深紫外深度光刻蚀在LIGA工艺中的应用 被引量：2

1

作者 余国彬 姚汉民 +1 位作者 胡松 陈兴俊 《微纳电子技术》 CAS 2002年第4期30-32,共3页

随着MEMS在各个领域的运用,人们也开始探讨低成本、操作方便的LIGA工艺。本文重点介绍了一种用于深紫外光深度光刻实验装置的设计,并将该实验装置成功地应用于LIGA工艺的深度光刻中,光刻实验结果表明深紫外光深度光刻具有很大的实用意义。

关键词 深紫外深度光刻蚀 LIGA工艺 微型机电系统 微细加工

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X射线镂空硅掩模在同步辐射X射线深层光刻中的应用

2

作者 孙宝银 陈梦真 +1 位作者 朱樟震 伊福廷 《真空科学与技术》 CSCD 1995年第3期176-178,共3页

阐述了X射线镂空硅掩模的研制及其在同步辐射深层光刻中的应用。在北京同步辐射国家实验室X射线光刻装置上，采用本文研制的X射线镂空硅掩模获得胶厚为30～40μm、侧壁很陡、边缘很直的X射线深层光刻胶图形。

关键词 镂空硅掩模 X射线 深层光刻 同步辐射

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LIGA实验站的设计及应用

3

作者 田扬超 刘刚 +3 位作者 洪义麟 郭育华 熊瑛 阚娅 《中国科学技术大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期387-391,共5页

介绍了国家同步辐射实验室二期建设的LIGA实验站,研究了同步辐射光发散角对深度同步辐射光刻精度的影响;对深度同步辐射光刻扫描台的精度提出了理论要求;报道了深度同步辐射光刻、电铸和塑铸的实验结果.

关键词 同步辐射 LIGA 深度光刻

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LIGA技术X光深层光刻工艺研究 被引量：3

4

作者 陈迪 李昌敏 +3 位作者 章吉良 伊福廷 周狄 郭晓芸 《微细加工技术》 EI 2000年第2期66-69,共4页

通过在北京高能所 3W 1束线上进行的X光深层光刻工艺研究 ,获得了侧壁光滑、陡直 ,厚度达 1 0 0 μm ,深宽比达 2 0的光刻胶和金属微结构 ,表明该光束线适用于LIGA技术的研究。

关键词 LIGA技术 X光深层光刻 VLSI 微机电系统

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SU-8紫外深度光刻的误差及修正(英文) 被引量：4

5

作者 郑津津 陈有梅 +4 位作者 周洪军 田杨超 刘刚 李晓光 沈连婠 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第12期1926-1931,共6页

在深紫外LIGA加工中,制作高精度大高宽比的微器件是很困难的。难点在于SU-8光刻胶对紫外光的吸收系数随着波长变短而很快变大,而且其穿透深度也相应迅速变小;同时由于紫外光的衍射效应,获得高精度的大高宽比结构并不容易。本文深入研究... 在深紫外LIGA加工中,制作高精度大高宽比的微器件是很困难的。难点在于SU-8光刻胶对紫外光的吸收系数随着波长变短而很快变大,而且其穿透深度也相应迅速变小;同时由于紫外光的衍射效应,获得高精度的大高宽比结构并不容易。本文深入研究了影响紫外深度光刻图形转移精度的如下因素:衍射效应、曝光剂量、紫外光波长和蝇眼透镜的分布等等。建立了基于模型区域的校正系统,该校正系统采用了分类分区域的思想将掩模图形按其畸变的特点进行了分类,在校正过程中对不同的类别分别建立校正区域,在每一校正区域内进行校正优化处理和校正评价,这种基于模型的分类分区域评价思想,使得校正过程有效且实时,该校正方法不仅降低了校正的复杂性,同时提高了校正的效率。 展开更多

关键词 SU-8光刻胶 紫外深度光刻 掩模 图形转移 误差修正

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深紫外光刻照明系统光束整形单元的设计 被引量：13

6

作者 赵阳 巩岩 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期29-34,共6页

为了使曝光波长为193 nm的深紫外光刻系统能够制备曝光线宽为90 nm及以下节点的集成电路芯片,设计了采用环形照明模式且部分相干因子σ连续可调,能满足不同曝光线宽要求的光刻照明系统光束整形单元。首先,用几何光学定律和三角函数推导... 为了使曝光波长为193 nm的深紫外光刻系统能够制备曝光线宽为90 nm及以下节点的集成电路芯片,设计了采用环形照明模式且部分相干因子σ连续可调,能满足不同曝光线宽要求的光刻照明系统光束整形单元。首先,用几何光学定律和三角函数推导了轴锥镜移动距离与光束放大倍率之间的函数关系;根据对变倍凸轮的合理性和装调公差灵敏度的分析,确定了轴锥镜组参数的变化范围,完成了变倍镜组与轴锥镜组合的光束整形单元的设计。最后,在组合系统后面加入了可连续变倍的缩束系统,实现了σ的连续可调。设计结果显示,在环形照明模式下,归一化的环宽Δσ和外环直径σouter分别在[0.25,1]和[0.4,1]内连续可调,满足设计要求。 展开更多

关键词 深紫外光刻 环形照明 轴锥镜 部分相干因子 无焦变倍镜组

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248nm深紫外光刻胶 被引量：9

7

作者 郑金红 黄志齐 侯宏森 《感光科学与光化学》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期346-356,共11页

本文从化学增幅技术的产生,深紫外248nm胶主体树脂及PAG发展历程、溶解抑制剂、存在的工艺问题及解决途径多个方面综述了深紫外248nm胶的发展与进步.

关键词 化学增幅 KRF激光 深紫外光刻 248 nm光刻胶 主体树脂 酸催化 光致产酸剂

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光刻曝光系统中新型光可变衰减器的研制 被引量：9

8

作者 李美萱 王丽 董连和 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第1期129-134,共6页

在超大规模集成电路中,为满足数值孔径为1.35、波长为193nm的光刻曝光系统45nm的成像分辨率要求,设计了一种新型光可变衰减器,用于控制系统的光能透射率,调整曝光能量。该衰减器在光入射角为20°~40°时,衰减面的平均透射率呈... 在超大规模集成电路中,为满足数值孔径为1.35、波长为193nm的光刻曝光系统45nm的成像分辨率要求,设计了一种新型光可变衰减器,用于控制系统的光能透射率,调整曝光能量。该衰减器在光入射角为20°~40°时,衰减面的平均透射率呈线性变化并从95%降低至8%,同时保证其余三个表面的光能损失均低于1%。设计和制作了光可变衰减器的光学薄膜,其基底材料选择熔融石英,膜层材料采用LaF_3和AlF_3。实验测试了光可变衰减器系统性能,测试结果显示该系统的光能透射率在8%~90%范围内连续可调,实验结果满足设计要求。与传统光可变衰减器相比,该系统可调制衰减范围更大,衰减量更稳定,具有一定的应用价值。 展开更多

关键词 薄膜 深紫外光刻 光可变衰减器 截止滤光膜 光学镀膜

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深紫外计算光刻技术研究 被引量：7

9

作者 陈国栋 张子南 +1 位作者 李思坤 王向朝 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2022年第9期93-111,共19页

光刻机是极大规模集成电路制造的核心装备,深紫外光刻机是用于先进技术节点芯片制造的主流光刻设备。光刻机的成像质量直接影响光刻机性能指标,是光刻机正常工作的前提。作为提高光刻成像质量的重要手段,计算光刻技术在光刻机软硬件不... 光刻机是极大规模集成电路制造的核心装备,深紫外光刻机是用于先进技术节点芯片制造的主流光刻设备。光刻机的成像质量直接影响光刻机性能指标,是光刻机正常工作的前提。作为提高光刻成像质量的重要手段,计算光刻技术在光刻机软硬件不变的条件下,采用数学模型和软件算法对照明光源、掩模图形和工艺参数等进行优化,使目标图形高保真度地成像到硅片上。光刻成像模型是计算光刻技术的基础,成像模型仿真精度和速度的不断提高支撑了计算光刻技术的发展。结合本团队的研究工作,介绍了光刻成像模型的发展,总结了光学邻近效应修正技术、光源掩模优化技术和逆向光刻技术这三种主要计算光刻技术的研究进展。 展开更多

关键词 深紫外光刻 计算光刻 光源掩模优化 光学邻近效应修正 逆向光刻技术

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集成电路关键面积研究方法的发展与挑战 被引量：4

10

作者 张国霞 马佩军 +1 位作者 张旭 郝跃 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期704-709,共6页

关键面积研究方法是集成电路可制造性(DFM)领域的重要研究内容。对主流关键面积研究方法进行了综述与分析,讨论了Monte Carlo方法、多边形算子方法、Voronoi图方法的优缺点;对亚波长光刻阶段关键面积研究面临的挑战进行了分析与探讨。

关键词 集成电路 关键面积 关键面积提取 深亚微米光刻

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亚十纳米导向自组装与深紫外混合光刻技术 被引量：3

11

作者 李自力 胡晓华 熊诗圣 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2022年第9期438-453,共16页

光刻图形化工艺对芯片制造乃至于现代信息技术的发展起着至关重要的作用。随着微电子器件关键尺寸的持续微缩,芯片制造工艺日益演进,迫切需要立足国内产业现状,开发用于先进工艺节点的下一代光刻工艺。导向自组装(DSA)光刻技术是一种基... 光刻图形化工艺对芯片制造乃至于现代信息技术的发展起着至关重要的作用。随着微电子器件关键尺寸的持续微缩,芯片制造工艺日益演进,迫切需要立足国内产业现状,开发用于先进工艺节点的下一代光刻工艺。导向自组装(DSA)光刻技术是一种基于热力学微相分离的图形化工艺,具有高通量、高分辨、低成本的特点。本文提出结合深紫外(DUV)光刻技术在引导图形的基础上开发应用于高端芯片制造,与产线兼容的亚十纳米DSA光刻技术,致力解决制约我国集成电路产业发展的“卡脖子”工艺难题。基于此,从DSA机理、材料种类、图形设计、工艺兼容性(涂胶、退火、刻蚀)、成本、缺陷率、应用等方面系统讨论了该技术的发展潜力,并介绍了DSA光刻在300 mm先导线上实施所取得的最新研究进展,充分论证了DSA与DUV相结合的混合光刻技术应用于先进工艺节点的可操作性。最后,对该技术当前存在的挑战和机遇进行了总结与展望。 展开更多

关键词 光刻 导向自组装光刻 深紫外光刻 亚十纳米制造 微电子器件 先进工艺节点

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晶圆级薄膜铌酸锂波导制备工艺与性能表征

12

作者 叶志霖 李世凤 +5 位作者 崔国新 尹志军 王学斌 赵刚 胡小鹏 祝世宁 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第3期426-433,共8页

随着光子集成和光通信技术的快速发展,低损耗波导是实现高效光子传输的关键元件,其性能直接影响整个集成芯片的性能。因此,低损耗波导的制备技术是当前铌酸锂集成光子技术研究的热点和难点。本研究针对晶圆级低损耗薄膜铌酸锂波导的制... 随着光子集成和光通信技术的快速发展,低损耗波导是实现高效光子传输的关键元件,其性能直接影响整个集成芯片的性能。因此,低损耗波导的制备技术是当前铌酸锂集成光子技术研究的热点和难点。本研究针对晶圆级低损耗薄膜铌酸锂波导的制备工艺进行了深入研究,在4英寸的薄膜铌酸锂晶圆上,基于深紫外光刻和电感耦合等离子体刻蚀技术,成功制备出了传输损耗低于0.15 dB/cm的波导,同时刻蚀深度误差控制在10%以内,极大地提高了波导结构的精确度。此外,本研究还提出了一种基于微环谐振腔的晶圆上波导损耗的表征方案,能更精确地评估波导性能。通过测试,发现所制备的波导合格率超过85%,显示出良好的可重复性和可靠性。本文中发展的晶圆级薄膜铌酸锂加工工艺,对推进铌酸锂波导的大规模制备和应用具有重要意义。 展开更多

关键词 薄膜铌酸锂 晶圆级加工 波导损耗测量 深紫外光刻 ICP刻蚀 集成光子技术

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深紫外光刻照明系统的微反射镜阵列公差分析 被引量：3

13

作者 尹超 李艳秋 +2 位作者 闫旭 刘克 刘丽辉 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第7期144-150,共7页

为满足45 nm及其以下节点光刻技术对照明系统的需求,将深紫外光刻照明系统的光束整形单元所采用的微反射镜阵列(MMA)作为关键器件,以实现满足光源-掩模联合优化(SMO)技术需求的任意照明光源。根据MMA结构参数和加工制造调整特性,分析MM... 为满足45 nm及其以下节点光刻技术对照明系统的需求,将深紫外光刻照明系统的光束整形单元所采用的微反射镜阵列(MMA)作为关键器件,以实现满足光源-掩模联合优化(SMO)技术需求的任意照明光源。根据MMA结构参数和加工制造调整特性,分析MMA角度误差类型。在此基础上,利用蒙特卡罗公差分析法模拟实际加工制造调整的过程,通过分析微反射镜角度误差对曝光结果的影响,制定了满足曝光要求的角度公差。结果显示,当MMA在正交方向上的角度调整公差和加工角度公差分别在(±0.04°,±0.06°)、(±0.04°,±0.04°)范围内时,系统曝光得到的特征尺寸误差(CDE)在98.1%的置信概率下小于0.33 nm。 展开更多

关键词 光学设计 公差分析 微反射镜阵列 深紫外光刻

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调节力对偏心调节机构中透镜面形的影响 被引量：2

14

作者 张德福 李显凌 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第7期285-292,共8页

针对深紫外光刻投影物镜的像质补偿要求,对偏心调节时的透镜进行受力分析,基于柔度矩阵法设计了一种柔性多弹片透镜支撑结构,研究了透镜面形随调节力的变化规律,采用有限元法分析了调节力与透镜面形峰谷(PV)值、均方根(RMS)值和Fringe Z... 针对深紫外光刻投影物镜的像质补偿要求,对偏心调节时的透镜进行受力分析,基于柔度矩阵法设计了一种柔性多弹片透镜支撑结构,研究了透镜面形随调节力的变化规律,采用有限元法分析了调节力与透镜面形峰谷(PV)值、均方根(RMS)值和Fringe Zernike多项式系数之间的关系。计算结果表明:调节时通过降低调节力的大小,可以控制面形劣化程度。采用具有吸收调节力功能的柔性支撑结构后,在50N的驱动力偏心调节时,透镜上表面面形PV值和RMS值分别为2.704nm和0.528nm,透镜下表面面形PV值和RMS值分别为2.984nm和0.571nm。透镜面形的PV值、RMS值及Fringe Zernike多项式系数随调节力线性变化,但是调节力不会改变各种像差的性质,它引入的透镜像差主要为像散。 展开更多

关键词 光学器件 深紫外光刻 投影物镜 像差补偿 偏心调节机构 调节力 面形

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基于SOI的光子晶体波导的研究 被引量：1

15

作者 解灵运 张冶金 +2 位作者 彭小舟 陈向飞 谢世钟 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2003年第6期392-395,共4页

　给出了基于SOI晶片、带隙中心位于1550nm的光子带隙材料及光子晶体波导器件的设计方法。采用基于超原胞的平面波展开法和基于完美匹配层边界条件的三维时域有限差分法,对二维光子晶体平板的带隙结构及光波传输进行仿真。在大量计算和... 　给出了基于SOI晶片、带隙中心位于1550nm的光子带隙材料及光子晶体波导器件的设计方法。采用基于超原胞的平面波展开法和基于完美匹配层边界条件的三维时域有限差分法,对二维光子晶体平板的带隙结构及光波传输进行仿真。在大量计算和优化的基础上,设计了适于248nm深紫外曝光和0.18μm离子束刻蚀工艺的光子晶体带隙材料及波导器件,得到了初步的工艺实验结果和样品SEM测试结果。 展开更多

关键词 光子晶体 光子带隙 深紫外曝光 SOI 平面波展开法 时域有限差分法

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工件台振动低敏感光刻系统协同优化方法 被引量：1

16

作者 盛乃援 李艳秋 +1 位作者 韦鹏志 刘丽辉 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2019年第12期178-184,共7页

计算光刻是提高光刻成像性能的有效方法。但是,大多数计算光刻技术建立在理想光刻系统下而忽略了系统误差的影响。系统误差中的工件台振动会导致光刻图形误差增大和工艺窗口下降。因此,必须要降低工件台振动对光刻性能的影响。建立了一... 计算光刻是提高光刻成像性能的有效方法。但是,大多数计算光刻技术建立在理想光刻系统下而忽略了系统误差的影响。系统误差中的工件台振动会导致光刻图形误差增大和工艺窗口下降。因此,必须要降低工件台振动对光刻性能的影响。建立了一种对工件台振动低敏感的光刻系统协同优化方法。首先利用Zernike多项式表征光源来降低算法计算量并提高光源优化自由度。然后创建一项涵盖工件台振动影响的综合评价函数。最后采用基于梯度的统计优化算法建立优化流程。14 nm节点一维掩模图形仿真表明极端工件台振动下,该方法的特征尺寸误差降低28.7%,工艺窗口增大67.3%。结果证明该方法可以有效降低工件台振动敏感度并提高光刻工艺稳定性。 展开更多

关键词 深紫外光刻 分辨率增强技术 协同优化 计算光刻

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杂环类锌基光刻胶的制备及性能研究

17

作者 吴蓉 赵炜珍 王公应 《合成化学》 CAS 2023年第8期610-616,共7页

随着微电子行业的高速发展,光刻胶在IC制造行业得到了越来越多的关注,金属氧簇光刻胶以高吸收性、尺寸小且易于调控的优势受到青睐。在常温下设计合成了以二水乙酸锌为金属源,2-巯基-1-甲基咪唑为配体的含杂环的锌氧团簇化合物Zn-2-MMI... 随着微电子行业的高速发展,光刻胶在IC制造行业得到了越来越多的关注,金属氧簇光刻胶以高吸收性、尺寸小且易于调控的优势受到青睐。在常温下设计合成了以二水乙酸锌为金属源,2-巯基-1-甲基咪唑为配体的含杂环的锌氧团簇化合物Zn-2-MMI,其结构由X-射线单晶衍射和热重分析确证。结果表明:该材料尺度较小(1~2 nm),有助于得到高分辨图案;热稳定性能满足一般光刻的技术要求。通过高斯计算可知,最高占据分子轨道(HOMO)值较低(-6.64 eV),表明Zn-2-MMI具有一定的光化学反应潜力。在深紫外波长下进行曝光后,Zn-2-MMI光刻胶能在四甲基氢氧化铵水溶液和异丙醇中得到正负显影特征的图案;该光刻胶具有较高的灵敏度(45.5 mJ·cm^(-2)),表明了Zn-2-MMI具备作为新一代候选光刻材料的潜力。 展开更多

关键词 锌基光刻胶 深紫外光刻 灵敏度 杂环 HOMO-LUMO带隙 正负显影特征

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基于101.6mm(4英寸)砷化镓晶圆的130nm光刻工艺研究

18

作者 蔡利康 彭劲松 高建峰 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期184-187,共4页

首次采用扫描式光刻机开展基于101.6mm(4英寸)砷化镓晶圆的130nm光刻工艺研究,通过研究Si片与GaAs片表面状态的差异,确认基于扫描式光刻机实现GaAs晶圆130nm光刻工艺需以GaAs片为基础调整设备状态,较好地实现了GaAs晶圆130nm光刻图形。... 首次采用扫描式光刻机开展基于101.6mm(4英寸)砷化镓晶圆的130nm光刻工艺研究,通过研究Si片与GaAs片表面状态的差异,确认基于扫描式光刻机实现GaAs晶圆130nm光刻工艺需以GaAs片为基础调整设备状态,较好地实现了GaAs晶圆130nm光刻图形。同时尝试采用不同工艺方法(蒸发Ti金属薄膜、涂覆PMGI光刻胶以及生长SiN薄膜)处理GaAs晶圆表面,有效提高了圆片焦平面参数稳定性。进一步研究了图像倾斜参数对曝光图形形貌以及线宽均匀性的影响。 展开更多

关键词 扫描式光刻机 焦平面参数 深紫外光刻 图像倾斜参数

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