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不挥发铁电存储器的最新发展 被引量：8
1
作者 罗维根 丁爱丽 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第1期19-22,共4页
铁电材料具有自发极化并可由外电场反转，因此可以构成一种不挥发存储器．铁电薄膜与半导体集成，产生铁电随机存储器，并将成为存储器技术的主体．
关键词 铁电薄膜 铁电随机存储器 存储器 不挥发存储器
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含NiTi阻挡层的硅基(La_(0.5)Sr_(0.5))CoO_3/Pb(Zr_(0.4)Ti_(0.6))O_3/(La_(0.5)Sr_(0.5))CoO_3铁电电容器异质结 被引量：1
2
作者 刘保亭 闫小兵 +4 位作者 程春生 李锋 马良 赵庆勋 闫正 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期157-160,共4页
应用磁控溅射法制备的非晶NiTi薄膜作阻挡层,在Si(100)衬底上构造了(La0.5Sr0.5)CoO3/Pb(Zr0.4Ti0.6)O3/(La0.5Sr0.5)CoO3(LSCO/PZT/LSCO)铁电电容器异质结,研究了Pb(Zr0.4Ti0.6)O3铁电薄膜的结构和物理性能。实验发现LSCO/PZT/LSCO铁... 应用磁控溅射法制备的非晶NiTi薄膜作阻挡层,在Si(100)衬底上构造了(La0.5Sr0.5)CoO3/Pb(Zr0.4Ti0.6)O3/(La0.5Sr0.5)CoO3(LSCO/PZT/LSCO)铁电电容器异质结,研究了Pb(Zr0.4Ti0.6)O3铁电薄膜的结构和物理性能。实验发现LSCO/PZT/LSCO铁电电容器具有良好的电学性能,在417kV/cm的驱动场强下,PZT铁电电容器具有较低的矫顽场强(125kV/cm)和较高的剩余极化强度(19.0μC/cm2),良好电容-电压特性(C-V)和保持特性,铁电电容器经过1010次反转后,极化强度没有明显下降,表明了非晶NiTi薄膜可以用作高密度硅基铁电存储器的扩散阻挡层。 展开更多
关键词 铁电存储器 NITI 阻挡层 Pb(ZrxTi1-x)O3
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铁电存储器制备中关键工艺的改进 被引量：1
3
作者 钟琪 林殷茵 汤庭鳌 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2000年第5期351-353,共3页
传统铁电存储器制备工艺中 ,存在着 Pt/ Ti下电极刻蚀难、制作的铁电薄膜形貌不好和上电极容易起壳等问题。文章对铁电存储器制备中的一些关键工艺进行改进 ,降低了工艺复杂性 ,解决了上述问题。
关键词 铁电薄膜 铁电存储器 半导体工艺 集成电路
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