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单晶硅制绒中影响金字塔结构因素的分析 被引量：27
1
作者 李海玲 赵雷 +2 位作者 刁宏伟 周春兰 王文静 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期857-861,共5页
本文通过不同碱性溶液及添加不同活性剂制备出的具有不同金字塔结构的绒面,并探讨了影响金字塔成核的因素。采用扫描电镜和紫外-可见分光光度计对绒面的金字塔结构和反射特性进行了分析,结果表明腐蚀速率与金字塔尺寸成正比,金字塔结构... 本文通过不同碱性溶液及添加不同活性剂制备出的具有不同金字塔结构的绒面,并探讨了影响金字塔成核的因素。采用扫描电镜和紫外-可见分光光度计对绒面的金字塔结构和反射特性进行了分析,结果表明腐蚀速率与金字塔尺寸成正比,金字塔结构影响绒面减反特性。最后对造成金字塔结构差异的原因和金字塔成核过程进行了分析。 展开更多
关键词 单晶硅 表面制绒 腐蚀速率 成核与生长
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355nm紫外激光加工柔性线路板盲孔的研究 被引量：15
2
作者 张菲 段军 +1 位作者 曾晓雁 李祥友 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第12期3143-3148,共6页
采用输出功率10 W的355 nm紫外激光器对4层柔性线路板(FPC)进行了盲孔加工实验。分析了紫外激光与铜箔和聚酰亚胺(PI)相互作用的过程和机理,并模拟出在一定条件下紫外激光与聚酰亚胺和铜箔相互作用时的单脉冲刻蚀深度。研究了不同加工... 采用输出功率10 W的355 nm紫外激光器对4层柔性线路板(FPC)进行了盲孔加工实验。分析了紫外激光与铜箔和聚酰亚胺(PI)相互作用的过程和机理,并模拟出在一定条件下紫外激光与聚酰亚胺和铜箔相互作用时的单脉冲刻蚀深度。研究了不同加工方式对加工质量的影响,得到优化工艺参数为:第一次采用加工功率3.9 W,频率80 kHz,第二次将加工功率降到1.4 W,其他参数不变,此时加工盲孔的效果最为理想,重铸层粗糙度为0.88966μm,孔底粗糙度为1.063μm。给出了孔底表面的扫描电镜(SEM)图和针式台阶仪测量的盲孔底面三维轮廓及切面二维轮廓图。 展开更多
关键词 激光技术 激光钻孔 355 nm紫外激光 柔性线路板 盲孔 刻蚀率
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低亚表面损伤石英光学基底的加工和检测技术 被引量：14
3
作者 马彬 沈正祥 +5 位作者 张众 贺鹏飞 季一勤 刘华松 刘丹丹 王占山 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第9期2181-2185,共5页
制备低亚表面损伤的超光滑光学基底,是获得高损伤阈值薄膜的前提条件。针对石英材料在不同加工工序中引入亚表面损伤层的差异,首先利用共焦显微成像结合光散射的层析扫描技术,对W10和W5牌号SiC磨料研磨后的亚表面缺陷进行了检测,讨论了... 制备低亚表面损伤的超光滑光学基底,是获得高损伤阈值薄膜的前提条件。针对石英材料在不同加工工序中引入亚表面损伤层的差异,首先利用共焦显微成像结合光散射的层析扫描技术,对W10和W5牌号SiC磨料研磨后的亚表面缺陷进行了检测,讨论了缺陷尺寸与散射信号强度、磨料粒径与损伤层深度间的对应关系;同时,采用化学腐蚀处理技术对抛光后样品的亚表面形貌进行了刻蚀研究,分析了化学反应生成物和亚表面缺陷对刻蚀速率的影响、不同深度下亚表面缺陷的分布特征,以及均方根粗糙度与刻蚀深度间的联系。根据各道加工工艺的不同采用了相应的亚表面检测技术,由此来确定下一道加工工序,合理的去除深度,最终获得了极低亚表面损伤的超光滑光学基底。 展开更多
关键词 亚表面损伤层 共焦显微成像 光散射 化学腐蚀 刻蚀速率
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应用于TGV的ICP玻璃刻蚀工艺研究 被引量：13
4
作者 张名川 靖向萌 +2 位作者 王京 杨盟 于大全 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第11期1222-1227,共6页
玻璃通孔(TGV)技术被认为是下一代三维集成的关键技术,该技术的核心为深孔形成工艺。感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术是半导体领域中深孔形成的重要手段之一。本文通过正交实验设计方法,研究ICP石英玻璃刻蚀工艺中工作压强、C4F8流量、A... 玻璃通孔(TGV)技术被认为是下一代三维集成的关键技术,该技术的核心为深孔形成工艺。感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术是半导体领域中深孔形成的重要手段之一。本文通过正交实验设计方法,研究ICP石英玻璃刻蚀工艺中工作压强、C4F8流量、Ar流量三个工艺参数对深孔刻蚀的影响,探索提高刻蚀速率的优化组合。实验结果表明,C4F8流量对玻璃刻蚀速率有显著影响,并且随着C4F8/Ar流量比减小,侧壁角度垂直性越好。实验为TGV技术开发和应用提供了实验依据。 展开更多
关键词 玻璃通孔 感应耦合等离子体刻蚀 刻蚀速率 正交实验
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硅的反应离子刻蚀工艺参数研究 被引量：9
5
作者 葛益娴 王鸣 戎华 《南京师范大学学报（工程技术版）》 CAS 2006年第3期79-82,共4页
对硅的反应离子刻蚀(R IE)工艺参数进行了研究.通过控制变量法,得出了刻蚀速率与射频功率、刻蚀气体压强和刻蚀气体流量之间的关系曲线.结果表明,随着射频功率的增加,刻蚀速率不断增加;刻蚀速率开始随刻蚀气体压强的增加而加快,压强超... 对硅的反应离子刻蚀(R IE)工艺参数进行了研究.通过控制变量法,得出了刻蚀速率与射频功率、刻蚀气体压强和刻蚀气体流量之间的关系曲线.结果表明,随着射频功率的增加,刻蚀速率不断增加;刻蚀速率开始随刻蚀气体压强的增加而加快,压强超过一定值时,刻蚀速率反而减小;刻蚀速率在刻蚀气体流量较小时,随气体流量的增加而加快,在较大的气体流量下反而降低.通过比较不同条件下的刻蚀结果,得到了刻蚀硅的优化工艺条件.最后用DEKTAK 6M型台阶仪测出了优化工艺条件下的刻蚀深度和粗糙度.测试结果表明在优化工艺条件下刻蚀速率快,粗糙度低. 展开更多
关键词 反应离子刻蚀 刻蚀速率 优化工艺参数
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ICP刻蚀技术在MEMS器件制作中的应用 被引量：10
6
作者 李伟东 张建辉 +1 位作者 吴学忠 李圣怡 《微纳电子技术》 CAS 2005年第10期473-476,共4页
简单介绍了ICP刻蚀系统和刻蚀原理。通过实验分析了ICP刻蚀SiO2和Cr时,刻蚀速率随相关工艺参数变化而变化的几点规律。同时给出了用ICP刻蚀出的MEMS传感器Si基腔的表面形貌图和Cr电阻的显微镜照片。
关键词 微机电系统 感应耦合等离子体刻蚀 刻蚀速率
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MEMS中硅的深度湿法刻蚀研究 被引量：8
7
作者 张凯 顾豪爽 +3 位作者 胡光 叶芸 吴雯 刘婵 《湖北大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2007年第3期255-257,共3页
探讨用于MEMS硅湿法刻蚀的刻蚀液浓度、温度、添加剂种类和浓度对刻蚀速率及表面粗糙度的影响,优化得到最佳刻蚀条件,刻蚀速率较常用刻蚀条件时提高约3倍;用扫描电镜观察刻蚀后的表面形貌,结果显示优化刻蚀条件下硅表面粗糙度得到极大... 探讨用于MEMS硅湿法刻蚀的刻蚀液浓度、温度、添加剂种类和浓度对刻蚀速率及表面粗糙度的影响,优化得到最佳刻蚀条件,刻蚀速率较常用刻蚀条件时提高约3倍;用扫描电镜观察刻蚀后的表面形貌,结果显示优化刻蚀条件下硅表面粗糙度得到极大的改善.以优化的刻蚀条件进行深度刻蚀,蚀刻出深达236μm的窗口,图形完整,各向异性良好. 展开更多
关键词 微机电系统 湿法刻蚀 深度刻蚀 刻蚀速率 表面粗糙度
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硅深槽ICP刻蚀中刻蚀条件对形貌的影响 被引量：8
8
作者 吕垚 李宝霞 万里兮 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期729-732,共4页
以SF6/C2H4为刻蚀气体,使用Corial200IL感应耦合等离子体(ICP)刻蚀系统,进行Si等离子刻蚀技术研究。通过调节刻蚀气体SF6与侧壁钝化保护气体C2H4的流量比和绝对值等工艺参数,对深Si刻蚀的形貌以及侧壁钻蚀情况进行改善,使该设备能够满... 以SF6/C2H4为刻蚀气体,使用Corial200IL感应耦合等离子体(ICP)刻蚀系统,进行Si等离子刻蚀技术研究。通过调节刻蚀气体SF6与侧壁钝化保护气体C2H4的流量比和绝对值等工艺参数,对深Si刻蚀的形貌以及侧壁钻蚀情况进行改善,使该设备能够满足深硅刻蚀的基本要求,解决MEMS工艺及TSV工艺中的深硅刻蚀问题。实验结果表明,Corial200IL系统用SF6作等离子体刻蚀气体,对Si的刻蚀具有各向同性;C2H4作钝化气体,能够对刻蚀侧壁进行有效的保护,但由于C2H4的含量直接影响刻蚀速率和选择比,需对其含量及配比严格控制。研究结果为:SF6含量为40sccm、C2H4含量为15sccm时能够有效控制侧壁钻蚀,且具有较大的选择比,初步满足深硅槽刻蚀的条件。 展开更多
关键词 ICP 硅刻蚀 深槽刻蚀 刻蚀形貌 刻蚀速率 选择比
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不锈钢蚀刻速率影响因素研究 被引量：8
9
作者 傅玉婷 巴俊洲 +1 位作者 蒋亚雄 颜飞雪 《电镀与精饰》 CAS 北大核心 2010年第2期34-36,共3页
研究了蚀刻液中FeCl3、HCl及HNO3的质量浓度以及温度对1Cr18Ni9Ti钢蚀刻速率的影响。实验结果表明,FeCl3质量浓度的增加可以提高蚀刻速率以及蚀刻液的稳定性;蚀刻速率随HCl质量浓度的增加先升高后降低;HNO3质量浓度和温度的增加都可以... 研究了蚀刻液中FeCl3、HCl及HNO3的质量浓度以及温度对1Cr18Ni9Ti钢蚀刻速率的影响。实验结果表明,FeCl3质量浓度的增加可以提高蚀刻速率以及蚀刻液的稳定性;蚀刻速率随HCl质量浓度的增加先升高后降低;HNO3质量浓度和温度的增加都可以提高蚀刻速率。 展开更多
关键词 蚀刻 蚀刻速率 影响因素
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氮化硅湿法蚀刻中热磷酸的蚀刻率 被引量：8
10
作者 肖方 汪辉 罗仕洲 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第10期847-850,共4页
在半导体湿法蚀刻中,热磷酸广泛地用于对氮化硅的去除工艺,实践中发现高温下磷酸对氮化硅蚀刻率很难控制。从热磷酸在氮化硅湿法蚀刻中的蚀刻原理出发,分析了影响蚀刻率的各个因素,并通过实验分析了各个因素对蚀刻率的具体影响。根据目... 在半导体湿法蚀刻中,热磷酸广泛地用于对氮化硅的去除工艺,实践中发现高温下磷酸对氮化硅蚀刻率很难控制。从热磷酸在氮化硅湿法蚀刻中的蚀刻原理出发,分析了影响蚀刻率的各个因素,并通过实验分析了各个因素对蚀刻率的具体影响。根据目前广泛应用于生产中的技术,介绍了如何对相关因素进行控制调节,为得到稳定的热磷酸蚀刻率提供了方向。 展开更多
关键词 热磷酸 湿法蚀刻 蚀刻率 氮化硅
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二氧化硅的反应离子刻蚀工艺研究 被引量：9
11
作者 杨光 苟君 +1 位作者 李伟 袁凯 《微处理机》 2012年第3期1-3,6,共4页
采用CHF3、CF4、CHF3+CF4、CHF3+O2和CF4+O2五种工艺气体体系对二氧化硅(SiO2)作反应离子刻蚀实验,在确定最优刻蚀气体基础上,研究射频功率和气体流量配比对刻蚀速率、均匀性和选择比等主要刻蚀参数的影响。通过对实验结果比较分析,确... 采用CHF3、CF4、CHF3+CF4、CHF3+O2和CF4+O2五种工艺气体体系对二氧化硅(SiO2)作反应离子刻蚀实验,在确定最优刻蚀气体基础上,研究射频功率和气体流量配比对刻蚀速率、均匀性和选择比等主要刻蚀参数的影响。通过对实验结果比较分析,确定了刻蚀速率79nm/min、非均匀性4%、对光刻胶的选择比0.81的优化工艺。 展开更多
关键词 反应离子刻蚀 二氧化硅 刻蚀速率 优化工艺
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青钱柳种子休眠解除方法实验研究 被引量：9
12
作者 李柱存 《林业调查规划》 2015年第4期23-29,共7页
青钱柳种子属于综合性深休眠类型,在自然条件下需要隔年甚至经过2年才能萌发。文章主要研究酸蚀时间、GA3浸种浓度、GA3拌沙浓度、层积温度4个因素对打破青钱柳种子休眠的影响。结果表明:青钱柳种子经过适当的酸蚀处理后,用适度的GA3浸... 青钱柳种子属于综合性深休眠类型,在自然条件下需要隔年甚至经过2年才能萌发。文章主要研究酸蚀时间、GA3浸种浓度、GA3拌沙浓度、层积温度4个因素对打破青钱柳种子休眠的影响。结果表明:青钱柳种子经过适当的酸蚀处理后,用适度的GA3浸种、适度的GA3拌沙后在先低温后暖温或昼夜变温下层积最有利于提高发芽率。酸蚀时间和层积温度对青钱柳种子的萌发起关键作用,GA3浸种浓度和GA3拌沙浓度对青钱柳种子萌发的影响相对较小。不同的种源、品种,其最优的处理方案也不相同。云南种源的最高发芽率是89.67%,庐山种源的最高发芽率是87.11%。 展开更多
关键词 青钱柳种子 休眠解除 综合处理 酸蚀处理 赤霉素浸种 层积温度 发芽率
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超声波辅助作用下獭兔毛染色性能的研究 被引量：9
13
作者 刘红艳 陈莺莺 张宗才 《中国皮革》 CAS 北大核心 2016年第1期51-55,共5页
主要研究了超声波辅助作用下酸性染料染獭兔毛纤维的染色性能。本试验中超声波的功率设定为100W、频率设定为45k Hz,在此基础上对超声波的作用时间进行了优化。选用常规和超声波辅助染色对獭兔毛纤维进行染色,通过扫描电镜、分光光度计... 主要研究了超声波辅助作用下酸性染料染獭兔毛纤维的染色性能。本试验中超声波的功率设定为100W、频率设定为45k Hz,在此基础上对超声波的作用时间进行了优化。选用常规和超声波辅助染色对獭兔毛纤维进行染色,通过扫描电镜、分光光度计、单纤维电子强力仪和色度色差分析仪等仪器,测定超声波辅助作用下獭兔毛纤维的表面形态和染色性能的变化,结果表明:超声波作用于獭兔毛纤维,使其表面产生了刻蚀作用,提高了染料的上染率和固色率,缩短了染色时间。本试验中,超声波辅助作用下,染料的上染率提高3%以上,染色时间缩短约10min。 展开更多
关键词 超声波 獭兔毛纤维 表面形态 刻蚀作用 上染率 固色率
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酸性CuCl_2蚀刻液动态蚀刻均匀性与蚀刻速率研究 被引量：7
14
作者 黄雨新 何为 +3 位作者 胡友作 徐缓 覃新 罗旭 《印制电路信息》 2012年第2期38-41,共4页
对酸性CuCl2蚀刻液在HCl/H2O2和HCl/NH4Cl两种体系下进行了水平动态蚀刻研究,分别对蚀刻均匀性和蚀刻速率进行了分析,结果表明面铜粗糙度和上下喷淋对蚀刻均匀性有很大影响,HCl/NH4Cl系统相对于HCl/H2O2系统具有更高的蚀刻速率,为工业... 对酸性CuCl2蚀刻液在HCl/H2O2和HCl/NH4Cl两种体系下进行了水平动态蚀刻研究,分别对蚀刻均匀性和蚀刻速率进行了分析,结果表明面铜粗糙度和上下喷淋对蚀刻均匀性有很大影响,HCl/NH4Cl系统相对于HCl/H2O2系统具有更高的蚀刻速率,为工业生产提供相关的数据参考。 展开更多
关键词 酸性CuCl2蚀刻液 再生剂 蚀刻均匀性 蚀刻速率
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4H-SiC在Cl_2+Ar混合气体中的ICP刻蚀工艺研究 被引量：6
15
作者 贾护军 杨银堂 +1 位作者 柴常春 李跃进 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期500-503,共4页
采用Cl2+Ar作为刻蚀气体进行了单晶4H-SiC材料的感应耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺研究,分析了气体流量、气体混合比、反应室压力I、CP功率等工艺参数对刻蚀速率和刻蚀质量的影响.得到的最大蚀速率为194 nm/min,表面均方根粗糙度为1.237 nm... 采用Cl2+Ar作为刻蚀气体进行了单晶4H-SiC材料的感应耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺研究,分析了气体流量、气体混合比、反应室压力I、CP功率等工艺参数对刻蚀速率和刻蚀质量的影响.得到的最大蚀速率为194 nm/min,表面均方根粗糙度为1.237 nm,Cl/Si原子浓度比约为0.97%∶99.3%。 展开更多
关键词 碳化硅 刻蚀 感应耦合等离子体 刻蚀速率
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三氯化铁溶液中影响铁镍合金蚀刻速率的因素 被引量：7
16
作者 刘飘 堵永国 +3 位作者 张为军 芦玉峰 杨娟 马占东 《腐蚀与防护》 CAS 北大核心 2007年第5期238-241,共4页
采用浸渍蚀刻的方法,研究了影响Fex(x=56-59)Ni1-x合金箔在三氯化铁溶液中蚀刻速率的几个因素,并对蚀刻液的有效蚀刻能力及失效蚀刻液的除镍和再生进行了初步的研究。研究结果表明:氧化还原电位随蚀刻液浓度的增大而升高,氧化还原电位越... 采用浸渍蚀刻的方法,研究了影响Fex(x=56-59)Ni1-x合金箔在三氯化铁溶液中蚀刻速率的几个因素,并对蚀刻液的有效蚀刻能力及失效蚀刻液的除镍和再生进行了初步的研究。研究结果表明:氧化还原电位随蚀刻液浓度的增大而升高,氧化还原电位越高,蚀刻反应趋势越大;蚀刻速率随浓度的增加先增大,再下降,且在浓度为40%左右出现极大值;蚀刻液温度越高、pH值越小,蚀刻速率越大;除镍后的失效蚀刻液经再生后能达到新鲜蚀刻液的90%以上,基本达到再生利用的要求。 展开更多
关键词 FE-NI合金 蚀刻速率 再生 FECL3 蚀刻废液
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多层等离子体蚀刻技术的研究 被引量：7
17
作者 于斌斌 袁军堂 +2 位作者 汪振华 薛志松 黄云林 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第3期262-266,共5页
干法刻蚀现已成为微小高深宽比结构加工与微细图形制作的重要手段。提出了一种新的干法刻蚀技术—多层等离子体蚀刻,充分利用腔体的空间布局,布置多层电极,并采用分层送气装置输送放电气体,实现多层同时进行刻蚀,可成倍提高产能。采用... 干法刻蚀现已成为微小高深宽比结构加工与微细图形制作的重要手段。提出了一种新的干法刻蚀技术—多层等离子体蚀刻,充分利用腔体的空间布局,布置多层电极,并采用分层送气装置输送放电气体,实现多层同时进行刻蚀,可成倍提高产能。采用该技术刻蚀光阻为例,从空间与时间两个角度分析了工艺参数对刻蚀速率与均匀性的影响规律与作用机理。实验结果表明,极板间距为50/55/60mm(由下向上),工作压力为40 Pa,R[O2:Ar]为1/2,RF功率为600W时,整炉次刻蚀速率均值为14.395 nm/min,均匀性为9.8%,此时工艺最为合理。 展开更多
关键词 多层等离子体蚀刻技术 刻蚀速率 均匀性 光阻
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压阻式压力传感器硅电阻条浅槽刻蚀的研究
18
作者 王天靖 梁庭 +2 位作者 雷程 王婧 冀鹏飞 《舰船电子工程》 2024年第4期199-202,共4页
MEMS压阻式压力传感器的电阻条刻蚀效果对传感器的性能及高温环境下工作寿命起着至关重要的作用。采用SPTS深硅刻蚀机以SF6为刻蚀气体,C4F8为保护气体进行刻蚀实验。通过改变刻蚀气体通入时长、保护气体通入时长以及射频功率进行参数匹... MEMS压阻式压力传感器的电阻条刻蚀效果对传感器的性能及高温环境下工作寿命起着至关重要的作用。采用SPTS深硅刻蚀机以SF6为刻蚀气体,C4F8为保护气体进行刻蚀实验。通过改变刻蚀气体通入时长、保护气体通入时长以及射频功率进行参数匹配,根据台阶仪和SEM电镜的观察数据对刻蚀效果进行评估,最终确定了刻蚀气体流量25 sccm,刻蚀气体通入的时长为2.5 s;保护气体流量50 sccm,保护气体的通入时长为2.5 s,射频功率为2 500 W的刻蚀条件。该条件下刻蚀速率为1.54μm/loop。刻蚀均匀性为2.9%. 展开更多
关键词 压力传感器 电阻条 深硅刻蚀 刻蚀 刻蚀速率 均匀性
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LED用图形化蓝宝石衬底的干法刻蚀工艺 被引量：7
19
作者 刘建哲 杨新鹏 +3 位作者 彭艳亮 曾建飞 潘安练 金良荣 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2014年第8期536-541,共6页
近年来,图形化蓝宝石衬底(PSS)作为GaN基LED外延衬底材料被广泛应用。采用感应耦合等离子体(ICP)技术对涂覆有光刻胶阵列图案的蓝宝石衬底进行刻蚀。通过研究及优化不同ICP刻蚀工艺参数对刻蚀速率和选择比的影响,分别成功制备出蒙古包... 近年来,图形化蓝宝石衬底(PSS)作为GaN基LED外延衬底材料被广泛应用。采用感应耦合等离子体(ICP)技术对涂覆有光刻胶阵列图案的蓝宝石衬底进行刻蚀。通过研究及优化不同ICP刻蚀工艺参数对刻蚀速率和选择比的影响,分别成功制备出蒙古包形和圆锥形图形化蓝宝石衬底片,并在其表面完成InGaN/GaN多量子阱外延及芯片工艺。借助光致发光和电致发光等手段测试其LED器件的光电学性能。实验结果发现圆锥形的图形化蓝宝石衬底拥有更强的光功率和更窄的半峰宽,说明这种形貌的衬底在GaN外延时有效减少了晶格失配造成的缺陷,提高了晶体质量,从而更有效地增加LED出光效率。 展开更多
关键词 图形化蓝宝石衬底(PSS) 干法刻蚀 刻蚀速率 刻蚀选择比 发光二极管(LED) GAN外延层 光致发光(PL) 电致发光(EL)
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碱性蚀刻液影响因素的研究 被引量：7
20
作者 莫凌 李德良 +1 位作者 杨焰 李佳 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期54-56,共3页
为了确立最佳的碱性CuCl2蚀刻工艺条件，提高工作效率，采用烧杯静态吊片蚀刻法，研究了影响蚀刻速率的因素。主要研究结果如下：1）在蚀刻时间为5min时，单因素试验得出的适宜的S-．艺范围为：Cu^2＋的质量浓度约为140—180g／L，Cl^-... 为了确立最佳的碱性CuCl2蚀刻工艺条件，提高工作效率，采用烧杯静态吊片蚀刻法，研究了影响蚀刻速率的因素。主要研究结果如下：1）在蚀刻时间为5min时，单因素试验得出的适宜的S-．艺范围为：Cu^2＋的质量浓度约为140—180g／L，Cl^-的质量浓度为4．8～6．5mol／L，pH为8．2～9．0，操作温度为48～55℃；2）正交试验结果表明，在Cu^2＋的质量浓度为160g／L，Cl^-的质量浓度为5．5mol／L，pH为8．8，操作温度为50℃时，蚀刻状态最好，静态蚀刻速率可达到5．84um／min。 展开更多
关键词 碱性蚀刻液 蚀刻速率 正交试验 影响因素
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