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直流热阴极PCVD法制备金刚石厚膜 被引量:20
1
作者 金曾孙 姜志刚 +1 位作者 白亦真 吕宪义 《新型炭材料》 SCIE EI CAS CSCD 2002年第2期9-12,共4页
建立和发展了非脉冲式的直流热阴极PCVD(PlasmaChemicalVapourDeposition)方法。通过采用温度为110 0℃~ 15 0 0℃的热阴极以及阴极和阳极尺寸不相等配置 ,在大的放电电流和高的气体气压下实现了长时间稳定的辉光放电 ,并用这种方法制... 建立和发展了非脉冲式的直流热阴极PCVD(PlasmaChemicalVapourDeposition)方法。通过采用温度为110 0℃~ 15 0 0℃的热阴极以及阴极和阳极尺寸不相等配置 ,在大的放电电流和高的气体气压下实现了长时间稳定的辉光放电 ,并用这种方法制备出大尺寸高质量的金刚石厚膜 ,其厚膜直径为 4 0mm~ 5 0mm ,膜厚为~ 4 .2mm ,生长速率最高达到 2 5 μm/h左右 ,在 5 μm/h~ 10 μm/h的生长速率下制出的金刚石厚膜 ,热导率一般在 10W/K·cm~12W /K·cm。高导热金刚石厚膜用做半导体激光二极管列阵的热沉和MCM的散热绝缘基板 。 展开更多
关键词 直流热阴极 PCVD法 制备 金刚石厚膜
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热阴极离子规阴极灯丝断裂机理研究
2
作者 吴海 赵英伟 吴爱华 《真空电子技术》 2024年第4期64-67,共4页
介绍热阴极离子规的工作原理及组成结构,从热阴极灯丝变细、材料缺陷和工艺缺陷3方面分析离子规阴极灯丝断裂机理,根据断裂机理提出使用过程中的一些建议,以便延长使用寿命。
关键词 热阴极 离子规 灯丝 断裂机理
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分布式X射线源的发展历史和最新进展
3
作者 唐华平 《真空电子技术》 2023年第6期1-9,共9页
介绍了分布式X射线源的技术概念和历史渊源,分布式X射线源是指可以在一个射线管内的不同位置分别独立可控地产生X射线发射的装置,其理念在X射线CT技术的早期阶段即被提出,目的是解决滑环运动带来的成像速度慢的问题,但是由于技术难度大... 介绍了分布式X射线源的技术概念和历史渊源,分布式X射线源是指可以在一个射线管内的不同位置分别独立可控地产生X射线发射的装置,其理念在X射线CT技术的早期阶段即被提出,目的是解决滑环运动带来的成像速度慢的问题,但是由于技术难度大,早期未能落地实施。随着碳纳米管(CNT)的发现和在冷阴极X射线管中的应用,美国北卡大学在2005年实现了5焦点分布式X射线源的设计和成像研究,引起学界的广泛关注,带动了分布式X射线源的新研究热潮,且热阴极、冷阴极、线阵列、面阵列等众多分布式X射线源的创新研究成果纷纷涌现,进一步介绍了国内外典型研究单位的技术路线和特点,国内研究单位在CNT冷阴极分布式X射线源技术上的研究成果和应用情况。新鸿电子研制了焦点数量从7到256、阳极工作电流7~30 mA的数十个分布式X射线源产品,已经广泛应用于行包安检、工业无损检测、医疗诊断等领域,在三维透视成像中充分展示出静态结构、高检测速度、高时间和空间分辨率等优势,射线源的技术创新带动了成像系统的创新发展,具有广阔的研究和应用前景。 展开更多
关键词 分布式X射线源 热阴极 冷阴极 静态层析成像 静态CT
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一种高功率返波管理论 被引量:1
4
作者 李凯 袁学松 +2 位作者 杨欢 黎晓云 鄢扬 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第6期208-211,共4页
对一种热阴极高功率返波管进行了理论研究,其具有寿命长稳定性好的特点。采用的热阴极发射电流密度为20 A/cm2,发射面积为100 cm2,发射总电流为2 kA。首先对该热阴极单阳极电子枪进行仿真研究,在确保不打火的情况下获得电子枪优化设计参... 对一种热阴极高功率返波管进行了理论研究,其具有寿命长稳定性好的特点。采用的热阴极发射电流密度为20 A/cm2,发射面积为100 cm2,发射总电流为2 kA。首先对该热阴极单阳极电子枪进行仿真研究,在确保不打火的情况下获得电子枪优化设计参数,再对整管进行粒子模拟研究,仿真结果表明,在工作频率为10.5 GHz时,该热阴极返波管的输出功率可以达到290 MW,换能效率为29%。 展开更多
关键词 返波管 高功率微波源 热阴极 色散关系
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热阴极DC-PCVD方法制备的金刚石厚膜的生长特性和内应力 被引量:13
5
作者 金曾孙 姜志刚 +1 位作者 胡航 曹庆忠 《新型炭材料》 SCIE EI CAS CSCD 2003年第1期65-68,共4页
 采用热阴极DC PCVD(DirectCurrentPlasmaChemicalVaporDeposition)方法制备出大尺寸高质量的金刚石厚膜,研究了金刚石厚膜的生长特性和内应力状态。由热阴极DC PCVD方法制备的金刚石厚膜大多数为〈110〉取向,表面显露面主要是(100)面...  采用热阴极DC PCVD(DirectCurrentPlasmaChemicalVaporDeposition)方法制备出大尺寸高质量的金刚石厚膜,研究了金刚石厚膜的生长特性和内应力状态。由热阴极DC PCVD方法制备的金刚石厚膜大多数为〈110〉取向,表面显露面主要是(100)面和(111)面,厚膜的表面被较多的孪晶所覆盖,部分(111)面退化为3个相互垂直的(110)面,孪晶使厚膜表面结晶特性复杂化,金刚石厚膜的晶粒沿生长方向呈现柱状生长。金刚石厚膜的生长速率随甲烷流量和工作气压的增加而增加,但随生长速率的提高金刚石膜的品质明显下降。金刚石厚膜的内应力以压应力为主,随着甲烷浓度的增加压应力增加,随着工作气压的增加压应力减小,到某个气压之后变为张应力。 展开更多
关键词 制备 热阴极 DC-PCVD 金刚石厚膜 生长特性 内应力
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热电子阴极单晶LaB_(6)制备工艺及发展研究
6
作者 高斌 谷增杰 +2 位作者 耿海 陈娟娟 徐金灵 《真空与低温》 2024年第2期214-220,共7页
单晶六硼化物LaB_(6)具有优异的热电子发射性能和化学稳定性,是空间用热电子阴极发射源的理想材料,具有优良的发射效率及寿命。随着空间电推进系统高功率、长寿命的航天任务的实施,大尺寸、低成本、高纯度单晶LaB_(6)制备技术研究显得... 单晶六硼化物LaB_(6)具有优异的热电子发射性能和化学稳定性,是空间用热电子阴极发射源的理想材料,具有优良的发射效率及寿命。随着空间电推进系统高功率、长寿命的航天任务的实施,大尺寸、低成本、高纯度单晶LaB_(6)制备技术研究显得愈发重要。在调研国内外LaB_(6)基体研制技术的基础上,结合单晶LaB_(6)主流制备技术,针对我国空间电推进应用需求,分析了晶体制备过程中存在的关键技术及难点,提出开展空间用单晶LaB_(6)工程化研制的初步建议。 展开更多
关键词 热电子阴极 电推进系统 粉体研制 单晶LaB_(6)
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间歇生长模式高甲烷浓度制备纳米金刚石膜 被引量:2
7
作者 姜宏伟 彭鸿雁 +3 位作者 陈玉强 祁文涛 王军 曲晏宏 《材料导报(纳米与新材料专辑)》 EI 2010年第1期67-70,共4页
采用直流热阴极PCVD技术,经过生长温度的周期性调整,达到清除多余游离碳和刻蚀非金刚石相的目的,实现了在高甲烷浓度条件下制备纳米金刚石膜。金刚石膜的生长过程分为沉积阶段和刻蚀去除阶段,沉积时间为15min,刻蚀时间为5min,生长周期为... 采用直流热阴极PCVD技术,经过生长温度的周期性调整,达到清除多余游离碳和刻蚀非金刚石相的目的,实现了在高甲烷浓度条件下制备纳米金刚石膜。金刚石膜的生长过程分为沉积阶段和刻蚀去除阶段,沉积时间为15min,刻蚀时间为5min,生长周期为20min,总的沉积时间为6h。采用拉曼光谱仪、SEM和XRD分析仪对样品进行了分析,结果显示样品具有纳米金刚石膜的基本特征。研究表明,在高甲烷浓度条件下,直流热阴极PCVD间歇生长模式可有效去除生长腔内的游离碳成分,实现正常放电激励,维持正常生长,制备出纳米金刚石膜。 展开更多
关键词 直流热阴极PCVD 高甲烷浓度 纳米金刚石膜 间歇式
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直流热阴极PCVD法间歇生长模式制备碳氮膜 被引量:1
8
作者 姜宏伟 黄海亮 +4 位作者 彭鸿雁 李聪 张辉霞 王丹 郑友进 《材料导报(纳米与新材料专辑)》 EI CAS 2015年第2期87-89,95,共4页
采用直流热阴极等离子体化学气相沉积(PCVD)法间歇生长模式,在(100)硅片上、CH_4+N_2+H_2气氛下生长了氮化碳薄膜。薄膜样品用XRD、SEM和Raman光谱仪进行了表征,其中XRD图谱显示,碳氮膜主要由β-C_3N_4晶相组成。实验表明,采用直流热阴... 采用直流热阴极等离子体化学气相沉积(PCVD)法间歇生长模式,在(100)硅片上、CH_4+N_2+H_2气氛下生长了氮化碳薄膜。薄膜样品用XRD、SEM和Raman光谱仪进行了表征,其中XRD图谱显示,碳氮膜主要由β-C_3N_4晶相组成。实验表明,采用直流热阴极PCVD间歇生长工艺,并提供类似晶格结构作为生成C-N键的诱导,可以制备出具有β-C_3N_4晶相的纳米碳氮膜。 展开更多
关键词 碳氮膜 直流热阴极 间歇生长模式 纳米膜
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直流热阴极PCVD法CH_4:N_2:H_2气氛下制备纳米金刚石膜 被引量:1
9
作者 姜宏伟 王军 +3 位作者 高福毅 陈奇 陈玉强 彭鸿雁 《真空》 CAS 北大核心 2010年第5期35-38,共4页
采用直流热阴极等离子体化学气相沉积(PCVD)技术,在CH4:H2中加入N2改变等离子体能量分布状态,提高二次形核比例,制备纳米金刚石膜。在CH4:H2气体中,在不同压力和温度下,改变通入N2的比例,分析直流热阴极等离子体放电下N2对金刚石膜生长... 采用直流热阴极等离子体化学气相沉积(PCVD)技术,在CH4:H2中加入N2改变等离子体能量分布状态,提高二次形核比例,制备纳米金刚石膜。在CH4:H2气体中,在不同压力和温度下,改变通入N2的比例,分析直流热阴极等离子体放电下N2对金刚石膜生长的影响。采用拉曼光谱仪、扫描电镜(SEM)和X射线衍射分析仪(XRD)对样品进行了表征,结果表明,直流热阴极PCVD系统中,CH4:N2:H2气氛下,N2流量小于气体总流量的50%时,在6×103 Pa、850℃条件下,制备的金刚石膜样品的晶粒小于100nm、金刚石1332 cm-1特征峰展宽且强度较高、金刚石的XRD衍射峰强度也较高,具备纳米金刚石膜的基本特征。因此,利用直流热阴极PCVD方法,在较低温度和气压下,CH4:H2中加入少量N2,可以制备出纳米金刚石膜。 展开更多
关键词 直流热阴极 PCVD 纳米金刚石膜
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不同氩气与氢气流量比对硼掺杂纳米金刚石膜的影响 被引量:1
10
作者 姜兆炎 彭鸿雁 +1 位作者 姜宏伟 尹龙承 《真空》 CAS 北大核心 2011年第5期91-94,共4页
采用直流热阴极PCVD方法,以B(OCH3)3作为硼源,通过改变氩气与氢气流量比,在p型Si衬底上沉积了硼掺杂纳米金刚石膜。研究了不同氩气与氢气流量比对掺硼金刚石膜生长的影响。采用扫描电子显微镜、拉曼光谱仪、X射线衍射仪、霍尔系统等对... 采用直流热阴极PCVD方法,以B(OCH3)3作为硼源,通过改变氩气与氢气流量比,在p型Si衬底上沉积了硼掺杂纳米金刚石膜。研究了不同氩气与氢气流量比对掺硼金刚石膜生长的影响。采用扫描电子显微镜、拉曼光谱仪、X射线衍射仪、霍尔系统等对样品的形貌、结构和导电性能进行了表征。结果表明,随着氩气与氢气流量比的增加,膜的晶粒尺寸由微米级向纳米级转变,并且膜中非晶碳成分增多,膜的导电性能变好。 展开更多
关键词 直流热阴极PCVD 氩气 硼掺杂 纳米金刚石膜
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直流热阴极PCVD法间歇生长模式制备金刚石膜
11
作者 姜宏伟 黄海亮 +3 位作者 贾相华 尹龙承 陈玉强 彭鸿雁 《新型炭材料》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期307-310,共4页
采用直流热阴极PCVD(Plasma chemical vapor deposition)法间歇生长模式制备金刚石膜,通过加入周期性的刻蚀阶段清除金刚石膜在一定生长期中形成的石墨和非晶碳等杂质,实现了金刚石膜生长的质量调控。间歇式生长过程分为沉积阶段和刻蚀... 采用直流热阴极PCVD(Plasma chemical vapor deposition)法间歇生长模式制备金刚石膜,通过加入周期性的刻蚀阶段清除金刚石膜在一定生长期中形成的石墨和非晶碳等杂质,实现了金刚石膜生长的质量调控。间歇式生长过程分为沉积阶段和刻蚀阶段,两个阶段交替进行。采用Raman光谱、SEM和XRD对所制金刚石膜的品质进行了表征,并与同样生长条件下连续生长模式制备的金刚石膜样品进行了比较。结果表明,当单个生长周期为30 min(沉积时间为20 min、刻蚀时间为10 min)时,直流热阴极PCVD法间歇生长模式制备的金刚石膜中的非金刚石相杂质含量低于连续间歇生长模式制备的金刚石膜。 展开更多
关键词 直流热阴极 CVD 间歇生长模式 金刚石膜
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直流热阴极PCVD法掺氮纳米金刚石薄膜形貌及结构的影响
12
作者 王明磊 彭鸿雁 +2 位作者 尹龙承 祁文涛 姜宏伟 《真空》 CAS 北大核心 2011年第4期73-75,共3页
采用直流热阴极等离子体化学气相沉积(PCVD)技术,通过在CH4/H2的混合反应气源中通入不同流量的N2,合成了掺氮纳米金刚石薄膜。结果表明随着氮气流量的增加,金刚石薄膜表面形貌发生明显变化:晶粒细化,晶界和缺陷有所增多,膜层由尺寸较大... 采用直流热阴极等离子体化学气相沉积(PCVD)技术,通过在CH4/H2的混合反应气源中通入不同流量的N2,合成了掺氮纳米金刚石薄膜。结果表明随着氮气流量的增加,金刚石薄膜表面形貌发生明显变化:晶粒细化,晶界和缺陷有所增多,膜层由尺寸较大微晶颗粒转向纳米级菜花状结构,并且薄膜表面粗糙度相应变小。同时薄膜中非金刚石组份相对逐渐增多。氮气的引入可以促进金刚石二次形核,抑制金刚石大颗粒生长,对薄膜的生长取向、形貌及结构都产生一定影响。 展开更多
关键词 直流热阴极 PCVD 纳米金刚石膜 掺氮
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DC-HCPCVD法低温低压下纳米金刚石膜的制备及生长特性研究
13
作者 吴春雷 金振宇 +2 位作者 孙霄霄 陈薇薇 尹龙承 《真空》 CAS 2014年第6期36-38,共3页
在CH4/H2气氛下,利用直流热阴极PCVD(Plasma chemical vapor deposition)设备,在低温低压下制备纳米金刚石膜。对制备的样品通过扫描电子显微镜、拉曼光谱仪、X射线衍射仪对其进行表征。结果表明:低温低压下制备的纳米膜,由于晶粒之间... 在CH4/H2气氛下,利用直流热阴极PCVD(Plasma chemical vapor deposition)设备,在低温低压下制备纳米金刚石膜。对制备的样品通过扫描电子显微镜、拉曼光谱仪、X射线衍射仪对其进行表征。结果表明:低温低压下制备的纳米膜,由于晶粒之间的团簇,导致表面粗糙度较大,拉曼测试中存在1132 cm-1处的反式聚乙炔的γ1谱峰及1190 cm-1处低聚乙烯的γ1峰,同时1550 cm-1处的G峰相对强度较高,非金刚石相成分较多,但膜的导电性能较好。 展开更多
关键词 直流热阴极 低温低压 纳米金刚石膜 电阻率
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直流热阴极PCVD法间歇生长模式制备透明金刚石膜
14
作者 彭鸿雁 姜宏伟 +3 位作者 尹龙承 黄海亮 王丹 陈玉强 《真空》 CAS 2014年第1期29-32,共4页
采用直流热阴极等离子体化学气相沉积(直流热阴极PCVD)方法,通过金刚石膜的间歇生长过程,引入氮原子的作用,实现对非金刚石成份的刻蚀和金刚石膜的择优取向生长,在CH4:N2:H2气氛下制备透明金刚石膜。金刚石膜的间歇式生长分为沉积阶段... 采用直流热阴极等离子体化学气相沉积(直流热阴极PCVD)方法,通过金刚石膜的间歇生长过程,引入氮原子的作用,实现对非金刚石成份的刻蚀和金刚石膜的择优取向生长,在CH4:N2:H2气氛下制备透明金刚石膜。金刚石膜的间歇式生长分为沉积阶段和刻蚀两个阶段,沉积阶段为20 min,刻蚀阶段为1 min,沉积和刻蚀通过温度的调节来实现,总的生长时间10 h;实验中主要改变的参数是N2气比例,将N2气流量与总气体流量的比例分为高、中、低三档分别进行实验。结果在CH4:N2:H2比例为2:20:180时获得了透明金刚石膜。金刚石膜样品用Raman光谱仪、SEM和XRD进行了表征,研究表明,直流热阴极PCVD间歇生长模式下,通过引入氮原子的作用,可以制备出(111)面取向的透明金刚石膜。 展开更多
关键词 直流热阴极 PCVD 间歇生长模式 透明金刚石膜
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DC-HCPCVD法高CH_4流量下纳米金刚石膜的制备及生长特性研究
15
作者 吴春雷 黄海亮 +2 位作者 郑友进 李明 张军 《真空》 CAS 2013年第5期25-27,共3页
在CH4/H2气氛下,利用直流热阴极PCVD(plasma chemical vapor deposition)设备,在高CH4流量下制备纳米金刚石膜。对制备的样品通过扫描电子显微镜、拉曼光谱仪、X射线衍射仪对其进行表征。结果表明:随着CH4流量的增加,晶粒尺寸明显减小,... 在CH4/H2气氛下,利用直流热阴极PCVD(plasma chemical vapor deposition)设备,在高CH4流量下制备纳米金刚石膜。对制备的样品通过扫描电子显微镜、拉曼光谱仪、X射线衍射仪对其进行表征。结果表明:随着CH4流量的增加,晶粒尺寸明显减小,表面变得更加平滑,但非金刚石相增多,膜的品质下降。同时CH4流量增加,促进了(110)面的生长,当CH4流量达到12 sccm,具有(110)方向的择优取向。 展开更多
关键词 直流热阴极 纳米金刚石膜 CH4流量
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人工干预二次形核研究
16
作者 姜宏伟 孔德贵 +3 位作者 刘力 张艳萍 祁文涛 王军 《真空》 CAS 2013年第3期79-83,共5页
采用直流热阴极PCVD技术,在CH4-H2气氛常规制备微米晶金刚石膜的参数条件下,通过人工干预实现二次形核,制备纳米晶金刚石膜。金刚石膜周期性生长过程分为沉积阶段和干预阶段,沉积阶段时间为20 min,干预阶段将沉积温度降低到600℃,时间为... 采用直流热阴极PCVD技术,在CH4-H2气氛常规制备微米晶金刚石膜的参数条件下,通过人工干预实现二次形核,制备纳米晶金刚石膜。金刚石膜周期性生长过程分为沉积阶段和干预阶段,沉积阶段时间为20 min,干预阶段将沉积温度降低到600℃,时间为1 min,然后恢复到生长温度,一个生长周期为21 min,总的沉积时间为6 h。实验分为高、低气压和高、低温度的四种组合,并与连续生长模式进行了对比。采用拉曼光谱仪、SEM对样品进行了分析,除高气压和高温度条件外,其它三组实验的金刚石膜的1332 cm-1拉曼峰展宽明显、金刚石膜晶粒小于100 nm,样品都具有纳米晶特征。结果表明直流热阴极PCVD技术的人工干预方法,可以导致金刚石膜生长过程的二次形核行为发生,制备出纳米金刚石膜。 展开更多
关键词 人工干预二次形核 纳米金刚石膜 直流热阴极PCVD
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高纯多晶LaB_6纳米块体阴极材料的制备及表征 被引量:11
17
作者 周身林 刘丹敏 张久兴 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期1199-1204,共6页
采用放电等离子烧结技术,以氢直流电弧法制备的La-LaH_2纳米粉末为原料,制备了高纯LaB_6多晶纳米块体热阴极材料.系统研究了LaH_2的脱氢反应、SPS合成LaB_6的烧结反应式,并用XRD、SEM、TEM和AFM对LaB_6烧结块体的相与结构进行了表征.实... 采用放电等离子烧结技术,以氢直流电弧法制备的La-LaH_2纳米粉末为原料,制备了高纯LaB_6多晶纳米块体热阴极材料.系统研究了LaH_2的脱氢反应、SPS合成LaB_6的烧结反应式,并用XRD、SEM、TEM和AFM对LaB_6烧结块体的相与结构进行了表征.实验结果表明,LaH_2在796.4℃时发生脱氢反应;SPS制备得到了单相LaB_6纳米多晶块体,纯度达到99.867%,相对密度达到99.2%,和其他烧结方法相比,样品显微硬度及抗弯强度等性能显著提高.晶体为大小均匀,形态规则完整的等轴晶,50MPa,烧结温度1250~1350℃范围内平均晶粒尺寸为120nm,随烧结温度的升高,晶粒尺寸逐渐增大. 展开更多
关键词 放电等离子烧结 多晶LaB6 纳米块体 热阴极
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放电等离子烧结原位制备LaB_6多晶纳米块体阴极材料 被引量:6
18
作者 周身林 刘丹敏 +1 位作者 张久兴 金帅 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期313-317,共5页
用氢直流电弧法制备La-LaH2纳米粉末,再采用放电等离子烧结技术,在原位、"无氧"条件下成功制备高纯LaB6多晶纳米块体热阴极材料,并系统研究放电等离子烧结温度、压强对材料物相、结构和性能的影响。结果表明,材料中形成单相的... 用氢直流电弧法制备La-LaH2纳米粉末,再采用放电等离子烧结技术,在原位、"无氧"条件下成功制备高纯LaB6多晶纳米块体热阴极材料,并系统研究放电等离子烧结温度、压强对材料物相、结构和性能的影响。结果表明,材料中形成单相的LaB6,纯度达到99.867%,平均晶粒尺寸为120nm,LaB6纳米块体相对密度达到99.2%,维氏硬度达到17.4GPa,抗弯强度高达245.6MPa,已达单晶材料的理论抗弯强度值。 展开更多
关键词 放电等离子烧结 多晶LaB6 纳米块体 热阴极
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电离规的新进展 被引量:6
19
作者 李得天 成永军 +1 位作者 冯焱 蔡敏 《上海计量测试》 2012年第1期2-10,14,共10页
介绍了传统热阴极电离规和冷阴极电离规的发展历程和研究现状、新型场发射阴极(微尖型阴极和碳纳米管阴极)在电离规中的应用、小型化电离规的发展和国内在超高/极高真空电离规研究方面取得的成果和现状。重点回顾了碳纳米管阴极电离规... 介绍了传统热阴极电离规和冷阴极电离规的发展历程和研究现状、新型场发射阴极(微尖型阴极和碳纳米管阴极)在电离规中的应用、小型化电离规的发展和国内在超高/极高真空电离规研究方面取得的成果和现状。重点回顾了碳纳米管阴极电离规和小型化电离规在近年来取得的重大成就。由于碳纳米管具有长径比大、曲率半径小、机械特性强、导电性好和优异的场发射特性,使得其作为电离规阴极有望解决传统冷阴极电离规在低压下不能放电的困难和传统热阴极电离规的热出气效应,从而为极高真空测量提供一种解决途径。 展开更多
关键词 电离规 热阴极 冷阴极 发射阴极 交叉场
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电真空器件热阴极加热功率与温度分布关系的测试与模拟 被引量:6
20
作者 刘竞业 张明 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期150-154,共5页
为确定电真空器件内热阴极区域的温度分布,以热阴极的热电子发射机理为基础,针对传统闸流管的经典热阴极构型,利用Comsol软件对一定几何结构的热阴极进行了物理建模,依据热传导的相关理论,合理地设定了模型边界的热量传递和交换条件,对... 为确定电真空器件内热阴极区域的温度分布,以热阴极的热电子发射机理为基础,针对传统闸流管的经典热阴极构型,利用Comsol软件对一定几何结构的热阴极进行了物理建模,依据热传导的相关理论,合理地设定了模型边界的热量传递和交换条件,对热丝加热功率与阴极表面温度分布进行了模拟分析,所得结果与实际测试结果进行了对比,达到了相当吻合的程度;同时确定了绝缘陶瓷的有关物理参数是导致阴极温度不高的一个主要因素。从而说明本文所探寻的利用数值模拟方法分析热阴极构型的电真空器件内的温度分布是准确而有效的方法。 展开更多
关键词 热阴极 温度 电子发射 热传导 数值模拟
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