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题名氮氩流量比对磁控溅射Zn3N2薄膜微观结构的影响
被引量：2
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作者
王燕
陈俊芳
熊文文
王勇
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机构
华南师范大学物理与电信工程学院
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第6期456-461,共6页
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文摘
采用射频感应耦合等离子体增强磁控溅射装置在p型Si〈100〉基片上制备Zn3N2薄膜,用于研究不同氮氩流量比对薄膜结晶质量及微观结构的影响。用X射线衍射仪（XRD）、场发射扫描电子显微镜（FESEM）、原子力显微镜（AFM）和四探针测试仪表征薄膜的微观结构、表面形貌和电学特性。实验结果表明：不同氮氩流量比条件下制备的Zn3N2薄膜均为多晶态,（400）,（411）和（332）晶面生长明显。随着氮氩流量比增加,（400）晶面衍射峰逐渐增加,在3∶1时达到极值,结晶度逐渐变佳;（332）晶面衍射峰逐渐减小,结晶度随之变弱;（411）晶面则无明显变化。随氮氩流量比增加,薄膜结晶度、晶粒尺寸和表面平整度先增加后减小。氮氩流量比为2∶1时,结晶质量和表面平整度达到最佳且导电性能最好,较大的氮氩流量比有利于磁控溅射制备性能更好的Zn3N2薄膜。
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关键词
Zn3n2薄膜
磁控溅射
氮氩流量比
晶体结构
微观结构
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Keywords
Zn3n2 thin film
magnetron sputtering
flow ratio of n2 and ar
crystalstructure
microstructure
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分类号
TN304.23
[电子电信—物理电子学]
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题名氮氩流量比对玻璃基TiN薄膜的结构和硬度的影响
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作者
顾宝宝
赵青南
刘旭
罗乐平
丛芳玲
赵修建
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机构
武汉理工大学硅酸盐建筑材料国家重点实验室
江苏秀强玻璃工艺股份有限公司
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出处
《硅酸盐通报》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第12期4076-4081,共6页
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基金
湖北省重大科技创新计划项目(2013AAA005)
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文摘
采用直流磁控溅射镀膜工艺,在不同的氮氩流量比条件下,制备了玻璃基Ti N薄膜。通过X射线衍射仪（XRD）、场发射扫描电子显微镜（SEM、EDS）、纳米显微硬度仪,研究了Ti N薄膜的组织结构、物相组成、表面形貌、元素成份、维氏硬度,分析了氮氩流量比对Ti N薄膜结晶取向、硬度的影响机理。结果表明,在低的氮氩流量比条件下,Ti N薄膜以（111）晶面择优取向;随着氮氩流量比增加,择优取向由（111）晶面向（200）晶面过渡;氮氩流量比为1∶2时薄膜以（200）晶面择优取向;继续增加氮氩流量比（1∶2~2∶1）,Ti N薄膜衍射峰强度降低,晶粒尺寸减小;当氮氩流量比增加到2∶1时,薄膜开始呈现非晶态。随着氮氩流量比的增加,薄膜硬度呈现先增加后减小的趋势;当氮氩流量比为1∶1时,Ti N薄膜以（200）晶面择优取向结晶,组织致密均匀,晶粒尺寸最小,具有最大的硬度值（825 HV）,相比未镀膜的玻璃基片,硬度值增加了20.44%。
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关键词
磁控溅射
玻璃基Ti
n薄膜
硬度
氮氩流量比
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Keywords
magnetron sputtering
Tin films deposited the glass substrate
hardness
flow ratio of n2/ar
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分类号
O484
[理学—固体物理]
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