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一种二维的IGBT基区载流子分布模型 被引量:2
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作者 李蝶 魏克新 景雷 《仪器仪表用户》 2018年第12期1-7,共7页
为了提高IGBT物理模型精度,本文通过分析IGBT内部工作机理,提出了一种基区载流子分布模型。该模型不仅考虑了载流子在基区的一维分布,同时也考虑了MOS末端的二维效应,同时提出了适当的边界条件,并采用向后差分法求解双极型输运方程。通... 为了提高IGBT物理模型精度,本文通过分析IGBT内部工作机理,提出了一种基区载流子分布模型。该模型不仅考虑了载流子在基区的一维分布,同时也考虑了MOS末端的二维效应,同时提出了适当的边界条件,并采用向后差分法求解双极型输运方程。通过双脉冲测试电路实验,分别在纯电感负载和阻感负载条件下进行大功率和小功率验证。实验结果表明该模型仿真与实验结果拟合较好,本文提出的物理模型正确性得到验证。 展开更多
关键词 IGBT物理模型 过剩载流子基区分布 向后差分法 双脉冲测试
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