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国内外碳化硅功率器件发展综述 被引量:4
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作者 陈尧 赵富强 +1 位作者 朱炳先 贺帅 《车辆与动力技术》 2020年第1期49-54,共6页
对国内外碳化硅(Silicon Carbide,SiC)单晶衬底技术、外延片技术、功率器件性能特点进行了归纳分析,指出SiC功率器件产品在应用中面临的问题:SiC功率器件驱动技术和保护技术尚不成熟、电磁兼容问题未完全解决和应用的电路拓扑不够优化等... 对国内外碳化硅(Silicon Carbide,SiC)单晶衬底技术、外延片技术、功率器件性能特点进行了归纳分析,指出SiC功率器件产品在应用中面临的问题:SiC功率器件驱动技术和保护技术尚不成熟、电磁兼容问题未完全解决和应用的电路拓扑不够优化等.针对这些问题应从以下几个方面着手发展:降低单晶衬底和外延片材料成本、降低SiC器件在高温下的损耗和开发新的适合SiC功率器件的封装技术. 展开更多
关键词 SiC功率器件 单晶衬底 外延片
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GaN基肖特基势垒二极管结构优化研究进展 被引量:4
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作者 吴月芳 郭伟玲 +1 位作者 陈艳芳 雷亮 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第4期477-486,共10页
作为宽禁带半导体器件,GaN基肖特基势垒二极管(SBD)有耐高压、耐高温、导通电阻小等优良特性,这使得它在电力电子等领域有广泛应用。本文首先综述了SBD发展要解决的问题;然后,介绍了GaN SBD结构、工作原理及结构优化研究进展;接下来,总... 作为宽禁带半导体器件,GaN基肖特基势垒二极管(SBD)有耐高压、耐高温、导通电阻小等优良特性,这使得它在电力电子等领域有广泛应用。本文首先综述了SBD发展要解决的问题;然后,介绍了GaN SBD结构、工作原理及结构优化研究进展;接下来,总结了AlGaN/GaN SBD结构、工作原理及结构优化研究进展,并着重从AlGaN/GaN SBD的外延片结构、肖特基电极结构以及边缘终端结构等角度,阐述了这些结构的优化对AlGaN/GaN SBD性能的影响;最后,对器件进一步的发展方向进行了展望。 展开更多
关键词 肖特基势垒二极管(SBD) 外延片 肖特基电极 边缘终端 结构优化
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硅外延片表面微缺陷分析方法研究 被引量:2
3
作者 李建德 赵秀芳 +3 位作者 徐艳艳 高丽荣 蒋丽微 舒敏娣 《广东化工》 CAS 2021年第22期188-188,183,共2页
本文主要对硅外延片表面微缺陷分析方法进行研究,通过配置一定比例的重铬酸钾及氢氟酸腐蚀液,严格按照试验方法的操作步骤对硅外延片进行处理,采用偏光金相显微镜进行分析,可以清晰的看到硅外延片表面的微缺陷。
关键词 外延片 硅外延片 腐蚀液 偏光金相显微镜 微缺陷
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具有三层复合结构的P型硅外延片制备工艺研究 被引量:3
4
作者 李明达 陈涛 +1 位作者 李普生 薛兵 《电子元件与材料》 CAS CSCD 2016年第2期31-34,共4页
对10.16 cm(4英寸)三层复合结构P型硅外延片的制备工艺进行了研究。利用PE-2061S型桶式外延炉,在重掺硼的硅衬底上采用化学气相沉积的方法成功制备P^-/P^+/P/P^+型硅外延层。通过FT-IR(傅里叶变换红外线光谱分析)、C-V(电容-电压测试)、... 对10.16 cm(4英寸)三层复合结构P型硅外延片的制备工艺进行了研究。利用PE-2061S型桶式外延炉,在重掺硼的硅衬底上采用化学气相沉积的方法成功制备P^-/P^+/P/P^+型硅外延层。通过FT-IR(傅里叶变换红外线光谱分析)、C-V(电容-电压测试)、SRP(扩展电阻技术)等测试方法对各层外延的电学参数以及过渡区形貌进行了测试,最终得到结晶质量良好、厚度不均匀性<3%、电阻率不均匀性<3%、各界面过渡区形貌陡峭的P型硅外延片,可以满足器件使用的要求。 展开更多
关键词 雪崩光电二极管 三层复合结构 P型硅 外延片 过渡区 均匀性
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硅外延层电阻率测量值一致性研究 被引量:2
5
作者 刘学如 《微电子学》 CAS CSCD 1996年第3期198-200,共3页
外延层电阻车是外延片的重要特征参数之一。如何准确地测量外延层电阻率,以满足器件研制的需要,是检测人员所关注的一个重要课题。对目前常用的几种外延层电阻率测量方法进行了比较,指出了其各自的优缺点,讨论了测量中存在的问题.... 外延层电阻车是外延片的重要特征参数之一。如何准确地测量外延层电阻率,以满足器件研制的需要,是检测人员所关注的一个重要课题。对目前常用的几种外延层电阻率测量方法进行了比较,指出了其各自的优缺点,讨论了测量中存在的问题.针对这些问题,采取了相应的措施,试验和分析结果表明,几种测试方法的结果获得了相当好的一致性,测量相对误差可控制在5%以内,能够满足现有器件对外延片电阻率精度的要求。 展开更多
关键词 半导体器件 外延硅片 硅外延工艺 外延层电阻率
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用微区光学方法研究GaP:ZnO红光外延片 被引量:2
6
作者 高瑛 骆永石 +3 位作者 高汉江 刘和初 曹炳初 汤建新 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第3期59-61,共3页
用微区光致发光和拉曼散射光谱比较了国内外GaP:ZnO红光二极管产品的结构,在国内首先实现了用微区光学方法检测LED外延片并进行生产工艺的改进。对典型样品进行了微区光致发光的测试,比较外延片横截面上不同厚度层的光致发... 用微区光致发光和拉曼散射光谱比较了国内外GaP:ZnO红光二极管产品的结构,在国内首先实现了用微区光学方法检测LED外延片并进行生产工艺的改进。对典型样品进行了微区光致发光的测试,比较外延片横截面上不同厚度层的光致发光,非常明显地看出主要发光区是在P区。通过合理扩展P层发光区的厚度相应地增加了光致发光的总光强,提高了产品的生产成品率。 展开更多
关键词 微区光学方法 红光外延片 磷化镓 氧化锌
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对n型Si外延片表面处理方法的研究 被引量:1
7
作者 安静 杨瑞霞 +1 位作者 袁肇耿 张志勤 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期22-25,共4页
Si外延片是制造半导体器件和集成电路最常用的半导体材料。外延层电阻率是外延片最重要的参数之一,它直接影响器件的性能。简要分析了自动汞探针C-V测试仪测量电阻率前进行表面处理的原因,研究了不同的表面处理方法对电阻率测试结果的影... Si外延片是制造半导体器件和集成电路最常用的半导体材料。外延层电阻率是外延片最重要的参数之一,它直接影响器件的性能。简要分析了自动汞探针C-V测试仪测量电阻率前进行表面处理的原因,研究了不同的表面处理方法对电阻率测试结果的影响,发现对于外延层的电阻率ρ>1Ω.cm的n型Si外延片,采用紫外光(UV)表面处理是一种合适的表面处理方法,该方法应用于实际生产测试过程。 展开更多
关键词 外延片 电阻率 汞探针C.V测试仪 表面处理 紫外光
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LED外延片上芯片静电击穿的测试分析 被引量:1
8
作者 李抒智 庄美琳 +1 位作者 严伟 张丽超 《半导体光电》 CAS 北大核心 2015年第2期209-212,共4页
利用静电仪和HBM模型研究了GaN基LED外延片上芯片的抗静电性能,并根据pn结势垒电容的特性,对实验结果进行了分析。实验结果表明,缺陷击穿与外延片的工艺有着密切的关系;随着外延片上芯片尺寸的增大,其抗静电能力也随之增强。
关键词 LED 外延片 HBM模型 抗静电能力
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外延片夹层电压数学模型推导
9
作者 刘学如 李晓红 《微电子学》 CAS CSCD 1996年第5期301-304,共4页
讨论了外延片的外延层电阻率、衬底电阻率、探针接触电阻、外延层纵向电阻与夹层电压之间的关系,推导了一种全新的二探针法测量外延片夹层电压的数学公式。
关键词 半导体材料 外延片 数学模型 硅片表征
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对N型外延预处理方法的研究
10
作者 张佳磊 《科技视界》 2012年第25期196-198,共3页
外延层电阻率是外延片的重要特征参数之一,如何准确地测量外延层的电阻率,以满足半导体器件研制的要求,是检验人员关注的一项重要的课题。对目前N型测试片大都是用电容电压法来测试,但实践中经常出现曲线斜的问题,通过做了大量的实验,... 外延层电阻率是外延片的重要特征参数之一,如何准确地测量外延层的电阻率,以满足半导体器件研制的要求,是检验人员关注的一项重要的课题。对目前N型测试片大都是用电容电压法来测试,但实践中经常出现曲线斜的问题,通过做了大量的实验,得出了一种较好的预处理N型外延片的方法,达到了对电阻率的有效监控。 展开更多
关键词 半导体器件 硅外延片 电容电压法 电阻率
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硅外延片背面边缘异常黑斑原因分析及研究
11
作者 彭永纯 边娜 《天津科技》 2019年第9期22-23,共2页
随着客户对外延片边缘的关注度不断增加,部门对质量意识的不断提升,针对硅外延片边缘异常黑斑进行原因分析及研究,分别从异物沾污、晶棒缺陷、衬底加工及外延工艺方面展开分析,最终确定此异常现象为衬底加工中倒角工艺过度研磨及外延生... 随着客户对外延片边缘的关注度不断增加,部门对质量意识的不断提升,针对硅外延片边缘异常黑斑进行原因分析及研究,分别从异物沾污、晶棒缺陷、衬底加工及外延工艺方面展开分析,最终确定此异常现象为衬底加工中倒角工艺过度研磨及外延生长中HCL抛光共同导致。由此,供应商通过进一步改善倒角工艺,提高了外延片边缘质量水平。 展开更多
关键词 硅外延片 边缘异常 倒角 HCL 抛光
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4HN碳化硅外延片标准研究
12
作者 杨龙 赵丽霞 《中国标准化》 2019年第S01期54-56,共3页
本文通过介绍碳化硅材料的发展趋势,提出了碳化硅外延片标准体系建立对产业发展的意义。标准中规定了SiC同质外延片使用的衬底参数规范、外延片测试表征方法及技术规范、包装运输及储存。本标准的提出将碳化硅衬底参数与测试方法及技术... 本文通过介绍碳化硅材料的发展趋势,提出了碳化硅外延片标准体系建立对产业发展的意义。标准中规定了SiC同质外延片使用的衬底参数规范、外延片测试表征方法及技术规范、包装运输及储存。本标准的提出将碳化硅衬底参数与测试方法及技术规范结合,大大降低了衬底因素对产品质量的影响,促进了外延技术和产品质量的提升。 展开更多
关键词 碳化硅 标准体系 外延片 技术规范
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基于LT-GaAs外延片的THz片上系统
13
作者 吴蕊 苏波 +3 位作者 赵亚平 何敬锁 张盛博 张存林 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第5期1373-1378,共6页
太赫兹(THz)波在物质检测方面发挥着巨大的作用,是一种非常有潜力的生化传感工具。但是传统的太赫兹时域光谱系统(TDS)结构复杂,系统的集成度低,占用空间较大。所以,如何对THz波进行有效引导、实现集成化传输并得到高质量光谱就成为太... 太赫兹(THz)波在物质检测方面发挥着巨大的作用,是一种非常有潜力的生化传感工具。但是传统的太赫兹时域光谱系统(TDS)结构复杂,系统的集成度低,占用空间较大。所以,如何对THz波进行有效引导、实现集成化传输并得到高质量光谱就成为太赫兹光谱系统的研究热点。太赫兹片上系统是将THz的产生、传输以及探测都集成到同一芯片上,然后通过相干探测的方法获得THz时域光谱。它可以实现对多种样品的检测,尤其在对难于取样的微量样品探测方面具有广泛的应用价值。它无需光路准直,操作简便,成品率高。两个研究工作都是基于低温砷化镓(LT-GaAs)外延片开展的。首先将一根直径为200μm的铜线固定在LT-GaAs外延片的上方,通过真空蒸镀的方法制备出天线电极,同时得到天线间隙,研制出基于LT-GaAs外延片的THz天线。利用波长为800 nm的飞秒激光对其进行测试,得到了质量较高的THz信号,验证了天线的实用性。然后在另一外延片上利用光刻微加工工艺制作出传输线和微电极,得到了集成的THz片上系统。使用波长为1550 n m的飞秒激光分别激发片上系统的太赫兹产生天线和探测天线,天线产生的太赫兹波在传输线上传播,在探测端同样得到了质量较高的THz时域信号,证实了THz片上系统的可行性。该方法省去了腐蚀牺牲层以及LT-GaAs薄膜的转移、键合等步骤,极大地提高了片上系统的成品率,避免了薄膜转移过程中易破碎及腐蚀液存在毒性的问题。最后,研究了外加电压对从片上系统中获得的THz波性能的影响,结果为电压越高,THz波的信号强度越强;另外,通过在传输线上方垂直放置铜箔的方法验证了THz波沿着传输线传播的事实。该研究中采用的基于LT-GaAs外延片的片上系统的制备方法简单,制作周期短,制作过程安全,应用领域广泛,这为将来与微流控芯片相结合实现对液体样 展开更多
关键词 太赫兹 外延片 LT-GAAS 光电导天线 片上系统
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8英寸薄层硅外延片的均匀性控制方法 被引量:9
14
作者 张志勤 袁肇耿 薛宏伟 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第7期531-535,560,共6页
8英寸(1英寸=2.54 cm)薄层硅外延片的不均匀性是制约晶圆芯片良率水平的瓶颈之一。研究了硅外延工艺过程中影响薄外延层厚度和电阻率均匀性的关键因素,在保证不均匀性小于3%的前提下,外延层厚度和电阻率形成中间低、边缘略高的"碗... 8英寸(1英寸=2.54 cm)薄层硅外延片的不均匀性是制约晶圆芯片良率水平的瓶颈之一。研究了硅外延工艺过程中影响薄外延层厚度和电阻率均匀性的关键因素,在保证不均匀性小于3%的前提下,外延层厚度和电阻率形成中间低、边缘略高的"碗状"分布可有效提高晶圆的良率水平。通过调整生长温度和氢气体积流量可实现外延层厚度的"碗状"分布,但调整温区幅度不得超过滑移线的温度门槛值。通过提高边缘温度来提高边缘10 mm和6 mm的电阻率,同时提高生长速率以提高边缘3 mm的电阻率,获得外延层电阻率的"碗状"分布,8英寸薄层硅外延片的的边缘离散现象得到明显改善,产品良率也有由原来的94%提升至98.5%,进一步提升了8英寸薄层硅外延片产业化良率水平。 展开更多
关键词 8英寸硅外延片 薄层外延 外延层厚度 电阻率 不均匀性 “碗状”分布
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VDMOS功率器件用200mm硅外延片工艺研究 被引量:7
15
作者 李明达 《天津科技》 2018年第12期25-28,共4页
200 mm尺寸的硅外延片是制备VDMOS功率器件的关键材料,其均匀性、结晶质量等材料技术指标与器件耐压、正向导通特性等电学性能密切相关,因此对大尺寸外延层的参数控制水平提出了严格要求。但由于反应区域面积较大、涉及反应因素条件较多... 200 mm尺寸的硅外延片是制备VDMOS功率器件的关键材料,其均匀性、结晶质量等材料技术指标与器件耐压、正向导通特性等电学性能密切相关,因此对大尺寸外延层的参数控制水平提出了严格要求。但由于反应区域面积较大、涉及反应因素条件较多,传统外延工艺下边缘参数偏离目标值5%~10%,无法满足器件要求,各项工艺条件的配合度成为亟待解决的技术问题。通过外延系统流场和热场的优化,可将外延片内的厚度和电阻率不均匀性控制在3%以内,并且结晶质量良好,实现了高质量200 mm硅外延片的生长。 展开更多
关键词 硅外延片 晶体缺陷 均匀性
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ASM E2000硅外延片异常背圈现象研究与分析
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作者 徐卫东 肖健 +1 位作者 何晶 袁夫通 《电子与封装》 2024年第1期51-55,共5页
ASM E2000外延炉在生产硅外延片的过程中,晶圆背面有时会出现异常背圈的现象,包括背圈大小异常、背圈形状异常、背圈偏心等。经研究发现,背圈现象只会在非二氧化硅背封的晶圆上出现。针对异常背圈的产生,进行了滑片、气流、温度、时间... ASM E2000外延炉在生产硅外延片的过程中,晶圆背面有时会出现异常背圈的现象,包括背圈大小异常、背圈形状异常、背圈偏心等。经研究发现,背圈现象只会在非二氧化硅背封的晶圆上出现。针对异常背圈的产生,进行了滑片、气流、温度、时间等相关参数的实验验证,得到背圈形成的原因及异常背圈产生的原因。晶圆经900℃烘烤60 s就会形成背圈,这是外延过程中的正常现象,但是不规则的背圈通常伴随着其他外延工艺参数的同步变差,异常背圈可以通过调整工艺参数、设备滑片、跳片以及更换石墨件来解决。 展开更多
关键词 硅外延缺陷 背圈 晶圆背圈 ASM E2000外延炉
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表面粗化提高绿光LED的光提取效率 被引量:7
17
作者 李慧 李培咸 +1 位作者 史会芳 赵广才 《电子科技》 2010年第6期25-28,共4页
介绍了通过出光表面粗化减少全反射的方法。理论计算了以腐蚀坑为三角坑的最优尺寸。实验使用熔融KOH腐蚀绿光LED外延片获得预计的粗糙形貌,再通过常规工艺制成器件,结果给出不同表面做成器件的光强。实验证明经过表面粗化处理的器件,... 介绍了通过出光表面粗化减少全反射的方法。理论计算了以腐蚀坑为三角坑的最优尺寸。实验使用熔融KOH腐蚀绿光LED外延片获得预计的粗糙形貌,再通过常规工艺制成器件,结果给出不同表面做成器件的光强。实验证明经过表面粗化处理的器件,外量子效率提高了约25.7%。 展开更多
关键词 三角坑 LED外延片 表面粗化 外量子效率
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PIN光电探测器用反外延片工艺研究 被引量:5
18
作者 李杨 李明达 《天津科技》 2016年第4期34-36,40,共4页
创新性使用反外延法工艺,介绍了适用于制备近红外波段PIN光电探测器的硅外延材料的研制工艺,在区熔单晶抛光片上进行重掺导电层和支撑层的外延层制备。通过对硅源流量与掺杂剂浓度的精确控制,实现了快速外延生长和高浓度掺杂。通过精细... 创新性使用反外延法工艺,介绍了适用于制备近红外波段PIN光电探测器的硅外延材料的研制工艺,在区熔单晶抛光片上进行重掺导电层和支撑层的外延层制备。通过对硅源流量与掺杂剂浓度的精确控制,实现了快速外延生长和高浓度掺杂。通过精细的后期加工工艺,将高阻区熔层加工为厚度和表面质量均满足器件要求的有源层。结果显示,采用反外延法工艺得到的反外延材料片应用到PIN光电二极管中,不仅节省器件制备中的工艺程序,而且大大提高了器件耐压性。 展开更多
关键词 PIN光电探测器 反外延片 重掺导电层 支撑层
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15.24 cm外延材料厚度均匀性控制研究 被引量:5
19
作者 王亚倞 陈涛 《天津科技》 2017年第3期39-40,44,共3页
利用LPE-3061D平板式外延炉制备硅外延片,实验研究了流场分布对外延生长速率、厚度及其均匀性的影响,在外延制备过程中通过运用流场和热场控制、基座浅层包硅、变流量吹扫、快速本征生长、二次外延等工艺手段并且加以有机组合,提高了外... 利用LPE-3061D平板式外延炉制备硅外延片,实验研究了流场分布对外延生长速率、厚度及其均匀性的影响,在外延制备过程中通过运用流场和热场控制、基座浅层包硅、变流量吹扫、快速本征生长、二次外延等工艺手段并且加以有机组合,提高了外延层参数的一致性。 展开更多
关键词 硅外延片 流场 均匀性
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200 mm硅外延片厚度和电阻率均匀性工艺调控 被引量:5
20
作者 李明达 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第12期923-929,948,共8页
研究了影响垂直双扩散场效应晶体管(VDMOS)器件用200mm硅外延片厚度和电阻率等参数均匀性的关键因素。采用Centura型常压单片式外延炉,系统研究了生长温度、温度梯度、载气流量以及自掺杂抑制措施对200mm外延层表面质量、厚度、电阻率... 研究了影响垂直双扩散场效应晶体管(VDMOS)器件用200mm硅外延片厚度和电阻率等参数均匀性的关键因素。采用Centura型常压单片式外延炉,系统研究了生长温度、温度梯度、载气流量以及自掺杂抑制措施对200mm外延层表面质量、厚度、电阻率均匀性的影响机制。结果表明,在载气总流量为80L/min、外延生长温度为1125℃的条件下,通过设计2μm的基座浅层包硅厚度,以及高达6μm/min的生长速率等多项自掺杂抑制措施,成功使同一热流场系统内薄层和厚层硅外延片均达到片内厚度不均匀性小于1.0%、电阻率不均匀性小于1.5%的水平,满足VDMOS器件的使用要求。 展开更多
关键词 硅外延片 电阻率 晶体缺陷 均匀性 垂直双扩散场效应晶体管(VDMOS)
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