没有观测到影响钝化效果的外延生长。 展开更多
关键词 氢等离子体处理 氢化非晶硅/晶体硅界面钝化 后退火处理 钝化机理
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氢等离子体处理对类金刚石膜场发射性能的影响
9
作者 赵立新 彭鸿雁 +7 位作者 陈玉强 罗玉杰 陈宝玲 徐闰 黄健 王林军 夏义本 金曾孙 《新型炭材料》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期317-320,共4页
采用大功率、高重复频率、准分子激光溅射热解石墨靶制备了类金刚石膜,研究了直流辉光氢等离子体处理对类金刚石膜的场发射性能的影响。结果表明:氢等离子体处理后,类金刚石膜的场发射性能明显提高,其发射阈值电场由26V/μm下降到19V/μ... 采用大功率、高重复频率、准分子激光溅射热解石墨靶制备了类金刚石膜,研究了直流辉光氢等离子体处理对类金刚石膜的场发射性能的影响。结果表明:氢等离子体处理后,类金刚石膜的场发射性能明显提高,其发射阈值电场由26V/μm下降到19V/μm。氢等离子体刻蚀除去了类金刚石膜生长表面的富含石墨的薄层,露出的新表面具有较低的功函数;膜表面的悬键被氢原子饱和,进一步降低了电子亲和势,改善了膜的场发射性能。 展开更多
关键词 类金刚石膜 氢等离子体处理 场发射
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钛基底纳米金刚石场发射阴极的氢处理工艺研究(英文)
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作者 杨延宁 李小敏 +2 位作者 吴小帅 杨浩浩 刘巧平 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第11期3208-3212,共5页
利用电泳沉积法制备了钛基底纳米金刚石的场发射阴极涂层,热处理后对其进行了氢等离子体工艺处理,然后对样品进行微观表征与场发射特性以及发光效果的测试。研究表明,H^+的吸附作用和H^+的刻蚀作用共同影响着金刚石涂层表面的形貌,氢处... 利用电泳沉积法制备了钛基底纳米金刚石的场发射阴极涂层,热处理后对其进行了氢等离子体工艺处理,然后对样品进行微观表征与场发射特性以及发光效果的测试。研究表明,H^+的吸附作用和H^+的刻蚀作用共同影响着金刚石涂层表面的形貌,氢处理作用不足则达不到效果,过强则会导致对金刚石涂层刻蚀过度,导致涂层的场发射性能以及发光效果变差,适当的氢处理有助于提高场发射性能和发光效果,最后探讨了钛基底纳米金刚石涂层氢处理的场发射机理,解释了发光效果差异的成因。 展开更多
关键词 纳米金刚石 氢处理 场发射
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氢等离子体处理P层对非晶硅太阳能电池开路电压的影响
11
作者 石明吉 熊雷 陈兰莉 《南阳理工学院学报》 2011年第4期6-8,共3页
为拓展非晶硅太阳能电池的应用,有必要提高其开路电压。本文讨论氢等离子体处理对P层和非晶硅太阳能电池性能参数的影响。结果表明:用氢等离子体处理P层可以使电池的平均开路电压提高0.0257V,平均填充因子提高0.039,平均能量转换效率提... 为拓展非晶硅太阳能电池的应用,有必要提高其开路电压。本文讨论氢等离子体处理对P层和非晶硅太阳能电池性能参数的影响。结果表明:用氢等离子体处理P层可以使电池的平均开路电压提高0.0257V,平均填充因子提高0.039,平均能量转换效率提高0.45%,实验中获得的最高开路电压为0.99V。用氢等离子体处理P层可以提高P层的晶相比,使更多的光子被本征层吸收。此外,这种处理工艺与非晶硅太阳能电池的制备工艺相兼容。 展开更多
关键词 氢等离子体处理 开路电压 晶相比 非晶硅太阳能电池 光生载流
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Direct Preparation of Hydrogen and Carbon Nanotubes by Microwave Plasma Decomposition of Methane over Fe/Si Activated by Biased Hydrogen Plasma
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作者 Katsuya Konno Kaoru Onoe +1 位作者 Yasuyuki Takiguchi Tatsuaki Yamaguchi 《Green and Sustainable Chemistry》 2013年第1期19-25,共7页
Methane was decomposed to hydrogen and carbon nanotubes (CNTs) by microwave plasma, using Fe/Si catalyst activated by biased (—150 V) hydrogen plasma for various treatment times. Upon exposure to biased hydrogen plas... Methane was decomposed to hydrogen and carbon nanotubes (CNTs) by microwave plasma, using Fe/Si catalyst activated by biased (—150 V) hydrogen plasma for various treatment times. Upon exposure to biased hydrogen plasma, the catalyst surface becomes lumpy within 1 min, coheres between 5 and 10 min and forms particles after 20 min. The methane conversion increased up to 93% over the treatment time of 5 min. The hydrogen yield showed as similar tendency as the methane conversion and kept 83% at treatment time of 5 min. The treatment time up to 1 min increased the amount of deposited carbon, and after treatment time of 5 min it dropped;then again after treatment time of 20 min, it increased to reach a maximum value of 22 gc/gcat. Deposited carbon was found to be consisted of carbon nanotubes. It grew vertically on the catalyst surface and reached a maximum length of 30.7 nm after treatment time of 10 min. Multiple types of CNTs were present, and the CNT diameters decreased with increasing plasma treatment time. 展开更多
关键词 hydrogen METHANE DECOMPOSITION Carbon NANOTUBES Microwave plasma METHANE H2 plasma treatment
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Influence of the initial transient state of plasma and hydrogen pre-treatment on the interface properties of a silicon heterojunction fabricated by PECVD 被引量:2
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作者 武春波 周玉琴 +1 位作者 李国荣 刘丰珍 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第9期147-150,共4页
Amorphous/crystalline silicon heterojunctions(a-Si:H/c-Si SHJ) were prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition(PECVD).The influence of the initial transient state of the plasma and the hydrogen pre-tre... Amorphous/crystalline silicon heterojunctions(a-Si:H/c-Si SHJ) were prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition(PECVD).The influence of the initial transient state of the plasma and the hydrogen pre-treatment on the interfacial properties of the heteroj unctions was studied.Experimental results indicate that: (1) The instability of plasma in the initial stage will damage the surface of c-Si.Using a shutter to shield the substrate for 100 s from the starting discharge can prevent the influence of the instable plasma process on the Si surface and also the interface between a-Si and c-Si.(2) The effect of hydrogen pre-treatment on interfacial passivation is constrained by the extent of hydrogen plasma bombardment and the optimal time for hydrogen pre-treatment is about 60 s. 展开更多
关键词 silicon heterojunction PECVD interface properties initial transient state of plasma hydrogen plasma pre-treatment
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