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兼容TTL电平的高速CMOS端口电路设计
被引量:
1
1
作者
邱旻韡
黄登华
屈柯柯
《电子与封装》
2023年第8期52-55,共4页
基于0.8μm CMOS工艺设计了全新的兼容晶体管-晶体管逻辑(TTL)电平的高速CMOS端口电路,该端口电路不仅可以实现与TTL兼容的输入电平,还具有传输延迟时间短的优点。电路工作温度为-55~125℃。电路在工作电压为5V时,输入翻转电平为1.3V,...
基于0.8μm CMOS工艺设计了全新的兼容晶体管-晶体管逻辑(TTL)电平的高速CMOS端口电路,该端口电路不仅可以实现与TTL兼容的输入电平,还具有传输延迟时间短的优点。电路工作温度为-55~125℃。电路在工作电压为5V时,输入翻转电平为1.3V,传输上升延迟时间小于1ns,下降延迟时间小于1ns。
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关键词
TTL电平兼容
高速
cmos
端口电路
传输延迟时间
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职称材料
题名
兼容TTL电平的高速CMOS端口电路设计
被引量:
1
1
作者
邱旻韡
黄登华
屈柯柯
机构
中国电子科技集团公司第五十八研究所
出处
《电子与封装》
2023年第8期52-55,共4页
文摘
基于0.8μm CMOS工艺设计了全新的兼容晶体管-晶体管逻辑(TTL)电平的高速CMOS端口电路,该端口电路不仅可以实现与TTL兼容的输入电平,还具有传输延迟时间短的优点。电路工作温度为-55~125℃。电路在工作电压为5V时,输入翻转电平为1.3V,传输上升延迟时间小于1ns,下降延迟时间小于1ns。
关键词
TTL电平兼容
高速
cmos
端口电路
传输延迟时间
Keywords
TTL-level
compatible
high
-
speed
cmos
port
circuit
transmission
delay
time
分类号
TN495 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
兼容TTL电平的高速CMOS端口电路设计
邱旻韡
黄登华
屈柯柯
《电子与封装》
2023
1
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