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直流反应磁控溅射制备二氧化钛薄膜的光催化性研究 被引量：32
1
作者 董昊 张永熙 +5 位作者 杨锡良 沈杰陈 华仙 蒋益明 顾元壮 章壮健 《真空科学与技术》 EI CSCD 北大核心 2000年第4期252-255,260,共5页
在磁控溅射器中用钛板作阴极 ,采用直流反应磁控溅射在玻璃基板上制备二氧化钛薄膜 ,溅射气体为氧、氩混合气体 ,O2 与Ar比例为 1∶2 ,溅射总气压范围为 0 5～ 6 65Pa ,溅射时基板温度范围为 1 0 0～ 40 0℃ ,薄膜厚度范围为 1 4 0～ 1... 在磁控溅射器中用钛板作阴极 ,采用直流反应磁控溅射在玻璃基板上制备二氧化钛薄膜 ,溅射气体为氧、氩混合气体 ,O2 与Ar比例为 1∶2 ,溅射总气压范围为 0 5～ 6 65Pa ,溅射时基板温度范围为 1 0 0～ 40 0℃ ,薄膜厚度范围为 1 4 0～ 1 1 0 0nm。XRD结果显示薄膜具有纯锐钛矿结构或锐钛矿和金红石的混合结构。在高的基板温度和适宜的溅射总气压下制备的薄膜以及厚度较厚的薄膜在紫外光照射后 。 展开更多
关键词 直流反应磁控溅射 光催化性 二氧化钛薄膜 制备
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ZnO:Al(ZAO)薄膜的制备与特性研究 被引量：20
2
作者 裴志亮 张小波 +3 位作者 王铁钢 宫骏 孙超 闻立时 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期84-88,共5页
采用磁控溅射技术制备了ZnO:Al(ZAO)薄膜.研究了不同的工艺参数对薄膜的组织结构和光电特性的影响.实验结果表明,多晶ZAO薄膜具有(001)择优取向且呈柱状生长,能量机制决定其微观生长状态.讨论了薄膜的内应力,高的沉积温度和低的溅射功... 采用磁控溅射技术制备了ZnO:Al(ZAO)薄膜.研究了不同的工艺参数对薄膜的组织结构和光电特性的影响.实验结果表明,多晶ZAO薄膜具有(001)择优取向且呈柱状生长,能量机制决定其微观生长状态.讨论了薄膜的内应力,高的沉积温度和低的溅射功率可有效减小薄膜的内应力.优化的ZAO薄膜电阻率和在可见光区的平均透射率可分别达到3×10-4-4×10-4Ω·cm和80％以上. 展开更多
关键词 直流反应磁控溅射 ZAO薄膜 生长机制 光电特性
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氧流量对直流反应磁控溅射制备TiO_2薄膜的光学性质的影响 被引量：9
3
作者 王贺权 沈辉 +2 位作者 巴德纯 汪保卫 闻立时 《中山大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期36-40,共5页
应用DC(直流)反应磁控溅射设备在硅基底上制备TiO2薄膜,在工作压强为2.0×10-1Pa,氩气流量为42.6 sccm,溅射时间为30 min的条件下,通过控制氧流量改变TiO2薄膜的光学性质。应用n&k Analyzer 1200分析器测量,当氧流量增加时薄膜... 应用DC(直流)反应磁控溅射设备在硅基底上制备TiO2薄膜,在工作压强为2.0×10-1Pa,氩气流量为42.6 sccm,溅射时间为30 min的条件下,通过控制氧流量改变TiO2薄膜的光学性质。应用n&k Analyzer 1200分析器测量,当氧流量增加时薄膜的平均反射率降低,同时反射低谷向中心波长(550 nm)处移动,薄膜的消光系数k有增大的趋势,但对薄膜的折射率影响不大。通过XRD和SEM表征发现,随着氧流量的增加金红石相的TiO2增多,并且表面趋于致密平滑。 展开更多
关键词 二氧化钛薄膜 直流反应磁控溅射 氧流量 反射率
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直流反应磁控溅射Al,N共掺方法生长p型ZnO薄膜及其特性 被引量：11
4
作者 袁国栋 叶志镇 +5 位作者 曾昱嘉 吕建国 钱庆 黄靖云 赵炳辉 朱丽萍 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期668-673,共6页
报道了利用直流反应磁控溅射以Al,N共掺杂技术生长p型ZnO薄膜 .ZnO薄膜在不同衬底温度下沉积于α Al2 O3 (0 0 0 1)衬底上 ,N来自NH3 与O2 的生长气氛 ,Al来自ZnxAl1-x(x =0 9)靶材 .利用XRD ,AFM ,Hall,SIMS和透射光谱对其性能进行了... 报道了利用直流反应磁控溅射以Al,N共掺杂技术生长p型ZnO薄膜 .ZnO薄膜在不同衬底温度下沉积于α Al2 O3 (0 0 0 1)衬底上 ,N来自NH3 与O2 的生长气氛 ,Al来自ZnxAl1-x(x =0 9)靶材 .利用XRD ,AFM ,Hall,SIMS和透射光谱对其性能进行了研究 .结果表明 ,ZnO薄膜具有高度c轴择优取向 ,4 5 0℃、6 0 0℃分别实现了p型转变 ,电阻率为 10 2 ～ 10 3 Ω·cm ,载流子浓度为 10 15～ 10 16cm-3 ,迁移率为 0 5～ 1 32cm2 / (V·s) .薄膜中Al原子促进了N原子的掺入 .实验还表明 ,p ZnO薄膜在可见光区域具有很高的透射率 (约为 90 % ) ,室温下光学带宽为 3 2 8eV .而在 4 5 0℃生长的p 展开更多
关键词 Al N共掺杂技术 p-ZnO 直流反应磁控溅射
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N-Al共掺ZnO薄膜的p型传导特性 被引量：11
5
作者 吕建国 叶志镇 +3 位作者 诸葛飞 曾昱嘉 赵炳辉 朱丽萍 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期730-734,共5页
利用直流反应磁控溅射技术制得N Al共掺的p型ZnO薄膜,N2O为生长气氛.利用X射线衍射(XRD),Hall实验,X射线光电子能谱(XPS)和光学透射谱对共掺ZnO薄膜的性能进行研究.结果表明,薄膜中Al的存在显著提高了N的掺杂量,N以N Al键的形式存在.N A... 利用直流反应磁控溅射技术制得N Al共掺的p型ZnO薄膜,N2O为生长气氛.利用X射线衍射(XRD),Hall实验,X射线光电子能谱(XPS)和光学透射谱对共掺ZnO薄膜的性能进行研究.结果表明,薄膜中Al的存在显著提高了N的掺杂量,N以N Al键的形式存在.N Al共掺ZnO薄膜具有优良的p型传导特性.当Al含量为0.15wt%时,共掺ZnO薄膜的电学性能取得最优值,载流子浓度为2.52×1017cm-3,电阻率为57.3Ω·cm,Hall迁移率为0.43cm2/(V·s).N Al共掺p型ZnO薄膜具有高度c轴取向,在可见光区域透射率高达90%. 展开更多
关键词 N—Al共掺ZnO薄膜 P型传导 N2O生长气氛 直流反应磁控溅射
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直流反应溅射TiO_2薄膜的制备及其性能研究 被引量：6
6
作者 姚宁 张利伟 +3 位作者 鲁占灵 杨仕娥 樊志琴 张兵临 《真空》 CAS 北大核心 2005年第1期18-21,共4页
采用直流反应磁控溅射的方法,溅射高纯钛靶在ITO石英衬底上制备了TiO2薄膜。用XRD、Raman光谱、AFM和紫外-可见光分光光度计分别测试了TiO2薄膜的结构、表面形貌和紫外-可见光透射谱,研究了工艺因素中溅射气压、氧氩比和退火温度对薄膜... 采用直流反应磁控溅射的方法,溅射高纯钛靶在ITO石英衬底上制备了TiO2薄膜。用XRD、Raman光谱、AFM和紫外-可见光分光光度计分别测试了TiO2薄膜的结构、表面形貌和紫外-可见光透射谱,研究了工艺因素中溅射气压、氧氩比和退火温度对薄膜结构的影响。采用C(胶)/TiO2/ITO三层结构研究了锐钛矿TiO2薄膜的紫外光响应。实验结果表明:较低的溅射气压、合适的氧氩比和较高的退火温度有利于锐钛矿TiO2薄膜的结晶。在2V的偏压下,锐钛矿TiO2薄膜的紫外光响应上升迟豫时间约为3s,稳定光电流可达到2.1mA,对紫外光的灵敏性和稳定的光响应表明TiO2薄膜有可能成为一种新的紫外光探测器材料。 展开更多
关键词 直流反应磁控溅射 锐钛矿TiO2薄膜 光响应
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反应磁控溅射ZnO薄膜的高温退火研究 被引量：5
7
作者 陈汉鸿 吕建国 +2 位作者 叶志镇 汪雷 赵炳辉 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2002年第6期467-469,449,共4页
ZnO薄膜是一种新型的II VI族直接能带化合物半导体材料 ,有可能实现短波长的探测器 ,LED和LD等光电子器件。用磁控溅射法在硅衬底上生长ZnO薄膜 ,由于薄膜与衬底之间较大的应力失配 ,以及由于较快的生长速率 ,薄膜中存在较多的Zn间隙原... ZnO薄膜是一种新型的II VI族直接能带化合物半导体材料 ,有可能实现短波长的探测器 ,LED和LD等光电子器件。用磁控溅射法在硅衬底上生长ZnO薄膜 ,由于薄膜与衬底之间较大的应力失配 ,以及由于较快的生长速率 ,薄膜中存在较多的Zn间隙原子和O空位 ,在薄膜中存在应力。通过高温退火 ,可以使应力得到弛豫 ,降低O空位和Zn间隙原子的浓度 ,提高薄膜的化学计量比和改善薄膜的结晶质量。本实验用XRD和AFM研究了高温退火对ZnO薄膜的晶体性能和表面的影响。对ZnO薄膜在退火处理后c轴方向的应力性质的转变作了机理上的探讨。 展开更多
关键词 反应磁控溅射 ZNO薄膜 高温退火 应力转变 间隙锌原子 氧空位 氧化锌 半导体
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靶基距对直流反应磁控溅射制备TiO_2薄膜光学性质的影响 被引量：4
8
作者 王贺权 沈辉 +2 位作者 巴德纯 汪保卫 闻立时 《真空》 CAS 北大核心 2005年第1期11-14,共4页
应用DC(直流)反应磁控溅射设备在硅基底上制备TiO2薄膜,在固定的电源功率下,氩气流量为42.6sccm,氧流量为15sccm,溅射时间为30min的条件下,通过控制靶基距改变TiO2薄膜的光学性质。应用n&kAnalyzer1200测量,当靶基距增加时薄膜的平... 应用DC(直流)反应磁控溅射设备在硅基底上制备TiO2薄膜,在固定的电源功率下,氩气流量为42.6sccm,氧流量为15sccm,溅射时间为30min的条件下,通过控制靶基距改变TiO2薄膜的光学性质。应用n&kAnalyzer1200测量,当靶基距增加时薄膜的平均反射率降低,同时反射低谷先短波后长波之后再短波;靶基距对消光系数k影响较大;随着靶基距的增加薄膜的折射率出现了下降的趋势,但当靶基距达到一定的量值时折射率的变化趋于稳定。通过XRD和SEM表征发现,随着靶基距的增加TiO2的晶体结构由金红石相向锐钛矿相转变,薄膜表面的颗粒度大小由粗大变得微小细密。 展开更多
关键词 二氧化钛薄膜 直流反应磁控溅射 靶基距 反射率
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直流反应磁控溅射制备锐钛矿型TiO_2薄膜 被引量：5
9
作者 张利伟 鲁占灵 +2 位作者 杨仕娥 姚宁 张兵临 《真空与低温》 2003年第4期221-223,共3页
采用直流反应磁控溅射的方法,在衬底温度为350℃的条件下溅射高纯钛靶,并在玻璃衬底上制备了TiO2薄膜。采用正交设计法探讨了溅射气压、溅射电流、氧氩比和溅射时间等实验条件对TiO2薄膜结构的影响。经过X射线衍射和拉曼光谱分析,制备... 采用直流反应磁控溅射的方法,在衬底温度为350℃的条件下溅射高纯钛靶,并在玻璃衬底上制备了TiO2薄膜。采用正交设计法探讨了溅射气压、溅射电流、氧氩比和溅射时间等实验条件对TiO2薄膜结构的影响。经过X射线衍射和拉曼光谱分析,制备结晶良好的锐钛矿结构TiO2薄膜的最佳实验条件为:溅射气压0.3Pa;溅射电流0.7A;氧氩比1∶3;溅射时间40min;退火温度650℃。 展开更多
关键词 直流反应磁控溅射 TIO2薄膜 制备工艺 正交设计法 锐钛矿结构
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新型模板法制备ZnO纳米结构薄膜及其光学性能研究 被引量：7
10
作者 郑华均 钟金环 +1 位作者 郑正德 王醒东 《高校化学工程学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期279-283,共5页
通过电化学阳极氧化-化学溶蚀技术制备了一种由无数纳米凸点和凹点所构成的新型铝基纳米点阵模板。采用直流反应磁控溅射法在这种新型模板上沉积得到氧化锌纳米结构薄膜。在室温下观察了氧化锌纳米结构薄膜的形貌,测定材料的晶体结构和... 通过电化学阳极氧化-化学溶蚀技术制备了一种由无数纳米凸点和凹点所构成的新型铝基纳米点阵模板。采用直流反应磁控溅射法在这种新型模板上沉积得到氧化锌纳米结构薄膜。在室温下观察了氧化锌纳米结构薄膜的形貌,测定材料的晶体结构和光致发光(PL)性能,并讨论了不同溅射时间下制备的氧化锌纳米阵列结构以及其对氧化锌PL谱的性能影响。结果表明,采用直流反应磁控溅射-铝基纳米点阵模板可以制备ZnO纳米结构薄膜;PL谱表明溅射时间为10min得到的氧化锌薄膜在396.5nm和506.4nm处分别出现紫外发射峰和蓝绿色荧光发射峰;随着溅射时间延长,氧化锌薄膜PL谱伴有红移现象且强度逐渐增强。这可能是由于改善了晶粒结构导致不能观测到ZnO薄膜的深能级发射峰所致。 展开更多
关键词 铝基纳米点阵模板 直流反应磁控溅射 氧化锌薄膜 光致发光
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直流反应磁控溅射WO_3薄膜气敏特性研究 被引量：7
11
作者 尹英哲 胡明 +1 位作者 冯有才 陈鹏 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期760-762,共3页
用直流反应磁控溅射法制成纳米结构的WO3薄膜气敏传感器,通过XRD,SEM和XPS对该薄膜的晶体结构和化学成分进行分析,研究了不同基片上制备的WO3薄膜的氨敏特性与薄膜厚度、退火温度的关系.实验得到的薄膜粒径大小约30-50nm,结果表明:在未... 用直流反应磁控溅射法制成纳米结构的WO3薄膜气敏传感器,通过XRD,SEM和XPS对该薄膜的晶体结构和化学成分进行分析,研究了不同基片上制备的WO3薄膜的氨敏特性与薄膜厚度、退火温度的关系.实验得到的薄膜粒径大小约30-50nm,结果表明:在未抛光的三氧化二铝基片上沉积厚度为40nm的WO3薄膜,经过400℃退火,在体积分数为5×10-5NH3中的灵敏度达到300,而且气体选择性好,响应-恢复时间短,可以作为理想的氨敏元件. 展开更多
关键词 WO3薄膜 氨敏传感器 直流反应磁控溅射
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直流反应磁控溅射法制备锐钛矿TiO_2薄膜 被引量：6
12
作者 张丽伟 郭云德 +3 位作者 任时朝 宋金生 张利伟 卢景霄 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期174-176,195,共4页
采用直流反应磁控溅射的方法,溅射高纯钛靶在玻璃衬底上制备了TiO2薄膜。用XRD测试了TiO2薄膜的结构,研究了工艺因素中衬底温度、溅射气压、氧氩气体流量比和退火温度对薄膜结构的影响。实验结果表明:衬底温度高于200℃、溅射气压不高于... 采用直流反应磁控溅射的方法,溅射高纯钛靶在玻璃衬底上制备了TiO2薄膜。用XRD测试了TiO2薄膜的结构,研究了工艺因素中衬底温度、溅射气压、氧氩气体流量比和退火温度对薄膜结构的影响。实验结果表明:衬底温度高于200℃、溅射气压不高于0.7 Pa、氧氩流量比为1/4、退火温度为650℃时,锐钛矿TiO2薄膜更容易结晶。 展开更多
关键词 TIO2薄膜 直流反应磁控溅射 锐钛矿
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直流反应磁控溅射制备的Mo掺杂TiO_2薄膜的光电特性 被引量：8
13
作者 颜秉熙 罗胜耘 沈杰 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2012年第2期381-386,共6页
通过直流反应磁控溅射制备了不同Mo掺杂量的Mo-TiO2薄膜.用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)仪、X射线光电子能谱(XPS)仪、紫外-可见(UV-Vis)分光光度计详细研究了Mo掺杂量对薄膜表面形貌、晶体结构、元素价态及吸收带边的影响.用瞬... 通过直流反应磁控溅射制备了不同Mo掺杂量的Mo-TiO2薄膜.用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)仪、X射线光电子能谱(XPS)仪、紫外-可见(UV-Vis)分光光度计详细研究了Mo掺杂量对薄膜表面形貌、晶体结构、元素价态及吸收带边的影响.用瞬态光电流和循环伏安法考察了不同Mo含量ITO/Mo-TiO2电极的光电特性.结果表明:在TiO2薄膜中掺入的Mo以Mo6+和Mo5+两种价态存在;随着Mo掺杂量的增加,Mo-TiO2薄膜的晶粒尺寸逐渐减小,晶格畸变增大,吸收阈值显著红移;薄膜的禁带宽度先减小后增大,在Mo掺杂量为2.7%(n(Mo)/n(Ti))时禁带宽度最小;Mo掺杂量为0.9%的样品在氙灯下的光生电流最大,且随着所加阳极偏压的提高光生电流并未呈现出饱和的趋势.此后随着掺杂量的提高,薄膜的光生电流开始下降,当Mo掺杂量达到3.6%时,薄膜的光电流小于未掺杂的样品;说明适当浓度的Mo掺杂能够提高Mo-TiO2薄膜光电性能,光生电流最大可达未掺杂的2.4倍. 展开更多
关键词 光生电流 循环伏安 直流反应磁控溅射 二氧化钛薄膜 钼掺杂
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纳米钛基TiO_2薄膜生长特点和生物活性研究 被引量：7
14
作者 于春杭 邵红红 +1 位作者 许晓静 翟瑞 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期844-846,850,共4页
采用直流磁控溅射法分别在纳米晶体钛和粗晶粒工业纯钛表面沉积TiO2薄膜,研究了纳米钛基TiO2薄膜的结构形貌、形核、生长、晶体结构和体外生物活性。用扫描电镜和X射线衍射仪分析了薄膜的表面形貌和晶体结构,用体外模拟人体体液浸泡诱... 采用直流磁控溅射法分别在纳米晶体钛和粗晶粒工业纯钛表面沉积TiO2薄膜,研究了纳米钛基TiO2薄膜的结构形貌、形核、生长、晶体结构和体外生物活性。用扫描电镜和X射线衍射仪分析了薄膜的表面形貌和晶体结构,用体外模拟人体体液浸泡诱导羟基磷灰石生长实验表征薄膜的生物活性。结果表明:纳米钛基薄膜形核率高,薄膜非常致密、光滑,晶粒细小,仅为粗晶粒钛基TiO2薄膜晶粒尺寸的一半,约100nm;钛基材纳米晶体化可促进薄膜由锐钛矿相向金红石相转变;钛基材纳米化可显著提高自身及其表面TiO2薄膜的生物活性。 展开更多
关键词 TIO2薄膜 纳米晶体钛 生物活性 直流磁控溅射
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铝氮共掺制备p型ZnO薄膜的电学性能研究 被引量：4
15
作者 张正海 叶志镇 +3 位作者 朱丽萍 赵炳辉 诸葛飞 吕建国 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期408-410,共3页
本文通过直流反应磁控溅射 ,采用Al+N共掺的方法在N2 O—O2 气氛下制备p型ZnO薄膜。结果表明 ,衬底温度为 5 0 0℃时共掺所得p型ZnO的载流子浓度最高 ,并且比单独掺氮时高近 3个数量级。本文还讨论了生长气氛对薄膜电学性能的影响 ,当... 本文通过直流反应磁控溅射 ,采用Al+N共掺的方法在N2 O—O2 气氛下制备p型ZnO薄膜。结果表明 ,衬底温度为 5 0 0℃时共掺所得p型ZnO的载流子浓度最高 ,并且比单独掺氮时高近 3个数量级。本文还讨论了生长气氛对薄膜电学性能的影响 ,当衬底温度为 5 0 0℃时 ,在纯N2 O气氛下制备的p型ZnO的空穴浓度最高 ,为 7 5 6× 10 17cm-3 ,同时薄膜的电阻率和载流子的迁移率分别为 94 3Ω·cm和 0 0 9cm2 V-1s-1。 展开更多
关键词 电学性能 ZNO薄膜 掺氮 迁移率 载流子浓度 衬底温度 直流反应磁控溅射 个数 空穴 数量级
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室温直流反应磁控溅射制备透明导电In_2O_3∶Mo薄膜 被引量：5
16
作者 缪维娜 李喜峰 +4 位作者 张群 黄丽 章壮健 张莉 严学俭 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期301-305,共5页
在室温条件下采用直流反应磁控溅射法制备了新型透明导电In2O3:Mo薄膜.研究了溅射压强中氧气百分含量[P(O2)]为8.0%～18.0%时对薄膜光电特性以及表面形貌结构的影响.结果表明,薄膜的光电性能对溅射压强中P(O2)非常敏感.分析显示P(O2)决... 在室温条件下采用直流反应磁控溅射法制备了新型透明导电In2O3:Mo薄膜.研究了溅射压强中氧气百分含量[P(O2)]为8.0%～18.0%时对薄膜光电特性以及表面形貌结构的影响.结果表明,薄膜的光电性能对溅射压强中P(O2)非常敏感.分析显示P(O2)决定了薄膜中的氧空位含量和载流子浓度,从而影响了薄膜的光电特性.原子力显微镜观察表明,适量的P(O2)条件下可以获得平均粗糙度为0.3 nm、颗粒均匀、表面平整的薄膜.室温制备的IMO薄膜在可见光区域的平均透射率(含玻璃基底)高达82.1%,电阻率低至5.9×10-4 Ω·cm. 展开更多
关键词 透明导电氧化物 In2O3:Mo薄膜 直流反应磁控溅射法 室温
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磁控溅射WO_x电致变色薄膜的结构 被引量：1
17
作者 黄佳木 施萍萍 《重庆大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期81-84,共4页
采用直流反应磁控溅射工艺,以纯钨靶为靶材在ITO玻璃上制备电致变色WOx薄膜,运用XRD衍射方法和扫描隧道显微镜(STM)测试手段对薄膜的晶体结构和微观表面形貌进行了分析,探讨了WOx薄膜的电致变色性能和微观结构之间的关系。实验分析结果... 采用直流反应磁控溅射工艺,以纯钨靶为靶材在ITO玻璃上制备电致变色WOx薄膜,运用XRD衍射方法和扫描隧道显微镜(STM)测试手段对薄膜的晶体结构和微观表面形貌进行了分析,探讨了WOx薄膜的电致变色性能和微观结构之间的关系。实验分析结果发现:磁控溅射得到的WOx薄膜主要是非晶态的,而其在着色状态和退色状态下亦呈非晶特性;电致变色反应使薄膜的颜色发生了可逆变化,必然地也使结构发生了可逆变化。Li+的进出,虽然没有使组成WOx的基本结构发生大的变化,但其微观表面形貌发生较大差异,因为原子团簇的堆积方式向较规则的低能态堆积方式转变。 展开更多
关键词 WOx 非晶态薄膜 电致变色 直流反应磁控溅射 透光率 八面体
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锐钛矿TiO_2薄膜的制备及其紫外光电导性能研究 被引量：3
18
作者 张利伟 姚宁 +3 位作者 鲁占灵 杨仕娥 樊志琴 张兵临 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期40-43,共4页
采用直流反应磁控溅射的方法, 溅射高纯钛靶在 ITO石英衬底上制备了 TiO2 薄膜。用Raman光谱、AFM和紫外 可见光分光光度计分别测试了 TiO2薄膜的结构、表面形貌和紫外 可见光吸收谱,研究了工艺因素中溅射气压、氧氩比和退火温度对薄膜... 采用直流反应磁控溅射的方法, 溅射高纯钛靶在 ITO石英衬底上制备了 TiO2 薄膜。用Raman光谱、AFM和紫外 可见光分光光度计分别测试了 TiO2薄膜的结构、表面形貌和紫外 可见光吸收谱,研究了工艺因素中溅射气压、氧氩比和退火温度对薄膜结构的影响。采用C(胶)/TiO2/ITO三层结构研究了锐钛矿TiO2薄膜的紫外光响应。实验结果表明:较低的溅射气压、合适的氧氩比和较高的退火温度有利于锐钛矿 TiO2 薄膜的结晶。在 2 V 的偏压下,锐钛矿TiO2薄膜的紫外光响应上升弛豫时间约为3 s,稳定光电流可达到2.1 mA,对紫外光的灵敏性和稳定的光响应表明TiO 薄膜有可能成为一种新的紫外光探测器材料。 展开更多
关键词 直流反应磁控溅射 锐钛矿TiO2薄膜 光响应
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二氧化钛太阳能电池减反射膜结构和光学特性 被引量：5
19
作者 赵保星 周继承 +1 位作者 荣林艳 彭银桥 《中南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第7期2147-2151,共5页
用溅射功率为100~500 W的直流反应磁控溅射法制备出不同结构与特性的TiO2薄膜样品;采用原子力显微镜（AFM）、X线衍射仪（XRD）、傅里叶红外光谱（FTIR）和紫外可见光分光光度计对薄膜的形貌、结构及光学特性进行表征;研究溅射功率对薄... 用溅射功率为100~500 W的直流反应磁控溅射法制备出不同结构与特性的TiO2薄膜样品;采用原子力显微镜（AFM）、X线衍射仪（XRD）、傅里叶红外光谱（FTIR）和紫外可见光分光光度计对薄膜的形貌、结构及光学特性进行表征;研究溅射功率对薄膜的结构、形貌及光学特性的影响。研究结果表明：沉积态薄膜均为无序结构,氧化物溅射模式下沉积的薄膜为透明状态,金属模式下沉积的薄膜不透明,TiO2薄膜的折射率随着溅射功率变化在1.8~2.3之间变化;在低功率制备的沉积态薄膜存在TiO0.5微晶,它使薄膜样品的透过率降低,这主要是TiO0.5微晶对光波的强烈吸收所致;400 W溅射功率下制备出适合太阳能电池减反射膜应用的透过率高及折射率大的TiO2减反膜。 展开更多
关键词 二氧化钛 直流反应磁控溅射 溅射功率 减反射薄膜 光学特性
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直流磁控溅射制备ZAO透明导电薄膜及性能研究 被引量：5
20
作者 陈小焱 王璟 丁雨田 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第1期139-142,共4页
运用直流磁控溅射法,采用ZAO陶瓷靶材(Al2O3相对含量2%(质量分数)),结合正交实验表通过改变制备工艺中的基片温度、溅射功率、氧流量百分比等参数,在普通玻璃衬底上制备得到ZnO∶Al(ZAO)透明导电薄膜。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(S... 运用直流磁控溅射法,采用ZAO陶瓷靶材(Al2O3相对含量2%(质量分数)),结合正交实验表通过改变制备工艺中的基片温度、溅射功率、氧流量百分比等参数,在普通玻璃衬底上制备得到ZnO∶Al(ZAO)透明导电薄膜。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、荧光分光光度计、四探针测试仪对样品的晶体结构、表面形貌、光电性能进行表征分析。通过正交分析法得出直流磁控溅射法制备ZAO薄膜的最佳组合工艺为基片温度200℃,溅射功率40W,氧流量百分比20%,退火温度400℃,获得薄膜样品最低方块电阻11Ω/□,薄膜具有最好的发光性能,适合作为薄膜太阳电池的透明导电电极。 展开更多
关键词 ZAO薄膜 直流磁控溅射 正交实验 光电性能
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